一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备转让专利
申请号 : CN202010461152.7
文献号 : CN111599899B
文献日 : 2021-10-01
发明人 : 解潇 , 刘洋 , 陈华斌 , 李兴亮 , 高英强 , 王琳琳 , 王瑞瑞
申请人 : 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:衬底;
反射发光层,设置在所述衬底上;
第一电极、第二电极和第一绝缘层,分立设置在所述反射发光层上;
可饱和吸收体层,设置在所述第一绝缘层上;
第三电极、第四电极和反射复合层,分立设置在所述可饱和吸收体层上,所述反射发光层的反射率大于所述反射复合层的反射率;
其中,所述可饱和吸收体层、所述第三电极、所述第四电极和所述反射复合层分别在所述反射发光层上的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠;
所述可饱和吸收体层包括:
第一P型半导体层,设置在所述第一绝缘层上,所述第三电极设置在所述第一P型半导体层上;
第一量子阱层,设置在所述第一P型半导体层上,所述第一量子阱层在所述第一P型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠;
第一N型半导体层,设置在所述第一量子阱层上,所述第一N型半导体层在所述第一P型半导体层上的正投影与所述第三电极不重叠,所述第四电极设置在所述第一N型半导体层上;
所述反射发光层包括:
P型半导体反射复合层,设置在所述衬底上,所述第一电极设置在所述P型半导体反射复合层上;
第二量子阱层,设置在所述P型半导体反射复合层上,所述第二量子阱层在所述P型半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠;
第二N型半导体层,设置在所述第二量子阱层上,所述第二N型半导体层在所述P型半导体反射复合层上的正投影与所述第一电极不重叠,所述第二电极设置在所述第二N型半导体层上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述P型半导体反射复合层具有反射镜结构;或者,
所述P型半导体反射复合层包括叠层设置的第二P型半导体层和第一反射镜层,其中,所述第一反射镜层靠近所述衬底设置。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:光放大器层,设置在所述反射复合层上;
第五电极和第六电极,分立设置在所述光放大器层上;
其中,所述光放大器层、所述第五电极和所述第六电极分别在所述反射发光层上的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠;所述光放大器层、所述第五电极和所述第六电极分别在所述可饱和吸收体层上的正投影与所述第三电极及所述第四电极均不重叠。
4.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述光放大器层包括:第三P型半导体层,设置在所述反射复合层上,所述第五电极设置在所述第三P型半导体层上;
第三量子阱层,设置在所述第三P型半导体层上,所述第三量子阱层在所述第三P型半导体层上的正投影与所述第五电极不重叠;
第三N型半导体层,设置在所述第三量子阱层上,所述第三N型半导体层在所述第三P型半导体层上的正投影与所述第五电极不重叠,所述第六电极设置在所述第三N型半导体层上。
5.根据权利要求3所述的发光二极管,其特征在于,所述反射复合层具有反射镜结构,且采用绝缘材料;或者,
所述反射复合层包括叠层设置的第二绝缘层和第二反射镜层。
6.一种驱动方法,其特征在于,用于驱动权利要求1‑5任一项所述的发光二极管,所述方法包括:
向第一电极输入第一正向电压,以及向第二电极输入第一负向电压。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:向第三电极输入第二负向电压,以及向第四电极输入第二正向电压。
8.根据权利要求6‑7任一项所述的方法,其特征在于,所述发光二极管还包括光放大器层,设置在所述反射复合层上;第五电极和第六电极,分立设置在所述光放大器层上,所述方法还包括:
向所述第五电极输入第三正向电压,以及向所述第六电极输入第三负向电压;其中,所述光放大器层、所述第五电极和所述第六电极分别在所述反射发光层上的正投影与所述第一电极及所述第二电极均不重叠;所述光放大器层、所述第五电极和所述第六电极分别在所述可饱和吸收体层上的正投影与所述第三电极及所述第四电极均不重叠。
9.一种光源装置,其特征在于,包括权利要求1‑5任一项所述的发光二极管。
10.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求9所述的光源装置。
说明书 :
一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备
技术领域
背景技术
效地将电能转化为光能,在现代社会具有广泛的用途。但是,目前的发光二极管的光谱半高
宽较大,从而使得发光二极管的色光颜色纯度较低。
发明内容
体层上。
半导体层上。
述第六电极分别在所述可饱和吸收体层上的正投影与所述第三电极及所述第四电极均不
重叠。
体层上。
体层,以及分立设置在可饱和吸收体层上的第三电极、第四电极和反射复合层。其中,反射
发光层的反射率大于反射复合层的反射率,以保证光从远离衬底的一侧出射。另外,可饱和
吸收体层、第三电极、第四电极和反射复合层分别在反射发光层上的正投影与第一电极及
第二电极均不重叠,以使第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均不会被上层结构遮
挡,从而可实现走线连接。在本发明实施例中,通过增加可饱和吸收体层,可使反射发光层
发出的光经过可饱和吸收体层后,能量低的光被吸收较多,能量高的光被吸收较少,从而降
低了发光二极管光谱的半高宽,进而提高了发光二极管的色光颜色纯度。
附图说明
具体实施方式
收体层40的阴极和阳极。反射复合层50具有反射光线的作用。其中,由于第一电极A、第二电
极B、第三电极C和第四电极D均需要暴露在最上层进行走线连接,以接收用于控制相应层的
电压信号,因此,需要可饱和吸收体层40、第三电极C、第四电极D和反射复合层50分别在反
射发光层20上的正投影与第一电极A及第二电极B均不重叠,从而可以使第一电极A及第二
电极B均不会被上层结构遮挡。
它的光吸收系数很大,表现为基本不透光,而当光强增大到某一个值时,它的光吸收系数会
突然减小,表现为几乎透明。因此,本发明实施例在现有发光二极管结构上,增加了一层可
饱和吸收体层40,也即是在现有发光二极管结构的发光层上层增加了一个可饱和吸收体。
低的光吸收的多,能量高的光吸收的少,因此,发光二极管光谱的半高宽FHWM降低,从而提
高了发光二极管的色光颜色纯度。
20发出的光可以在两个反射镜结构之间多次反射,进而使光线可以多次经过可饱和吸收体
进行吸收。在本发明实施例中,反射发光层20具有反射光线的作用,可以作为一个反射镜结
构,反射复合层50也具有反射光线的作用,可以作为另一个反射镜结构,可饱和吸收体层40
位于反射发光层20与反射复合层50之间,从而可以多次吸收反射发光层20发出的光,使得
可饱和吸收体的作用充分发挥,有利于降低发光二极管光谱的半高宽。
离衬底10的一侧出射。
列组成的周期结构,其中,每层材料的光学厚度为中心反射波长的1/4。
施加反向偏压的量子阱结构,即增加了一个可饱和吸收体。
第一N型半导体层43上。
控制电压输入。第四电极D与第一N型半导体层43连接,以通过第一N型半导体层43实现对可
饱和吸收体层40的控制电压输入。第一量子阱层42和第一N型半导体层43分别在第一P型半
导体层41上的正投影与第三电极C不重叠,从而可使第三电极C不被上层结构遮挡,实现走
线连接。
对可饱和吸收体层40施加反向偏压为例,常见的量子阱结构通常是向P型半导体层施加正
向电压,向N型半导体层施加负向电压,而在本发明实施例中,可以向可饱和吸收体层40的
第一P型半导体层41施加负向电压,向第一N型半导体层43施加正向电压,也即是向第三电
极C输入负向电压,向第四电极D输入正向电压,从而实现了对可饱和吸收体层40施加反向
偏压。
所述第二N型半导体层23上。
型半导体层23实现对反射发光层20的控制电压输入。第二量子阱层22和第二N型半导体层
23分别在P型半导体反射复合层21上的正投影与第一电极A不重叠,从而可使第一电极A不
被上层结构遮挡,实现走线连接。
设置的第二P型半导体层21a和第一反射镜层21b,其中,所述第一反射镜层21b靠近所述衬
底10设置。第一电极A设置在第二P型半导体层21a上,即可实现与第二P型半导体层21a的电
连接。在实际应用中,第一反射镜层21b具体可以是DBR反射镜层。
是一层反射镜结构与一层P型半导体层的叠加,本发明实施例对此不作具体限定。
五电极E和所述第六电极F分别在所述可饱和吸收体层40上的正投影与所述第三电极C及所
述第四电极D均不重叠。
收体层40的上层增加一个光放大器层60,也即半导体光放大器,以提高发光二极管的光输
出功率。
第三N型半导体层63上。
层63实现对光放大器层60的控制电压输入。第三量子阱层62和第三N型半导体层63分别在
第三P型半导体层61上的正投影与第五电极E不重叠,从而可使第五电极E不被上层结构遮
挡,实现走线连接。
极B也不会被上层结构遮挡,可以实现走线连接。光放大器层60、第五电极E和第六电极F分
别在可饱和吸收体层40上的正投影与第四电极D不重叠,因此,第四电极D也不会被上层结
构遮挡,可以实现走线连接。第六电极F设置在所有结构的最上层,因此也不会被遮挡,可以
实现走线连接。
后高能粒子向低能级跃迁,实现自发辐射发光。但半导体光放大器出现粒子数反转后,由于
反射发光层20发出的光经过可饱和吸收体后会照射到半导体光放大器中,因此,半导体光
放大器会进行受激辐射,其发出的光波长与入射光波长相同,所以不会将光谱展宽。
饱和吸收体层40中的P型半导体+量子阱+N型半导体)可以作为可饱和吸收体,再上方的第
三个量子阱结构(光放大器层60中的P型半导体+量子阱+N型半导体)可以作为半导体光放
大器。发光二极管工作时,可以向第一个量子阱结构和第三个量子阱结构施加正向偏压,向
第二个量子阱结构施加负向偏压或不施加电压,从而可以实现该发光二极管的驱动。
器层之后,光谱的半高宽FHWM基本不变,但输出的光能量增加(光能量的大小可通过光谱高
度体现),也即是发光二极管的光输出功率增大。
层60进行绝缘。因此,在本发明实施例中,在发光二极管包括光放大器层60的情况下,可选
地,所述反射复合层50具有反射镜结构,且采用绝缘材料;或者,参照图6,示出了本发明实
施例一的再一种发光二极管的截面示意图,所述反射复合层50包括叠层设置的第二绝缘层
50a和第二反射镜层50b。其中,第二绝缘层50a或第二反射镜层50b靠近衬底10设置均可,本
发明实施例对此不作具体限定。在实际应用中,第二反射镜层50b具体可以是DBR反射镜层。
清洗、外延片正面保护、衬底减薄、隔离沟道的制备、隔离沟道的填充、芯片下表面的固定等
方面可以参考相关技术。以下将以图1所示的发光二极管结构为例,重点介绍外延片生长、
电极制备等工艺流程:
半导体材料,例如AlGaInP等。以AlGaInP外延片为例,则发光二极管中除电极之外的结构或
膜层均可以是AlGaInP基的结构或膜层,例如衬底可以是AlGaInP层,发光二极管中的各个P
型半导体层可以是硼掺杂AlGaInP层,发光二极管中的各个N型半导体层可以是磷掺杂
AlGaInP层。
要生长三个量子阱结构,分别作为发光层,可饱和吸收体和光放大器,并可以在每一个量子
阱结构之间生长本征半导体材料层用于绝缘,如图7所示。
干法刻蚀掉区域02、区域03、区域04、区域05及区域06中第三P型半导体层61的上层各结构。
其中,本次刻蚀后得到的区域02、区域03、区域04、区域05及区域06中的任一区域,均可作为
第五电极E的设置区域。
采用ICP干法刻蚀掉区域03、区域04、区域05及区域06中第一N型半导体层43的上层各结构。
其中,本次刻蚀后得到的区域03、区域04、区域05及区域06中的任一区域,均可作为第四电
极D的设置区域。
以及发光区00,然后可采用ICP干法刻蚀掉区域04、区域05及区域06中第一P型半导体层41
的上层各结构。其中,本次刻蚀后得到的区域04、区域05及区域06中的任一区域,均可作为
第三电极C的设置区域。
第三电极C的区域04,以及发光区00,然后可采用ICP干法刻蚀掉区域05及区域06中第二N型
半导体层23的上层各结构。其中,本次刻蚀后得到的区域05及区域06中的任一区域,均可作
为第二电极B的设置区域。
第三电极C的区域04、第二电极B的区域05,以及发光区00,然后可采用ICP干法刻蚀掉区域
06中P型半导体反射复合层21的上层各结构。其中,本次刻蚀后得到的区域06,可作为第一
电极A的设置区域。
电极D、在区域02制作出第五电极E,以及在区域01制作出第六电极F,如图13所示。
电极C、第四电极D、第五电极E及第六电极F露出最上层,能够实现走线连接即可,本发明实
施例对此不作具体限定。
体层,以及分立设置在可饱和吸收体层上的第三电极、第四电极和反射复合层。其中,反射
发光层的反射率大于反射复合层的反射率,以保证光从远离衬底的一侧出射。另外,可饱和
吸收体层、第三电极、第四电极和反射复合层分别在反射发光层上的正投影与第一电极及
第二电极均不重叠,以使第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均不会被上层结构遮
挡,从而可实现走线连接。在本发明实施例中,通过增加可饱和吸收体层,可使反射发光层
发出的光经过可饱和吸收体层后,能量低的光被吸收较多,能量高的光被吸收较少,从而降
低了发光二极管光谱的半高宽,进而提高了发光二极管的色光颜色纯度。
动反射发光层20发光。
向偏压,从而驱动可饱和吸收体层40。
压的情况下,均可以实现可饱和吸收体的作用,本发明实施例对此不作具体限定。其中,施
加反向偏压可使可饱和吸收体层40的可饱和吸收能力更佳。
器层60进行光功率放大。
电压,向第五电极输入第三正向电压,以及向第六电极输入第三负向电压,也即是向反射发
光层施加正向偏压,向可饱和吸收体层施加反向偏压,以及向光放大器层施加正向偏压,从
而可以在驱动发光二极管发光的同时,提高发光二极管的色光颜色纯度,以及提高发光二
极管的光输出功率。
的可饱和吸收体层,以及分立设置在可饱和吸收体层上的第三电极、第四电极和反射复合
层。其中,反射发光层的反射率大于反射复合层的反射率,以保证光从远离衬底的一侧出
射。另外,可饱和吸收体层、第三电极、第四电极和反射复合层分别在反射发光层上的正投
影与第一电极及第二电极均不重叠,以使第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均不会
被上层结构遮挡,从而可实现走线连接。在本发明实施例中,通过增加可饱和吸收体层,可
使反射发光层发出的光经过可饱和吸收体层后,能量低的光被吸收较多,能量高的光被吸
收较少,从而降低了发光二极管光谱的半高宽,进而提高了发光二极管的色光颜色纯度。
的可饱和吸收体层,以及分立设置在可饱和吸收体层上的第三电极、第四电极和反射复合
层。其中,反射发光层的反射率大于反射复合层的反射率,以保证光从远离衬底的一侧出
射。另外,可饱和吸收体层、第三电极、第四电极和反射复合层分别在反射发光层上的正投
影与第一电极及第二电极均不重叠,以使第一电极、第二电极、第三电极和第四电极均不会
被上层结构遮挡,从而可实现走线连接。在本发明实施例中,通过增加可饱和吸收体层,可
使反射发光层发出的光经过可饱和吸收体层后,能量低的光被吸收较多,能量高的光被吸
收较少,从而降低了发光二极管光谱的半高宽,进而提高了发光二极管的色光颜色纯度。
些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次,本领域技术人员也应该知悉,说明书中所描
述的实施例均属于优选实施例,所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。
之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意
在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那
些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者
设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排
除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人
员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明
书内容不应理解为对本发明的限制。