一种有机化合物及其应用、一种有机电致发光器件

摘要

本发明涉及有机电致发光器件领域，公开了一种有机化合物及其应用、一种有机电致发光器件，该化合物具有式(I)所示的通式结构，A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，B为式(I3)所示的基团。本发明的所述有机化合物能够作为高性能的电子传输材料应用。A‑L1‑B‑L2‑C，式(I)

权利要求

1.一种有机化合物，其特征在于，该化合物具有式(I)所示的通式结构，A‑L1‑B‑L2‑C     式(I)，其中，在式(I)中，

A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、C1‑6的烷基和苯基；

B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在。

2.根据权利要求1所述的化合物，其中，在式(I)中，A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基和苯基；

B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在。

3.根据权利要求2所述的化合物，其中，在式(I)中，A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基和苯基；

B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

L1和L2相同或不同，各自独立地为式(1L)、式(2L)、式(3L)、式(4L)或式(5L)所示的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在；

4.根据权利要求1‑3中任意一项所述的化合物，其中，该化合物为以下具体化合物中的至少一种：

5.权利要求1‑4中任意一项所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。

6.一种含有权利要求1‑4中任意一项所述的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件，其中，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层、发光层和空穴阻挡层的至少一层中。

8.根据权利要求6或7所述的有机电致发光器件，其中，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层中。

9.根据权利要求6‑8中任意一项所述的有机电致发光器件，其中，该有机电致发光器件中还含有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层。

10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其中，该有机电致发光器件中还含有阳极和阴极。

说明书

一种有机化合物及其应用、一种有机电致发光器件

技术领域

[0001] 本发明涉及有机电致发光器件领域，具体涉及一种有机化合物及其应用、一种有机电致发光器件。

背景技术

[0002] 随着科学技术的飞速发展，显示技术的不断进步，OLED显示技术也快速发展，它具有超轻、超薄、大视角、快响应、高清晰度、可弯曲、工艺简单等优点，被认为是最具有发展前
途的新一代显示技术，但是OLED材料的光电性能还需要进一步的提升。

[0003] 有机电致发光的原理是利用有机物质将电能转化为光能的现象，常见的有机发光元件一般包括阴阳两极及其之间的有机物层的结构，有机物层的材料主要包括空穴注入材
料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料等。

[0004] 在有机电致发光器件中，传统的电子传输层材料Alq3具有较低的电子迁移率，使得载流子复合不平衡。

[0005] 为了获得高性能的电子传输材料，要求材料具有高的电子迁移率，以提高器件的发光效率和使用寿命。

发明内容

[0006] 本发明的目的是研究高性能的电子传输材料以降低现有技术有机电致发光器件的驱动电压，或者以及提高发光效率。

[0007] 为了实现上述目的，本发明的第一方面提供一种有机化合物，该化合物具有式(I)所示的通式结构，

[0008] A‑L1‑B‑L2‑C式(I)，

[0009]

[0010] 其中，在式(I)中，

[0011] A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、C1‑6的烷基和苯基；

[0012] B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

[0013] L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在。

[0014] 本发明的第二方面提供前述第一方面中所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。

[0015] 本发明的第三方面提供一种含有第一方面中所述的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。

[0016] 本发明具有如下具体的优点：

[0017] 1、本发明的化合物能够提高分子结构的电子迁移率，从而在应用于有机电致发光器件中时能够提高发光效率；

[0018] 2、本发明的化合物能够调节LUMO能级的范围，使其与临近材料层的能级匹配度高，能够减小电子注入势垒，从而降低驱动电压并提高发光效率；

[0019] 3、本发明的化合物具有良好的热稳定性，不易结晶，有利于真空蒸镀成膜。

具体实施方式

[0020] 在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各
个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个
新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。

[0021] 本发明所述C1‑6的烷基包括碳原子总数为1‑6的直链、支链、环状烷基，包括但不限于甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、异戊基、正己基、环丙基、甲
基环丙基、乙基环丙基、环戊基、甲基环戊基、环己基等。

[0022] 本发明所述L1和L2各自独立地不存在表示，L1和L2在式(I)中均可以没有，若没有L1，则A和B直接连接，若没有L2，则C和B直接连接。

[0023] 在没有特别说明的情况下，本发明结构式中的“‑‑‑‑‑”表示连接位置。

[0024] 如前所述，本发明的第一方面提供了一种有机化合物，该化合物具有式(I)所示的通式结构，

[0025] A‑L1‑B‑L2‑C式(I)，

[0026]

[0027] 其中，在式(I)中，

[0028] A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、C1‑6的烷基和苯基；

[0029] B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

[0030] L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在。

[0031] 优选情况下，在式(I)中，A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基和苯基；更优选地，在式
(I)中，A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自
H、甲基、乙基、异丙基、叔丁基和苯基。

[0032] 优选地，在式(I)中，L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在；更优选地，L1和L2相同或不同，各自独立地为式(1L)、式
(2L)、式(3L)、式(4L)或式(5L)所示的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在；

[0033]

[0034] 根据一种优选的具体实施方式，在式(I)中，

[0035] A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基和苯基；

[0036] B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

[0037] L1和L2相同或不同，各自独立地为由苯或萘提供的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在。

[0038] 根据另一种优选的具体实施方式，在式(I)中，

[0039] A和C不同，且A和C选自式(I1)所示的基团和式(I2)所示的基团，在式(I1)中，R1选自H、甲基、乙基、正丙基、异丙基、叔丁基和苯基；

[0040] B为式(I3)所示的基团，在式(I3)中，X为S或O；

[0041] L1和L2相同或不同，各自独立地为式(1L)、式(2L)、式(3L)、式(4L)或式(5L)所示的连接基团，或者L1和L2各自独立地不存在；

[0042]

[0043]

[0044] 根据另一种优选的具体实施方式，本发明的化合物为以下具体化合物中的至少一种：

[0045]

[0046]

[0047] 本发明对制备前述有机化合物的具体制备方法没有特别的限制，本领域技术人员根据本发明的具体化合物的结构式的特点，结合有机合成领域的内的现有知识能够容易地
获得化合物的具体制备方法。进一步地，本发明的制备例中示例性地给出了一些化合物的
制备方法，本领域技术人员可以根据这些示例性的制备例的制备方法得到本发明的所有化
合物。因此，本发明在此不再详述制备本发明的各种化合物的具体制备方法，本领域技术人
员不应理解为对本发明的限制。

[0048] 如前所述，本发明的第二方面提供了前述第一方面中所述的化合物在有机电致发光器件中的应用。

[0049] 如前所述，本发明的第三方面提供了一种含有第一方面中所述的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。

[0050] 优选地，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层、发光层和空穴阻挡层的至少一层中。

[0051] 特别优选地，所述化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层中。

[0052] 特别优选所述化合物作为该有机电致发光器件的电子传输层中的电子传输材料。

[0053] 本发明的化合物作为有机电致发光器件的电子传输层中的电子传输材料时，能够明显降低有机电致发光器件的驱动电压，并提高发光效率。

[0054] 优选地，该有机电致发光器件中还含有空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子注入层。

[0055] 优选情况下，该有机电致发光器件中还含有阳极和阴极。

[0056] 需要说明的是，本发明的所述阳极和阴极之间设置有有机材料层，所述有机材料层包括但不限于本发明前文中所述的电子传输层、发光层、空穴阻挡层、空穴注入层、空穴
传输层、电子阻挡层、电子注入层。

[0057] 本发明的有机电致发光器件优选借助于升华方法涂布一个层或者多个层。在这种‑3 ‑6
情况下，在真空升华系统中，在小于10 Pa、优选小于10 Pa的初始压力下通过气相沉积施
加本发明提供的化合物。

[0058] 本发明的有机电致发光器件还优选通过有机气相沉积方法或者借助于载气升华‑6
来涂布一个层或者多个层。在这种情况下，在10 Pa至100Pa的压力下施加所述化合物。这种
方法特别的例子是有机蒸镀喷印方法，其中本发明提供的化合物通过喷嘴直接施加并形成
器件结构。

[0059] 本发明的有机电致发光器件优选将本发明的化合物配制成溶液，通过旋涂或借助于任何印刷方式，例如丝网印刷、柔性版印刷、喷墨印刷、平版印刷，更优选的是光引发热成
像或喷墨印刷，来形成一个层或者多个层结构。通常情况下，用这种方法来制作多个层时，
容易出现层与层之间的破坏，即当制作完成一个层时，再用溶液制作另外一个层时，溶液中
的溶剂会破坏掉已经形成的层，这不利于有机电致发光器件的制作。但是，本发明提供的化
合物能够在加热或者紫外曝光的情况下发生交联作用，从而保持完整的层而不会被破坏。
本发明的化合物另外可从溶液中施加，并且通过后续的在聚合物网络中的交联或者固定在
相应的层中。

[0060] 本发明的有机电致发光器件可通过溶液施加一个或多个层并通过气相沉积施加一个或多个其它层制造为混合体系。

[0061] 根据本发明的一些实施方式，形成所述阳极的阳极材料，通常优选具有大功函数的材料，例如本发明中使用的阳极材料选自以下材料的一种或多种，金属，如钒、铬、铜和
金，或其他合金：金属氧化物，如：氧化锌、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌和二氧化锡，金属和
氧化物的组合，如：氧化锌：铝，但不限于此。

[0062] 根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴注入层的材料，具有传输空穴的能力，因此，所述空穴注入层的材料具有注入阳极中的空穴效应，对发光层或发光材料具有优异
的空穴注入效应，防止发光层中产生的激子移动至电子注入层或电子注入材料，此外，具有
优异的薄膜形成能力。空穴注入材料的HOMO优选在阳极材料的功函数与周围有机材料层的
HOMO之间。

[0063] 根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴传输层的材料为能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴、使空穴移动至发光层并对空穴具有高迁移率的材料。

[0064] 根据本发明的一些实施方式，所述空穴注入材料和空穴传输材料包括芳香族胺衍生物(例如NPB、SqMA1)、六氮杂苯并菲衍生物(例如HACTN)、吲哚并咔唑衍生物、导电聚合物
(例如PEDOT/PSS)，酞菁或卟啉衍生物、二苯并茚并芴胺、螺二芴胺中的至少一种，但不限于
此。

[0065] 根据本发明的一些实施方式，所述空穴注入层和空穴传输层例如可采用如下通式的芳香族胺衍生物形成：

[0066]

[0067] 上述通式中的R1至R9的基团各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、二甲基芴、螺二芴、咔唑、噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、
苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、吡啶、嘧啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹
喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪。

[0068] 根据本发明的一些实施方式，电子阻挡层的形成材料不受特别限制，一般情况下，能够具备如下第1或/和第2个条件的化合物均可考虑采用：

[0069] 第1：具备较浅的LUMO能级(绝对值较小)，其目的就是减少离开发光层的电子数目，从而提高电子和空穴在发光层的复合几率。

[0070] 第2：具备较大的三线态能量，其目的就是减少离开发光层的激子数量，从而提高激子转换发光的效率。

[0071] 根据本发明的一些实施方式，形成所述电子阻挡层的材料包括但不限于芳香族胺衍生物(例如NPB)、螺二芴胺(例如SpMA2)，其中部分电子阻挡材料和空穴注入材料和空穴
传输材料的结构类似。

[0072] 根据本发明的一些实施方式，发光层的发光材料是能够通过接收分别来自空穴传输层和电子传输层的空穴和电子并使空穴和电子结合而发出可见光区域内的光的材料，并
且优选对荧光或磷光有良好的量子效率的材料。

[0073] 根据本发明的一些实施方式，发光层可以包含主体材料和客体材料。

[0074] 根据本发明的一些实施方式，所述的主体材料可以包括蒽类衍生物、咔唑类衍生物、芴类衍生物、芳胺类衍生物、有机硅类衍生物、咔唑‑三嗪类衍生物、磷氧基类衍生物、菲
啰啉衍生物，但不限于此。

[0075] 在本发明的一些优选实施方式中，所述蒽类衍生物具有如下所示的通式：

[0076]

[0077] 所述磷氧基类衍生物具有如下所示的通式：

[0078]

[0079] 在上述蒽类衍生物和磷氧基类衍生物的通式中，R11、R12、R13、R14、R15和R16各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、四联苯、萘、苯基萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、咔
唑、噻吩、苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、
吡啶、嘧啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪，以及
它们的取代物表示的基团。

[0080] 根据本发明的一些实施方式，客体材料优选为经由磷光、荧光、TADF(热激活延迟荧光)、MLCT(金属到配体电荷转移)、HLCT(具有杂化CT态)和三线态‑三线态消灭方法中的
至少一种方法产生发射的化合物。

[0081] 根据本发明的一些实施方式，发光层中的客体材料中可以包括苝的衍生物、蒽的衍生物、芴类衍生物、二苯乙烯基芳类衍生物、芳胺类衍生物、有机硅类衍生物、有机硼类衍
生物、咔唑‑三嗪类衍生物、吖啶类衍生物、含有酮类衍生物、砜基类衍生物、氰基衍生物和
氧杂蒽类衍生物，但不限于此。

[0082] 在本发明的一些优选实施方式中，所述砜基类衍生物具有如下所示的通式：

[0083]

[0084] 所述酮类衍生物具有如下所示的通式：

[0085]

[0086] 在上述砜基类衍生物和酮类衍生物的通式中，R20、R21、R22和R23各自独立地选自单键、氢、氘、烷基、苯、二联苯、三联苯、四联苯、萘、苯基萘、蒽、菲、苯并菲、芘、芴、咔唑、噻吩、
苯并噻吩、二苯并噻吩、呋喃、苯并呋喃、二苯并呋喃、吲哚、吲哚咔唑、茚并咔唑、吡啶、嘧
啶、咪唑、噻唑、喹啉、异喹啉、喹喔啉、喹唑啉、卟啉、咔啉、吡嗪、哒嗪或三嗪，以及它们的取
代物表示的基团。

[0087] 根据本发明的一些实施方式，空穴阻挡层的材料还可以优选为具备如下第1和/或第2个条件的化合物：

[0088] 第1：具备较深的HOMO能级(绝对值较大)，其目的就是减少离开发光层的空穴数目，从而提高电子和空穴在发光层的复合几率。

[0089] 第2：具备较大的三线态能量，其目的就是减少离开发光层的激子数量，从而提高激子转换发光的效率。

[0090] 根据本发明的一些实施方式，形成所述空穴阻挡层的材料例如可以包括含有菲啰啉衍生物(例如Bphen,BCP)，苯并菲衍生物，苯并咪唑衍生物，但不限于此。

[0091] 根据本发明的一些实施方式，电子注入层是注入来自电极的电子的层，并且电子注入材料优选为这样的化合物：其具有传输电子的能力，具有注入来自阴极的电子的效应，
具有将电子注入发光层或发光材料的优异效应，防止发光层中产生的激子移动至空穴注入
层，此外还具有优异的薄膜形成能力。电子注入层材料例如包括LiF、CsF、CsCO3、LiQ，但不
限于此。

[0092] 根据本发明的一些实施方式，形成所述阴极材料通常优选具有小功函数的材料，可以使电子顺利注入有机材料层，能够在本公开内容中使用的阴极材料可以选自以下材料
的一种或多种，Al、Mg和Ag中的一种或多种。

[0093] 以下将通过实例对本发明进行详细描述。以下实例中，在没有特别说明的情况下，使用的各种原料均为普通市售品。

[0094] 在没有特别说明的情况下，下文所述的室温均表示25±1℃。

[0095] 制备例1：化合物1的合成

[0096]

[0097] 中间体1‑1的合成：将0.1mol的2‑溴‑1,10‑菲啰啉溶于250ml的1,4‑二氧六环溶剂中，通入氮气搅拌，依次加入0.1mol的硼酸频那醇酯、0.25mol的乙酸钾、0.001mol的[1,1'‑
双(二苯基膦基)二茂铁]二氯化钯，升温至回流，6h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应
液减压旋干，将残余物通过柱层析得到中间体1‑1(收率：85％)。

[0098] 中间体1‑2的合成：合成方法同中间体1‑1的合成方法相同，得到中间体1‑2(收率：79％)。

[0099] 中间体1‑3的合成：将0.065mol的中间体1‑2溶于230ml的1,4‑二氧六环溶剂中，通入氮气搅拌，依次加入0.065mol的4‑溴‑1‑碘二苯并呋喃，0.16mol的K2CO3、0.65mmol的四
(三苯基膦)钯，升温至回流反应，5h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，将
残余物通过柱层析得到中间体1‑3(收率:74％)。

[0100] 化合物1的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法，得到化合物1(收率：71％)。

[0101] 质谱：C42H24N2O，理论值：572.19，实测值：572.1。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.30～7.43(3H，m)，7.50～7.78(10H，m)，7.85～7.90(1H，m)，7.96～7.80(1H，m)，8.19～
8.23(1H，m)，8.28～8.48(5H，m)，8.78～8.82(1H，m)，9.57～9.62(2H，m)。

[0102] 制备例2：化合物3的合成

[0103]

[0104] 中间体3‑1的合成：将0.1mol的2‑溴苯并[9,10]菲溶于300ml的1,4‑二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.1mol的对氯苯硼酸、0.25mol的K2CO3、0.001mol的四(三苯基
膦)钯，升温至回流反应，6h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，将残余物通
过柱层析得到中间体3‑1(收率:76％)。

[0105] 中间体3‑2的合成：合成方法同中间体1‑1的合成方法，得到中间体3‑2(收率:83％)。

[0106] 中间体3‑3的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法，得到中间体3‑3(收率:74％)。

[0107] 化合物3的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法，得到化合物3(收率:71％)。

[0108] 质谱：C48H28N2O，理论值：648.22，实测值：648.2。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.24～7.25(4H，m)，7.30～7.42(3H，m)，7.49～7.77(10H，m)，7.85～7.90(1H，m)，7.95～
8.00(1H，m)，8.18～8.28(1H，m)，8.30～8.47(5H，m)，8.77～8.82(1H，m)，9.53～9.55(1H，
d)，9.57～9.62(1H，m)。

[0109] 制备例3：化合物6的合成

[0110]

[0111] 中间体6‑1的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法相同，得到中间体6‑1(收率：77％)。

[0112] 中间体6‑2的合成：合成方法同中间体3‑1的合成方法相同，得到中间体6‑2(收率：71％)。

[0113] 化合物6的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法相同，得到化合物6(收率：66％)。

[0114] 质谱：C48H28N2O，理论值：648.22，实测值：648.1。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.30～7.43(3H，m)，7.49～7.68(10H，m)，7.69～7.78(3H，m)，7.85～7.90(1H，m)，7.95～
8.00(1H，m)，8.19～8.23(1H，m)，8.31～8.41(5H，m)，8.43～8.47(1H，m)，8.78～8.82(1H，
m)，9.32～9.34(1H，d)，9.58～9.62(1H，m)。

[0115] 制备例4：化合物8的合成

[0116]

[0117] 中间体8‑1的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法，得到中间体8‑1(收率:77％)。

[0118] 化合物8的合成：合成方法同中间体1‑3的合成方法，得到化合物8(收率:72％)。

[0119] 质谱：C42H24N2O，理论值：572.19，实测值：572.1。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.30～7.43(3H，m)，7.49～7.74(9H，m)，7.80～7.84(1H，d)，7.86～7.90(1H，m)，7.96～
8.00(1H，m)，8.13～8.17(1H，d)，8.28～8.47(5H，m)，8.77～8.82(1H，m)，9.54～9.57(1H，
d)，9.58～9.62(1H，d)。

[0120] 制备例5：化合物12的合成

[0121]

[0122] 中间体12‑1的合成：将0.15mol的2,9‑二溴‑1,10菲啰啉溶于480ml的1,4‑二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.1mol的苯硼酸、0.25mol的K2CO3、0.001mol四(三苯基
膦)钯，升温至回流反应，8h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，通过柱层析
除去未反应的原料和双取代的产物得到中间体12‑1。(收率:42％)

[0123] 中间体12‑2的合成：合成方法同中间体1‑1的合成，得到中间体12‑2(收率：83％)。

[0124] 中间体12‑3的合成：合成方法同中间体1‑3的合成，得到中间体12‑3(收率：75％)。

[0125] 化合物12的合成：合成方法同中间体1‑3的合成，得到化合物12(收率：69％)。

[0126] 质谱：C48H28N2O，理论值：648.22，实测值：648.2。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.29～7.35(3H，m)，7.37～7.41(1H，m)，7.47～7.59(7H，m)，7.62～7.72(4H，m)，7.75～
7.78(1H，d)，7.87～7.89(1H，m)，7.97～7.99(1H，m)，8.20～8.22(1H，d)，8.29～8.34(4H，
m)，8.36～8.40(3H，m)，9.37～9.38(1H，d)，9.59～9.61(1H，m)。

[0127] 制备例6：化合物17的合成

[0128]

[0129] 中间体17‑1的合成：合成方法同中间体1‑3的合成，得到中间体17‑1(收率：76％)。

[0130] 化合物17的合成：合成方法同中间体1‑3的合成，得到化合物17(收率：71％)。

[0131] 质谱：C42H24N2S，理论值：588.17，实测值：588.1。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.27～7.36(2H，m)，7.49～7.74(9H，m)，7.83～7.90(3H，m)，8.21～8.29(1H，d)，8.30～
8.48(6H，m)，8.78～8.83(1H，m)，9.36～9.38(1H，d)，9.58～9.62(1H，m)。

[0132] 制备例7：化合物23的合成

[0133]

[0134] 化合物23的合成：合成方法同中间体1‑3的合成，得到化合物23(收率：73％)。

[0135] 质谱：C48H28N2S，理论值：664.20，实测值：664.1。1H‑NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.28～7.36(3H，m)，7.47～7.74(11H，m)，7.84～7.90(3H，m)，8.21～8.28(1H，m)，8.30～
8.47(8H，m)，9.50～9.52(1H，d)，9.58～9.62(1H，m)。

[0136] 器件实施例1

[0137] 将涂布了ITO透明导电层的玻璃板进行超声处理，在去离子水中冲洗，在丙酮∶乙醇混合溶剂(体积比1∶1)中超声除油，在洁净环境下烘烤至完全除去水分，用紫外光和臭氧
清洗，并用低能阳离子束轰击表面；

[0138] 将上述带有阳极的玻璃基片置于真空腔内，抽真空至1×10‑4Pa，在上述阳极层膜上真空蒸镀HAT‑CN作为空穴注入层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为5nm；接着蒸镀空穴
传输层NPB，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为70nm；空穴传输层上真空蒸镀TCTA作为电子阻挡
层，蒸镀速率为0.1nm/s，厚度为10nm；

[0139] 在空穴传输层之上真空蒸镀器件的发光层，发光层包括主体材料和客体材料，利用多源共蒸的方法，调节主体材料BCP蒸镀速率为0.1nm/s，客体材料Ir(ppy)3蒸镀速率为
主体材料的蒸镀速率的10％比例设定，蒸镀总膜厚为20nm；

[0140] 在发光层之上真空蒸镀器件的电子传输层，利用多源共蒸的方法，调节化合物1和ET‑1的蒸镀速率均为0.1nm/s，蒸镀总膜厚为25nm；

[0141] 在电子传输层(ETL)上真空蒸镀厚度为1nm的LiF作为电子注入层，厚度为150nm的Al层作为器件的阴极。

[0142] 器件实施例2～7

[0143] 采用与器件实施例1相似的方法制备器件实施例2～7的有机发光器件，所不同的是，将器件实施例1中的化合物1替换成表1中的相应化合物。

[0144] 器件对比例1～3

[0145] 采用与器件实施例1相似的方法制备器件对比例1～3的有机电致发光器件，所不同的是，将器件实施例1中的化合物1分别替换成R‑1、R‑2、R‑3。

[0146]

[0147] 器件实施例中涉及的其它分子结构如下：

[0148]

[0149]

[0150] 测试例1

[0151] 在亮度10000cd/m2下，测定器件实施例1～7和器件对比例1～3中制备得到的有机电致发光器件的驱动电压和电流效率，结果见表1。

[0152] 表1

[0153] 编号 电子传输材料 驱动电压(V) 效率(cd/A)器件实施例1 化合物1 4.25 63.3
器件实施例2 化合物3 4.21 61.7
器件实施例3 化合物6 4.23 62.3
器件实施例4 化合物8 4.22 61.8
器件实施例5 化合物12 4.19 60.6
器件实施例6 化合物17 4.25 62.4
器件实施例7 化合物23 4.23 61.5
器件对比例1 R‑1 4.78 57.4
器件对比例2 R‑2 4.53 59.3
器件对比例3 R‑3 4.62 59.7

[0154] 从表1所示的实验结果能够看出，由本发明的化合物作为有机电致发光器件的电子传输材料时，与器件对比例1相比，具有更低的驱动电压及更高的发光效率，与器件对比
例2和器件对比例3相比，具有更低的驱动电压，发光效率也有较小的提升。

[0155] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其
它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于
本发明的保护范围。