单晶硅片链式制绒用添加剂及其应用转让专利
申请号 : CN202010448014.5
文献号 : CN111593412B
文献日 : 2021-03-30
发明人 : 周树伟 , 张丽娟 , 陈培良 , 贺婷婷
申请人 : 常州时创能源股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.单晶硅片链式制绒用添加剂,其特征在于,其各组分的质量百分含量为:聚乙烯亚胺
0.2%~2.0%,岩藻聚糖0.5%~10%,聚丙烯酰胺0.1%~0.5%,聚醚胺0.1%~2.0%,余量为水。
2.根据权利要求1所述的单晶硅片链式制绒用添加剂,其特征在于,所述聚乙烯亚胺选自分子量为600的聚乙烯亚胺、分子量为1800的聚乙烯亚胺、分子量为1000的聚乙烯亚胺、分子量为7000的聚乙烯亚胺中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的单晶硅片链式制绒用添加剂,其特征在于,所述聚丙烯酰胺选自分子量为800万的阴离子聚丙烯酰胺、分子量为1000万的阴离子聚丙烯酰胺、分子量为
1200万的阴离子聚丙烯酰胺中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的单晶硅片链式制绒用添加剂,其特征在于,所述聚醚胺为聚醚胺D230、聚醚胺D400中的一种或两种。
5.根据权利要求1所述的单晶硅片链式制绒用添加剂,其特征在于,所述水为去离子水。
6.单晶硅片链式制绒用制绒液,其特征在于,其含有碱溶液和权利要求1至5中任一项所述的添加剂,添加剂与碱溶液的质量比为0.5~2.5:100,碱溶液为无机碱的水溶液。
7.根据权利要求6所述的单晶硅片链式制绒用制绒液,其特征在于,所述碱溶液为2~
5wt%的氢氧化钠或氢氧化钾水溶液。
8.单晶硅片链式制绒方法,其特征在于,利用权利要求6或7所述的制绒液对单晶硅片进行链式制绒。
9.根据权利要求8所述的单晶硅片链式制绒方法,其特征在于,其具体步骤包括:
1)配制添加剂:将质量百分含量为0.2%~2.0%的聚乙烯亚胺,0.5%~10%的岩藻聚糖,
0.1%~0.5%的聚丙烯酰胺,0.1%~2.0%的聚醚胺加入到余量的水中,混合均匀配成添加剂;
2)配制制绒液:将步骤1)制成的添加剂加到碱溶液中,混合均匀配成制绒液;添加剂与碱溶液的质量比为0.5~2.5:100;碱溶液为无机碱的水溶液;
3)将单晶硅片平放输入链式制绒设备中,并采用步骤2)制得的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度为85~95℃,制绒时间为3~5min。
10.根据权利要求9所述的单晶硅片链式制绒方法,其特征在于,步骤3)中,制绒温度为
90~95℃,制绒时间为3~3.5min。
说明书 :
单晶硅片链式制绒用添加剂及其应用
技术领域
背景技术
逐渐的成为新能源行业的主角。其中,晶体硅太阳能电池由于综合性能优异,目前被用于大
工业化的生产。近年来,由于行业中单晶硅拉棒、切片技术的快速发展,单晶硅片的生产成
本急速降低,单晶硅电池正逐渐压缩多晶硅电池的市场份额,成为市场的宠儿。
以减少对太阳光的反射,提高光的吸收率,从而提高太阳能电池片的光电转换效率,而由于
其他刻蚀方式成本太高,碱刻蚀目前是主流的制绒方式。通过测试发现,一片没有经过制绒
的电池片,将会反射至少30%以上入射进来的太阳光。因此,通过制绒降低硅片对光的反射
率,成为重要的研究方向。由硅与碱的反应机理可知,不加任何添加剂的简单的碱刻蚀,在
单晶硅片表面很难形成陷光结构,而添加剂就成为了控制陷光结构的重要法宝。
硅片是竖立在制绒液中,均匀性是一个问题,并且出现制绒脏污、色差等问题的时候很难单
独挑出来。在这种情况下,链式制绒方式就显得很有优势,首先链式制绒过程中硅片是水平
放置的,制绒液可以均匀的铺展在表面,制绒的均匀性比较好,其次是制绒过程可控,出现
制绒问题时可以单独的把有问题的片子挑出,减少返工率。但是链式制绒最大的限制条件
是,硅片全部水平放置,制绒机台的长度需要拉长,占地面积较大。因此,降低制绒时间,让
单晶硅片在更快的时间内完成制绒成为了必要的条件,但缩短制绒时间,制绒效果会减弱,
硅片反射率会有明显的升高,因而需要一种能制备低反射率硅片的单晶硅链式制绒添加剂
来弥补这个问题。
发明内容
0.1%~2.0%,余量为水。
剂;
高产能,且能使制绒片的反射率保持在11%~12%,与槽式制绒所得制绒片的反射率基本相
当,使硅片具有较好的转换效率。
性。本发明提供的低反射率链式单晶制绒添加剂配方中,各组分都具有良好的热稳定性,并
且通过了实验室的验证,在链式制绒高达95℃的加热温度下也能很稳定的完成制绒。聚乙
烯亚胺和岩藻聚糖作为主要的出绒剂配合使用具有很好的出绒性能,而聚丙烯酰胺作为绒
面优化剂可以使出绒更均匀并且在外观上使得片内更均一,聚醚胺作为脱泡剂可以有效地
消除反应过程中气泡的影响,让制绒外观变得更完善。
用,因而在硅片的表面能与Si‑H键结合形成稳定的形核中心。岩藻聚糖作为一种多糖,由于
分子中含有大量的羟基,从而具有很好的亲水性,并且‑OH能与Si‑H键结合形成氢键作用使
得岩藻聚糖分子具有吸附性,在硅片表面有大量的结合点作为形核中心,同聚乙烯亚胺复
配在一起可以达到很好的出绒性,随着反应时间的延长,这些形核点长大形成金字塔绒面。
在制绒过程中,由于温度高反应很快,随着反应的进行放出大量的热,出绒剂的制绒均一性
受到很大的考验,聚丙烯酰胺具有很高的分子量,其长长的分子链缠绕吸附着制绒剂并且
均匀的分布在硅片表面,可使绒面均匀性得到明显的改善,宏观上体现在外观均一没有色
差。聚醚胺是一类主链为聚醚结构,末端活性官能团为胺基的聚合物,具有较低的表面张力
和较强的吸附性,在体系中有利于气泡的脱除,使得制绒后的硅片表面没有气泡痕,外观均
匀。
附图说明
具体实施方式
质量比为1:4:100依次加入添加剂、氢氧化钾和去离子水,搅拌均匀配成制绒液;将单晶硅
片平放输入链式制绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度90
℃,反应时间3.5min。制绒完成后测得制绒片的平均反射率为11.24。
按照质量比为1:4:100依次加入添加剂、氢氧化钾和去离子水搅拌均匀配成制绒液;将单晶
硅片平放输入链式制绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度
90℃,反应时间3.5min。制绒完成后测得制绒片的平均反射率为11.63。
拌均匀配成添加剂溶液;然后按照质量比为1:4:100依次加入添加剂、氢氧化钾和去离子
水,搅拌均匀配成制绒液;将单晶硅片平放输入链式制绒设备中,并采用配制的制绒液对单
晶硅片进行链式制绒,制绒温度90℃,反应时间3.5min。制绒完成后测得制绒片的平均反射
率为11.30。
按照质量比为1:4:100依次加入添加剂、氢氧化钾和去离子水,搅拌均匀配成制绒液;将单
晶硅片平放输入链式制绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温
度90℃,反应时间3.5min。制绒完成后测得制绒片的平均反射率为11.18。
质量比为1:4:100依次加入添加剂、氢氧化钾和去离子水,搅拌均匀配成制绒液;将单晶硅
片平放输入链式制绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度90
℃,反应时间3min。制绒完成后测得制绒片的平均反射率为11.85。
绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度90℃,反应时间7min。
制绒完成后测得制绒片的平均反射率为11.76。
绒设备中,并采用配制的制绒液对单晶硅片进行链式制绒,制绒温度90℃,反应时间3min。
制绒完成后测得制绒片的平均反射率为14.52。
均反射率。
也应视为本发明的保护范围。