一种反向转移石墨烯的方法

摘要

本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。

权利要求

1.一种反向转移石墨烯的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构，其中，所述第一表面为远离所述金属衬底的表面；

在所述第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构；

刻蚀去除所述金属衬底，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯结构；

在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构，其中，所述第二表面与所述第一表面相对，所述第二胶体与所述第一胶体不能溶于同一溶解剂中；

将所述胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，所述第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构；

用目标衬底将所述石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构；

将所述目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，所述第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将所述石墨烯反向转移至所述目标衬底。

2.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述第一胶体为PMMA或PDMS。

3.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述第一胶体的厚度为50～10000nm。

4.根据权利要求2所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在将所述胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，所述第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第一溶解剂为丙酮、四氯化碳、苯甲醚或二氯甲烷中的任意一种。

5.根据权利要求2所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第二胶体为PVA。

6.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第二胶体的厚度为50～10000nm。

7.根据权利要求5所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在将所述目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，所述第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将所述石墨烯反向转移至所述目标衬底的步骤中，所述第二溶解剂为水溶液。

8.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在用目标衬底将所述石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述目标衬底不溶于所述第二溶解剂，所述目标衬底具有光滑表面。

9.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述金属衬底的材料为锗、铜、镍、铂、钼、铅、铁、钴、钌中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的反向转移石墨烯的方法，其特征在于，在所述第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构之前，还包括：固化所述第一胶体；

在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构之后，还包括：烘干所述第二胶体。

说明书

一种反向转移石墨烯的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及石墨烯技术领域，尤其涉及一种反向转移石墨烯的方法。

背景技术

[0002] 石墨烯，一种新型的二维薄膜碳材料，因为其超越诸多材料的优异性质，使得世界上迅速的掀起了一股石墨烯研究狂潮。迄今为止，石墨烯的制备方法以及其力学、电学、化学等各方面性质的研究都取得了非常好的进展。化学气相沉积方法是目前大规模制备高品质石墨烯薄膜的有效方法，然而使用化学气相沉积方法获得的石墨烯薄膜，需要被转移至特定目标基底上，以进行进一步地性能研究和应用。

[0003] 现有技术中，通过大分子聚合物作为转移辅助层的湿法刻蚀转移是广泛使用的石墨烯转移方法之一。最常用的为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)辅助的湿法转移工艺。但是采用化学气相沉积等方法在金属衬底上生长的石墨烯薄膜过程中，经常会出现石墨烯上下表面结构有所不同。例如在铜上生长石墨烯时，由于自限制的生长机理，生长的石墨烯以单层为主，但是由于表面和界面的催化能力以及碳源浓度的差异，在单层的石墨烯下面与铜衬底之间，经常会出现不连续的第二层甚至第三层石墨烯生长，这就造成了石墨烯薄膜的上下表面结构不同。针对一些特定的应用，需要使用石墨烯的下表面(与金属衬底接触面)作为上表面，为此需要石墨烯的反向转移(将石墨烯的上下表面颠倒的转移)。而目前通常采用的PMMA辅助的湿法转移工艺无法实现反向转移，为此开发一种实现石墨烯等二维材料反向转移的技术非常有必要。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种反向转移石墨烯的方法，用以克服现有技术中的石墨烯转移方法无法实现反向转移至目标衬底的技术问题。

[0005] 本发明是通过以下技术方案实现的：

[0006] 本发明提供一种反向转移石墨烯的方法，该方法至少包括以下步骤：

[0007] 提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构，其中，所述第一表面为远离所述金属衬底的表面；

[0008] 在所述第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构；

[0009] 刻蚀去除所述金属衬底，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯结构；

[0010] 在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构，其中，所述第二表面与所述第一表面相对，所述第二胶体与所述第一胶体不能溶于同一溶解剂中；

[0011] 将所述胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，所述第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构；

[0012] 用目标衬底将所述石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构；

[0013] 将所述目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，所述第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将所述石墨烯反向转移至所述目标衬底。

[0014] 进一步地，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述第一胶体为PMMA或PMDS。

[0015] 进一步地，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述第一胶体的厚度为50～10000nm。

[0016] 进一步地，在将所述胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，所述第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第一溶解剂为丙酮、四氯化碳、苯甲醚或二氯甲烷中的任意一种。

[0017] 进一步地，在在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第二胶体为PVA。

[0018] 进一步地，在在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述第二胶体的厚度为50～10000nm。

[0019] 进一步地，在将所述目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，所述第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将所述石墨烯反向转移至所述目标衬底的步骤中，所述第二溶解剂为水溶液。

[0020] 进一步地，在用目标衬底将所述石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，所述目标衬底不溶于所述第二溶解剂，所述目标衬底具有光滑表面。

[0021] 进一步地，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在所述石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，所述金属衬底的材料为锗、铜、镍、铂、钼、铅、铁、钴、钌中的一种或多种。

[0022] 进一步地，在所述第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构之前，还包括：固化所述第一胶体；

[0023] 在所述石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构之后，还包括：烘干所述第二胶体。

[0024] 实施本发明，具有如下有益效果：

[0025] 本发明的反向转移石墨烯的方法，通过对石墨烯两个表面旋涂不同性质的胶体，将两种有机胶体先后覆盖在石墨烯的两面，利用两种胶体溶解性的不同，实现石墨烯的反向转移。相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。

附图说明

[0026] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案和优点，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它附图。

[0027] 图1是本发明实施例的反向转移石墨烯方法的流程示意图；

[0028] 图2是图1的流程示意图对应的结构示意图；

[0029] 图3是本发明实施例的石墨烯‑金属衬底结构的示意图；

[0030] 图4是本发明实施例的第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的示意图；

[0031] 图5是本发明实施例的胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的示意图；

[0032] 图6是本发明实施例的胶带‑第一胶体‑石墨烯结构的示意图；

[0033] 图7是本发明实施例的胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的示意图；

[0034] 图8是本发明实施例的石墨烯‑第二胶体结构的示意图；

[0035] 图9是本发明实施例的目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构的示意图；

[0036] 图10是本发明实施例的目标衬底‑石墨烯结构的示意图；

[0037] 图11是本发明实施例1中反向转移的石墨烯样品的光学显微镜图。

[0038] 其中，附图标记对应为：1‑金属衬底、2‑石墨烯、3‑第一胶体、4‑胶带、5‑第二胶体、6‑目标衬底。

具体实施方式

[0039] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合实施例对本发明作进一步地详细描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0040] 本发明提供了一种反向转移石墨烯的方法，参阅图1和图2，该反向转移石墨烯的方法至少包括以下步骤：

[0041] S1、提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构，其中，第一表面为远离金属衬底的表面；

[0042] S2、在第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构；

[0043] S3、刻蚀去除金属衬底，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯结构；

[0044] S4、在石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构，其中，第二表面与第一表面相对，第二胶体与第一胶体不能溶于同一溶解剂中；

[0045] S5、将胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构；

[0046] S6、用目标衬底将石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构；

[0047] S7、将目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至目标衬底。

[0048] 图3‑10示出了与上述方法对应的结构示意图，在金属衬底1上沉积生长的石墨烯2，涂覆第一胶体3，并贴胶带4后，形成图5中的胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构；刻蚀掉金属衬底1，在石墨烯1的第二表面涂覆第二胶体5后，形成图7中的胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构，第一胶体3和第二胶体5分别位于石墨烯1的两个表面；第一胶体3在第一溶解剂中溶解后，用目标衬底6捞起石墨烯‑第二胶体结构，石墨烯2的第一表面即远离金属衬底1的表面，与目标衬底6接触，第二胶体5在第二溶解剂中溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯2反向转移至目标衬底6。

[0049] 本发明的反向转移石墨烯的方法，通过对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。对于金属衬底上通过化学沉积方法生长的石墨烯晶畴或连续膜，单层石墨烯及多层石墨烯，均可采用本发明的方法实现反向转移。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。本发明的反向转移石墨烯的方法，也可应用于其他二维材料的反向转移。

[0050] 作为一种具体的实施方式，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，第一胶体可以为PMMA或PMDS(聚二甲基硅氧烷)。

[0051] 作为一种具体的实施方式，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，第一胶体的厚度为50～10000nm。

[0052] 作为一种具体的实施方式，在将胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构放入第一溶解剂中，第一胶体溶解后，形成石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，第一溶解剂可以为丙酮、四氯化碳、苯甲醚或二氯甲烷中的任意一种。

[0053] 作为一种具体的实施方式，在在石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，第二胶体可以为PVA(聚乙烯醇)。

[0054] 作为一种具体的实施方式，在在石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，第二胶体的厚度为50～10000nm。

[0055] 作为一种具体的实施方式，在将目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构放入第二溶解剂中，第二胶体溶解后，形成目标衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至目标衬底的步骤中，第二溶解剂为水溶液。

[0056] 本发明实施例中，第二胶体的溶解性与第一胶体相反，第一胶体溶于丙酮、四氯化碳、苯甲醚或二氯甲烷等有机溶剂，不溶于水溶液；而第二胶体溶于水溶液，不溶于有机溶剂。需要说明的是，在其他的一些实施方式中，第一胶体和第二胶体也可以是其他类型的胶体，相应地，第一溶解剂和第二溶解剂也可以采用其他种类的溶剂，只要能够实现相同的功能即可。

[0057] 作为一种具体的实施方式，在用目标衬底将石墨烯‑第二胶体结构捞起，形成目标衬底‑石墨烯‑第二胶体结构的步骤中，目标衬底不溶于第二溶解剂，目标衬底具有光滑表面，目标衬底可以为金属、氧化硅、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、玻璃、陶瓷或聚合物中的任意一种。

[0058] 作为一种具体的实施方式，在提供一由金属衬底上生长形成的石墨烯，在石墨烯的第一表面旋涂第一胶体，形成第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构的步骤中，金属衬底的材料为锗、铜、镍、铂、钼、铅、铁、钴、钌中的一种或多种。

[0059] 作为一种具体的实施方式，在第一胶体上贴胶带，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑金属衬底结构之前，还包括：固化第一胶体，胶带起到强化支撑的作用。

[0060] 在石墨烯的第二表面旋涂第二胶体，形成胶带‑第一胶体‑石墨烯‑第二胶体结构之后，还包括：烘干第二胶体。

[0061] 下面将结合具体的实施例对本发明的反向转移石墨烯的方法进行进一步地详细说明。

[0062] 实施例1

[0063] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由锗衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PMMA，厚度为50nm，形成PMMA‑石墨烯‑锗衬底结构，其中，第一表面为远离锗衬底的表面；

[0064] S2、胶体固化后，在PMMA上贴一层胶带，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑锗衬底结构；

[0065] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除锗衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PMMA‑石墨烯结构；

[0066] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为50nm，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0067] S5、烘干后，将胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构放入丙酮中，PMMA溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0068] S6、用氧化硅衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成氧化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0069] S7、吹干后，将氧化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成氧化硅衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至氧化硅衬底。

[0070] 参阅图11的反向转移的石墨烯样品的光学显微镜图，可以看出，转移的石墨烯样品由多个石墨烯晶畴组成，图中位置a是裸露的目标衬底SiO2‑Si，位置b处石墨烯晶畴为单层，位置c处石墨烯晶畴为双层。

[0071] 实施例2

[0072] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由铜衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PMMA，厚度为1000nm，形成PMMA‑石墨烯‑铜衬底结构，其中，第一表面为远离铜衬底的表面；

[0073] S2、胶体固化后，在PMMA上贴一层胶带，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑铜衬底结构；

[0074] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除铜衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PMMA‑石墨烯结构；

[0075] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为1000nm，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0076] S5、烘干后，将胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构放入四氯化碳中，PMMA溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0077] S6、用氮化硅衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成氮化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0078] S7、吹干后，将氮化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成氮化硅衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至氮化硅衬底。

[0079] 实施例3

[0080] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由锗‑铜衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PMMA，厚度为10000nm，形成PMMA‑石墨烯‑锗‑铜衬底结构，其中，第一表面为远离锗‑铜衬底的表面；

[0081] S2、胶体固化后，在PMMA上贴一层胶带，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑锗‑铜衬底结构；

[0082] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除锗‑铜衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PMMA‑石墨烯结构；

[0083] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为10000nm，形成胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0084] S5、烘干后，将胶带‑PMMA‑石墨烯‑PVA结构放入苯甲醚中，PMMA溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0085] S6、用玻璃衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成玻璃衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0086] S7、吹干后，将玻璃衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成玻璃衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至玻璃衬底。

[0087] 实施例4

[0088] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由锗衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PDMS，厚度为50nm，形成PDMS‑石墨烯‑锗衬底结构，其中，第一表面为远离锗金属衬底的表面；

[0089] S2、胶体固化后，在PDMS上贴一层胶带，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑锗衬底结构；

[0090] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除锗衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PDMS‑石墨烯结构；

[0091] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为50nm，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0092] S5、烘干后，将胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构放入丙酮中，PDMS溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0093] S6、用氧化硅衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成氧化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0094] S7、吹干后，将氧化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成氧化硅衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至氧化硅衬底。

[0095] 实施例5

[0096] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由铜衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PDMS，厚度为1000nm，形成PDMS‑石墨烯‑铜衬底结构，其中，第一表面为远离铜衬底的表面；

[0097] S2、胶体固化后，在PDMS上贴一层胶带，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑铜衬底结构；

[0098] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除铜衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PDMS‑石墨烯结构；

[0099] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为1000nm，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0100] S5、烘干后，将胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构放入四氯化碳中，PDMS溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0101] S6、用氮化硅衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成氮化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0102] S7、吹干后，将氮化硅衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成氮化硅衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至氮化硅衬底。

[0103] 实施例6

[0104] S1、提供一石墨烯，该石墨烯由锗‑铜衬底上生长形成，在石墨烯的第一表面旋涂PDMS，厚度为10000nm，形成PDMS‑石墨烯‑锗‑铜衬底结构，其中，第一表面为远离锗‑铜衬底的表面；

[0105] S2、胶体固化后，在PDMS上贴一层胶带，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑锗‑铜衬底结构；

[0106] S3、采用金属刻蚀液刻蚀去除锗‑铜衬底，清洗干净并吹干，形成胶带‑PDMS‑石墨烯结构；

[0107] S4、在石墨烯的第二表面旋涂PVA，厚度为10000nm，形成胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构，其中，第二表面与第一表面相对；

[0108] S5、烘干后，将胶带‑PDMS‑石墨烯‑PVA结构放入二氯甲烷中，PDMS溶解后，胶带脱落，形成石墨烯‑PVA结构；

[0109] S6、用玻璃衬底将石墨烯‑PVA结构捞起，形成玻璃衬底‑石墨烯‑PVA结构；

[0110] S7、吹干后，将玻璃衬底‑石墨烯‑PVA结构放入水溶液中，PVA溶解后，形成玻璃衬底‑石墨烯结构，从而将石墨烯反向转移至玻璃衬底。

[0111] 本发明的上述实施例，具有如下有益效果：

[0112] 本发明的反向转移石墨烯的方法，通过对石墨烯两个表面旋涂不同性质的胶体，将两种有机胶体先后覆盖在石墨烯的两面，利用两种胶体溶解性的不同，实现石墨烯的反向转移。相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。

[0113] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。