本发明提供了一种发声器件，其包括盆架、振动系统和磁路系统，振动系统包括：上振膜、下振膜、音圈、呈环状的骨架以及隔离音膜；上振膜固定于盆架并与盆架共同围成收容空间，其远离收容空间的一侧与外界连通并充当上振膜发声的上前腔；下振膜的外周侧和隔离振膜的外周侧分别与盆架连接，且下振膜的内周侧和隔离音膜的内周侧分别与骨架连接；音圈分别与上振膜和骨架连接，音圈驱动上振膜振动，同时驱动骨架以带动下振膜振动；隔离振膜、下振膜、骨架以及盆架共同将收容空间分隔成用于下振膜发声的下前腔以及用于上振膜和下振膜共用的后腔；盆架设有将下前腔与外界连通的发声孔。与相关技术相比，本发明的发声器件声学响度更高，声学性能更好。
1.一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙，其特征在于，所述振动系统包括：上振膜，所述上振膜固定于所述盆架，所述上振膜与所述盆架共同围成收容空间，所述上振膜远离所述收容空间的一侧与外界连通并充当所述上振膜发声的上前腔；
下振膜，所述下振膜呈环状且间隔环绕所述磁路系统设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对并位于所述收容空间内，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；
音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内，连接于所述上振膜，且连接于所述上振膜用以驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；
呈环状的骨架，所述骨架位于所述收容空间内且间隔环绕所述磁路系统设置，且所述骨架分别与所述音圈和所述下振膜连接，所述音圈驱动所述上振膜振动，同时驱动所述骨架以带动所述下振膜振动；以及，
隔离振膜，所述隔离振膜呈环状且间隔环绕所述磁路系统设置，所述隔离振膜间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔离振膜的内周侧与所述骨架连接；
所述下振膜、所述骨架、所述隔离振膜以及所述盆架共同将所述收容空间分隔成用于所述下振膜发声的下前腔以及用于所述上振膜和所述下振膜共用的后腔；所述盆架设有贯穿其上的发声孔，所述发声孔将所述下前腔与外界连通。
2.根据权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的骨架本体以及由所述骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的骨架延伸壁；所述骨架本体相对两侧分别与所述隔离振膜和所述下振膜连接；所述骨架延伸壁与所述音圈连接。
3.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述骨架延伸壁包括由所述骨架本体弯折延伸的第一壁和由所述第一壁弯折延伸且呈弧形的第二壁；所述音圈呈带圆角的矩形环状结构，所述第二壁贴合于所述音圈外周侧的圆角处。
4.根据权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述第一壁包括四个且间隔环绕所述音圈设置，每一所述第一壁均弯折延伸形成一所述第二壁，四个所述第二壁分别设于所述音圈的四个圆角处。
5.根据权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜包括呈环状的下折环部、由所述下折环部的内周侧弯折延伸的下振动部以及由所述下折环部的外周侧弯折延伸的下固定部；所述下振动部与所述骨架本体连接，所述下固定部固定于所述盆架远离所述上振膜一侧。
6.根据权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述下振膜还包括贴合于所述下振动部且呈环形的下球顶部，所述下振动部通过所述下球顶部与所述骨架本体连接，所述隔离振膜与所述下球顶部间隔正对设置，且所述隔离振膜沿垂直于所述上振膜的振动方向的宽度小于所述下球顶部的宽度。
7.根据权利要求5或6所述的发声器件，其特征在于，所述骨架本体包括本体壁、由所述本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一加强壁、以及由所述本体壁靠近所述下振膜的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二加强壁，所述第一加强壁与所述第二加强壁分别位于所述本体壁的相异两侧；所述第一加强壁与所述隔离振膜连接，所述第二加强壁与所述下振动部连接。
8.根据权利要求5所述的发声器件，其特征在于，所述上振膜包括呈环状的上折环部、由所述上折环部的内周侧弯折延伸的上振动部以及由所述上折环部的外周侧弯折延伸的上固定部，所述上固定部固定于所述盆架远离所述下振膜的一侧；所述音圈连接于所述上振动部。
9.根据权利要求8所述的发声器件，其特征在于，所述上折环部与所述下折环部正对设置。
10.根据权利要求9所述的发声器件，其特征在于，所述上折环部呈向远离所述下折环部方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部呈向远离所述上折环部方向凹陷形成的弧形结构。
11.根据权利要求10所述发声器件，其特征在于，所述盆架包括固定支撑所述磁路系统的底壁、由所述底壁周缘弯折延伸的呈环状的侧壁以及由所述侧壁向靠近所述磁路系统方向延伸的呈环状的支撑壁；所述下振膜的外周侧固定于所述侧壁并使所述下振膜与所述底壁间隔设置，所述上振膜的外周侧固定于所述侧壁远离所述底壁的一端，所述隔离振膜的外周侧固定于所述支撑壁，所述发声孔贯穿所述侧壁设置且位于所述支撑壁靠近所述底壁的一侧。
12.根据权利要求11所述的发声器件，其特征在于，所述侧壁包括由所述底壁周缘弯折延伸的第一侧壁和由所述第一侧壁向远离所述底壁方向延伸的第二侧壁，所述支撑壁由所述第二侧壁弯折延伸；所述上振膜的外周侧固定于所述第二侧壁远离所述底壁的一端，所述下振膜的外周侧夹设固定于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间，所述发声孔贯穿所述第二侧壁设置。
13.根据权利要求12所述的发声器件，其特征在于，所述磁路系统包括支撑于所述底壁的磁轭和分别固定于所述磁轭的主磁钢以及环绕所述主磁钢的副磁钢，所述副磁钢与所述主磁钢间隔形成所述磁间隙；所述副磁钢设有让位口，所述骨架经所述让位口延伸至所述磁间隙内并与所述音圈连接。
14.根据权利要求13所述发声器件，其特征在于，所述副磁钢包括间隔设置于所述主磁钢相对两侧的第一副磁钢和间隔设置于所述主磁钢另外相对两侧的第二副磁钢，相邻的所述第一副磁钢和所述第二副磁钢间隔形成所述让位口。
发声器件
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电声转换领域，尤其涉及一种运用于电子音箱产品的发声器件。【背景技术】
[0002] 相关技术的发声器件包括盆架、固定于所述盆架的振动系统和具有磁间隙的磁路系统，所述磁路系统驱动所述振动系统振动发声，所述振动系统包括固定于所述盆架用于
振动发声的振膜，贴合于所述振膜的球顶靠近所述磁路系统一侧的骨架以及插设于所述磁
间隙并与骨架连接以驱动所述振膜振动的音圈。
[0003] 然而，相关技术的发声器件中，所述振动系统和所述磁路系统呈上下堆叠结构，在相同高度的发声器件中则限制了磁路系统的结构，从而限制了其磁场的BL值；另外，所述发
声器件仅有一个振膜结构，振膜的有效振动面积(SD)较小，从而限制了所述发声器件的响
度。
[0004] 因此，实有必要提供一种新的发声器件解决上述技术问题。【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种响度大且声学性能更优的发声器件。
[0006] 为了达到上述目的，本发明提供一种发声器件，其包括盆架、分别支撑于所述盆架的振动系统和驱动所述振动系统振动发声的磁路系统，所述磁路系统具有磁间隙；所述振
动系统包括：
[0007] 上振膜，所述上振膜固定于所述盆架，所述上振膜与所述盆架共同围成收容空间，所述上振膜远离所述收容空间的一侧与外界连通并充当所述上振膜发声的上前腔；
[0008] 下振膜，所述下振膜呈环状且间隔环绕所述磁路系统设置，所述下振膜与所述上振膜间隔相对并位于所述收容空间内，所述下振膜的外周侧固定于所述盆架；
[0009] 音圈，所述音圈插设于所述磁间隙内，连接于所述上振膜，且连接于所述上振膜用以驱动所述上振膜和所述下振膜振动发声；
[0010] 呈环状的骨架，所述骨架位于所述收容空间内且间隔环绕所述磁路系统设置，且所述骨架分别与所述音圈和所述下振膜连接，所述音圈驱动所述上振膜振动，同时驱动所
述骨架以带动所述下振膜振动；以及，
[0011] 隔离振膜，所述隔离振膜呈环状且间隔环绕所述磁路系统设置，所述隔离振膜间隔设置于所述上振膜和所述下振膜之间，所述隔离振膜的外周侧与所述盆架连接，所述隔
离振膜的内周侧与所述骨架连接；
[0012] 所述下振膜、所述骨架、所述隔离振膜以及所述盆架共同将所述收容空间分隔成用于所述下振膜发声的下前腔以及用于所述上振膜和所述下振膜共用的后腔；所述盆架设
有贯穿其上的发声孔，所述发声孔将所述下前腔与外界连通。
[0013] 优选的，所述骨架包括间隔环绕所述磁路系统设置的呈环状的骨架本体以及由所述骨架本体向所述磁路系统弯折延伸至所述磁间隙内的骨架延伸壁；所述骨架本体相对两
侧分别与所述隔离振膜和所述下振膜连接；所述骨架延伸壁与所述音圈连接。
[0014] 优选的，所述骨架延伸壁包括由所述骨架本体弯折延伸的第一壁和由所述第一壁弯折延伸且呈弧形的第二壁；所述音圈呈带圆角的矩形环状结构，所述第二壁贴合于所述
音圈外周侧的圆角处。
[0015] 优选的，所述第一壁包括四个且间隔环绕所述音圈设置，每一所述第一壁均弯折延伸形成一所述第二壁，四个所述第二壁分别设于所述音圈的四个圆角处。
[0016] 优选的，所述下振膜包括呈环状的下折环部、由所述下折环部的内周侧弯折延伸的下振动部以及由所述下折环部的外周侧弯折延伸的下固定部；所述下振动部与所述骨架
本体连接，所述下固定部固定于所述盆架远离所述上振膜一侧。
[0017] 优选的，所述下振膜还包括贴合于所述下振动部且呈环形的下球顶部，所述下振动部通过所述下球顶部与所述骨架本体连接，所述隔离振膜与所述下球顶部间隔正对设
置，且所述隔离振膜沿垂直于所述上振膜的振动方向的宽度小于所述下球顶部的宽度。
[0018] 优选的，所述骨架本体包括本体壁、由所述本体壁靠近所述隔离振膜的一端沿垂直于所述上振膜的振动方向弯折延伸的第一加强壁、以及由所述本体壁靠近所述下振膜的
一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二加强壁，所述第一加强壁与所述第二加强壁分
别位于所述本体壁的相异两侧；所述第一加强壁与所述隔离振膜连接，所述第二加强壁与
所述下振动部连接。
[0019] 优选的，所述上振膜包括呈环状的上折环部、由所述上折环部的内周侧弯折延伸的上振动部以及由所述上折环部的外周侧弯折延伸的上固定部，所述上固定部固定于所述
盆架远离所述下振膜的一侧；所述音圈连接于所述上振动部。
[0020] 优选的，所述上折环部与所述下折环部正对设置。
[0021] 优选的，所述上折环部呈向远离所述下折环部方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部呈向远离所述上折环部方向凹陷形成的弧形结构。
[0022] 优选的，所述盆架包括固定支撑所述磁路系统的底壁、由所述底壁周缘弯折延伸的呈环状的侧壁以及由所述侧壁向靠近所述磁路系统方向延伸的呈环状的支撑壁；所述下
振膜的外周侧固定于所述侧壁并使所述下振膜与所述底壁间隔设置，所述上振膜的外周侧
固定于所述侧壁远离所述底壁的一端，所述隔离振膜的外周侧固定于所述支撑壁，所述发
声孔贯穿所述侧壁设置且位于所述支撑壁靠近所述底壁的一侧。
[0023] 优选的，所述侧壁包括由所述底壁周缘弯折延伸的第一侧壁和由所述第一侧壁向远离所述底壁方向延伸的第二侧壁，所述支撑壁由所述第二侧壁弯折延伸；所述上振膜的
外周侧固定于所述第二侧壁远离所述底壁的一端，所述下振膜的外周侧夹设固定于所述第
一侧壁与所述第二侧壁之间，所述发声孔贯穿所述第二侧壁设置。
[0024] 优选的，所述磁路系统包括支撑于所述底壁的磁轭和分别固定于所述磁轭的主磁钢以及环绕所述主磁钢的副磁钢，所述副磁钢与所述主磁钢间隔形成所述磁间隙；所述副
磁钢设有让位口，所述骨架经所述让位口延伸至所述磁间隙内并与所述音圈连接。
[0025] 优选的，所述副磁钢包括间隔设置于所述主磁钢相对两侧的第一副磁钢和间隔设置于所述主磁钢另外相对两侧的第二副磁钢，相邻的所述第一副磁钢和所述第二副磁钢间
隔形成所述让位口。
[0026] 与相关技术相比，本发明的发声器件中，振动系统设置有用以振动发声的上振膜和下振膜，上振膜和下振膜共同构成振动系统的双振膜结构，使得上振膜和下振膜分别通
过上前腔和下前腔发声并共用同一后腔，该结构有效地提高振动系统的振膜的有效振动面
积(SD)，提高了发声器件的发声响度，从而使得发声器件的声学性能优。
【附图说明】
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它
的附图，其中：
[0028] 图1为本发明发声器件的立体结构示意图；
[0029] 图2为本发明发声器件的部分立体结构分解图；
[0030] 图3为本发明发声器件的骨架立体结构分解图；
[0031] 图4为本发明发声器件的振动系统部分结构与磁路系统的装配示意图；
[0032] 图5为图4的立体结构分解图；
[0033] 图6为沿图1中A‑A线的剖示图；
[0034] 图7为沿图1中B‑B线的剖示图。【具体实施方式】
[0035] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它
实施例，都属于本发明保护的范围。
[0036] 请同时参阅图1‑7，本发明提供了一种发声器件100，其包括盆架1、分别支撑于所述盆架1的振动系统2和磁路系统3、以及上盖板4，所述磁路系统3具有磁间隙30，所述磁路
系统3驱动所述振动系统2振动发声。
[0037] 所述振动系统2包括上振膜21、下振膜22、音圈23、骨架24以及隔离振膜25。其中，所述上振膜21、所述隔离振膜25以及所述下振膜22由上向下依次间隔设置。
[0038] 所述上振膜21的外周侧固定于所述盆架1远离所述磁路系统3的一侧。所述上振膜21和所述盆架1共同围成收容空间10。
[0039] 所述上振膜21远离所述收容空间10的一侧与外界连通并充当所述上振膜21发声的上前腔201；具体的，所述上盖板4盖设于固定于所述盆架1远离所述磁路系统3的一侧，所
述上振膜21的外周侧夹设固定于所述盆架1和所述上盖板4之间，且所述上振膜21、所述盆
架1以及所述上盖板4共同围成所述上前腔201，所述上盖板4设有贯穿其上的发声口40，所
述发声口40将所述上前腔201与外界连通，实现发声。
[0040] 本实施方式中，所述上振膜21包括呈环状的上折环部211、由所述上折环部211的内周侧弯折延伸的上振动部212以及由所述上折环部211的外周侧弯折延伸的上固定部
213，所述上固定部213固定于所述盆架1远离所述下振膜22的一侧，即所述上固定部213夹
设固定于所述盆架1和所述上盖板4之间，所述上振动部212用以振动发声。
[0041] 所述下振膜22呈环状且间隔环绕所述磁路系统3设置。
[0042] 所述下振膜22与所述上振膜21间隔相对并位于所述收容空间10内，所述下振膜22的外周侧固定于所述盆架1远离所述上振膜21的一侧。
[0043] 具体的，所述下振膜22包括呈环状的下折环部221、由所述下折环部221的内周侧弯折延伸的下振动部222和由所述折环部221的外周侧弯折延伸的下固定部223；所述下固
定部223与所述盆架1远离所述上振膜21的一侧固定，所述下振动部222与所述骨架24连接。
[0044] 本实施方式中，所述上折环部211与所述下折环部221正对设置。更优的，所述上折环部211呈向远离所述下折环部221方向凹陷形成的弧形结构，所述下折环部221呈向远离
所述上折环部211方向凹陷形成的弧形结构。该结构有效地利用所述发声器件100的高度空
间，使得所述上振膜21和所述下振膜22具有更大的振动空间，振动性能更优。
[0045] 所述音圈23插设于所述磁间隙30内，且连接于所述上振膜21靠近所述磁路系统3的一侧用以驱动所述上振膜21和所述下振膜22振动发声；具体的，所述音圈23远离所述磁
路系统3的一端连接于所述上振动部212以驱动所述上振膜21振动，其靠近所述磁路系统3
的一端插设于所述磁间隙30内且与骨架24连接，通过骨架24带动下振膜22振动。上述结构，
上振膜21和下振膜22共同构成双振膜振动发声结构，有效的提高了振动系统2的振动有效
振动面积(SD)，提高了发声器件100的发声响度，从而使得发声器件100的声学性能优。另
外，从而增加发声器件100的振膜有效振动面积(SD)的同时，由于所述下振膜22环绕所述磁
路系统3设置，以使得所述下振膜22设置于所述收容空间10内，有效地提高发声器件100内
部的空间利用率，也即在所述发声器件100的振膜有效振动面积(SD)相同的情况下，可使发
声器件100尺寸更小，有利于微型化发展。
[0046] 所述骨架24呈环状，所述骨架24位于所述收容空间10内并环绕所述磁路系统3间隔设置。
[0047] 所述骨架24分别与所述音圈23和所述下振膜22连接，所述音圈23驱动所述上振膜21振动发声，同时驱动所述骨架24以带动所述下振膜22振动发声，从而实现双振膜振动发
声结构。
[0048] 所述隔离振膜25呈环状且间隔环绕所述磁路系统3设置。
[0049] 所述隔离振膜25间隔设置于所述上振膜21和所述下振膜22之间，所述隔离振膜25的外周侧与所述盆架1连接，所述隔离振膜25的内周侧与所述骨架24连接。更优的，所述上
振动部212与所述隔离振膜25正对间隔设置。
[0050] 所述下振膜22、所述骨架24、所述隔离振膜25以及所述盆架1共同将所述收容空间10分隔成用于所述下振膜22发声的下前腔202以及用于所述上振膜21和所述下振膜22共用
的后腔101。所述盆架1设有贯穿其上的发声孔120，所述发声孔120将所述下前腔202与外界
连通，实现发声，所述下振膜22与所述上振膜21共用所述后腔101。
[0051] 也就是说，所述隔离振膜25从所述收容空间10内隔离出所述后腔101和所述下前腔202，避免了所述后腔101与所述下前腔202声短路。
[0052] 本实施方式中，所述骨架24包括骨架本体241以及骨架延伸壁242。
[0053] 骨架本体241呈环状并环绕所述磁路系统3设置，且所述骨架本体241与所述磁路系统3间隔；所述骨架本体241沿所述振动系统2的振动方向的相对两侧分别与所述隔离振
膜25和所述下振膜22的下振动部222连接，所述隔离振膜25、所述骨架本体241、所述下振膜
22以及所述盆架1共同将所述收容空间10分隔成所述后腔101和所述下前腔202。
[0054] 进一步的，所述骨架本体241包括本体壁2411、由所述本体壁2411靠近所述隔离振膜25的一端沿垂直于所述上振膜21的振动方向弯折延伸的第一加强壁2412、以及由所述本
体壁2411靠近所述下振膜22的一端沿垂直于所述振动方向弯折延伸的第二加强壁2413，所
述第一加强壁2412与所述隔离振膜25的内周侧连接，所述第二加强壁2413与所述下振膜22
的下振动部222连接。
[0055] 由于第一加强壁2412和第二加强壁2413的设置，分别有效地增加了所述骨架本体241与所述隔离振膜25和所述下振动部222的结合面积，即有效地增加了骨架本体241与所
述隔离振膜25和所述下振动部222的连接强度，从而进一步地提高振动可靠性。
[0056] 本实施方式中，所述第一加强壁2412与所述第二加强壁2413分别位于所述本体壁2411的相异两侧。
[0057] 更优的，所述下振膜22还包括贴合于所述下振动部222且呈环形的下球顶部224，所述下振动部222通过所述下球顶部224与所述骨架本体241连接，下球顶部224的设置有效
提高所述下振膜22的振动可靠性；更优的，所述隔离振膜25与所述下球顶部224间隔正对设
置，且所述隔离振膜25沿垂直于所述上振膜21的振动方向的宽度小于所述下球顶部224的
宽度。该结构设置避免所述隔离振膜25宽度过大造成下振膜22的振膜有效振动面积SD损失
而影响声学性能。
[0058] 骨架延伸壁242由所述骨架本体241向所述磁路系统3弯折延伸至所述磁间隙30内，且与所述音圈23连接。
[0059] 进一步的，所述骨架延伸壁242包括第一壁2421和第二壁2422；所述第一壁2421由所述骨架本体241向所述磁路系统3弯折延伸至所述磁间隙30内；所述第二壁242呈弧形，其
由所述第一壁2421弯折延伸且抵接于所述音圈23。
[0060] 值得一提的是，音圈的结构形式是不限，比如，在本实施方式中，所述音圈23呈带圆角的矩形环状结构，所述第二壁2422贴合于所述音圈23外周侧的圆角处。
[0061] 优选的，所述第一壁2421包括四个且间隔环绕所述音圈23设置，每一所述第一壁2421均弯折延伸形成一所述第二壁2422，即共形成四个所述第二壁2422，四个所述第二壁
2422分别设于所述音圈的四个圆角处。上述结构对称支撑所所述音圈23，支撑更稳定，振动
可靠性更好。
[0062] 本实施方式中，所述盆架1包括固定支撑所述磁路系统3的底壁11、由所述底壁11周缘弯折延伸的呈环状的侧壁12以及由所述侧壁12向靠近所述磁路系统3方向延伸的呈环
状的支撑壁13。
[0063] 所述下振膜22的外周侧固定于所述侧壁12，具体为，所述下振膜22的下固定部223固定于所述侧壁12，并使所述下振膜22与所述底壁11间隔设置，为下振膜22提供振动空间。
[0064] 所述上振膜21的外周侧固定于所述侧壁12远离所述底壁11的一端，具体为，所述上振膜21的所述上固定部213固定于所述侧壁12远离所述底壁11的一端。
[0065] 所述发声孔120贯穿所述侧壁12设置且位于所述支撑壁13靠近所述底壁11的一侧。
[0066] 具体的，所述侧壁12包括由所述底壁11周缘弯折延伸的第一侧壁121和由所述第一侧壁121向远离所述底壁11方向延伸的第二侧壁122，所述支撑壁13由所述第二侧壁122
弯折延伸。
[0067] 所述上振膜21的外周侧，即所述上固定部213固定于所述第二侧壁122远离所述底壁11的一端；所述下振膜22的外周侧，即下固定部223夹设固定于所述第一侧壁121与所述
第二侧壁122之间。所述发声孔120贯穿所述第二侧壁122设置且位于所述支撑壁13靠近所
述底壁11的一侧。
[0068] 所述隔离振膜25的外周侧固定于所述盆架1的支撑壁13。此时，所述下振膜22、所述骨架24、所述隔离振膜25以及所述第二侧壁122共同围成用于所述下振膜22发声的所述
下前腔202。
[0069] 所述磁路系统3包括支撑于所述底壁11的磁轭31和分别固定于所述磁轭31的主磁钢32以及环绕所述主磁钢32的副磁钢33。所述副磁钢33与所述主磁钢32间隔形成所述磁间
隙30。
[0070] 所述副磁钢33设有让位口330，所述骨架24经所述让位口330延伸至所述磁间隙30内并与所述音圈23连接。具体为，所述骨架24的所述第一壁2412经所述让位口330延伸至所
述磁间隙30内。
[0071] 更优的，所述副磁钢33包括间隔设置于所述主磁钢32相对两侧的第一副磁钢331和间隔设置于所述主磁钢32另外相对两侧的第二副磁钢332，相邻的所述第一副磁钢331和
所述第二副磁钢332间隔设置形成所述让位口330。
[0072] 与相关技术相比，本发明的发声器件中，振动系统设置有用以振动发声的上振膜和下振膜，上振膜和下振膜共同构成振动系统的双振膜结构，使得上振膜和下振膜分别通
过上前腔和下前腔发声并共用同一后腔，该结构有效地提高振动系统的振膜的有效振动面
积(SD)，提高了发声器件的发声响度，从而使得发声器件的声学性能优。
[0073] 以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范
围。
