离子束直写二维半导体器件的方法转让专利
申请号 : CN202010157534.0
文献号 : CN111341837B
文献日 : 2021-06-15
发明人 : 谭杨 , 刘燕然 , 陈峰
申请人 : 山东大学
摘要 :
权利要求 :
1.一种离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤一、将表面清洗后的硅片作为衬底;
步骤二、在硅片表面制作一对相间隔的金电极;
步骤三、在金电极上方设置一单层石墨烯,单层石墨烯覆盖整个硅片表面区域;
步骤四、在单层石墨烯上方设置一单层TMDCs;
步骤五、通过低能量离子束对部分单层TMDCs表面进行轰击,使轰击区域的单层TMDCs表面产生缺陷,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂,使得对应置处的单层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态,最终形成PN结。
2.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,步骤二中,制作电极掩膜版,将掩膜版覆盖在所述硅片上,使用蒸金机蒸镀金电极,所述金电极的厚度低于100nm,一对所述金电极间距小于等于10μm。
3.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,步骤三中,使用气相沉积法生长单层石墨烯,使用湿法腐蚀法将所述单层石墨烯转移至所述金电极上方。
4.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,步骤四中,使用气相沉积法生长单层TMDCs,使用湿法腐蚀法将所述单层TMDCs转移至所述单层石墨烯上方。
5.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,步骤五中,利用离子束加速器发出低能量离子束,离子束流大小在90pA‑100pA。
6.如权利要求5所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,采用镓离子源,离子束流大小为93pA,离子束辐照时间为9s。
7.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,单层TMDCs可选择MoS2、MoSe2、WS2、WSe2中的一种。
8.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,两个金属极作为PN结的电路连接端口。
9.如权利要求1所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,TMDCs选用MoSe2,金电极的厚度为50nm,一对金电极间距5μm;采用镓离子源,30keV加速电压,离子束流大小93pA,对单个所述金电极所在一侧的一半单层MoSe2表面进行轰击,轰击时间9s,在单层MoSe2表面一半区域造成缺陷,形成二极管。
10.如权利要求9所述的离子束直写二维半导体器件的方法,其特征在于,TMDCs选用MoSe2,金电极的厚度为50nm,一对金电极间距10μm;采用镓离子源,30keV加速电压,离子束流大小93pA,对两个所述金电极所在一侧的部分单层MoSe2表面进行轰击,两侧的轰击区域间隔一定距离,轰击时间9s,在单层MoSe2表面两侧区域造成缺陷,形成恒流二极管。
说明书 :
离子束直写二维半导体器件的方法
技术领域
背景技术
学性能,引起了人们的广泛关注,被认为是最有可能替代硅基材料的新一代半导体材料。为
此,人们集中提出了许多制备二维二极管的方法,如静电掺杂和化学掺杂等。然而,这些方
法需要繁琐复杂的制备过程,且其隧道隧穿性能受到实现陡度和低缺陷密度掺杂结的难度
的限制,这些都影响了实际应用价值。例如,化学掺杂在纳米尺度上有一定的局限性;静电
掺杂虽然是一种很有前途的改变电子或保持二维半导体器件密度的方法,但仍然存在一些
限制,包括界面陷阱的存在和对多种金属的处理,这导致了其制备工艺复杂且成本高。因
此,为了简化制备过程和实现2D材料的全部潜能,需要不断探索新的方法。
发明内容
侧受到离子束的选择性辐照,原始和辐照后的TMDCs单层决定了石墨烯的n型和p型。利用
TMDCs单分子层的去掺杂通过TMDCs/石墨烯异质结构的这一方法通过光电响应实验得到了
证明。其中原始和辐照后的TMDCs/石墨烯异质结分别显示的负向和正向光响应。由于离子
束技术的高度成熟和商业化,该方法提供了“打印”大规模二维集成电路的可能性。
层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单
层石墨烯呈现N态,最终形成PN结。
进行轰击,轰击时间9s,在单层MoSe2表面一半区域造成缺陷,形成二极管。
面进行轰击,两侧的轰击区域间隔一定距离,轰击时间9s,在单层MoSe2表面两侧区域造成
缺陷,形成恒流二极管。
艺。
附图说明
具体实施方式
子掺杂,构建PN节。该技术可应用于石墨烯与TMDCs构成的二维异质结。
降低TMDCs的功函数。利用TMDCs与石墨烯间的纵向电子传输,对石墨烯进行电荷掺杂,调控
石墨烯N态及P态电子性质,构建二维材料PN结。
电极间距为5μm,如图1a所示,两个金属极作为PN结的电路连接端口;
个硅片001表面区域;
就是图1中的左半边区域006进行离子束轰击,轰击时间9s,在单层MoSe2表面一半区域造成
缺陷,如图1b所示,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行空位掺杂,使得对应置处的单层
石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行电子掺杂,使得对应位置处的单层
石墨烯呈现N态,形成二极管。
显微镜(SEM)照片,其中两侧灰白色矩形部分为金电极,右侧阴影区域为辐照后的二维材
料,背景区域为未辐照的二维材料,从实物照片可知,制备的二极管结构规整,无明显缺陷。
不同时间的辐照处理,处理时间分别为6s,9s,12s,并与未进行离子辐照的材料进行对比,
分别测试它们的电流‑电压(I‑V)关系,测试结果如图14所示。当未进行加工时,材料的I‑V
测试数据基本呈现线性,说明未进行加工的材料无整流功能,为均质材料。辐照时间为6s的
材料出现一定的整流能力,但是较弱。辐照时间为9s时,整流效果达到最优。当辐照时间超
过9s达到12s时,其正向电流大幅下降,整流性能变差。因此30keV加速电压,束流大小93pA,
轰击时间9s为该实施例的最优加工剂量。
电压如图3所示,证明该器件在高频输入状态下具有良好的整流功能。
至+5V的交流电压信号,测得的输出电压随输入信号频率变化的关系如图5所示,证明该器
件在高频输入情况下具有良好的整流功能和工作状态。
全正确。
全正确。
制备出的二维材料二极管的工作电流。例如化学掺杂方法,最大工作电流约为0.4nA(参考
文献Chemically Tuned p‑and n‑Type WSe2 Monolayers with High Carrier Mobility
for Advanced Electronics.Advanced Materials.31,20193613(2019);原子插层法制备
的二维材料二极管,最大电流约为0.6μA(Spatially Controlled Doping of Two‑
dimensional SnS2through Intercalation for Electronics.Nature
Nanotechnology.13,294‑299(2018)。
温室压下进行了3×10 次扫描电压测试,测量二极管的输出电流变化和整流比变化,测试
结果如图11‑12所示,二极管的输出电流和整流比的变化率小,稳定性高。
当。此外,该二维二极管的阈值电压为0V,而所有硅二极管的受限于材料本身性质阈值电压
为0.5V。此外,二维二极管的VFM(最大正向压降)为50v,远远大于2AP2(<1.2V),可工作的电
压范围更广,制备工艺非常简单。
电极间距为10μm,如图15所示,两个金属极作为PN结的电路连接端口;
个硅片001表面区域;
是图15中的左右两侧区域006进行离子束轰击,两侧的轰击区域间隔一定距离,轰击时间
9s,在单层MoSe2表面两侧区域造成缺陷,如图15所示,有缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进
行空位掺杂,使得对应置处的单层石墨烯呈现P态,无缺陷的单层TMDCs对单层石墨烯进行
电子掺杂,使得对应位置处的单层石墨烯呈现N态,形成恒流二极管。
料。图20为稳流二极管实物的聚焦离子束显微镜(FIB)照片,其中两侧矩形白色部分为金电
极,两侧金电极外周的黑色阴影区域为辐照后的二维材料,中间间隔灰色背景区域为未辐
照的二维材料。图21为稳流二极管实物的扫描电子显微镜(SEM)照片,其中两侧矩形白色部
分为金电极,两侧金电极外周的黑色阴影区域为辐照后的二维材料,中间间隔灰色背景区
域为未辐照的二维材料。从实物照片可知,制备的稳流二极管结构规整,无明显缺陷。
时间的辐照处理,处理时间分别为6s,9s,12s,并与未进行离子辐照的材料进行对比,分别
测试它们的电流‑电压(I‑V)关系。测试结果如图16所示。当未进行加工时,材料的I‑V测试
数据基本呈现线性,说明未进行加工的材料无整流功能,为均质材料。辐照时间为6s的材料
出现一定的稳流能力,但是其稳流效果较差。辐照时间为9s时,稳流效果达到最优。当辐照
时间超过9s达到12s时,其电流逐渐下降,且拐点电压变大,整流性能变差。因此30keV加速
电压,束流大小93pA,轰击时间9s为该实施例的最优加工剂量。
0.1mA(IR),动态电阻峰值超出4.5mΩ,击穿电压(VB)超过60V。与已有的基于硅或氮化镓的
CRD相比,这种基于离子束技术制备的二维CRD具有更低的VK、更低的VB和更高的IR。
制备工艺。且本发明对现有技术中的石墨烯掺杂方式进行改进,通过改变石墨烯上方覆盖
层的物理性质,实现对石墨烯的掺杂,具有极大的任意性和可控性。进一步的,利用本发明
的半导体结构制备方法,可以构建厚度仅为几个纳米的集成电路板,制备工艺简化,成本低
廉。
实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限
于特定的细节和这里示出与描述的图例。