电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端

摘要

一种电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端，电子设备、无人机、遥控器或移动终端包括：电路板、壳体和功率放大器。壳体罩设在电路板上并与电路板共同围设出腔体；功率放大器设置在电路板上，并位于腔体内，功率放大器包括金属封装，金属封装与壳体短路连接，从而破坏功率放大器附近的场分布，抑制功率放大器输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功率放大器潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器增益等问题，且金属封装与壳体短路连接的方式结构简单、成本低。

权利要求

1.一种电子设备，其中，包括：电路板；

壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述金属封装与所述壳体之间设有导电连接件，所述导电连接件与所述金属封装和所述壳体均连接，以通过所述导电连接件实现所述金属封装与所述壳体的短路连接。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述金属封装与所述壳体之间具有间隙，所述导电连接件包括所述间隙内填充的导电填料。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，所述导电填料包括导电泡棉、碳纤维和导电胶中的至少一种。

5.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述金属封装与所述壳体之间具有间隙，所述导电连接件包括支撑在所述金属封装和所述壳体之间的弹性件。

6.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述导电连接件与所述壳体和所述金属封装中的其中一个为一体式结构。

7.根据权利要求6所述的电子设备，其中，所述导电连接件包括所述壳体的内壁面和所述金属封装的外壁面中的其中一个向另一个的方向凸出形成的凸起部；或者，所述壳体和所述金属封装中的所述其中一个上设有一端为自由端，另一端与所述壳体和所述金属封装中的所述其中一个相连接的冲舌，将所述冲舌向所述壳体和所述金属封装中的另一个的方向冲压形成所述导电连接件。

8.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述导电连接件为导电导热材料。

9.根据权利要求8所述的电子设备，其中，所述导电连接件包括导热垫片，所述导热垫片中填充有导电颗粒；或者，所述导电连接件包括导电外壳，所述导电外壳中包裹有导热材料。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电子设备，其中，所述金属封装包括第一区域，所述壳体包括第二区域，所述第一区域和所述第二区域之间的距离为所述金属封装与所述壳体之间的最小距离，所述第一区域和所述第二区域处短路连接。

11.根据权利要求1至9中任一项所述的电子设备，其中，所述壳体上朝向所述电路板的壁面与所述金属封装上背离所述电路板的壁面短路连接。

12.根据权利要求1至9中任一项所述的电子设备，其中，在所述壳体和所述金属封装之间设置磁性材料。

13.根据权利要求1至9中任一项所述的电子设备，其中，所述金属封装接地。

14.一种无人机，其中，包括：电路板；

壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

15.一种遥控器，其中，电路板；

壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

16.一种移动终端，其中，包括：电路板；

壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

17.一种电子设备的制造方法，用于制造如权利要求1至13中任一项所述的电子设备，其中，所述制造方法包括：提供电路板；

使功率放大器与所述电路板耦合连接；

提供罩设在所述电路板上的壳体；

使所述壳体与所述功率放大器的金属封装短路连接。

说明书

电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端

技术领域

[0001] 本说明书涉及射频功率放大器的技术领域，更具体而言，涉及一种电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端。

背景技术

[0002] 在电子产品中，经常会用到腔体、屏蔽罩或类似措施对电路做电磁屏蔽。在使用功率放大器时，通常会将其置于屏蔽腔(腔体或屏蔽罩)内，但由于屏蔽腔体结构和电路布局、
金属封装等因素，可能会导致功率放大器芯片输入和输出的空间隔离度出现显著下降，形
成正反馈，使得功率放大器出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器增益等问题。

[0003] 虽然目前针对上述问题有一些常见的解决手段，然后这些解决手段存在改善效果差或成本高的问题。

发明内容

[0004] 有鉴于此，有必要提供一种能解决上述技术问题至少之一的电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端。

[0005] 本说明书提供一种电子设备，包括：电路板；壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功
率放大器包括金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

[0006] 一种无人机，包括：电路板；壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金
属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

[0007] 一种遥控器，包括：电路板；壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括金
属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

[0008] 一种移动终端，包括：电路板；壳体，罩设在所述电路板上并与所述电路板共同围设出腔体；和功率放大器，设置在所述电路板上，并位于所述腔体内，所述功率放大器包括
金属封装，所述金属封装与所述壳体短路连接。

[0009] 一种制造方法，包括：提供电路板；使功率放大器与所述电路板耦合连接；提供罩设在所述电路板上的壳体；使所述壳体与所述功率放大器的金属封装短路连接。

[0010] 与现有技术相比，本说明书具有以下有益的技术效果：金属封装与壳体短路连接，破坏功率放大器附近的场分布，抑制功率放大器输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、
电路等的自身寄生参数引入的反馈网络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功
率放大器潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器增益等问题，且金属封装
与壳体短路连接的方式结构简单、成本低。

[0011] 本说明书的附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本说明书的实践了解到。

附图说明

[0012] 本说明书的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0013] 图1是现有技术中电子设备的结构示意图。

[0014] 其中，图1中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

[0015] 1’壳体，2’功率放大器，21’金属封装，3’腔体，4’电路板，5’间隙。

[0016] 图2是本说明书的一个实施例所述的电子设备的结构示意图；

[0017] 图3是本说明书的一个实施例所述的电子设备的结构示意图；

[0018] 图4是本说明书的另一个实施例所述的电子设备的结构示意图；

[0019] 图5是本说明书的一个实施例所述的制造方法的流程示意图。

[0020] 其中，图2至图4中附图标记与部件名称之间的对应关系为：

[0021] 1壳体，11顶壁，12侧围壁，2功率放大器，21金属封装，211上壁面，212侧围壁，3腔体，4电路板，5表层电路，6间隙。

具体实施方式

[0022] 为了能够更清楚地理解本说明书的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本说明书进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本说明书
的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

[0023] 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本说明书，但是，本说明书还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施，因此，本说明书的保护范围并不受下面公
开的具体实施例的限制。

[0024] 下面参照附图描述根据本说明书一些实施例的电子设备及其制造方法、无人机、遥控器和移动终端。

[0025] 相关技术中，如图1所示，在一般电子产品结构中功率放大器在一般电子设备、无人机、遥控器或移动终端中，功率放大器2’设置在电路板4’表层，且功率放大器2’安装在壳
体1’和电路板4’限定出的腔体3’内部，在壳体1’和功率放大器2’的金属封装21’之间存在
一个间隙5’。这种结构存在的问题是，由于结构的复杂性及引入基板与电路后，腔体3’的谐
振频率难以确定，而当信号工作在腔体3’结构的主模或某个高次模附近，腔振将在输入输
出之间形成反馈网络，导致功率放大器2’芯片输入和输出的空间隔离度急剧下降，形成正
反馈。

[0026] 现有技术中针对功率放大器输入和输出的空间隔离度下降，形成正反馈的问题，常见的解决技术手段包括以下几种：1)通过调试匹配电路将功率放大器工作状态重新牵引
到稳定圆内；2)通过调试驻波减少反射能量；3)通过增加损耗元件提升功率放大器的稳定
性或通过增加损耗来增加隔离；4)在反馈路径的腔体壁上添加吸波材料抑制耦合。

[0027] 然而上述常见的技术手段存在以下不足：

[0028] 1)通过调试匹配电路将功率放大器工作状态牵引至稳定圆内，但由于此时功率放大器的工作是条件稳定的，仍然有可能在特殊情况(如低温、失配等)下不稳定，且调试工作
量较大；

[0029] 2)通过调试驻波减少反射能量的方法受到工艺和技术限制，同时还受到工作带宽限制，有时难以和功率放大器带宽相比；

[0030] 3)通过增加损耗元件提升功率放大器的稳定性或通过增加损耗来增加隔离的方法，会降低功率放大器的效率和增益；

[0031] 4)在反馈路径的腔体壁上添加吸波材料抑制耦合的方法功率放大器比较稳定，但使用吸波材料的成本较高。

[0032] 现有技术中功率放大器2’芯片输入和输出的空间隔离度急剧下降，形成正反馈的等效电路模型如图1所示，具体地图1为电子设备、无人机、遥控器或移动终端在高频寄生参
数等效的元件，如电场较强的地方储存电场能量等效为电容，如图1中壳体1’与功率放大器
的金属封装21’之间存储电场能量，等效为电容C0、Ci0和Co1，电流较强的地方储存磁场能
量等效为电感，具体地电磁波在壳体1’表面传播产生电流存储磁场能量，等效为电感Lo1、
Lo2、Li1和Li2，通过分析结构找到位移电流和传导电流的回流路径，可以近似将腔体3’内
的场分布用等效元件的形式描述。

[0033] 如图1中’金属封装21’距离壳体1’的顶壁最近，因此此处电场强度最强，等效为电容C0。因此在整个等效电路中，电容C0起主要作用，通过抑制或消除C0可以达到抑制功率放
大器2’输入输出耦合的作用。

[0034] 在现有的技术手段中，通过电路调节功率放大器2’匹配的方法都不能对C0处电场起作用，并没有抑制耦合强度，通过增加吸波材料的方法则是通过吸收电磁波达到抑制电
容C0来抑制功率放大器2’输入输出耦合。

[0035] 在本说明书的实施例中，壳体可以是金属或者其它到导电材料制成的，其覆盖在电路板的一部分，与电路板围成腔体。在一个可选的实施例中，所述壳体接地，可以实现对
腔体内电子元件的电磁屏蔽。

[0036] 如图2所示，本说明书第一个方面的实施例提供的电子设备，包括电路板4、壳体1和功率放大器2。

[0037] 壳体1罩设在电路板4上并与电路板4共同围设出腔体3。功率放大器2设置在电路板4上，并位于腔体3内，功率放大器2包括金属封装21，金属封装21与壳体1短路连接。

[0038] 壳体1至少部分导电，从而可以将壳体1与金属封装21短路连接。通过将金属封装21和壳体1短接，将电场回流转换成了电流，在等效电路中的表现为将C0消除并替换为一个
很小的电感，达到消除谐振模式、抑制功率放大器2输入输出耦合的目的，避免功率放大器2
出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。而且相比于采用吸波材料，
金属封装21与壳体1短路连接的方式，结构简单、成本低。

[0039] 电路板4上设有表层电路5，壳体1罩设在电路板4上，形成屏蔽结构。功率放大器2设置在电路板4上，例如功率放大器2可以焊接在电路板4表层。功率放大器2包括金属封装
21，金属封装21可以为金属材质。

[0040] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间设有导电连接件，导电连接件与金属封装21和壳体1均连接，以通过导电连接件实现金属封装21与壳体1的短路连接。

[0041] 导电连接件位于腔体3内，并设置在金属封装21和壳体1之间，例如导电连接件的一端与金属封装21的外壁面连接，导电连接件的另一端与壳体1的内壁面连接，以通过导电
连接件实现金属封装21和壳体1之间的短路连接，破坏功率放大器2附近的场分布，抑制功
率放大器2输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网
络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸
包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。

[0042] 在保证金属封装21与壳体1之间短路连接的前提下，导电连接件的形状、尺寸可以根据金属封装21和壳体1的形状及尺寸灵活选择，导电连接件的材质需要满足导电的需求，
进一步地，导电连接件需要具有高导电率，以实现金属封装21与壳体1之间的良好电连接。

[0043] 进一步地，金属封装接地。

[0044] 金属封装具有接地属性，例如金属封装与电路板地搭接，其接地方式不限于点搭接或线搭接。

[0045] 进一步地，金属封装21包括第一区域，壳体1包括第二区域，第一区域和第二区域之间的距离为金属封装21与壳体1之间的最小距离，第一区域和第二区域处短路连接。

[0046] 在金属封装21与壳体1距离最短处，电场强度最强，在等效电路中，该处的等效电容起主要作用，可以通过抑制或消除该处的等效电容达到抑制功率放大器2输入输出耦合
的作用，因此，第一区域和第二区域之间短路连接，例如导电连接件设置在第一区域和第二
区域之间，可以直接针对起主要作用的等效电容，从而可以最大程度的抑制功率放大器2的
输入输出耦合。

[0047] 图3为电子设备在高频寄生参数等效的元件，如电场较强的地方储存电场能量等效为电容，如图3中壳体1与功率放大器的金属封装21之间存储电场能量，等效为电容Ci0和
Co1，电流较强的地方储存磁场能量等效为电感，具体地电磁波在壳体1表面传播产生电流
存储磁场能量，等效为电感Lo1、Lo2、Li1和Li2，通过分析结构找到位移电流和传导电流的
回流路径，可以近似将腔体3内的场分布用等效元件的形式描述。由图1中，金属封装21的上
壁面211与壳体1的顶壁11之间距离最短，在等效电路中，该处储存电场能量，等效为电容
C0，在整个等效电路中，电容C0起主要作用，此时第一区域和第二区域分别为金属封装21的
上壁面211和上壁面211正上方的顶壁11。

[0048] 通过抑制或消除C0可以达到抑制耦合的作用，因此，可以通过将壳体1的顶壁11与金属封装21的上壁面211之间短路连接，起到抑制或消除C0的目的，从而可以最大程度的抑
制功率放大器2的输入输出耦合。例如在等效电路图3和图4中，通过将壳体1的顶壁11与金
属封装21的上壁面211之间短路连接，将C0消除并替换为一个很小的电感Lo，达到消除谐振
模式、抑制耦合的目的。

[0049] 壳体1可以全部由导电材料制成，例如壳体1由金属制成，例如由铜制成，或者壳体1也可以由其它导电材料制成，例如导电陶瓷。此时壳体1各处均具有导电性，壳体1与金属
封装21短路连接的位置可以位于壳体1的任意位置。

[0050] 壳体1也可以是局部导电，即一部分壳体1导电、一部分壳体1非导电，例如导电部分的壳体1由金属(例如铜)或其它导电材料(导电陶瓷)制成，非导电部分的壳体1由非导电
材料(例如绝缘塑料)制成。此时壳体1上具有导电性的部分与金属封装21短路连接。当壳体
1局部导电时，例如壳体1右端不导电，其等效电路如图4所示。

[0051] 可以理解，金属封装21和壳体1的短路连接处也可以不位于金属封装21与壳体1的最短距离处，也可以抑制功率放大器2的输入输出耦合，避免由此引发的正反馈所导致的包
括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等
问题。

[0052] 进一步地，壳体1上朝向电路板4的壁面与金属封装21上背离电路板4的壁面短路连接，易于实现、操作方便，且不会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0053] 如图2所示，壳体1上朝向电路板4的壁面为壳体1的顶壁11(上壁)的下壁面，金属封装21上背离电路板4的壁面为金属封装21的上壁面211，壳体1的顶壁11的下壁面与金属
封装21的上壁面211之间短路连接。一方面，多数情况下电路板4上还设有除功率放大器2外
的其它元件，壳体1的侧围壁12与金属封装21之间的距离较远，因此通常壳体1与金属封装
21之间的最短距离位于壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211之间，将壳体1
的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211短路连接，可以最大程度上抑制功率放大器2
输入输出耦合，另一方面，壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间短路连接可能
会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0054] 可以理解，壳体1与金属封装21短路连接的位置也可以位于壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间，尤其是壳体1与金属封装21之间的最短距离位于壳体1的侧围
壁12与金属封装21的侧围壁212之间的情况下。

[0055] 进一步地，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括间隙6内填充的导电填料。

[0056] 金属封装21与壳体1之间具有间隙6，避免金属封装21与壳体1之间相互干涉，方便功率放大器2在腔体3内的安装。通过在间隙6内填充导电填料的方式，实现金属封装21与壳
体1之间的短路连接，将电场回流转换成了电流，破坏功率放大器2附近的场分布。导电填料
种类众多，且与吸波材料相比，导电填料易于获取，来源丰富且成本低，因此通过选择价格
低廉的导电填料，可以在抑制功率放大器2的输入输出耦合的同时，降低成本，提高产品的
市场竞争力。

[0057] 进一步地，导电填料具有高导电率。

[0058] 进一步地，导电填料包括导电泡棉、碳纤维和导电胶中的至少一种。

[0059] 导电泡棉、碳纤维或导电胶既具有导电能力，能够实现金属封装21与壳体1之间的短路连接，而且价格低廉易于获取。

[0060] 可以理解，导电填料还可以是除导电泡棉、碳纤维和导电胶之外的其它材料，例如导电金属粉末、石墨等。

[0061] 进一步地，导电连接件为导电导热材料。

[0062] 导电连接件为导电导热材料，即导电连接件除可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接外，还具有良好的热传导性能，从而能够将功率放大器2产生的热量快速传递到
壳体1，利于功率放大器2的散热，提高功率放大器2的使用寿命和可靠性。

[0063] 至于导电导热材料的形式，示例性1，导电连接件包括导热垫片，导热垫片中填充有导电颗粒。

[0064] 导热垫片填充壳体1和金属封装21之间的间隙6，导热垫片中填充有导电颗粒，导电颗粒可以为但不限于金属粉末或石墨，从而可以起到短接壳体1和金属封装21的作用。又
由于导热垫片具有良好的导热能力，从而可以及时将功率放大器2产生的热量通过导热垫
片传导出去，而且导热垫片具有良好的柔性和弹性，降低了对壳体1和金属封装21的加工精
度要求。

[0065] 示例性2，导电连接件包括导电外壳，导电外壳中包裹有导热材料。

[0066] 一方面，导电外壳能够导电，通过将导电外壳设置在壳体1和金属封装21之间，从而实现了导电外壳和金属封装21之间的短路连接。另一方面，导电外壳中包裹导热材料，利
用导热材料良好的导热能力，能够及时将功率放大器2产生的热量通过导电连接件传导出
去。

[0067] 导电外壳可以为但不限于金属外壳。导热材料可以为但不限于导热硅脂、导热膏等。

[0068] 进一步地，在壳体1和金属封装21之间设置磁性材料，通过磁性材料破坏功率放大器2附近的场分布，从而抑制功率放大器2的输入输出耦合。

[0069] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括支撑在金属封装21和壳体1之间的弹性件。

[0070] 弹性件与金属封装21为分体式结构，且与壳体1为分体式结构。弹性件的变形能力强，因此弹性件对壳体1及金属封装21的机械加工精度要求低，对于间隙6大小在一定程度
内不一致的情况下，弹性件仍可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接。

[0071] 弹性件的一端与金属封装21相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结，弹性件的另一端与壳体1相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结。

[0072] 弹性件包括但不限于螺旋弹簧或弹片。

[0073] 在一个可选的实施例中，导电连接件与壳体1和金属封装21中的其中一个为一体式结构。

[0074] 导电连接件与壳体1为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增强了导电连接件与壳体1之间的连接强度。或者，导电连接件与金属
封装21为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增
强了导电连接件与金属封装21之间的连接强度。

[0075] 进一步地，导电连接件包括壳体1的内壁面和金属封装21的外壁面中的其中一个向另一个的方向凸出形成的凸起部。

[0076] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1的内壁面朝向金属封装21(即朝向腔体3内)凸出形成凸起部，凸起部背离壳体1的一端抵接在金属封装21上，实现壳
体1与金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11向下凸出形成凸起部或壳体1的顶壁11下凹形
成凸起部，凸起部的下端抵接在金属封装21的上壁面211上。

[0077] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21的外壁面朝向壳体1(即向外)凸出形成凸起部，凸起部背离金属封装21的一端抵接在壳体1上，实现壳体1与
金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21
的上壁面211之间为例，金属封装21的上壁面211向上凸出形成凸起部，凸起部的上端抵接
在壳体1的顶壁11的下壁面上。

[0078] 在一个可选的实施例中，壳体1和金属封装21中的其中一个上设有一端为自由端，另一端与壳体1和金属封装21中的其中一个相连接的冲舌，将冲舌向壳体1和金属封装21中
的另一个的方向冲压形成导电连接件。

[0079] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1上设有贯穿壳体1厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与壳体1相分离，形成自由端，冲舌的另一端未被切缝
切割，仍与壳体1相连接。将冲舌的自由端朝向金属封装21(即朝向腔体3内)冲压，冲舌的自
由端抵接在金属封装21上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳体1及金
属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11上设有冲舌，冲舌向下冲压形成导电连接件。

[0080] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21上设有贯穿金属封装21厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与金属封装21相分离，形成自由端，
冲舌的另一端未被切缝切割，仍与金属封装21相连接。将冲舌朝向壳体1(即朝向腔体3外)
冲压，冲舌的自由端抵接在壳体1上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳
体1及金属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与
金属封装21的上壁面211之间为例，金属封装21的顶壁11上设有冲舌，冲舌向上冲压形成导
电连接件。

[0081] 本申请中电子设备可以为但不限于无人机、遥控器、移动终端(例如手机等)。

[0082] 如图5所示，本说明书第二个方面的实施例提供一种用于制造第一个方面的实施例中任一项所述的电子设备的制造方法，包括：

[0083] 步骤S10，提供电路板4；

[0084] 步骤S20，使功率放大器2与电路板4耦合连接；

[0085] 步骤S30，提供罩设在电路板4上的壳体1；

[0086] 步骤S40，使壳体1与功率放大器2的金属封装21短路连接。

[0087] 将功率放大器2设置在电路板4上，例如焊接在电路板4表层，壳体1罩设在电路板4上并与电路板4共同围设出腔体3。功率放大器2位于腔体3内，功率放大器2包括金属封装
21，金属封装21与壳体1短路连接。通过将金属封装21和壳体1短接，将电场回流转换成了电
流，在等效电路中的表现为将C0消除并替换为一个很小的电感，达到消除谐振模式、抑制功
率放大器2输入输出耦合的目的，避免功率放大器2出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功
率放大器2增益等问题。而且相比于采用吸波材料，金属封装21与壳体1短路连接的方式，结
构简单、成本低。

[0088] 本说明书第三个方面的实施例提供一种无人机，包括电路板4、壳体1和功率放大器2。

[0089] 壳体1罩设在电路板4上并与电路板4共同围设出腔体3。功率放大器2设置在电路板4上，并位于腔体3内，功率放大器2包括金属封装21，金属封装21与壳体1短路连接。

[0090] 壳体1至少部分导电，从而可以将壳体1与金属封装21短路连接。通过将金属封装21和壳体1短接，将电场回流转换成了电流，在等效电路中的表现为将C0消除并替换为一个
很小的电感，达到消除谐振模式、抑制功率放大器2输入输出耦合的目的，避免功率放大器2
出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。而且相比于采用吸波材料，
金属封装21与壳体1短路连接的方式，结构简单、成本低。

[0091] 电路板4上设有表层电路5，壳体1罩设在电路板4上，形成屏蔽结构。功率放大器2设置在电路板4上，例如功率放大器2可以焊接在电路板4表层。功率放大器2包括金属封装
21，金属封装21可以为金属材质。

[0092] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间设有导电连接件，导电连接件与金属封装21和壳体1均连接，以通过导电连接件实现金属封装21与壳体1的短路连接。

[0093] 导电连接件位于腔体3内，并设置在金属封装21和壳体1之间，例如导电连接件的一端与金属封装21的外壁面连接，导电连接件的另一端与壳体1的内壁面连接，以通过导电
连接件实现金属封装21和壳体1之间的短路连接，破坏功率放大器2附近的场分布，抑制功
率放大器2输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网
络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸
包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。

[0094] 在保证金属封装21与壳体1之间短路连接的前提下，导电连接件的形状、尺寸可以根据金属封装21和壳体1的形状及尺寸灵活选择，导电连接件的材质需要满足导电的需求，
进一步地，导电连接件需要具有高导电率，以实现金属封装21与壳体1之间的良好电连接。

[0095] 进一步地，金属封装21包括第一区域，壳体1包括第二区域，第一区域和第二区域之间的距离为金属封装21与壳体1之间的最小距离，第一区域和第二区域处短路连接。

[0096] 在金属封装21与壳体1距离最短处，电场强度最强，在等效电路中，该处的等效电容起主要作用，可以通过抑制或消除该处的等效电容达到抑制功率放大器2输入输出耦合
的作用，因此，第一区域和第二区域之间短路连接，例如导电连接件设置在第一区域和第二
区域之间，可以直接针对起主要作用的等效电容，从而可以最大程度的抑制功率放大器2的
输入输出耦合。

[0097] 图3为电子设备在高频寄生参数等效的元件，如电场较强的地方储存电场能量等效为电容，如图3中壳体1与功率放大器的金属封装21之间存储电场能量，等效为电容Ci0和
Co1，电流较强的地方储存磁场能量等效为电感，具体地电磁波在壳体1表面传播产生电流
存储磁场能量，等效为电感Lo1、Lo2、Li1和Li2，通过分析结构找到位移电流和传导电流的
回流路径，可以近似将腔体3内的场分布用等效元件的形式描述。由图1中，金属封装21的上
壁面211与壳体1的顶壁11之间距离最短，在等效电路中，该处储存电场能量，等效为电容
C0，在整个等效电路中，电容C0起主要作用，此时第一区域和第二区域分别为金属封装21的
上壁面211和上壁面211正上方的顶壁11。

[0098] 通过抑制或消除C0可以达到抑制耦合的作用，因此，可以通过将壳体1的顶壁11与金属封装21的上壁面211之间短路连接，起到抑制或消除C0的目的，从而可以最大程度的抑
制功率放大器2的输入输出耦合。例如在等效电路图3和图4中，通过将壳体1的顶壁11与金
属封装21的上壁面211之间短路连接，将C0消除并替换为一个很小的电感Lo，达到消除谐振
模式、抑制耦合的目的。

[0099] 壳体1可以全部由导电材料制成，例如壳体1由金属制成，例如由铜制成，或者壳体1也可以由其它导电材料制成，例如导电陶瓷。此时壳体1各处均具有导电性，壳体1与金属
封装21短路连接的位置可以位于壳体1的任意位置。

[0100] 壳体1也可以是局部导电，即一部分壳体1导电、一部分壳体1非导电，例如导电部分的壳体1由金属(例如铜)或其它导电材料(导电陶瓷)制成，非导电部分的壳体1由非导电
材料(例如绝缘塑料)制成。此时壳体1上具有导电性的部分与金属封装21短路连接。当壳体
1局部导电时，例如壳体1右端不导电，其等效电路如图4所示。

[0101] 可以理解，金属封装21和壳体1的短路连接处也可以不位于金属封装21与壳体1的最短距离处，也可以抑制功率放大器2的输入输出耦合，避免由此引发的正反馈所导致的包
括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等
问题。

[0102] 进一步地，壳体1上朝向电路板4的壁面与金属封装21上背离电路板4的壁面短路连接，易于实现、操作方便，且不会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0103] 如图2所示，壳体1上朝向电路板4的壁面为壳体1的顶壁11(上壁)的下壁面，金属封装21上背离电路板4的壁面为金属封装21的上壁面211，壳体1的顶壁11的下壁面与金属
封装21的上壁面211之间短路连接。一方面，多数情况下电路板4上还设有除功率放大器2外
的其它元件，壳体1的侧围壁12与金属封装21之间的距离较远，因此通常壳体1与金属封装
21之间的最短距离位于壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211之间，将壳体1
的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211短路连接，可以最大程度上抑制功率放大器2
输入输出耦合，另一方面，壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间短路连接可能
会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0104] 可以理解，壳体1与金属封装21短路连接的位置也可以位于壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间，尤其是壳体1与金属封装21之间的最短距离位于壳体1的侧围
壁12与金属封装21的侧围壁212之间的情况下。

[0105] 进一步地，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括间隙6内填充的导电填料。

[0106] 金属封装21与壳体1之间具有间隙6，避免金属封装21与壳体1之间相互干涉，方便功率放大器2在腔体3内的安装。通过在间隙6内填充导电填料的方式，实现金属封装21与壳
体1之间的短路连接，将电场回流转换成了电流，破坏功率放大器2附近的场分布。导电填料
种类众多，且与吸波材料相比，导电填料易于获取，来源丰富且成本低，因此通过选择价格
低廉的导电填料，可以在抑制功率放大器2的输入输出耦合的同时，降低成本，提高产品的
市场竞争力。

[0107] 进一步地，导电填料具有高导电率。

[0108] 进一步地，导电填料包括导电泡棉、碳纤维和导电胶中的至少一种。

[0109] 导电泡棉、碳纤维或导电胶既具有导电能力，能够实现金属封装21与壳体1之间的短路连接，而且价格低廉易于获取。

[0110] 可以理解，导电填料还可以是除导电泡棉、碳纤维和导电胶之外的其它材料，例如导电金属粉末、石墨等。

[0111] 进一步地，导电连接件为导电导热材料。

[0112] 导电连接件为导电导热材料，即导电连接件除可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接外，还具有良好的热传导性能，从而能够将功率放大器2产生的热量快速传递到
壳体1，利于功率放大器2的散热，提高功率放大器2的使用寿命和可靠性。

[0113] 至于导电导热材料的形式，示例性1，导电连接件包括导热垫片，导热垫片中填充有导电颗粒。

[0114] 导热垫片填充壳体1和金属封装21之间的间隙6，导热垫片中填充有导电颗粒，导电颗粒可以为但不限于金属粉末或石墨，从而可以起到短接壳体1和金属封装21的作用。又
由于导热垫片具有良好的导热能力，从而可以及时将功率放大器2产生的热量通过导热垫
片传导出去，而且导热垫片具有良好的柔性和弹性，降低了对壳体1和金属封装21的加工精
度要求。

[0115] 示例性2，导电连接件包括导电外壳，导电外壳中包裹有导热材料。

[0116] 一方面，导电外壳能够导电，通过将导电外壳设置在壳体1和金属封装21之间，从而实现了导电外壳和金属封装21之间的短路连接。另一方面，导电外壳中包裹导热材料，利
用导热材料良好的导热能力，能够及时将功率放大器2产生的热量通过导电连接件传导出
去。

[0117] 导电外壳可以为但不限于金属外壳。导热材料可以为但不限于导热硅脂、导热膏等。

[0118] 进一步地，在壳体1和金属封装21之间设置磁性材料，通过磁性材料破坏功率放大器2附近的场分布，从而抑制功率放大器2的输入输出耦合。

[0119] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括支撑在金属封装21和壳体1之间的弹性件。

[0120] 弹性件与金属封装21为分体式结构，且与壳体1为分体式结构。弹性件的变形能力强，因此弹性件对壳体1及金属封装21的机械加工精度要求低，对于间隙6大小在一定程度
内不一致的情况下，弹性件仍可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接。

[0121] 弹性件的一端与金属封装21相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结，弹性件的另一端与壳体1相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结。

[0122] 弹性件包括但不限于螺旋弹簧或弹片。

[0123] 在一个可选的实施例中，导电连接件与壳体1和金属封装21中的其中一个为一体式结构。

[0124] 导电连接件与壳体1为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增强了导电连接件与壳体1之间的连接强度。或者，导电连接件与金属
封装21为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增
强了导电连接件与金属封装21之间的连接强度。

[0125] 进一步地，导电连接件包括壳体1的内壁面和金属封装21的外壁面中的其中一个向另一个的方向凸出形成的凸起部。

[0126] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1的内壁面朝向金属封装21(即朝向腔体3内)凸出形成凸起部，凸起部背离壳体1的一端抵接在金属封装21上，实现壳
体1与金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11向下凸出形成凸起部或壳体1的顶壁11下凹形
成凸起部，凸起部的下端抵接在金属封装21的上壁面211上。

[0127] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21的外壁面朝向壳体1(即向外)凸出形成凸起部，凸起部背离金属封装21的一端抵接在壳体1上，实现壳体1与
金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21
的上壁面211之间为例，金属封装21的上壁面211向上凸出形成凸起部，凸起部的上端抵接
在壳体1的顶壁11的下壁面上。

[0128] 在一个可选的实施例中，壳体1和金属封装21中的其中一个上设有一端为自由端，另一端与壳体1和金属封装21中的其中一个相连接的冲舌，将冲舌向壳体1和金属封装21中
的另一个的方向冲压形成导电连接件。

[0129] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1上设有贯穿壳体1厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与壳体1相分离，形成自由端，冲舌的另一端未被切缝
切割，仍与壳体1相连接。将冲舌的自由端朝向金属封装21(即朝向腔体3内)冲压，冲舌的自
由端抵接在金属封装21上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳体1及金
属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11上设有冲舌，冲舌向下冲压形成导电连接件。

[0130] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21上设有贯穿金属封装21厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与金属封装21相分离，形成自由端，
冲舌的另一端未被切缝切割，仍与金属封装21相连接。将冲舌朝向壳体1(即朝向腔体3外)
冲压，冲舌的自由端抵接在壳体1上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳
体1及金属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与
金属封装21的上壁面211之间为例，金属封装21的顶壁11上设有冲舌，冲舌向上冲压形成导
电连接件。

[0131] 本说明书第四个方面的实施例提供一种遥控器，遥控器可以用于遥控无人机或家用电器(例如空调器)等。

[0132] 遥控器包括电路板4、壳体1和功率放大器2。

[0133] 壳体1罩设在电路板4上并与电路板4共同围设出腔体3。功率放大器2设置在电路板4上，并位于腔体3内，功率放大器2包括金属封装21，金属封装21与壳体1短路连接。

[0134] 壳体1至少部分导电，从而可以将壳体1与金属封装21短路连接。通过将金属封装21和壳体1短接，将电场回流转换成了电流，在等效电路中的表现为将C0消除并替换为一个
很小的电感，达到消除谐振模式、抑制功率放大器2输入输出耦合的目的，避免功率放大器2
出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。而且相比于采用吸波材料，
金属封装21与壳体1短路连接的方式，结构简单、成本低。

[0135] 电路板4上设有表层电路5，壳体1罩设在电路板4上，形成屏蔽结构。功率放大器2设置在电路板4上，例如功率放大器2可以焊接在电路板4表层。功率放大器2包括金属封装
21，金属封装21可以为金属材质。

[0136] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间设有导电连接件，导电连接件与金属封装21和壳体1均连接，以通过导电连接件实现金属封装21与壳体1的短路连接。

[0137] 导电连接件位于腔体3内，并设置在金属封装21和壳体1之间，例如导电连接件的一端与金属封装21的外壁面连接，导电连接件的另一端与壳体1的内壁面连接，以通过导电
连接件实现金属封装21和壳体1之间的短路连接，破坏功率放大器2附近的场分布，抑制功
率放大器2输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网
络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸
包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。

[0138] 在保证金属封装21与壳体1之间短路连接的前提下，导电连接件的形状、尺寸可以根据金属封装21和壳体1的形状及尺寸灵活选择，导电连接件的材质需要满足导电的需求，
进一步地，导电连接件需要具有高导电率，以实现金属封装21与壳体1之间的良好电连接。

[0139] 进一步地，金属封装21包括第一区域，壳体1包括第二区域，第一区域和第二区域之间的距离为金属封装21与壳体1之间的最小距离，第一区域和第二区域处短路连接。

[0140] 在金属封装21与壳体1距离最短处，电场强度最强，在等效电路中，该处的等效电容起主要作用，可以通过抑制或消除该处的等效电容达到抑制功率放大器2输入输出耦合
的作用，因此，第一区域和第二区域之间短路连接，例如导电连接件设置在第一区域和第二
区域之间，可以直接针对起主要作用的等效电容，从而可以最大程度的抑制功率放大器2的
输入输出耦合。

[0141] 图3为电子设备在高频寄生参数等效的元件，如电场较强的地方储存电场能量等效为电容，如图3中壳体1与功率放大器的金属封装21之间存储电场能量，等效为电容Ci0和
Co1，电流较强的地方储存磁场能量等效为电感，具体地电磁波在壳体1表面传播产生电流
存储磁场能量，等效为电感Lo1、Lo2、Li1和Li2，通过分析结构找到位移电流和传导电流的
回流路径，可以近似将腔体3内的场分布用等效元件的形式描述。由图1中，金属封装21的上
壁面211与壳体1的顶壁11之间距离最短，在等效电路中，该处储存电场能量，等效为电容
C0，在整个等效电路中，电容C0起主要作用，此时第一区域和第二区域分别为金属封装21的
上壁面211和上壁面211正上方的顶壁11。

[0142] 通过抑制或消除C0可以达到抑制耦合的作用，因此，可以通过将壳体1的顶壁11与金属封装21的上壁面211之间短路连接，起到抑制或消除C0的目的，从而可以最大程度的抑
制功率放大器2的输入输出耦合。例如在等效电路图3和图4中，通过将壳体1的顶壁11与金
属封装21的上壁面211之间短路连接，将C0消除并替换为一个很小的电感Lo，达到消除谐振
模式、抑制耦合的目的。

[0143] 壳体1可以全部由导电材料制成，例如壳体1由金属制成，例如由铜制成，或者壳体1也可以由其它导电材料制成，例如导电陶瓷。此时壳体1各处均具有导电性，壳体1与金属
封装21短路连接的位置可以位于壳体1的任意位置。

[0144] 壳体1也可以是局部导电，即一部分壳体1导电、一部分壳体1非导电，例如导电部分的壳体1由金属(例如铜)或其它导电材料(导电陶瓷)制成，非导电部分的壳体1由非导电
材料(例如绝缘塑料)制成。此时壳体1上具有导电性的部分与金属封装21短路连接。当壳体
1局部导电时，例如壳体1右端不导电，其等效电路如图4所示。

[0145] 可以理解，金属封装21和壳体1的短路连接处也可以不位于金属封装21与壳体1的最短距离处，也可以抑制功率放大器2的输入输出耦合，避免由此引发的正反馈所导致的包
括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等
问题。

[0146] 进一步地，壳体1上朝向电路板4的壁面与金属封装21上背离电路板4的壁面短路连接，易于实现、操作方便，且不会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0147] 如图2所示，壳体1上朝向电路板4的壁面为壳体1的顶壁11(上壁)的下壁面，金属封装21上背离电路板4的壁面为金属封装21的上壁面211，壳体1的顶壁11的下壁面与金属
封装21的上壁面211之间短路连接。一方面，多数情况下电路板4上还设有除功率放大器2外
的其它元件，壳体1的侧围壁12与金属封装21之间的距离较远，因此通常壳体1与金属封装
21之间的最短距离位于壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211之间，将壳体1
的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211短路连接，可以最大程度上抑制功率放大器2
输入输出耦合，另一方面，壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间短路连接可能
会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0148] 可以理解，壳体1与金属封装21短路连接的位置也可以位于壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间，尤其是壳体1与金属封装21之间的最短距离位于壳体1的侧围
壁12与金属封装21的侧围壁212之间的情况下。

[0149] 进一步地，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括间隙6内填充的导电填料。

[0150] 金属封装21与壳体1之间具有间隙6，避免金属封装21与壳体1之间相互干涉，方便功率放大器2在腔体3内的安装。通过在间隙6内填充导电填料的方式，实现金属封装21与壳
体1之间的短路连接，将电场回流转换成了电流，破坏功率放大器2附近的场分布。导电填料
种类众多，且与吸波材料相比，导电填料易于获取，来源丰富且成本低，因此通过选择价格
低廉的导电填料，可以在抑制功率放大器2的输入输出耦合的同时，降低成本，提高产品的
市场竞争力。

[0151] 进一步地，导电填料具有高导电率。

[0152] 进一步地，导电填料包括导电泡棉、碳纤维和导电胶中的至少一种。

[0153] 导电泡棉、碳纤维或导电胶既具有导电能力，能够实现金属封装21与壳体1之间的短路连接，而且价格低廉易于获取。

[0154] 可以理解，导电填料还可以是除导电泡棉、碳纤维和导电胶之外的其它材料，例如导电金属粉末、石墨等。

[0155] 进一步地，导电连接件为导电导热材料。

[0156] 导电连接件为导电导热材料，即导电连接件除可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接外，还具有良好的热传导性能，从而能够将功率放大器2产生的热量快速传递到
壳体1，利于功率放大器2的散热，提高功率放大器2的使用寿命和可靠性。

[0157] 至于导电导热材料的形式，示例性1，导电连接件包括导热垫片，导热垫片中填充有导电颗粒。

[0158] 导热垫片填充壳体1和金属封装21之间的间隙6，导热垫片中填充有导电颗粒，导电颗粒可以为但不限于金属粉末或石墨，从而可以起到短接壳体1和金属封装21的作用。又
由于导热垫片具有良好的导热能力，从而可以及时将功率放大器2产生的热量通过导热垫
片传导出去，而且导热垫片具有良好的柔性和弹性，降低了对壳体1和金属封装21的加工精
度要求。

[0159] 示例性2，导电连接件包括导电外壳，导电外壳中包裹有导热材料。

[0160] 一方面，导电外壳能够导电，通过将导电外壳设置在壳体1和金属封装21之间，从而实现了导电外壳和金属封装21之间的短路连接。另一方面，导电外壳中包裹导热材料，利
用导热材料良好的导热能力，能够及时将功率放大器2产生的热量通过导电连接件传导出
去。

[0161] 导电外壳可以为但不限于金属外壳。导热材料可以为但不限于导热硅脂、导热膏等。

[0162] 进一步地，在壳体1和金属封装21之间设置磁性材料，通过磁性材料破坏功率放大器2附近的场分布，从而抑制功率放大器2的输入输出耦合。

[0163] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括支撑在金属封装21和壳体1之间的弹性件。

[0164] 弹性件与金属封装21为分体式结构，且与壳体1为分体式结构。弹性件的变形能力强，因此弹性件对壳体1及金属封装21的机械加工精度要求低，对于间隙6大小在一定程度
内不一致的情况下，弹性件仍可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接。

[0165] 弹性件的一端与金属封装21相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结，弹性件的另一端与壳体1相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结。

[0166] 弹性件包括但不限于螺旋弹簧或弹片。

[0167] 在一个可选的实施例中，导电连接件与壳体1和金属封装21中的其中一个为一体式结构。

[0168] 导电连接件与壳体1为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增强了导电连接件与壳体1之间的连接强度。或者，导电连接件与金属
封装21为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增
强了导电连接件与金属封装21之间的连接强度。

[0169] 进一步地，导电连接件包括壳体1的内壁面和金属封装21的外壁面中的其中一个向另一个的方向凸出形成的凸起部。

[0170] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1的内壁面朝向金属封装21(即朝向腔体3内)凸出形成凸起部，凸起部背离壳体1的一端抵接在金属封装21上，实现壳
体1与金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11向下凸出形成凸起部或壳体1的顶壁11下凹形
成凸起部，凸起部的下端抵接在金属封装21的上壁面211上。

[0171] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21的外壁面朝向壳体1(即向外)凸出形成凸起部，凸起部背离金属封装21的一端抵接在壳体1上，实现壳体1与
金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21
的上壁面211之间为例，金属封装21的上壁面211向上凸出形成凸起部，凸起部的上端抵接
在壳体1的顶壁11的下壁面上。

[0172] 在一个可选的实施例中，壳体1和金属封装21中的其中一个上设有一端为自由端，另一端与壳体1和金属封装21中的其中一个相连接的冲舌，将冲舌向壳体1和金属封装21中
的另一个的方向冲压形成导电连接件。

[0173] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1上设有贯穿壳体1厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与壳体1相分离，形成自由端，冲舌的另一端未被切缝
切割，仍与壳体1相连接。将冲舌的自由端朝向金属封装21(即朝向腔体3内)冲压，冲舌的自
由端抵接在金属封装21上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳体1及金
属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11上设有冲舌，冲舌向下冲压形成导电连接件。

[0174] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21上设有贯穿金属封装21厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与金属封装21相分离，形成自由端，
冲舌的另一端未被切缝切割，仍与金属封装21相连接。将冲舌朝向壳体1(即朝向腔体3外)
冲压，冲舌的自由端抵接在壳体1上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳
体1及金属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与
金属封装21的上壁面211之间为例，金属封装21的顶壁11上设有冲舌，冲舌向上冲压形成导
电连接件。

[0175] 本说明书第五个方面的实施例提供一种移动终端，包括电路板4、壳体1和功率放大器2。

[0176] 壳体1罩设在电路板4上并与电路板4共同围设出腔体3。功率放大器2设置在电路板4上，并位于腔体3内，功率放大器2包括金属封装21，金属封装21与壳体1短路连接。

[0177] 壳体1至少部分导电，从而可以将壳体1与金属封装21短路连接。通过将金属封装21和壳体1短接，将电场回流转换成了电流，在等效电路中的表现为将C0消除并替换为一个
很小的电感，达到消除谐振模式、抑制功率放大器2输入输出耦合的目的，避免功率放大器2
出现自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。而且相比于采用吸波材料，
金属封装21与壳体1短路连接的方式，结构简单、成本低。

[0178] 电路板4上设有表层电路5，壳体1罩设在电路板4上，形成屏蔽结构。功率放大器2设置在电路板4上，例如功率放大器2可以焊接在电路板4表层。功率放大器2包括金属封装
21，金属封装21可以为金属材质。

[0179] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间设有导电连接件，导电连接件与金属封装21和壳体1均连接，以通过导电连接件实现金属封装21与壳体1的短路连接。

[0180] 导电连接件位于腔体3内，并设置在金属封装21和壳体1之间，例如导电连接件的一端与金属封装21的外壁面连接，导电连接件的另一端与壳体1的内壁面连接，以通过导电
连接件实现金属封装21和壳体1之间的短路连接，破坏功率放大器2附近的场分布，抑制功
率放大器2输入和输出的空间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网
络，避免由此引发的正反馈所导致的包括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸
包或杂散增益大于功率放大器2增益等问题。

[0181] 在保证金属封装21与壳体1之间短路连接的前提下，导电连接件的形状、尺寸可以根据金属封装21和壳体1的形状及尺寸灵活选择，导电连接件的材质需要满足导电的需求，
进一步地，导电连接件需要具有高导电率，以实现金属封装21与壳体1之间的良好电连接。

[0182] 进一步地，金属封装21包括第一区域，壳体1包括第二区域，第一区域和第二区域之间的距离为金属封装21与壳体1之间的最小距离，第一区域和第二区域处短路连接。

[0183] 在金属封装21与壳体1距离最短处，电场强度最强，在等效电路中，该处的等效电容起主要作用，可以通过抑制或消除该处的等效电容达到抑制功率放大器2输入输出耦合
的作用，因此，第一区域和第二区域之间短路连接，例如导电连接件设置在第一区域和第二
区域之间，可以直接针对起主要作用的等效电容，从而可以最大程度的抑制功率放大器2的
输入输出耦合。

[0184] 图3为电子设备在高频寄生参数等效的元件，如电场较强的地方储存电场能量等效为电容，如图3中壳体1与功率放大器的金属封装21之间存储电场能量，等效为电容Ci0和
Co1，电流较强的地方储存磁场能量等效为电感，具体地电磁波在壳体1表面传播产生电流
存储磁场能量，等效为电感Lo1、Lo2、Li1和Li2，通过分析结构找到位移电流和传导电流的
回流路径，可以近似将腔体3内的场分布用等效元件的形式描述。由图1中，金属封装21的上
壁面211与壳体1的顶壁11之间距离最短，在等效电路中，该处储存电场能量，等效为电容
C0，在整个等效电路中，电容C0起主要作用，此时第一区域和第二区域分别为金属封装21的
上壁面211和上壁面211正上方的顶壁11。

[0185] 通过抑制或消除C0可以达到抑制耦合的作用，因此，可以通过将壳体1的顶壁11与金属封装21的上壁面211之间短路连接，起到抑制或消除C0的目的，从而可以最大程度的抑
制功率放大器2的输入输出耦合。例如在等效电路图3和图4中，通过将壳体1的顶壁11与金
属封装21的上壁面211之间短路连接，将C0消除并替换为一个很小的电感Lo，达到消除谐振
模式、抑制耦合的目的。

[0186] 壳体1可以全部由导电材料制成，例如壳体1由金属制成，例如由铜制成，或者壳体1也可以由其它导电材料制成，例如导电陶瓷。此时壳体1各处均具有导电性，壳体1与金属
封装21短路连接的位置可以位于壳体1的任意位置。

[0187] 壳体1也可以是局部导电，即一部分壳体1导电、一部分壳体1非导电，例如导电部分的壳体1由金属(例如铜)或其它导电材料(导电陶瓷)制成，非导电部分的壳体1由非导电
材料(例如绝缘塑料)制成。此时壳体1上具有导电性的部分与金属封装21短路连接。当壳体
1局部导电时，例如壳体1右端不导电，其等效电路如图4所示。

[0188] 可以理解，金属封装21和壳体1的短路连接处也可以不位于金属封装21与壳体1的最短距离处，也可以抑制功率放大器2的输入输出耦合，避免由此引发的正反馈所导致的包
括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大器2增益等
问题。

[0189] 进一步地，壳体1上朝向电路板4的壁面与金属封装21上背离电路板4的壁面短路连接，易于实现、操作方便，且不会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0190] 如图2所示，壳体1上朝向电路板4的壁面为壳体1的顶壁11(上壁)的下壁面，金属封装21上背离电路板4的壁面为金属封装21的上壁面211，壳体1的顶壁11的下壁面与金属
封装21的上壁面211之间短路连接。一方面，多数情况下电路板4上还设有除功率放大器2外
的其它元件，壳体1的侧围壁12与金属封装21之间的距离较远，因此通常壳体1与金属封装
21之间的最短距离位于壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211之间，将壳体1
的顶壁11的下壁面与金属封装21的上壁面211短路连接，可以最大程度上抑制功率放大器2
输入输出耦合，另一方面，壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间短路连接可能
会影响电路阻抗、出现焊盘短路等情况。

[0191] 可以理解，壳体1与金属封装21短路连接的位置也可以位于壳体1的侧围壁12与金属封装21的侧围壁212之间，尤其是壳体1与金属封装21之间的最短距离位于壳体1的侧围
壁12与金属封装21的侧围壁212之间的情况下。

[0192] 进一步地，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括间隙6内填充的导电填料。

[0193] 金属封装21与壳体1之间具有间隙6，避免金属封装21与壳体1之间相互干涉，方便功率放大器2在腔体3内的安装。通过在间隙6内填充导电填料的方式，实现金属封装21与壳
体1之间的短路连接，将电场回流转换成了电流，破坏功率放大器2附近的场分布。导电填料
种类众多，且与吸波材料相比，导电填料易于获取，来源丰富且成本低，因此通过选择价格
低廉的导电填料，可以在抑制功率放大器2的输入输出耦合的同时，降低成本，提高产品的
市场竞争力。

[0194] 进一步地，导电填料具有高导电率。

[0195] 进一步地，导电填料包括导电泡棉、碳纤维和导电胶中的至少一种。

[0196] 导电泡棉、碳纤维或导电胶既具有导电能力，能够实现金属封装21与壳体1之间的短路连接，而且价格低廉易于获取。

[0197] 可以理解，导电填料还可以是除导电泡棉、碳纤维和导电胶之外的其它材料，例如导电金属粉末、石墨等。

[0198] 进一步地，导电连接件为导电导热材料。

[0199] 导电连接件为导电导热材料，即导电连接件除可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接外，还具有良好的热传导性能，从而能够将功率放大器2产生的热量快速传递到
壳体1，利于功率放大器2的散热，提高功率放大器2的使用寿命和可靠性。

[0200] 至于导电导热材料的形式，示例性1，导电连接件包括导热垫片，导热垫片中填充有导电颗粒。

[0201] 导热垫片填充壳体1和金属封装21之间的间隙6，导热垫片中填充有导电颗粒，导电颗粒可以为但不限于金属粉末或石墨，从而可以起到短接壳体1和金属封装21的作用。又
由于导热垫片具有良好的导热能力，从而可以及时将功率放大器2产生的热量通过导热垫
片传导出去，而且导热垫片具有良好的柔性和弹性，降低了对壳体1和金属封装21的加工精
度要求。

[0202] 示例性2，导电连接件包括导电外壳，导电外壳中包裹有导热材料。

[0203] 一方面，导电外壳能够导电，通过将导电外壳设置在壳体1和金属封装21之间，从而实现了导电外壳和金属封装21之间的短路连接。另一方面，导电外壳中包裹导热材料，利
用导热材料良好的导热能力，能够及时将功率放大器2产生的热量通过导电连接件传导出
去。

[0204] 导电外壳可以为但不限于金属外壳。导热材料可以为但不限于导热硅脂、导热膏等。

[0205] 进一步地，在壳体1和金属封装21之间设置磁性材料，通过磁性材料破坏功率放大器2附近的场分布，从而抑制功率放大器2的输入输出耦合。

[0206] 在一个可选的实施例中，金属封装21与壳体1之间具有间隙6，导电连接件包括支撑在金属封装21和壳体1之间的弹性件。

[0207] 弹性件与金属封装21为分体式结构，且与壳体1为分体式结构。弹性件的变形能力强，因此弹性件对壳体1及金属封装21的机械加工精度要求低，对于间隙6大小在一定程度
内不一致的情况下，弹性件仍可以实现金属封装21与壳体1之间的短路连接。

[0208] 弹性件的一端与金属封装21相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结，弹性件的另一端与壳体1相连接，例如相焊接或相卡接或相粘结。

[0209] 弹性件包括但不限于螺旋弹簧或弹片。

[0210] 在一个可选的实施例中，导电连接件与壳体1和金属封装21中的其中一个为一体式结构。

[0211] 导电连接件与壳体1为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增强了导电连接件与壳体1之间的连接强度。或者，导电连接件与金属
封装21为一体式结构，一方面一体式结构成型工艺简单、成本低，另一方面，一体式结构增
强了导电连接件与金属封装21之间的连接强度。

[0212] 进一步地，导电连接件包括壳体1的内壁面和金属封装21的外壁面中的其中一个向另一个的方向凸出形成的凸起部。

[0213] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1的内壁面朝向金属封装21(即朝向腔体3内)凸出形成凸起部，凸起部背离壳体1的一端抵接在金属封装21上，实现壳
体1与金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11向下凸出形成凸起部或壳体1的顶壁11下凹形
成凸起部，凸起部的下端抵接在金属封装21的上壁面211上。

[0214] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21的外壁面朝向壳体1(即向外)凸出形成凸起部，凸起部背离金属封装21的一端抵接在壳体1上，实现壳体1与
金属封装21之间的短路连接。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封装21
的上壁面211之间为例，金属封装21的上壁面211向上凸出形成凸起部，凸起部的上端抵接
在壳体1的顶壁11的下壁面上。

[0215] 在一个可选的实施例中，壳体1和金属封装21中的其中一个上设有一端为自由端，另一端与壳体1和金属封装21中的其中一个相连接的冲舌，将冲舌向壳体1和金属封装21中
的另一个的方向冲压形成导电连接件。

[0216] 对于导电连接件与壳体1为一体式结构的情况，壳体1上设有贯穿壳体1厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与壳体1相分离，形成自由端，冲舌的另一端未被切缝
切割，仍与壳体1相连接。将冲舌的自由端朝向金属封装21(即朝向腔体3内)冲压，冲舌的自
由端抵接在金属封装21上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳体1及金
属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与金属封
装21的上壁面211之间为例，壳体1的顶壁11上设有冲舌，冲舌向下冲压形成导电连接件。

[0217] 对于导电连接件与金属封装21为一体式结构的情况，金属封装21上设有贯穿金属封装21厚度方向的切缝，切缝切割出冲舌，冲舌的一端与金属封装21相分离，形成自由端，
冲舌的另一端未被切缝切割，仍与金属封装21相连接。将冲舌朝向壳体1(即朝向腔体3外)
冲压，冲舌的自由端抵接在壳体1上，形成导电连接件。由于冲舌具有较好的弹性，从而对壳
体1及金属封装21的机械加工精度要求低。以导电连接件设置在壳体1的顶壁11的下壁面与
金属封装21的上壁面211之间为例，金属封装21的顶壁11上设有冲舌，冲舌向上冲压形成导
电连接件。

[0218] 不失一般性的，本说明书实施例提供的结构可以用于具有天线或类似射频装置的电子设备，例如无人机、遥控器、带有天线的地面移动机器人、具有天线的手持云台中。通过
抑制正反馈减小功率放大器的潜在不稳定性，提高系统的性能。

[0219] 本说明书实施例的结构还可以用于例如手机、IPAD等移动终端中。通过抑制正反馈减小功率放大器的潜在不稳定性，提高系统的性能。

[0220] 综上所述，本说明书实施例提供的电子设备、无人机、遥控器或移动终端，金属封装21与壳体1短路连接，破坏功率放大器2附近的场分布，抑制功率放大器2输入和输出的空
间耦合或破坏由结构件、电路等的自身寄生参数引入的反馈网络，避免由此引发的正反馈
所导致的包括但不限于功率放大器2潜在不稳定、自激、频谱凸包或杂散增益大于功率放大
器2增益等问题，且金属封装21与壳体1短路连接的方式结构简单、成本低。

[0221] 在本说明书的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“多个”是指两个或两个以上；除非另有规定或说明，术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固
定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，或电连接；可以是直接相连，也可以通过中间
媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本说
明书中的具体含义。

[0222] 本说明书的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化
描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操
作，因此，不能理解为对本说明书的限制。

[0223] 在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于本说明书的至少一个
实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或
实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中
以合适的方式结合。

[0224] 以上所述仅为本说明书的优选实施例而已，并不用于限制本说明书，对于本领域的技术人员来说，本说明书可以有各种更改和变化。凡在本说明书的精神和原则之内，所作
的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本说明书的保护范围之内。