多层多区垂直腔面发射激光器装置

摘要

本申请公开了一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射激光器；所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区域数量一致的连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接该方案减小了VCSEL阵列的整体尺寸，降低了生产成本。

权利要求

1.一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射激光器；

所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区域数量一致的连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；

每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接；不同区域对应的电极层是相互层叠设置的，这样在上层的电极层所对应的区域开设穿过下层的电极层的过孔，使下层的电极层所覆盖区域内的，属于上层的电极层所对应区域的VCSEL与上层的电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，各区域设置有多个所述垂直腔面发射激光器，不同所述区域之间至少部分重叠。

3.根据权利要求1所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，所述第一电极层包括多条间隔设置的第一连接电极；

还包括第二电极层，每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第二电极与该区域对应的第二电极层电连接，所述第二电极层包括多条间隔设置的第二连接电极；

在垂直于所述垂直腔面发射激光器层的投影上，所述第一连接电极与所述第二连接电极相交，且相交位置为所述区域。

4.根据权利要求1‑3任一项所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，所述多层多区垂直腔面发射激光器装置各区域的出光侧，设置有至少一个用于改变所述垂直腔面发射激光器所出射激光光路的光学结构。

5.根据权利要求4所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，所述光学结构为光栅、菲涅尔透镜、凸透镜、凹透镜、凸透镜阵列和凹透镜阵列中的至少一种。

6.根据权利要求4所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，所述光学结构为光栅，所述光栅为亚波长光栅或衍射光栅。

7.根据权利要求6所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，所述光栅包括多个光栅周期，同一所述光栅周期内的栅距相同或不同，栅条的宽度相同或不同；和/或，不同光栅周期内的栅距相同或不同，栅条的宽度相同或不同。

8.根据权利要求1‑3任一项所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，每一所述区域包括多个所述垂直腔面发射激光器和一个光学结构，所述光学结构覆盖其所在区域的全部所述垂直腔面发射激光器的光路。

9.根据权利要求1‑3任一项所述的多层多区垂直腔面发射激光器装置，其特征在于，各所述区域包括多个所述垂直腔面发射激光器，各区域的多个所述垂直腔面发射激光器按预定规则排布或随机排布。

说明书

多层多区垂直腔面发射激光器装置

技术领域

[0001] 本发明一般涉及激光器技术领域，具体涉及一种多层多区垂直腔面发射激光器装置。

背景技术

[0002] 垂直腔面发射激光器(Vertical‑Cavity Surface‑Emitting Laser；VCSEL)，其基本结构是由上下两个DBR(Distributed Bragg Reflector；布拉格反射器)和有源层这三部
分组成。上下两个DBR与有源层构成谐振腔。有源区由量子阱组成，作为VCSEL的核心部分，
决定着VCSEL的阈值增益、激射波长等重要参数。

[0003] VCSEL是3维传感器中的理想光源，其可以形成阵列的排布形式，通过在不同时序下对不同区域的VCSEL进行寻址，可以在不同时间下点亮区域的VCSEL。目前，阵列排布的
VCSEL位于一层，且与其连接的电极亦位于一层，可以认为电极是在一个面分布的，通过图
案化将不同位置的电极进行隔离，由于其是位于一个面，那么VCSEL阵列中的不同区域之间
不能有重叠的区域，且随着VCSEL数量的增多，电极层的面积也势必需要较大的面积，这就
导致整个VCSEL阵列较大，生产成本较高。

发明内容

[0004] 本申请期望提供一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，可以使VCSEL阵列中的不同区域之间可以具有重叠的区域，并在设置相同数量VCSEL的情况下，减小VCSEL阵列的
整体尺寸，降低生产成本。

[0005] 本发明提供一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，所述垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个垂直腔面发射
激光器；

[0006] 所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区域数量一致的
连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；

[0007] 每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接。

[0008] 作为可实现的方式，各区域设置有多个所述垂直腔面发射激光器，不同所述区域之间至少部分重叠。

[0009] 作为可实现的方式，所述第一电极层包括多条间隔设置的第一连接电极；

[0010] 还包括第二电极层，每一所述区域内，所述垂直腔面发射激光器的第二电极与该区域对应的第二电极层电连接，所述第二电极层包括多条间隔设置的第二连接电极；

[0011] 在垂直于所述垂直腔面发射激光器层的投影上，所述第一连接电极与所述第二连接电极相交，且相交位置为所述区域。

[0012] 作为可实现的方式，所述多层多区垂直腔面发射激光器装置各区域的出光侧，设置有至少一个用于改变所述垂直腔面发射激光器所出射激光光路的光学结构。

[0013] 作为可实现的方式，所述光学结构为光栅、菲涅尔透镜、凸透镜、凹透镜、凸透镜阵列和凹透镜阵列中的至少一种。

[0014] 作为可实现的方式，所述光学结构为光栅，所述光栅为亚波长光栅或衍射光栅。

[0015] 作为可实现的方式，所述光栅包括多个光栅周期，同一所述光栅周期内的栅距相同或不同，栅条的宽度相同或不同；和/或，

[0016] 不同光栅周期内的栅距相同或不同，栅条的宽度相同或不同。

[0017] 作为可实现的方式，每一所述区域包括多个所述垂直腔面发射激光器和一个所述光学结构，所述光学结构覆盖其所在区域的全部所述垂直腔面发射激光器的光路。

[0018] 作为可实现的方式，各所述区域包括多个所述垂直腔面发射激光器，各区域的多个所述垂直腔面发射激光器按预定规则排布或随机排布。

[0019] 上述方案，由于不同区域对应的电极层可以是相互层叠设置的，这样可以在上层的电极层所对应的区域开设穿过下层的电极层的过孔，使下层的电极层所覆盖区域内的，
属于上层的电极层所对应区域的VCSEL与上层的电极层电连接，也即VCSEL阵列中的不同区
域之间具有重叠的区域。此外，由于电极层是层叠设置的，其可以将先有技术中本应该横向
延展的多个电极区域转换为纵向层叠的结构，在设置相同数量VCSEL的情况下，减小了
VCSEL阵列的整体尺寸，降低了生产成本。

附图说明

[0020] 通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

[0021] 图1‑9为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的制作过程示意图；

[0022] 图10‑11为本发明另一实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0023] 图12为本发明又一实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0024] 图13为本发明再一实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0025] 图14为本发明实施例提供的进行离子或质子注入的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0026] 图15为本发明实施例提供的采用底发射型的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0027] 图16为本发明实施例提供的又一采用底发射型的多层多区垂直腔面发射激光器装置的示意图；

[0028] 图17为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置随机排布的示意图；

[0029] 图18为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置规律排布的示意图；

[0030] 图19为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的再一结构示意图；

[0031] 图20为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置的又一结构示意图；

[0032] 图21‑24为本发明实施例提供的多层多区垂直腔面发射激光器装置设置光学结构后对光路形成不同改变的示意图。

具体实施方式

[0033] 下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了
便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。

[0034] 需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

[0035] 图1‑图8为本发明实施例示出的一种多层多区垂直腔面发射激光器装置，包括垂直腔面发射激光器层，垂直腔面发射激光器层包括至少两个区域，每一区域至少具有一个
垂直腔面发射激光器；所述垂直腔面发射激光器层上设置有至少两层第一电极层，相邻所
示第一电极层之间设置有绝缘层，所述绝缘层将所述至少两层第一电极层分隔为与所述区
域数量一致的连接电极，所述连接电极与所述区域一一对应；每一所述区域内，所述垂直腔
面发射激光器的第一电极与该区域对应的连接电极电连接。

[0036] 其中，垂直腔面发射激光器可以是定发射型垂直腔面发射激光器，也可以是底发射型垂直腔面发射激光器。

[0037] 在图1‑图8的示例中，垂直腔面发射激光器层包括两个区域A、B，每个区域设置一个垂直腔面发射激光器，形成了两层第一电极层，其中一层第一电极层与其中一个垂直腔
面发射激光器的第一电极层电连接，另外一层第一电极层与另外一个垂直腔面发射激光器
的第一电极层电连接。

[0038] 以下结合该多层多区垂直腔面发射激光器装置的制造方法对其结构进行详细说明，该制造方法仅是进行示例性说明，并非是对本发明的唯一性限定。

[0039] 本文中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，是现有成熟的制备工艺。沉积可采用溅射、蒸镀、化学气相沉积等已知工艺，
涂覆可采用已知的涂覆工艺，刻蚀可采用已知的方法，在此不做具体的限定。

[0040] 其中，图1‑图3示出了外延的生长过程；图4‑图6示出了垂直腔面发射激光器阵列的形成过程，其中垂直腔面发射激光器阵列可以是规律排布，也可以是随机排布；图7‑图8
示出了第一电极层的形成过程；具体见下文描述。

[0041] S1：提供一基底；该基底可为可以是硅基底、蓝宝石基底、砷化镓基底或钻石基底等。

[0042] S2：在基底(图中未示出)上形成第一反射器层1；第一反射器层1可包括由AlGaAs和GaAs两种不同折射率的材料层叠构成；基底及第一反射器层1可均为N型或均为P型。第一
反射器层1可以为布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)层和高对比度光栅
(High Contrast Grating；HCG)层中的至少一种，如图1所示。

[0043] S3：在第一反射器层1上形成有源层2；有源层2至少包括层叠设置的多量子阱层，多量子阱层由GaAs、AlGaAs、GaAsP及InGaAs材料层叠排列构成，发光层用以将电能转换为
光能。当然，在某些示例中还可以采用单量子阱层代替多量子阱层，如图2所示。

[0044] S4：在有源层2上形成第二反射器层3；第二反射器层3可包括由AlGaAs和GaAs两种不同折射率的材料层叠构成，第二反射器层可为P型或N型。当第一反射器层1为N型时，第二
反射器层3为P型；相应地，当第一反射器层1为P型时，第二反射器层3为N型。第二反射器层3
可以为布拉格反射器(Distributed Bragg Reflector；DBR)层和高对比度光栅(High 
Contrast Grating；HCG)层中的至少一种，如图3所示。

[0045] S5：通过构图工艺在第二反射器层3上形成第一电极7，第一电极7可以是垂直腔面发射激光器的正极或负极；可以采用电镀、蒸镀、溅射等方式形成第一电极；在该实例中，垂
直腔面发射激光器是顶发射型垂直腔面发射激光器，第一电极7暴露激光出射窗口，以使激
光可以从顶部出射，如图4所示。

[0046] S6：形成氧化沟槽4，所述氧化沟槽4至少自所述第二反射器层3延伸至所述第一反射器层1；

[0047] S7：在所述氧化沟槽4内通过所述湿法氧化工艺，在有源层2中形成氧化层，使氧化层自氧化沟槽向内形成环绕未氧化区域6的氧化区域5；未氧化区域6用于界定垂直腔面发
射激光器的激光出射窗口，在该工艺步骤完成后，形成了垂直腔面发射激光器阵列，如图5
所示；

[0048] S8：形成第一绝缘层8，第一绝缘层8的材料可以是氧化铝Al2O3、氧化硅SiOx、氮化硅SiNx或氮氧化硅Si(ON)x等无机材料，也可以是苯并环丁烯(Benzocyclobutene；BCB)，聚
亚酰胺(Polyimide；PI)等有机聚合物材料，采用有机聚合物材料可以提供较大的绝缘层厚
度和低介电常数，第一绝缘层8可以为单层、双层或者多层结构，如SiNx/SiOx的复合薄膜，
厚度为30nm～5um；第一绝缘层8可以透光；

[0049] S9：在第一绝缘层8上涂覆一层光刻胶，采用单色调掩膜版对光刻胶进行曝光并显影，对第一绝缘层8进行刻蚀并剥离剩余的光刻胶，以使第一绝缘层8暴露第一电极7；

[0050] S10：通过构图工艺在第一绝缘层8上形成一层第一电极层，第一电极层分为相互绝缘的两部分，其中一部分与其中一个区域10(为便于表示以下称为第一区域A)的垂直腔
面发射激光器的第一电极7电连接，另外一部分与另外一个区域9(为便于表示以下称为第
二区域B)的垂直腔面发射激光器的第一电极7电连接，如图7所示；

[0051] S11：在该第一电极层上形成第二绝缘层11，第二绝缘层11的形成工艺可以与第一绝缘层相同，这里不再赘述，其中，并在第二区域B的位置设置过孔13，使其暴露第二区域B
位于下层的第一电极层；

[0052] S12：通过构图工艺在第二绝缘层11上再形成一层第一电极层，该第一电极层与上述位于下层第二区域B的第一电极层的标号9的部分通过过孔13电连接，这样上下两层第一
电极层形成了与不同区域垂直腔面发射激光器连接的结构，其中图9中向上的箭头为激光
的出射方向。

[0053] 在该实施例中，设置了两个区域的垂直腔面发射激光器，对应的设置里两层第一电极层，两个第一电极层被绝缘层分隔为两个连接电极，一个连接电极是图9中标号为10的
区域，另一个连接电极是图中标号为9及12的区域，标号为9及12的区域通过过孔13电连接。

[0054] 该方案，由于不同区域对应的电极层可以是相互层叠设置的，这样可以在上层的电极层所对应的区域开设穿过下层的电极层的过孔，使下层的电极层所覆盖区域内的，属
于上层的电极层所对应区域的VCSEL与上层的电极层电连接，也即VCSEL阵列中的不同区域
之间具有重叠的区域。此外，由于电极层是层叠设置的，其可以将先有技术中本应该横向延
展的多个电极区域转换为纵向层叠的结构，在设置相同数量VCSEL的情况下，减小了VCSEL
阵列的整体尺寸，降低生产成本。

[0055] 如图10、11所示，作为另外一种实现方式，其与上述实施例的不同主要在于形成各第一电极层的不同。

[0056] 在该实施例中，可以仅在第一区域A的范围内形成第一电极层10，然后可以只在第一电极层10上形成第二绝缘层11，之后再在第二绝缘层11及第二区域B的第一绝缘层8上形
成第二电极层12，使第一电极层10与位于第一区域A的垂直腔面发射激光器的第一电极7电
连接，第二电极层12与位于第二区域B的垂直腔面发射激光器的第一电极7电连接。

[0057] 如图12、图13所示，分别为上述两个区域的扩展，其与上述实施例的不同之处主要在于，图12及图13示例中分别设置三个区域A、B、C，通过三层相互绝缘的第一电极层10、12、
15来分别与三个区域的垂直腔面发射激光器的第一电极7电连接。

[0058] 作为可实现的方式，各区域设置有多个垂直腔面发射激光器，不同区域之间至少部分重叠。这里所说的区域可以但不限于在指定的多个用于同时发光的腔面发射激光器
中，位于最外层的几个腔面发射激光器的连线所围成的范围。

[0059] 如图17所示，各区域的多个垂直腔面发射激光器16随机排布，其示出了三个区域(以多个垂直腔面发射激光器不同的填充予以区别)，该三个区域对应的第一电极层分别为
a、b、c，该三个区域的垂直腔面发射激光器随机排布，由于其具有重叠的位置，则某一区域
内的一个或多个位于其他的区域范围内，形成了区域的相互交叠。

[0060] 当然，还可以如图18所示，各区域的多个垂直腔面发射激光器按预定规则排布，如矩阵排布，其中形成层层包围的矩阵排布结构，其示出了三个区域(以多个垂直腔面发射激
光器不同的填充予以区别)，该三个区域对应的第一电极层分别为a、b、c，如第一区域被第
二区域包围，第二区域被第三区域包围。

[0061] 作为另外的实现方式，如图19所示，第一电极层包括多条间隔设置的第一连接电极20；还包括第二电极层，每一所述区域内，垂直腔面发射激光器的第二电极与该区域对应
的第二电极层电连接，第二电极层包括多条间隔设置的第二连接电极21；在垂直于垂直腔
面发射激光器层的投影上，第一连接电极20与第二连接电极21相交，且相交位置为上述区
域。

[0062] 作为一种优选的实现方式，第一连接电极20和第二连接电极21可以相互垂直，可以通过行扫描及列扫描来使相应区域的垂直腔面发射激光器16发光。

[0063] 其中，每个区域的垂直腔面发射激光器的数量可以根据需要设定。如图14所示，每个区域设置了1个垂直腔面发射激光器，如图20所示，每个区域设置了多个垂直腔面发射激
光器16。当然，这里对应于每个区域还可以采用上述实施例中多层多区垂直腔面发射激光
器装置的结构，只不过在第一连接电极和第二连接电极相交位置再划分的区域可以称为多
个子区域，可以理解为在多层多区垂直腔面发射激光器装置中嵌套一个小的多层多区垂直
腔面发射激光器装置。

[0064] 通过设置相交的第一连接电极20和第二连接电极21，使得M个第一连接电极+N个第二连接电极，就能对M×N个区域进行独立扫描，例如，4个第一连接电极和4个第二连接电
极，那么就可以对16个区域进行独立扫描，这样可以大大减小连接电极所需的面积，从而降
低模具尺寸及成本。

[0065] 上述示例中的多层多区垂直腔面发射激光器装置其垂直腔面发射激光器采用的是顶发射型垂直腔面发射激光器，垂直腔面发射激光器发射的激光透过第一电极层出射，
在该种情况下，第一电极层的材料例如但不限于为氧化铟锡(Indium Tin Oxide；ITO)。

[0066] 需要说明的是，上述各示例中，还可以通过离子或质子注入的方式形成电隔离区域14，如图14所示，以对垂直腔面发射激光器的电流进行局限。

[0067] 如图15、图16所示，多层多区垂直腔面发射激光器装置其垂直腔面发射激光器，还可以采用底发射型垂直腔面发射激光器，采用底发射型垂直腔面发射激光器时，图15、图16
中所示的第一电极7，其可以覆盖在由未氧化区域6所界定的垂直腔面发射激光器的激光出
射窗口区域。在图15中，设置了两个区域的垂直腔面发射激光器，每个区域具有一个垂直腔
面发射激光器，相应的设置里两层第一电极层，两层第一电极层被绝缘层分隔为左右两个
部分的连接电极10、12，该两个连接电极10、12分别与垂直腔面发射激光器一一对应连接。
图16中，设置了三个区域的垂直腔面发射激光器，每个区域具有一个垂直腔面发射激光器，
相应的设置里三层第一电极层，三层第一电极层被两层绝缘层分隔为左右中三个部分的连
接电极10、12及15，该三个连接电极10、12及15分别与垂直腔面发射激光器一一对应连接。

[0068] 作为可实现的方式，如图21‑24所示，多层多区垂直腔面发射激光器装置各区域的出光侧，设置有至少一个用于改变垂直腔面发射激光器所出射激光光路的光学结构31。

[0069] 作为可实现的方式，光学结构31为光栅、菲涅尔透镜、凸透镜、凹透镜、凸透镜阵列和凹透镜阵列中的至少一种。当然也可以不局限于此处示例的几种，只要根据需要改变激
光的传播路径的光学结构均可。根据设置的光学结构的不同，该多层多区垂直腔面发射激
光器装置可以对激光进行准直或发散等，相应地，该多层多区垂直腔面发射激光器装置可
以作为准直器、发射器等。

[0070] 对于一个区域，可以设置上述的一种光学结构31，各区域所设置的光学结构31可以是同类的也可以是不同类的。每一区域包括多个垂直腔面发射激光器16和一个上述光学
结构31，该光学结构31覆盖其所在区域的全部垂直腔面发射激光器16的光路。如图21中，1
个区域有两个垂直腔面发射激光器16，则该区域的一个上述光学结构31覆盖这两个垂直腔
面发射激光器16；如图23中，1个区域有一个垂直腔面发射激光器，则该区域的一个上述光
学结构31覆盖这一个垂直腔面发射激光器16。

[0071] 若是同类的，不同区域的光学结构31的参数可以相同或不同。例如，只设置光栅，光栅可以通过激光刻蚀的方式加工，通过控制激光的能量、光斑大小及照射时间来制作不
同栅距及不同栅条宽度的光栅，即不同参数的光栅，使得不同区域所射出的激光的范围(夹
角)或方向不同。如图21所示，不同区域所射出的激光的范围(夹角)32不同。如图22所示，不
同区域所射出的激光的方向不同，图23中一个区域对应于一个垂直腔面发射激光器16及一
个光学结构31，图21中一个区域对应于两个垂直腔面发射激光器16及一个光学结构31。图
中箭头表示激光出射的方向。

[0072] 此外，对应于同一区域，可以设置上述的多种光学结构，例如对应于部分区域的垂直腔面发射激光器设置光栅，一部分设置凸透镜阵列，再一部分设置菲涅尔透镜等。并且同
一区域还可以设置不同参数的同类光学结构，例如，在上述同一区域设置多个光栅，多个光
栅采用不同的周期等参数，以使同一区域内不同位置的光线被偏转的角度不同，以在远场
模式下，一部分位置的光强被加强，而其相邻的区域被减弱，甚至是没有光强。光强被加强
的区域可以是不同区域的光线被衍射叠加在一起的区域。如图24所示，通过设置不同种类
的光学结构31，可以获得不同的显示图案。

[0073] 例如，通过选择光栅的周期，来确定从该多层多区垂直腔面发射激光器装置出射面发射的衍射级数，例如，光栅为一个周期，远场模式下获得一个衍射级数的光斑，光栅为
多个周期，远场模式下获得多个衍射级数的光斑，多个衍射级数的光斑数小于等于光栅周
期数，光栅的衍射角由其周期决定，周期越大则衍射的角度间隔越小。

[0074] 上述的光栅可以但不限于为亚波长光栅或衍射光栅。

[0075] 对于一个光栅，其可以包括多个光栅周期，同一光栅周期内的栅距相同或不同，栅条的宽度相同或不同；例如，同一个光栅周期内，各栅距相同，各栅条宽度相同，或者，同一
个光栅周期内，各栅距相同，各栅条宽度不同，或者，同一个光栅周期内，各栅距不同，各栅
条宽度相同，再或者，同一个光栅周期内，各栅距不同，各栅条宽度亦不同。通过改变各栅距
及各栅条的宽度，可以改变光栅对激光光路的改变作用。

[0076] 通过改变光栅周期内的栅距及栅条宽度，可以改变光栅对激光振幅调制的振幅等级。

[0077] 对于不同的光栅周期，不同光栅周期的栅距相同，栅条的宽度相不同；或者，不同光栅周期的栅距不同，栅条的宽度不同，或者，不同光栅周期的栅距不同，栅条的宽度相同，
再或者，不同光栅周期的栅距不同，栅条的宽度亦不同。

[0078] 需要理解的是，上文如有涉及术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于
附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗
示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对
本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示
相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可
以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，
“多个”的含义是两个或两个以上。

[0079] 以上描述仅为本申请的较佳实施例以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的发明范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术
方案，同时也应涵盖在不脱离发明构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意
组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中公开的(但不限于)具有类似功能的
技术特征进行互相替换而形成的技术方案。