一种带有隔离驱动的5G通信基站的电源转让专利
申请号 : CN202010530774.0
文献号 : CN111614266B
文献日 : 2021-08-17
发明人 : 马奎 , 蔡艺玲
申请人 : 深圳市爱德泰科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种带有隔离驱动的5G通信基站的电源,其特征在于,包括谐振电路,所述谐振电路包括控制芯片和隔离驱动电路,所述控制芯片通过隔离驱动电路驱动MOS管工作,所述隔离驱动电路包括并联设置的第一驱动模块和第二驱动模块,所述第一驱动模块和所述第二驱动模块分别包括变压器,所述谐振电路还包括图腾驱动电路,所述图腾驱动电路包括并联设置的第一图腾驱动模块和第二图腾驱动模块,以及并联设置的第三图腾驱动模块和第四图腾驱动模块,所述第一图腾驱动模块和所述第二图腾驱动模块设置于所述第一驱动模块中所述变压器的副绕组和所述MOS管之间,所述第三图腾驱动模块和所述第四图腾驱动模块设置于所述第二驱动模块中所述变压器的副绕组和所述MOS管之间,所述控制芯片包括芯片L6599,其中,
所述第一驱动模块还包括:1个IC芯片,2个电阻,其中,电阻R112的一端连接至所述芯片L6599的引脚HVG后其另一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT,并且电阻R115的一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT,R115的另一端接地,IC芯片*14B的引脚OUT连接至变压器L1的主绕组;
所述第一图腾驱动模块包括:1个电容,2个三极管,2个二极管,4个电阻,其中,三极管Q18的发射极连接三极管Q21的发射极,并联的电阻R105和二极管D16的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R108串联后连接至三极管Q18的基极和三极管Q21的基极,电阻R114与二极管D17串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端分别连接至所述三极管Q21的集电极和MOS管Q19的S极,电阻R109的一端连接至三极管Q18的发射极和三极管Q21的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q19的G极,电阻R106设置于MOS管Q19的G极和变压器L1的副绕组之间,电容C33设置于MOS管Q19的S极和变压器L1的副绕组之间;
所述第二驱动模块还包括:1个IC芯片,2个电阻,其中,电阻R131的一端连接至所述芯片L6599的引脚LVG后其另一端连接至IC芯片*17B的引脚INPUT,并且电阻R138的一端连接至IC芯片*17B的引脚INPUT,电阻R138的另一端接地,IC芯片*17B的引脚OUT连接至变压器L3的主绕组;
所述第一驱动模块和/或所述第二驱动模块还包括供电电路,所述供电电路包括1个三极管,2个二极管,其中,所述三极管的集电极连接至所述变压器的主绕组,所述三极管的基极连接至IC芯片的引脚OUT,2个二极管并联后连接至所述三极管的集电极和所述芯片L6599的引脚VCC。
2.根据权利要求1所述的电源,其特征在于,所述第二图腾驱动模块包括:1个电容,2个三极管,2个二极管,4个电阻,其中,三极管Q22的发射极连接三极管Q25的发射极,并联的电阻R124和二极管D20的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R117串联后连接至三极管Q22的基极和三极管Q25的基极,电阻R119与二极管D19串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端连接至所述三极管Q22的集电极,电阻R121的一端连接至三极管Q22的发射极和三极管Q25的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q24的G极,电阻R123连接于所述MOS管Q24的G极后接地,电容C43设置于MOS管Q24的S极和变压器L1的副绕组和三极管Q22的集电极之间。
3.根据权利要求1所述的电源,其特征在于,所述第三图腾驱动模块的电路原理、所述第四图腾驱动模块的电路原理分别与所述第一图腾驱动模块的电路原理相同。
说明书 :
一种带有隔离驱动的5G通信基站的电源
技术领域
背景技术
率(频率调节)来实现输出电压的恒定。
中存在的上述技术问题。
发明内容
管工作。
动模块,所述第一图腾驱动模块和所述第二图腾驱动模块设置于所述第一驱动模块中所述
变压器的副绕组和所述MOS管之间,所述第三图腾驱动模块和所述第四图腾驱动模块设置
于所述第二驱动模块中所述变压器的副绕组和所述MOS管之间。
(R115)的一端连接至IC芯片(*14B)的引脚INPUT后接地,IC芯片(*14B)的引脚OUT连接至变
压器(L1)的主绕组。
(R138)的一端连接至IC芯片(*14B)的引脚INPUT后接地,IC芯片(*17B)的引脚OUT连接至变
压器(L3)的主绕组。
述三极管的基极连接至IC芯片的引脚OUT,2个二极管并联后连接至所述三极管的集电极和
所述芯片L6599的引脚VCC。
的一端连接至变压器(L1)的副绕组后其另一端与电阻(R108)串联后连接至三极管(Q18)的
基极和三极管(Q21)的基极,电阻(R114)与二极管(D17)串联后的一端连接至变压器(L1)的
副绕组后其另一端分别连接至所述三极管(Q21)的集电极和MOS管(Q19)的S极,电阻(R109)
的一端连接至三极管(Q18)的发射极连接三极管(Q21)的发射极之间后其另一端连接在MOS
管(Q19)的G极,电阻(R106)设置于MOS管(Q19)的G极和变压器(L1)的副绕组之间,电容
(C33)设置于MOS管(Q19)的S极和变压器(L1)的副绕组之间。
的一端连接至变压器(L1)的副绕组后其另一端与电阻(R117)串联后连接至三极管(Q22)的
基极和三极管(Q25)的基极,电阻(R119)与二极管(D19)串联后的一端连接至变压器(L1)的
副绕组后其另一端连接至所述三极管(Q21)的集电极,电阻(R121)的一端连接至三极管
(Q22)的发射极连接三极管(Q25)的发射极之间后其另一端连接在MOS管(Q24)的G极,电阻
(R123)连接于所述MOS管(Q24)的G极后接地,电容(C43)设置于MOS管(Q24)的S极和变压器
(L1)的副绕组和三极管(Q22)的集电极之间。
附图说明
调节模块;270‑电流检测模块。
具体实施方式
离驱动的5G通信基站的电源及其各个部分。
离驱动电路驱动MOS管工作。
腾驱动电路驱动MOS管工作。
250,第一图腾驱动模块220和第二图腾驱动模块230设置于第一驱动模块200中变压器的副
绕组和MOS管之间,第三图腾驱动模块240和第四图腾驱动模块250设置于第二驱动模块210
中变压器的副绕组和MOS管之间。
块250分别驱动两个MOS管工作,使得MOS管驱动大的功率管的同时提高谐振电路输出电压
的稳定性和可靠性。
获取。两个开关的开启和关断之间有一个固定的死区时间,以确保软开关及高频下的可靠
工作。
且电阻R115的一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT后接地,IC芯片*14B的引脚OUT连接至变
压器L1的主绕组。
组。
且电阻R138的一端连接至IC芯片*14B的引脚INPUT后接地,IC芯片*17B的引脚OUT连接至变
压器L3的主绕组。
副绕组。
管的基极连接至IC芯片的引脚OUT,2个二极管并联后连接至三极管的集电极和芯片L6599
的引脚VCC。
管D16的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R108串联后连接至三极管Q18的
基极和三极管Q21的基极,电阻R114与二极管D17串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后
其另一端分别连接至三极管Q21的集电极和MOS管Q19的S极,电阻R109的一端连接至三极管
Q18的发射极连接三极管Q21的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q19的G极,电阻R106设
置于MOS管Q19的G极和变压器L1的副绕组之间,电容C33设置于MOS管Q19的S极和变压器L1
的副绕组之间。
D16、二极管D20、电阻R124、电阻R108、电阻R117来传递以驱动三极管Q18、Q21、Q22、Q25,然
后驱动MOS管Q19、Q24。
管D20的一端连接至变压器L1的副绕组后其另一端与电阻R117串联后连接至三极管Q22的
基极和三极管Q25的基极,电阻R119与二极管D19串联后的一端连接至变压器L1的副绕组后
其另一端连接至三极管Q21的集电极,电阻R121的一端连接至三极管Q22的发射极连接三极
管Q25的发射极之间后其另一端连接在MOS管Q24的G极,电阻R123连接于MOS管Q24的G极后
接地,电容C43设置于MOS管Q24的S极和变压器L1的副绕组和三极管Q22的集电极之间。
路,进而驱动MOS管Q27、Q31,MOS管Q27、Q31开关工作时,变压器T201工作把能量传递给次级
线圈。如图2所示,在一些实施例中,第三图腾驱动模块240的电路原理、第四图腾驱动模块
250的电路原理分别与第一图腾驱动模块220的电路原理相同。
振电路的输出电压。
的电流。频率调节模块260通过调节频率的闭环反馈来调节谐振电路的输出电压。
端检测初级电流,可用一电阻或一电容分压器做无损检测,此输入无内部逐个周期式控制。
申请加以限制。