本发明公开了一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：对衬底进行十八烷基三氯硅烷的修饰，修饰后在衬底上蒸镀可导电的薄膜作为栅电极，在栅电极上涂覆并固化一层薄膜作为绝缘层，通过蹭涂的方式将二维片状有机单晶转移至绝缘层上，在二维片状有机单晶两侧的绝缘层上真空掩膜蒸镀源极和漏极，真空掩膜蒸镀完成后，得到器件，将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维上，得到可编织纤维状有机光电场效应晶体管，本发明预先在平面状衬底上制备独立的有机光电场效应晶体管器件，可以保证转移后，能够在各种纤维状衬底上制备线性器件。
1.一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管在提高灵敏度和光响应度中的应用，其特征在于，可编织纤维状有机光电场效应晶体管的制备方法包括以下步骤：
1)对衬底进行十八烷基三氯硅烷的修饰，修饰后在衬底上蒸镀可导电的薄膜作为栅电极，其中，修饰的步骤包括①～③：
①将衬底放入丙酮中浸泡20～40min，干燥，放入铬酸洗液中浸泡30～40min，取出衬底后先后依次进行清洗和干燥；
②对衬底进行羟基化：将步骤①所得衬底置于食人鱼洗液中浸泡20～40min，取出所述衬底后对该衬底进行清洗；
③对衬底进行OTS修饰：将步骤②所得衬底浸泡于体积分数为0.005～0.015％的OTS的正庚烷溶液中8～15min，取出衬底后再将该衬底于三氯甲烷中浸泡5～15min，取出衬底后先后依次进行清洗和干燥；
2)在步骤1)所得栅电极上涂覆并固化一层厚度为300～400nm的薄膜作为绝缘层，所述绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯薄膜，制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的方法为：将质量分数为5～
8％的PMMA苯甲醚溶液滴到衬底的栅电极上，在衬底转速为3000～4500r/min的前提下，旋涂35～45s，旋涂结束后于80～100℃固化5～30min，得到所述聚甲基丙烯酸甲酯薄膜；
3)通过蹭涂的方式将二维片状有机单晶转移至步骤2)所得绝缘层上，其中，所述二维片状有机单晶能够弯曲，所述二维片状有机单晶为DPA二维片状有机单晶，该DPA二维片状有机单晶的制备方法为：将原料DPA置于两端控温的电阻管式炉中的较高温区，向电阻管式炉内通入作为载气的氩气，氩气的流量为450～500sccm，将所述电阻管式炉一端的温度在
40min内从室温20～25℃升至285℃，所述电阻管式炉另一端的温度在30min内从室温20～
25℃升至245℃，再恒温加热280min，在较低温区获得蓝绿色的DPA二维片状有机单晶，其中，DPA二维片状有机单晶生长的环境为常压；
4)在步骤3)所得二维片状有机单晶两侧的绝缘层上真空掩膜蒸镀源极和漏极，真空掩膜蒸镀完成后，得到器件，其中，所述源极和漏极均与所述二维片状有机单晶连接且位于所述绝缘层上；
5)将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维上，得到可编织纤维状有机光电场效应晶体管，其中，所述处理后纤维的制备方法为：选取直径为50～120μm的纤维，清洗纤维，将所述纤维在伸直状态下固定，进行氧等离子体处理，氧等离子体处理条件如下：功率为40～100W，时间为5～20min，气体流速为8～
15sccm；再通过提拉法在进行氧等离子体处理的纤维上制备一层用于与栅电极连接的缓冲层，所述纤维为织物纤维，所述缓冲层的厚度为2～10μm，所述缓冲层为聚二甲基硅氧烷。
2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述步骤①中，所述干燥为用氮气吹干，所述清洗的操作为：用去离子水冲洗多次后在去离子水中超声至少5min；
在所述步骤①中，所述铬酸洗液为重铬酸钾、水和浓硫酸的混合物，其中，所述重铬酸钾的质量份数、水的体积份数和浓硫酸的体积份数的比为1：2：18；所述质量份数的单位为g，所述体积份数的单位为mL；
在所述步骤②中，所述食人鱼洗液为浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，其中，按体积份数计，所述浓硫酸和过氧化氢的比为7:3；
3.根据权利要求2所述的应用，其特征在于，在所述步骤1)中，所述衬底为硅片；
在所述步骤1)中，所述栅电极为厚度50～100nm的金材质的薄膜。
4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，所述浓硫酸中H2SO4的质量分数为98％；
在所述步骤5)中，所述清洗纤维为将纤维在异丙醇中浸泡20～40min，取出后用水冲洗多次，再于去离子水中超声10～15min，取出纤维；
在所述步骤5)中，所述提拉法的提拉速度为50～200μm/s。
5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，在所述步骤3)中，所述二维片状有机单晶的长为40～300μm，宽为50～500μm，厚度为10～40μm。
6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，在所述步骤5)中，将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维的操作步骤为：用探针将所述器件的栅电极搓起一角，用探针蘸取银胶，通过银胶粘起所述器件的栅电极将该栅电极转移至处理后纤维。
7.根据权利要求6所述的应用，其特征在于，在所述步骤4)中，所述源极和漏极的材质均为金，所述源极和漏极的间距为10～50μm，二维片状有机单晶的长宽比为(1～2)：1；
在所述步骤4)中，所述源极和漏极的厚度均为30～35nm；
在所述步骤4)中，所述真空掩膜蒸镀的真空度为10 ～10 torr，所述真空掩膜蒸镀的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s；
在所述步骤4)中，所述真空掩膜蒸镀的掩膜为玻璃纤维；
在所述步骤4)中，真空掩膜蒸镀完成后，揭去掩膜，进行切割，得到长50～200μm、宽50～350μm的器件。
8.根据权利要求7所述的应用，其特征在于，所述可编织纤维状有机光电场效应晶体管7
的光电流开关比为10，光响应度最高为7500安培每瓦。
可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用
技术领域
[0001] 本发明属于有机电子技术领域，具体来说涉及一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管及其制备方法和应用。
背景技术
[0002] 随着有机电子学的快速发展，可穿戴电子设备成为因为具有质量轻、体积小、效率高以及一定的弹性等特点，逐渐地成为电子器件领域的研究热点。相较于传统的平面器件，
纤维状器件因其可操作性难度大，制备过程更为困难，复杂。因此迫切需要在相关领域开展
突破性研究。近些年来有许多制备可穿戴的纤维状微型器件的尝试并取得了一定的成功经
验，如复旦大学利用旋转平移法，首次成功制备了可拉伸的纤维状超级电容器。还通过将取
向碳纳米管纤维缠绕在一起，制备出了可自支撑染色敏化有机太阳能电池
(Advanced.Mater 2013,25,5965–5970；Advanced.Energy Mater 2014,1301750)。然而作
为现代电子电路的基本构建单元，有机场效应晶体管器件基本上都是在传统的平面状衬底
上实现的，关于可编织的纤维状场效应晶体管的报道很少。在已经报道的文献中普遍存在
着器件制作工艺复杂，生产成本高、衬底选择受限、器件性能低、应用缺乏等问题(IEEE
Electron Device Letters,2016.37,774.Advanced Materials 2009,21,573‑577；ACS
Appl.Mater.Interfaces 2012,4,6‑10.)。这在很大程度上阻碍了有机场效应晶体管在可
穿戴电子领域的发展，仍需要相关领域科研工作者的不断探索与研究。
发明内容
[0003] 针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管的制备方法，该制备方法基于转移技术，利用二维片状有机单晶的可弯曲特性，能够
大批量制备得到高性能的可编织纤维状有机光电场效应晶体管。
[0004] 本发明的另一目的是提供上述制备方法获得的可编织纤维状有机光电场效应晶体管。
[0005] 本发明的另一目的是提供所述可编织纤维状有机光电场效应晶体管在提高灵敏度和光响应度中的应用。
[0006] 本发明的目的是通过下述技术方案予以实现的。
[0007] 一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：
[0008] 1)对衬底进行十八烷基三氯硅烷(OTS)的修饰，修饰后在衬底上蒸镀可导电的薄膜作为栅电极，其中，修饰的步骤包括①～③：
[0009] ①将衬底放入丙酮中浸泡20～40min，干燥，放入铬酸洗液中浸泡30～40min，取出衬底后先后依次进行清洗和干燥；
[0010] 在所述步骤①中，所述干燥为用氮气吹干，所述清洗的操作为：用去离子水冲洗多次后在去离子水中超声至少5min。
[0011] 在所述步骤①中，所述铬酸洗液为重铬酸钾、水和浓硫酸的混合物，其中，所述重铬酸钾的质量份数、水的体积份数和浓硫酸的体积份数的比为1：2：18。
[0012] 在上述技术方案中，所述浓硫酸中H2SO4的质量分数为98％。
[0013] 在上述技术方案中，所述质量份数的单位为g，所述体积份数的单位为mL。
[0014] ②对衬底进行羟基化：将步骤①所得衬底置于食人鱼洗液中浸泡20～40min，取出所述衬底后对该衬底进行清洗；
[0015] 在所述步骤②中，所述清洗为用去离子水冲洗多次。
[0016] 在所述步骤②中，所述食人鱼洗液为浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，其中，按体积份数计，所述浓硫酸和过氧化氢的比为7:3。
[0017] ③对衬底进行OTS修饰：将步骤②所得衬底浸泡于体积分数为0.005～0.015％的OTS的正庚烷溶液中8～15min，取出衬底后再将该衬底于三氯甲烷中浸泡5～15min，取出衬
底后先后依次进行清洗和干燥。
[0018] 在所述步骤③中，所述清洗为在水中超声。
[0019] 在所述步骤1)中，所述衬底为硅片。
[0020] 在所述步骤1)中，所述栅电极为厚度50～100nm的金材质的薄膜。
[0021] 2)在步骤1)所得栅电极上涂覆并固化一层厚度为300～400nm的薄膜作为绝缘层；
[0022] 在所述步骤2)中，所述绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜。
[0023] 在所述步骤2)中，制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的方法为：将质量分数为5～8％的PMMA苯甲醚溶液滴到衬底的栅电极上，在衬底转速为3000～4500r/min的前提下，旋涂35～
45s，旋涂结束后于80～100℃固化5～30min，得到所述聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。
[0024] 3)通过蹭涂的方式将二维片状有机单晶转移至步骤2)所得绝缘层上，其中，所述二维片状有机单晶能够弯曲。
[0025] 在所述步骤3)中，所述二维片状有机单晶的长为40～300μm，宽为50～500μm，厚度为10～40μm。
[0026] 在所述步骤3)中，所述二维片状有机单晶为DPA二维片状有机单晶，该DPA二维片状有机单晶的制备方法为：将原料DPA置于两端控温的电阻管式炉中的较高温区，向电阻管
式炉内通入作为载气的氩气，氩气的流量为450～500sccm，将所述电阻管式炉一端的温度
在40min内从室温20～25℃升至285℃，所述电阻管式炉另一端的温度在30min内从室温20
～25℃升至245℃，再恒温加热280min，在较低温区获得蓝绿色的DPA二维片状有机单晶，其
中，DPA二维片状有机单晶生长的环境为常压。
[0027] 4)在步骤3)所得二维片状有机单晶两侧的绝缘层上真空掩膜蒸镀源极和漏极，真空掩膜蒸镀完成后，得到器件，其中，所述源极和漏极均与所述二维片状有机单晶连接且位
于所述绝缘层上；
[0028] 在所述步骤4)中，所述源极和漏极的材质均为金，所述源极和漏极的间距为10～50μm，二维片状有机单晶的长宽比为(1～2)：1。
[0029] 在所述步骤4)中，所述源极和漏极的厚度均为30～35nm。
[0030] 在所述步骤4)中，所述真空掩膜蒸镀的真空度为10‑7～10‑6torr，所述真空掩膜蒸镀的蒸镀速率为0.01～0.02nm/s。
[0031] 在所述步骤4)中，所述真空掩膜蒸镀的掩膜为玻璃纤维。
[0032] 在所述步骤4)中，真空掩膜蒸镀完成后，揭去掩膜，进行切割，得到长50～200μm、宽50～350μm的器件。
[0033] 5)将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维上，得到可编织纤维状有机光电场效应晶体管，其中，所述处理后纤维的制备
方法为：选取直径为50～120μm的纤维，清洗纤维，将所述纤维在伸直状态下固定，进行氧等
离子体处理，氧等离子体处理条件如下：功率为40～100W，时间为5～20min，气体流速为8～
15sccm；再通过提拉法在进行氧等离子体处理的纤维上制备一层用于与栅电极连接的缓冲
层。
[0034] 在所述步骤5)中，所述纤维为金属丝、头发或织物纤维。
[0035] 在所述步骤5)中，所述清洗纤维为将纤维在异丙醇中浸泡20～40min，取出后用水冲洗多次，再于去离子水中超声10～15min，取出纤维。
[0036] 在所述步骤5)中，所述提拉法的提拉速度为50～200μm/s，所述缓冲层的厚度为2～10μm。
[0037] 在所述步骤5)中，所述缓冲层为聚二甲基硅氧烷(PDMS)。
[0038] 在所述步骤5)中，将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转移至处理后纤维的操作步骤为：用探针将所述器件的栅电极搓起一角，用探针
蘸取银胶，通过银胶粘起所述器件的栅电极将该栅电极转移至处理后纤维。
[0039] 上述制备方法获得的可编织纤维状有机光电场效应晶体管。
[0040] 上述可编织纤维状有机光电场效应晶体管在提高灵敏度和光响应度中的应用。
[0041] 在上述技术方案中，所述可编织纤维状有机光电场效应晶体管的光电流开关比为7
10，光响应度最高为7500。
[0042] 与现有技术相比，本发明具有如下优点：
[0043] ①本发明预先在平面状衬底上制备独立的有机光电场效应晶体管器件，可以保证转移后，能够在各种纤维状衬底上制备线性器件；
[0044] ②本发明以可编织的纤维状衬底代替了传统的平面状衬底，制备了一种可编织的纤维状有机场效应晶体管，制备方法简单，同时具有优异的机械性能和柔韧性，能够方便的
进行编制和集成到其他织物上。
[0045] ③本发明相较于已报道的可编织的纤维状器件而言，具有制作工艺简单，成本低廉等、性能优异等优势，产品具有质量轻、柔性、可编织的特点，在很多领域如便携式、可穿
戴智能化的电子产品中拥有广阔的发展前景和应用潜力。
[0046] ④已报道的可编织的纤维状有机场效应晶体管多数以薄膜作为活性层的器件或者只能局限于金属纤维上制备器件，从而限制了纤维状器件的进一步应用，而本发明以二
维单晶作为活性层，通过利用的半导体弯曲特性，在各种纤维衬底上制备高性能的器件。
[0047] ⑤本发明提供的制备方法可以实现在不同类型的纤维上以及在同一根纤维衬底上多个器件的制备，可实现批量制备。
附图说明
[0048] 图1(a)为实施例1中二维片状有机单晶的显微镜图；
[0049] 图1(b)为实施例1中二维片状有机单晶的扫描电镜；
[0050] 图2为用探针将器件的栅电极搓起一角的结构示意图；
[0051] 图3为本发明的可编织纤维状有机光电场效应晶体管的结构示意图；
[0052] 图4为在实施例1中织物纤维上制备缓冲层后的显微镜图；
[0053] 图5为实施例中1所得可编织纤维状有机光电场效应晶体管的光学显微镜图；
[0054] 图6(a)为实施例中1所得可编织纤维状有机光电场效应晶体管的转移曲线图；
[0055] 图6(b)为实施例中1所得可编织纤维状有机光电场效应晶体管的输出曲线图；
[0056] 图7(a)为实施1中可穿戴纤维状有机光电晶体管的转移曲线随光强变化的性能图和响应度；
[0057] 图7(b)为实施1中可穿戴纤维状有机光电晶体管的光电流开关比随电压变化的性能图。
具体实施方式
[0058] 下面结合具体实施例进一步说明本发明的技术方案。
[0059] 下述实施例中所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法；所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得。
[0060] 食人鱼洗液为浓硫酸和过氧化氢的混合溶液，其中，按体积份数计，浓硫酸和过氧化氢的比为7:3。
[0061] 0.01％的OTS的正庚烷溶液为80μL的OTS和80mL的正庚烷的混合液。
[0062]
[0063] 下述实施例中原料DPA(材料购买于上海大然化学有限公司)经过2次升华提纯后使用。
[0064] 实施例1
[0065] 一种可编织纤维状有机光电场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：
[0066] 1)衬底为硅片，对衬底进行十八烷基三氯硅烷(OTS)的修饰，修饰后在衬底上蒸镀厚度80nm的金材质的薄膜作为栅电极，其中，进行十八烷基三氯硅烷(OTS)的修饰的步骤包
括①～③：
[0067] ①将衬底放入丙酮中浸泡30min，用氮气吹干，放入铬酸洗液中浸泡30min，取出衬底后用去离子水冲洗多次后在去离子水中超声5min，用氮气吹干；
[0068] 在步骤①中，铬酸洗液按照重铬酸钾(g)：水(ml)：98％的浓硫酸(ml)＝1：2：18配制。
[0069] ②对衬底进行羟基化：将步骤①所得衬底置于食人鱼洗液中浸泡30min，取出衬底后用去离子水对该衬底冲洗多次；
[0070] ③对衬底进行OTS修饰：将步骤②所得衬底浸泡于体积分数为0.01％的OTS的正庚烷溶液中10min，取出衬底后再将该衬底于三氯甲烷中浸泡5min，取出衬底后在去离子水中
超声5min，用氮气吹干备用。
[0071] 经OTS修饰后的硅片便于更好地揭起栅电极，疏水程度与OTS的浓度和修饰时间有关，通过对比不同浓度、体积的OTS实验，发现在相同的时间内，OTS浓度、体积越大，最后疏
水效果越好，有利于器件的转移。
[0072] 2)在步骤1)所得栅电极上涂覆并固化一层厚度为300nm的薄膜作为绝缘层，绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜，制备聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的方法为：将质量分数为
6％的PMMA苯甲醚溶液滴到放置于匀胶机转盘上衬底的栅电极上，再将匀胶机的转速设置
为3000r/min，在衬底旋转的前提下，旋涂40s，旋涂结束后将衬底放入烘箱中于90℃固化
20min，得到聚甲基丙烯酸甲酯薄膜。
[0073] 3)通过蹭涂的方式将二维片状有机单晶转移至步骤2)所得绝缘层上，二维片状有机单晶的长为120μm，宽为80μm。
[0074] 在步骤3)中，二维片状有机单晶为DPA(2，6二苯基蒽)二维片状有机单晶，该DPA二维片状有机单晶的制备方法为：将原料DPA置于两端控温的电阻管式炉的高温区，向电阻管
式炉内通入作为载气的氩气，氩气的流量为480sccm，将电阻管式炉一端的温度在40min内
从室温20～25℃升至285℃(即较高温区)，电阻管式炉另一端的温度在30min内从室温20～
25℃升至245℃(即较低温区)，再恒温加热280min，在较低温区获得蓝绿色的DPA二维片状
有机单晶，其中，DPA二维片状有机单晶生长的环境为常压，如图1(a)和1(b)所示。晶体大多
数呈弯曲状且斜立在衬底表面，有利于蹭涂到其他衬底上，弯曲的特性表明了晶体具有一
定的柔性。
[0075] 4)在步骤3)所得二维片状有机单晶两侧的绝缘层上真空掩膜蒸镀源极和漏极，源极和漏极的材质均为金且厚度均为30nm，源极和漏极均与二维片状有机单晶连接且位于绝
缘层上，真空掩膜蒸镀完成后，用探针揭去掩膜，进行切割，切割成形状规则、长50μm、宽80μ
m的多个器件，其中，源极和漏极的间距为20μm，二维片状有机单晶的长宽比为1：1。真空掩
‑6
膜蒸镀的真空度为10 torr，真空掩膜蒸镀的蒸镀速率为0.01nm/s，真空掩膜蒸镀的掩膜为
玻璃纤维。
[0076] 5)如图2所示，用探针将器件的栅电极搓起一角，用探针蘸取银胶，通过银胶粘起器件的栅电极将栅电极以及位于该栅电极上的绝缘层、源极、漏极和二维片状有机单晶转
移至处理后纤维，得到可编织纤维状有机光电场效应晶体管，如图3所示，其中，处理后纤维
的制备方法为：选取直径为100μm的织物纤维，将织物纤维在异丙醇中浸泡30min，取出后用
水冲洗多次，再于去离子水中超声10min，取出织物纤维，用银胶将织物纤维在伸直状态下
固定于载玻片上(固定后保证织物纤维处于伸直状态)，进行氧等离子体处理，氧等离子体
处理条件如下：功率为60W，时间为10min，气体流速为8sccm；再通过提拉法在进行氧等离子
体处理的织物纤维上制备一层用于与栅电极连接的缓冲层，如图4所示，其中，缓冲层为厚
度5μm的聚二甲基硅氧烷(PDMS)，提拉法的提拉速度为100μm/s。
[0077] 图5为本实施例中制备的可穿戴纤维状有机光电场效应晶体管的共聚焦显微镜图，从图5可得知：转移后的器件与纤维贴合质量良好，有利于制备出有场效应性能的器件。
[0078] 通过大量器件的制作发现，转移二维的片状晶体更有利于高性能器件的制备，这是因为有机单晶具有柔性的特质，在凹面晶体分子间距减少更有利于载流子的传输。故在
转移过程中要保证晶体适当的弯曲并且与纤维严格贴合，避免出现褶皱，转移完成后对所
得到的纤维状场效应晶体管器件进行电学性能测试。
[0079] 图6为本实施例中制备的可穿戴的纤维状DPA单晶场效应晶体管的转移曲线图(图6(a))和输出曲线图(图6(b))。曲线通过Keithley 4200 SCS测试获得。利用如下饱和区公
式(I)，计算迁移率μ：
[0080]
[0081] 公式(I):Nat.Mater.2017,17,2‑7)：
[0082] 经过计算可得DPA的迁移率为3cm2/(V·s)，开关比大于108，阈值电压6V,上述参数表明了器件具有良好的场效应性能，此外，图6(b)输出曲线在低源漏电压范围，电流与电压
呈线性关系，随着源漏电压增加，电流趋于饱和；表明了源漏电级与半导体间具有良好的接
触质量。
[0083] 上述结果表明：本发明可以制备出有场效应性能的可穿戴纤维状有机光电场效应晶体管。
[0084] 图7为本实施中可穿戴纤维状有机光电晶体管的转移曲线随着光强变化的性能曲线(图7(a))，其中，在图7(a)中，顺沿箭头指向方向的曲线依次分别为初始线、返回线、
9.3P、27.6P、64.2P、118P、260P、450P、620P和800P。随着光强的增加，同一栅压对应的电流
增加，表明器件对光具有良好的响应。利用公式|Ilight‑Idark|/Pinc计算光响应度(R)(参考文
献：Adv.Mater.2013,25,4267–4295)和利用|Ilight‑Idark|/Idark计算灵敏度P(参考文献：
Adv.Mater.2013,25,4267–4295)可得R和P随着栅压变化而变化(图7(b))。通过曲线可以得
7
知器件的光电流开关比达10以及光响应度可达7500安培每瓦，表明该器件对光具有良好
的响应特性，有利于制备高性能的光电晶体管及其应用器件，来满足可穿戴电子的应用需
要。
[0085] 以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均
落入本发明的保护范围。
