一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管

摘要

本发明公开一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，其中，所述复合材料包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。本发明通过选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性，使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面制得所述电子迁移率高的复合材料；当采用所述复合材料作为量子点发光二极管的电子传输层时，不仅可提高电子传输层的电子传输效率，还能提高电子注入量子点发光层的能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子积累对量子点发光二极管的性能影响，从而提升量子点发光二极管的发光效率。

权利要求

1.一种复合材料，其特征在于，包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇，其中，所述乙酰丙酮钇由氧化钇和乙酰丙酮反应制得，并按照乙酰丙酮钇和氧化钛的摩尔比为0.5‑1.5：1的比例，将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

2.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：将氧化钇与无机酸混合，制得钇盐溶液；

向所述钇盐溶液中加入乙酰丙酮和有机溶剂并混合，得到均相分散溶液；

向所述均相分散溶液中加入碱液，混合反应生成乙酰丙酮钇；

按乙酰丙酮钇和氧化钛的摩尔比为0.5‑1.5：1的比例，将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

3+

3.根据权利要求2所述复合材料的制备方法，其特征在于，所述乙酰丙酮与钇盐中的Y‑ 3+

的摩尔比为3‑4:1；和/或，所述碱液中的OH与钇盐溶液中的Y 的摩尔比为2.5‑3:1。

4.一种量子点发光二极管，包括阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层以及设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1所述的复合材料。

5.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光层和阳极之间还设置有空穴注入层和空穴传输层中的一种或两种。

6.根据权利要求4所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为

20‑60nm。

7.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一基板，在所述基板上制备阳极；

在所述阳极表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备阴极，制得量子点发光二极管；

或者，提供一基板，在所述基板上制备阴极；

在所述阴极表面制备电子传输层；

在所述电子传输层表面制备量子点发光层；

在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

其中，所述电子传输层材料为权利要求1所述的复合材料。

8.根据权利要求7所述量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述在量子点发光层上制备电子传输层的步骤包括：在所述量子点发光层上沉积所述复合材料并进行退火处理，制得电子传输层；或者，所述在阴极表面制备电子传输层的步骤包括：在所述阴极表面沉积所述复合材料并进行退火处理，制得电子传输层。

说明书

一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管

技术领域

[0001] 本发明涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种薄膜及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

[0002] TiO2是一种广泛应用的多功能材料，具有3.2 eV的宽禁带，它有着独特的光学、电学及物理性质，以及优良的化学稳定性，能够抵抗介质的电化学腐蚀，己被广泛应用于涂
料、化妆品、半导体、传感器、介电材料、催化剂等领域。TiO2是一种重要的宽禁带间接带隙
半导体材料，被广泛地用作太阳能电池等光化学以及光电子器件的功能材料。

[0003] 另一方面，氧化钛（TiO2）作为一种更加廉价并且稳定的金属氧化物，在电极材料、气敏材料及超级电容器等领域也被广泛应用，在工业中也可以低成本和大面积制备。TiO2
与ZnO性质类似，有相似的光电性能，却有比ZnO更高的电子迁移率，其也可以作为电子传输
材料，但是在QLED中确鲜有报道。

[0004] 因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

[0005] 鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，旨在解决现有金属氧化物电子迁移率较低，导致以所述
金属氧化物作为电子传输层的量子点发光二极管发光效率较差的问题。

[0006] 本发明的技术方案如下：

[0007] 一种复合材料，其中，包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。

[0008] 一种复合材料的制备方法，其中，包括步骤：

[0009] 提供氧化钛和乙酰丙酮钇；

[0010] 将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

[0011] 一种量子点发光二极管，包括阴极和阳极，设置在所述阴极和阳极之间的量子点发光层以及设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材
料为由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料。

[0012] 一种量子点发光二极管的制备方法，其中，包括步骤：

[0013] 提供一基板，在所述基板上制备阳极；

[0014] 在所述阳极表面制备量子点发光层；

[0015] 在所述量子点发光层表面制备电子传输层；

[0016] 在所述电子传输层表面制备阴极，制得量子点发光二极管；

[0017] 或者，提供一基板，在所述基板上制备阴极；

[0018] 在所述阴极表面制备电子传输层；

[0019] 在所述电子传输层表面制备量子点发光层；

[0020] 在所述量子点发光层表面制备阳极，制得所述量子点发光二极管；

[0021] 其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料。

[0022] 有益效果：本发明通过选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性，使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面制得电子迁移率高的复合材料；当采用所述复合
材料作为量子点发光二极管的电子传输层时，不仅可提高电子传输层的电子传输效率，还
能提高电子注入量子点发光层的能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子积累对量子点
发光二极管的性能影响，从而提升量子点发光二极管的发光效率。

附图说明

[0023] 图1为本发明一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图；

[0024] 图2为本发明实施例的一种复合材料的制备方法流程示意图；

[0025] 图3为本发明实施例一种量子点发光二极管的制备方法流程示意图。

具体实施方式

[0026] 本发明提供一种复合材料及其制备方法、量子点发光二极管及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，
此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

[0027] 本发明提供一种复合材料，其中，包括氧化钛以及配位结合在所述氧化钛表面的乙酰丙酮钇。

[0028] 本发明选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性，所述乙酰丙酮钇同时含有有机基团和金属离子，兼有有机和无机的性质，相较单独的有机或无机材料的改
性调变空间大，且所述乙酰丙酮钇中的有机基团具有π键离域共轭结构，使其具有较强的供
电子能力；进一步地，所述稀土元素钇还具有未填充的4f电子，其容易产生多电子态，而且
钇能级十分接近氧化钛导带，所以引入了杂质能级，提高了电子注入量子点发光层的能力。
因此，本发明提供的由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料具有优良的电子
迁移率。

[0029] 参照图2示出的一种复合材料的制备方法流程示意图，本发明还提供一种复合材料的制备方法，其中，包括步骤：

[0030] S01、提供氧化钛和乙酰丙酮钇；

[0031] S02、将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得所述复合材料。

[0032] 在一些实施方式中，按乙酰丙酮钇和氧化钛的摩尔比为0.5‑1.5：1的比例，将所述乙酰丙酮钇和氧化钛加入有机溶剂中，混合使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制
得所述复合材料。若氧化钛与乙酰丙酮钇的摩尔比小于1:0.5，则乙酰丙酮钇的量不足，不
可充分的配合在氧化钛表面，影响器件性能；若氧化钛与乙酰丙酮钇的摩尔比大于1:1.5，
氧化钛的量较少，从而影响电子传输效率。保持氧化钛与乙酰丙酮钇的摩尔比为1: (0.5‑
1.5)时，可以得到性能较好的电子传输材料。

[0033] 本实施例采用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对纳米TiO2进行表面改性，乙酰丙酮钇含有有机基团和金属离子，兼有有机和无机的性质，相对于单独的有机物或无机物改性调
变空间大。由于所述乙酰丙酮钇中的有机基团具有π键离域共轭结构，使其能够溶于有机溶
剂，能够起到分散剂的作用，阻止纳米TiO2的团聚，并提高氧化钛的电子传输效率。

[0034] 在一些实施方式中，所述乙酰丙酮钇的制备方法包括步骤：将氧化钇与无机酸混合，制得钇盐溶液；向所述钇盐溶液中加入乙酰丙酮和有机溶剂并混合，得到均相分散溶
液；向所述均相分散溶液中加入碱液，混合反应生成乙酰丙酮钇。

[0035] 由于乙酰丙酮不溶于水，因此本实施例加入有机溶剂可使所述乙酰丙酮与钇盐溶液均相分散，加入碱液后，所述钇盐溶液先与碱液反应，生成氢氧化钇沉淀，氢氧化钇再与
乙酰丙酮反应可生成乙酰丙酮钇沉淀。

[0036] 在一种具体的实施方式中，向所述钇盐溶液中加入乙酰丙酮和有机溶剂并混合的3+
步骤中，所述乙酰丙酮与钇盐溶液中的Y 的摩尔比为3‑4:1。若乙酰丙酮与钇离子摩尔量的
比小于3：1时，则后续加入碱液后生成的氢氧化钇过量，反应不充分；若乙酰丙酮与钇离子
摩尔量的比大于4:1时，则较多量的乙酰丙酮不易分散在油水体系中。

[0037] 在一种具体的实施方式中，向所述均相分散溶液中加入碱液的步骤中，所述碱液‑ 3+ ‑ 3+
中的OH 与钇盐溶液中的Y 的摩尔比为2.5‑3:1。若碱液与OH与钇盐溶液中的Y 的摩尔比
‑ 3+
小于2.5：1，则钇盐过量，不能将钇盐充分反应为氢氧化钇；若碱液与OH与钇盐溶液中的Y
的摩尔比大于3：1时，则过量的碱液会与乙酰丙酮发生反应，反应生成乙酰丙酮盐，影响最
终产物乙酰丙酮钇的纯度。

[0038] 在一些实施方式中，所述无机酸选自盐酸、硫酸和硝酸中的一种或多种，但不限于此。

[0039] 在一些实施方式中，所述有机溶剂选自乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇和丙酮中的一种或多种，但不限于此。

[0040] 在一些实施方式中，所述碱液选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、氢氧化锂、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和乙二胺中的一种或多种，但不限于此。

[0041] 在一些实施方式中，所述氧化钛的制备方法包括步骤：向钛盐溶液中加入有机溶o
剂和碱液，在60‑90  C条件下搅拌时间4‑6 h，制得氧化钛。

[0042] 在一种具体的实施方式中，所述向钛盐溶液中加入有机溶剂和碱液的步骤中，碱‑ 4+
液中的OH 与钛盐溶液中的Ti 的摩尔比为3.5‑4.5:1，pH值为12‑13。碱液与钛盐生成Ti
‑
(OH)4，其摩尔量刚好为4: 1，Ti(OH)4发生缩聚反应，然后逐步生成TiO2。若碱液中的OH 与
与钛离子摩尔量之比小于3.5：1，则pH值过低，钛盐过量，Ti(OH)4不能全部发生缩聚反应，
‑
有Ti(OH)4剩余；若碱液中的OH与与钛离子摩尔量之比大于4.5：1时，则pH值过高，会导致体
系中缩聚速度减慢。保持碱液与钛离子的摩尔比为（3.5‑4.5）：1，pH=12‑13时，便于后续制
得紧实致密的TiO2薄膜，薄膜表面颗粒分布均匀。

[0043] 在一些实施方式中，所述有机溶剂选自乙二醇甲醚、丙二醇甲醚、异丙醇、乙醇、丙醇、丁醇和丙酮中的一种或多种，但不限于此。

[0044] 在一些实施方式中，所述碱液选自氨水、氢氧化钾、氢氧化纳、氢氧化锂、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺和乙二胺中的一种或多种，但不限于此。

[0045] 量子点发光二极管有多种形式，且所述量子点发光二极管分为正式结构和反式结构，本发明具体实施方式提供一种如图1所示的正式结构的量子点发光二极管，具体的，如
图1所示，所述量子点发光二极管包括从下往上叠层设置的基板1、阳极2、空穴传输层3、量
子点发光层4、电子传输层5以及阴极6，其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇配位结
合在氧化钛表面形成的复合材料。

[0046] 本发明采用由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料来制备电子传输层，不仅可提高电子传输层的电子传输效率，还能提高电子注入量子点发光层的能力，促
进电子‑空穴有效地复合，降低激子积累对量子点发光二极管的性能影响，从而提升量子点
发光二极管的发光效率。实现上述效果的机理具体如下：

[0047] 所述乙酰丙酮钇作为一种具有共轭性能的有机金属配合物，其能够与氧化钛表面进行配位结合形成复合材料。所述复合材料中，由于所述乙酰丙酮钇中的有机基团具有π键
离域共轭结构，使其具有较强的供电子能力且能够溶于有机溶剂，能够起到分散剂的作用，
阻止复合材料间的团聚，并提高氧化钛的电子传输效率。另一方面，由于乙酰丙酮钇中的稀
土元素钇具有未填充的4f电子，其容易产生多电子态，而且钇能级十分接近氧化钛导带，所
以引入了杂质能级，提高了电子注入量子点发光层的能力，可促进电子‑空穴有效地复合，
降低激子累积对量子点发光二极管的性能影响，从而提高QLED的发光效率。

[0048] 在一些实施方式中，所述空穴传输层和阳极之间还设置有空穴注入层。在一些实施方式中，所述电子传输层和阴极之间还设置有电子注入层。

[0049] 在一些实施方式中，所述电子传输层的厚度为20‑60nm。

[0050] 在一些实施方式中，所述量子点发光层的厚度为20‑60nm。

[0051] 参照图3示出的本发明实施例一种量子点发光二极管的制备方法流程示意图，本发明还提供一种如图1所示正式结构的量子点发光二极管的制备方法的实施例，具体包括
以下步骤：

[0052] S11、提供一基板，在所述基板上制备阳极；

[0053] S12、在所述阳极表面制备空穴传输层；

[0054] S13、在所述空穴传输层表面制备量子点发光层；

[0055] S14、在所述量子点发光层表面制备电子传输层，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇配位结合在氧化钛表面形成的复合材料；

[0056] S15、在所述电子传输层表面制备阴极，制得量子点发光二极管。

[0057] 本发明中，各层制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法中的一种或多
种；物理法包括但不限于溶液法（如旋涂法、印刷法、刮涂法、浸渍提拉法、浸泡法、喷涂法、
滚涂法、浇铸法、狭缝式涂布法或条状涂布法等）、蒸镀法（如热蒸镀法、电子束蒸镀法、磁控
溅射法或多弧离子镀膜法等）、沉积法（如物理气相沉积法、原子层沉积法、脉冲激光沉积法
等）中的一种或多种。

[0058] 在一种优选的实施方式中，将ITO基板置于匀胶机上，用配制好的空穴传输材料的溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制膜厚，然后在适当温度下
热退火处理；将已旋涂上空穴传输层的基板置于匀胶机上，将配制好的量子点溶液旋涂成
膜，通过调节量子点溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制量子点发光层的厚度，约20‑
60 nm，在适当温度下干燥；将已旋涂上量子点发光层的基板置于匀胶机上，将配制好一定
浓度的复合材料溶液旋涂成膜，通过调节溶液的浓度、旋涂速度和旋涂时间来控制电子传
输层的厚度，约20‑60 nm，然后在300‑350℃的温度下退火成膜，此步骤可以在空气中退火、
亦可以在氮气氛围中退火，具体根据实际需要选择退火氛围；接着，将沉积完各功能层的基
板置于蒸镀仓中通过掩膜板热蒸镀一层15‑30 nm的金属材料作为阴极，制得所述量子点发
光二极管。进一步的，将得到的QLED进行封装处理，所述封装处理可采用常用的机器封装，
也可以采用手动封装。优选的，所述封装处理的环境中，氧含量和水含量均低于0  .1 ppm，
以保证器件的稳定性。

[0059] 优选的，所述阳极的材料选自掺杂金属氧化物；其中，所述掺杂金属氧化物包括但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌
（AZO）、镓掺杂氧化锌（GZO）、铟掺杂氧化锌（IZO）、镁掺杂氧化锌（MZO）、铝掺杂氧化镁（AMO）
中的一种或多种。

[0060] 优选的，所述空穴传输层材料选自TFB、PVK、Poly‑TPD、TCTA、CBP和PEDOT:PSS中的一种或多种，但不限于此。

[0061] 优选的，所述量子点发光层材料为红光量子点、绿光量子点和蓝光量子点中的一种或多种，但不限于此。更优选的，所述量子点发光层材料选自CdS、CdSe、CdTe、ZnO、ZnS、
ZnSe、ZnTe、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、CuInS和CuInSe中
的一种或多种，但不限于此。

[0062] 优选的，所述阴极材料选自Ag、Al、Cu和Au中的一种或多种。

[0063] 下面通过实施例对本发明复合材料的制备方法、量子点发光二极管及其制备方法进行详细说明：

[0064] 实施例1

[0065] 一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的ITO基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇与氧化钛配位
结合形成的复合材料。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：

[0066] 1）、乙酰丙酮钇的制备：将适量的氧化钇放置于小烧杯中，先加入少量蒸馏水，磁力搅拌下慢慢滴加稀硫酸，至白色粉末逐渐溶解成无色溶液，加入6 ml乙酰丙酮后形成油
3+
水两相（摩尔比，乙酰丙酮：Y =3:1），再添加少量乙醇，反应液呈均相分散；向上述溶液中慢
3+
慢滴加预先配置好的1 M的NaOH溶液（摩尔比，NaOH：Y =3:1），反应液中逐渐产生白色沉淀
物，滴至混和液pH值为6‑7，此时反应液为比较粘稠的固液混和物。抽滤，滤饼用蒸馏水充分
洗涤，置于45℃真空干燥 ，制得白色固体为乙酰丙酮钇；

[0067] 2）氧化钛的制备：将适量的醋酸钛加入到50 ml乙醇中形成总浓度为1 M 的溶液，o
在70  C下搅拌溶解；加入氢氧化钠溶解于10 ml乙醇的溶液（氢氧化钠与钛离子的摩尔比
为4：1， pH=12），继续在70 ℃下搅拌4 h制得氧化钛；

[0068] 3）、复合材料的制备：将所述乙酰丙酮钇和氧化钛按照摩尔比为1:0.1的比例加入到有机溶剂中，在70 ℃下保温搅拌3h使所述乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得
所述复合材料；

[0069] 4）、量子点发光二极管的制备：

[0070] 在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂PVK，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；

[0071] 在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；

[0072] 在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的复合材料，旋涂60s后以300℃退火处理30min，制得电子传输层；

[0073] 最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积150nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。

[0074] 实施例2

[0075] 一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的ITO基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇与氧化钛配位
结合形成的复合材料。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：

[0076] 1）、乙酰丙酮钇的制备：将适量的氧化钇放置于小烧杯中，先加入少量蒸馏水，磁力搅拌下慢慢滴加稀硝酸，至白色粉末逐渐溶解成无色溶液，加入6 ml乙酰丙酮后形成油
3+
水两相（摩尔比，乙酰丙酮：Y =3:1），再添加少量乙醇，反应液呈均相分散；向上述溶液中慢
3+
慢滴加预先配置好的1 M的KOH溶液（摩尔比，KOH：Y =3:1），反应液中逐渐产生白色沉淀物，
滴至混和液pH值为6‑7，此时反应液为比较粘稠的固液混和物。抽滤，滤饼用蒸馏水充分洗
涤，置于45℃真空干燥 ，制得白色固体为乙酰丙酮钇；

[0077] 2）氧化钛的制备：将适量的硝酸钛加入到50 ml丙醇中形成总浓度为1 M 的溶液，o
在70  C下搅拌溶解；加入氢氧化钾溶解于10 ml丙醇的溶液（氢氧化钾与钛离子的摩尔比
为4：1， pH=12），继续在70 ℃下搅拌4 h制得氧化钛；

[0078] 3）、复合材料的制备：将所述乙酰丙酮钇和氧化钛按照摩尔比为1:0.1的比例加入到有机溶剂中，在70 ℃下保温搅拌3h使所述乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得
所述复合材料；

[0079] 4）、量子点发光二极管的制备：

[0080] 在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂TFB，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；

[0081] 在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；

[0082] 在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的复合材料，旋涂60s后以300℃退火处理40min，制得电子传输层；

[0083] 最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积100nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。

[0084] 实施例3

[0085] 一种量子点发光二极管，其包括从下至上叠层设置的ITO基板、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层以及阴极，其中，所述电子传输层材料为由乙酰丙酮钇与氧化钛配位
结合形成的复合材料。所述量子点发光二极管的制备方法包括步骤：

[0086] 1）、乙酰丙酮钇的制备：将适量的氧化钇放置于小烧杯中，先加入少量蒸馏水，磁力搅拌下慢慢滴加稀盐酸，至白色粉末逐渐溶解成无色溶液，加入6 ml乙酰丙酮后形成油
3+
水两相（摩尔比，乙酰丙酮：Y =3:1），再添加少量甲醇，反应液呈均相分散；向上述溶液中慢
3+
慢滴加预先配置好的1 M的LiOH溶液（摩尔比，LiOH：Y =3:1），反应液中逐渐产生白色沉淀
物，滴至混和液pH值为6‑7，此时反应液为比较粘稠的固液混和物。抽滤，滤饼用蒸馏水充分
洗涤，置于45℃真空干燥 ，制得白色固体为乙酰丙酮钇；

[0087] 2）氧化钛的制备：将适量的硝酸钛加入到50 ml丙醇中形成总浓度为1 M 的溶液，o
在70  C下搅拌溶解；加入氢氧化锂溶解于10 ml丙醇的溶液（氢氧化锂与钛离子的摩尔比
为4：1， pH=12），继续在70 ℃下搅拌4 h制得氧化钛；

[0088] 3）、复合材料的制备：将所述乙酰丙酮钇和氧化钛按照摩尔比为1:0.1的比例加入到有机溶剂中，在70 ℃下保温搅拌3h使所述乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面，制得
所述复合材料；

[0089] 4）、量子点发光二极管的制备：

[0090] 在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂TFB，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；

[0091] 在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；

[0092] 在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的复合材料，旋涂60s后以300℃退火处理40min，制得电子传输层；

[0093] 最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积100nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管

[0094] 4）、量子点发光二极管的制备：

[0095] 在清洗干净的ITO 玻璃片上旋涂TFB，旋涂60s后以150℃退火处理15min，制得空穴传输层；

[0096] 在空穴传输层上旋涂红色量子点CdSe/ZnS溶液，旋涂60s后制得量子点发光层；

[0097] 在量子点发光层上旋涂所述步骤3）中制得的复合材料，旋涂60s后以300℃退火处理40min，制得电子传输层；

[0098] 最后，在所述电子传输层上通过掩膜板采用热蒸的方式沉积100nm的铝电极，制得所述量子点发光二极管。

[0099] 综上所述，本发明通过选用具有共轭性能的乙酰丙酮钇对氧化钛进行表面改性，使乙酰丙酮钇配位结合在所述氧化钛表面制得电子迁移率高的复合材料；当采用所述复合
材料作为量子点发光二极管的电子传输层时，不仅可提高电子传输层的电子传输效率，还
能提高电子注入量子点发光层的能力，促进电子‑空穴有效地复合，降低激子积累对量子点
发光二极管的性能影响，从而提升量子点发光二极管的发光效率。

[0100] 应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保
护范围。