本发明公开了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法。以重量百分比计，该材料包括下述组分：R：28.5wt％～33.57wt％；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素RH，所述的RH的含量为0.5wt％～12.0wt％；Al：≥0.01wt％；Cu：0.05wt％～1.0wt％；Co：0wt％～2.5wt％；Ga：0.05wt％～1.0wt％；Zr：0wt％～0.7wt％；B：0.88wt％～1.2wt％；所述的Cu和所述的Al的总含量≥0.65wt％。该材料耐高温性能好，受热后磁性能衰减较小。
1.一种R‑T‑B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，其包括下述组分：H H
R：28.5 wt% 33.57 wt%；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素R ，所述的R的含~
所述的T包含Fe，Fe含量为64.18 wt% 65.01 wt%；
所述的R‑T‑B系永磁材料采用双合金工艺制备，其中，子合金与母合金的质量比为（3：
97）（4：96）；以重量百分比计，所述的子合金包括下述组分：~
2.如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料，其特征在于，所述的R的含量为31.57 wt%~
和/或，所述的R为Nd和R；和/或，所述的Nd的含量为24.10 wt% 30.50 wt%；
和/或，所述的R的含量为2.45 wt% 6.00 wt%；
和/或，所述的R为（1）Dy；（2）Dy和Tb；或（3）Dy、Gd和Ho；
和/或，所述的Al的含量为0.78 wt% 1.16 wt%；
和/或，所述的Cu的含量为0.15 wt% 0.49 wt%；
和/或，所述的Co的含量为1.15 wt% 1.17 wt%；
和/或，所述的Ga的含量为0.17 wt% 0.59 wt%；
和/或，所述的B的含量为0.95 wt% 0.96 wt%；和/或，所述的Cu和所述的Al的总含量为~
和/或，所述的R‑T‑B系永磁材料由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Co、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成；
和/或，所述的R‑T‑B系永磁材料里，C＜1000ppm；
和/或，所述的子合金与所述的母合金的质量比为（3.5：96.5）（3.8：96.2）；
和/或，所述的双合金工艺为工艺一、工艺二或工艺三；所述的工艺一包括下述步骤：将母合金细粉、子合金细粉进行混合，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；所述的工艺二包括下述步骤：将母合金氢破粉、子合金氢破粉进行混合，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；所述的工艺三包括下述步骤：将母合金片、子合金片进行混合，氢破，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料。
3.如权利要求2所述的R‑T‑B系永磁材料，其特征在于，以重量百分比计，所述的R‑T‑B系永磁材料的组分如下任一所述：其中数字的单位为wt.%；
和/或，所述的子合金与所述的母合金的质量比为（3.6：96.4）（3.7：96.3）；
和/或，以重量百分比计，所述的母合金的组分如下任一所述其中数字的单位为wt.%；
和/或，当所述的双合金工艺为工艺一、工艺二或工艺三时，所述的工艺一、工艺二或工艺三的参数如下所述：
所述的工艺一中，所述的母合金细粉的D50粒径为3.6‑4.5μm；所述的母合金细粉按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得母合金细粉；所述的o o
熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率为2‑4C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方式为撵滚；所述的粗破碎后的D50粒径小于~
10mm；所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；所述的氢破后、制粉前，还加入磁粉保护剂；所~
述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；所述的制粉为气流磨粉碎；所述的气流磨粉碎时的~
环境为含氧量为120ppm 150ppm；所述的子合金细粉的D50粒径为3.2‑3.5μm；所述的子合金~
细粉按照下述方法制得：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得子合金细o o
粉；所述的熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率为2‑4 C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方式为撵滚；所述的粗破碎后的D50~
粒径小于10mm；所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；所述的氢破后、制粉前，还加入磁粉~
保护剂；所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；所述的制粉为气流磨粉碎；所述的气流~
磨粉碎时的环境为含氧量为120ppm 150ppm；所述的成型方式为磁场成型法或热压热变形~
法；所述的烧结为两次烧结，初次烧结时的温度为1070C，第二次烧结时的温度为1080C；初次烧结时的时间为2小时，第二次烧结时的时间为10小时；所述的时效处理为两次时效处o o
理，初次时效处理时的温度为820C，第二次时效处理时的温度为420C；初次时效处理时的时间为4小时，第二次时效处理时的时间为6小时；
所述的工艺二中，所述的母合金氢破粉按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔o
炼、粗破碎、氢破，制得母合金氢破粉；所述的熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率o
为2‑4C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方~ o o
式为撵滚；所述的粗破碎后的D50粒径小于10mm；所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；所~
述的氢破后、制粉前，还加入磁粉保护剂；所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；所述的~
子合金氢破粉按照下述方法制得：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得子合金o o
氢破粉；所述的熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率为2‑4C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方式为撵滚；所述的粗破碎后的~
D50粒径小于10mm；所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；所述的氢破后、制粉前，还加入磁~
粉保护剂；所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；所述的制粉为气流磨粉碎；所述的气~
流磨粉碎时的环境为含氧量为120ppm 150ppm；所述的成型方式为磁场成型法或热压热变~
形法；所述的烧结为两次烧结，初次烧结时的温度为1070C，第二次烧结时的温度为1080C；
初次烧结时的时间为2小时，第二次烧结时的时间为10小时；所述的时效处理为两次时效处o o
理，初次时效处理时的温度为820C，第二次时效处理时的温度为420C；初次时效处理时的时间为4小时，第二次时效处理时的时间为6小时；
所述的工艺三中，所述的母合金片按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔炼、粗o o
破碎，制得母合金片；所述的熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率为2‑4C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方式为撵滚；所述的~
粗破碎后的D50粒径小于10mm；所述的子合金片按照下述方法制得：将子合金的各组分进行o o
熔炼、粗破碎，制得子合金片；所述的熔炼的温度为1700C；所述的熔炼的升温速率为2‑4 C /min；所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；所述的粗破碎的方式为撵~
滚；所述的粗破碎后的D50粒径小于10mm；所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；所述的氢~
破后、制粉前，还加入磁粉保护剂；所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；所述的制粉为~
气流磨粉碎；所述的气流磨粉碎时的环境为含氧量为120ppm 150ppm；所述的成型方式为磁~
场成型法或热压热变形法；所述的烧结为两次烧结，初次烧结时的温度为1070C，第二次烧o
结时的温度为1080 C；初次烧结时的时间为2小时，第二次烧结时的时间为10小时；所述的o
时效处理为两次时效处理，初次时效处理时的温度为820 C，第二次时效处理时的温度为o
420C；初次时效处理时的时间为4小时，第二次时效处理时的时间为6小时。
4.一种R‑T‑B系永磁材料的制备方法，其特征在于，其为工艺一、工艺二或工艺三；
所述的工艺一包括下述步骤：将母合金细粉、子合金细粉进行混合，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
所述的工艺二包括下述步骤：将母合金氢破粉、子合金氢破粉进行混合，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
所述的工艺三包括下述步骤：将母合金片、子合金片进行混合，氢破，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
以重量百分比计，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片包括下述组分：H H
R：30.41 wt% 30.53 wt%；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素R ，所述的R的~
所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片包含Fe，所述的Fe的含量为66.63 wt%~
以重量百分比计，所述的子合金细粉、子合金氢破粉或子合金片包括下述组分：Dy：61.72 wt%；
“所述的子合金细粉与所述的母合金细粉的质量比”、“所述的子合金氢破粉与所述的母合金氢破粉的质量比”或“所述的子合金片与所述的母合金片的质量比”为（3：97）（4：~
5.如权利要求4所述的R‑T‑B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的工艺一中，所述的母合金细粉的D50粒径为3.6‑4.5μm；
和/或，所述的工艺一中，所述的母合金细粉按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得母合金细粉；
和/或，所述的工艺一中，所述的子合金细粉的D50粒径为3.2‑3.5μm；
和/或，所述的工艺一中，所述的子合金细粉按照下述方法制得：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得子合金细粉；
和/或，所述的工艺二中，所述的母合金氢破粉按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得母合金氢破粉；
和/或，所述的工艺二中，所述的子合金氢破粉按照下述方法制得：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得子合金氢破粉；
和/或，所述的工艺三中，所述的母合金片按照下述方法制得：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得母合金片；
和/或，所述的工艺三中，所述的子合金片按照下述方法制得：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得子合金片；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的成型的方式为磁场成型法或热压热变形法；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的烧结为两次烧结；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的时效处理为两次时效处理；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R的含量为30.43 wt%~
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R为Nd和R；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Nd的含量为26.73 wt%
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R的含量为1.19 wt%~
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R为Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Al的含量为0.87 wt%~
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Cu的含量为0.34 wt%~
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Co的含量为0.02 wt%~
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Zr的含量为0.04 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的B的含量为0.99 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Cu和所述的Al的总含量为0.85 wt% 1.44 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片里，C＜1000ppm；
和/或，所述的子合金细粉、子合金氢破粉或子合金片由所述的Dy、所述的Cu、所述的Co、所述的Al和所述的Zr组成；
和/或，所述的子合金与所述的母合金的质量比为（3.5：96.5）（3.8：96.2）；
和/或，R‑T‑B系永磁材料中的Dy元素沿着主相周围分布；
和/或，所述的R‑T‑B系永磁材料如权利要求1 3中任一项所述；
6.如权利要求5所述的R‑T‑B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的工艺一、工艺o
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的熔炼的升温速率为2‑4C /min；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.60 mm；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的粗破碎的方式为撵滚；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的粗破碎后的D50粒径小于10mm；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的氢破后、制粉前，还加入磁粉保护剂；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的制粉为气流磨粉碎；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的气流磨粉碎时的环境为含氧量为
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的o o
温度为1070C，第二次烧结时的温度为1080C；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间为2小时，第二次烧结时的时间为10小时；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的时效处理为两次时效处理时，初次o o o o
时效处理时的温度为820C 960C，第二次时效处理时的温度为420C 630C；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间为2小时 5小时，第二次时效处理时的时间为3小时 7小时；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R的含量为30.49 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Nd的含量为29.21 wt%
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R的含量为1.21 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R为（1）Dy；（2）Dy和Tb；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的R包含Dy时，所述的Dy的含量为0.44 wt% 1.37 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的R包含Tb时，所述的Tb的含量为0.25 wt% 0.76 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的R包含Gd时，所述的Gd的含量为0.84 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的R包含Ho时，所述的Ho的含量为1.49 wt%和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Cu和所述的Al的总含量为1.21 wt% 1.43 wt%；
和/或，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Co、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成，或者，由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成；
和/或，所述的子合金与所述的母合金的质量比为（3.6：96.4）（3.7：96.3）；
和/或，R‑T‑B系永磁材料中的Dy元素在主相周围形成一层富Dy的壳层结构。
7.如权利要求6所述的R‑T‑B系永磁材料的制备方法，其特征在于，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的熔炼后获得的合金片的厚度为
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 wt.%；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，所述的气流磨粉碎时的环境为含氧量为
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的时效处理为两次时效处理时，初次o o
时效处理时的温度为840C，第二次时效处理时的温度为460C；
和/或，所述的工艺一、工艺二或工艺三中，当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间为4小时，第二次时效处理时的时间为6小时；
和/或，以重量百分比计，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片的组分如下任一所述：
8.一种R‑T‑B系永磁材料，其按照如权利要求4 7所述的R‑T‑B系永磁材料的制备方法~
9.一种用于制备如权利要求1所述的R‑T‑B系永磁材料的子合金，其特征在于，以重量百分比计，其包括下述组分：Dy：61.72 wt%；
10.如权利要求9所述的子合金，其特征在于，所述的子合金为合金片、氢破粉或细粉；
和/或，所述的子合金的制备方法为下述任一方法：方法1：将各组分混合，即可；
方法5：将各组分混合，熔炼，粗破碎，氢破，制粉，即可。
11.如权利要求10所述的子合金，其特征在于，以重量百分比计，所述的熔炼的温度为o
和/或，所述的熔炼的升温速率为2‑4C /min；
和/或，所述的熔炼后获得的合金片的厚度为0.12 mm 0.25 mm；
和/或，所述的氢破的脱氢温度为580C 680C；
和/或，所述的氢破后、制粉前，还加入磁粉保护剂；所述的磁粉保护剂为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#；所述的磁粉保护剂的用量为混合后总质量的0.08 wt.% 0.12 ~
12.如权利要求11所述的子合金，其特征在于，所述的气流磨粉碎时的环境为含氧量为
一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法。
背景技术
[0002] R‑T‑B系烧结磁体由Sagawa等人于1982年发现，因其极高的综合性能而广泛地应用于电机行业、医疗器械、风力发电、电动汽车、航空航天等诸多领域，是目前市场上应用前
景最好的永磁材料。
[0003] 近年来，随着电动汽车和风能发电等产业的快速发展，如何提高烧结钕铁硼磁体的热稳定性成为行业研究领域的主要问题。
[0004] 长期以来，广泛应用提升磁体高温磁性能的方法是大幅提高其矫顽力，向合金中掺杂Dy或Tb等重稀土，用来取代主相Nd2Fe14B中的Nd，形成Dy2Fe14B或Tb2Fe14B而提高各向异
性场，可以很好地改善磁体的矫顽力及其温度稳定性。但是由于Dy或Tb与Fe发生反铁磁耦
合作用，因此，这种方法使磁体因剩磁的下降而损失部分磁能积。
[0005] 因此，如何在提高磁体矫顽力的基础上保证磁体的剩磁，是本领域亟待解决的技术问题。
发明内容
[0006] 本发明所要解决的技术问题在于克服现有的R‑T‑B系永磁材料耐高温性能差，受热后磁性能衰减明显等缺陷，而提供了一种R‑T‑B系永磁材料及其制备方法，该永磁材料耐
高温性能好，受热后磁性能衰减较小。
[0007] 本发明提供了一种R‑T‑B系永磁材料，以重量百分比计，其包括下述组分：
[0008] R：28.5wt％～33.57wt％；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素RH，所述的H
R的含量为0.5wt％～12.0wt％；
[0009] Al：≥0.01wt％；
[0010] Cu：0.05wt％～1.0wt％；
[0011] Co：0wt％～2.5wt％；
[0012] Ga：0.05wt％～1.0wt％；
[0013] Zr：0wt％～0.7wt％；
[0014] B：0.88wt％～1.2wt％；
[0015] 所述的Cu和所述的Al的总含量≥0.65wt％；
[0016] 所述的R‑T‑B系永磁材料采用双合金(即子母合金)工艺制备，其中，子合金与母合金的质量比为(3：97)～(4：96)；以重量百分比计，所述的子合金包括下述组分：
[0017] Dy：61.72wt％；
[0018] Cu：1.40wt％；
[0019] Co：30.96wt％；
[0020] Al：0.90wt％；
[0021] Zr：5.02wt％。
[0022] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料的组分种类、组分含量、制备方法等参数可如下所述，未涉及的参数如其他任一方案所述(以下简称“在某一方案中”)：所述的R的含
量可为31.57wt％～33.57wt％，又可为31.60wt％、31.66wt％、31.67wt％或31.72wt％。
[0023] 在某一方案中，所述的R还可包含Pr。
[0024] 在某一方案中，当所述的R包含Pr时，所述的Pr的含量可为0.01wt％～10wt％。
[0025] 在某一方案中，所述的R为(1)Nd和RH；或(2)Pr、Nd和RH。
[0026] 在某一方案中，所述的Nd的含量可为24.10wt％～30.50wt％，又可为25.79wt％～28.24wt％，还可为28.14wt％、28.19wt％或28.20wt％。
[0027] 在某一方案中，所述的RH的含量可为2.45wt％～6.00wt％，又可为3.45wt％～5.78wt％，还可为3.46wt％～3.48wt％。
[0028] 在某一方案中，所述的RH可为Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种，又可为(1)Dy；(2)Dy和Tb；或(3)Dy、Gd和Ho。
[0029] 在某一方案中，当所述的RH包含Dy和Tb时，所述的(Dy+Tb)/R可为10.92wt％～18.31wt％，又可为10.93wt％～10.98wt％。
[0030] 在某一方案中，当所述的RH包含Dy和Tb时，所述的(Dy+Tb)/R可为9.86at％～10.14at％。
[0031] 在某一方案中，当所述的RH包含Dy时，所述的Dy的含量可为2.73wt％～3.53wt％，又可为3.23wt％～3.24wt％。
[0032] 在某一方案中，当所述的RH包含Tb时，所述的Tb的含量可为0.24wt％～0.73wt％。
[0033] 在某一方案中，当所述的RH包含Gd时，所述的Gd的含量可为0.81wt％。
[0034] 在某一方案中，当所述的RH包含Ho时，所述的Ho的含量可为1.44wt％。
[0035] 在某一方案中，所述的Al的含量可为≤2.0wt％。
[0036] 在某一方案中，所述的Al的含量可为0.78wt％～1.16wt％，又可为0.91wt％～1.03wt％。
[0037] 在某一方案中，所述的Cu的含量可为≤0.6wt％。
[0038] 在某一方案中，所述的Cu的含量可为0.15wt％～0.49wt％，又可为0.16wt％～0.39wt％。
[0039] 在某一方案中，所述的Co的含量可为1.15wt％～1.17wt％。
[0040] 在某一方案中，所述的Ga的含量可为0.17wt％～0.59wt％。
[0041] 在某一方案中，所述的Zr的含量可为0.22wt％。
[0042] 在某一方案中，所述的B的含量可为0.95wt％～0.96wt％。
[0043] 在某一方案中，所述的Cu和所述的Al的总含量可为0.93wt％～1.52wt％，又可为1.29wt％、1.31wt％或1.42wt％。
[0044] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料中的T可包含Fe。
[0045] 在某一方案中，当所述的R‑T‑B系永磁材料中的T可包含Fe时，所述的Fe的含量可为64.18wt％～65.01wt％，又可为64.30wt％、64.31wt％、64.40wt％或64.44wt％。
[0046] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料可由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Co、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成。
[0047] 所述的R‑T‑B系永磁材料可含有不可避免的杂质，例如碳元素。
[0048] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料里，C＜1000ppm。
[0049] 在某一方案中，以重量百分比计，所述的R‑T‑B系永磁材料的组分如下任一所述：
[0050] 编号 Nd B Fe Dy Tb Gd Ho Cu Co Al Zr Ga1 25.79 0.95 65.01 3.53 0.00 0.81 1.44 0.15 1.15 0.78 0.22 0.17
2 28.24 0.959 64.441 3.24 0.243 0.00 0.00 0.156 1.172 1.155 0.223 0.171
3 28.204 0.958 64.398 2.731 0.728 0.00 0.00 0.388 1.17 1.03 0.223 0.17
4 28.189 0.957 64.299 3.234 0.243 0.00 0.00 0.485 1.17 1.03 0.223 0.17
5 28.143 0.956 64.182 2.725 0.727 0.00 0.00 0.387 1.168 0.905 0.222 0.585
6 28.2 0.958 64.306 2.73 0.728 0.00 0.00 0.485 1.17 1.03 0.223 0.17
[0051] 其中数字的单位为wt.％。
[0052] 在某一方案中，R‑T‑B系永磁材料中的Dy元素沿着主相(Nd2Fe14B)周围分布。
[0053] 在某一方案中，R‑T‑B系永磁材料中的Dy元素在主相(Nd2Fe14B)周围形成一层富Dy的壳层结构。
[0054] 在某一方案中，R‑T‑B系永磁材料中的Dy元素沿着主相周围分布，并在其周围形成一层富Dy的壳层结构。
[0055] 在某一方案中，R‑T‑B系永磁材料对Dy的EPMA元素分布图如图1所示。
[0056] 在某一方案中，所述的子合金与所述的母合金的质量比可为(3.5：96.5)～(3.8：96.2)，又可为(3.6：96.4)～(3.7：96.3)。
[0057] 在某一方案中，所述的子合金可由所述的Dy、所述的Cu、所述的Co、所述的Al和所述的Zr组成。
[0058] 本领域技术人员能够结合R‑T‑B系永磁材料的各组分、子合金的各组分以及“子合金和母合金之间的比例”，计算获得母合金的各组分。
[0059] 在某一方案中，以重量百分比计，所述的母合金的组分如下任一所述
[0060]编号 Nd B Fe Dy Tb Gd Ho Cu Co Al Zr Ga
1 26.73 0.98 67.37 1.37 0 0.84 1.49 0.1 0.05 0.75 0.04 0.18
2 29.36 1.0 66.99 0.89 0.25 0 0 0.1 0 1.12 0.03 0.18
3 29.29 0.99 66.87 0.45 0.76 0 0 0.34 0.02 1.0 0.04 0.18
4 29.21 0.99 66.63 1.07 0.25 0 0 0.44 0.09 1.0 0.05 0.18
5 29.22 0.99 66.65 0.44 0.75 0 0 0.34 0.02 0.87 0.04 0.61
6 29.28 0.99 66.78 0.45 0.76 0 0 0.43 0.02 1.0 0.04 0.18
[0061] 其中数字的单位为wt.％。
[0062] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料可为方片或圆片。
[0063] 在某一方案中，所述的Al的含量≥0.55wt％。
[0064] 在某一方案中，当所述RH包含Dy、Tb和Ho时，(Dy+Tb+Ho)/R＜10％at。
[0065] 在某一方案中，B≥0.955wt％。
[0066] 在某一方案中，Tb＞0.01at％。
[0067] 在某一方案中，C＜1000ppm。
[0068] 在某一方案中，Zr的含量为0.15wt％～0.25wt％。
[0069] 在某一方案中，所述Ga的含量为0.05wt％～0.8wt％。
[0070] 所述的双合金工艺可为本领域常规的双合金工艺，例如工艺一、工艺二或工艺三；
[0071] 所述的工艺一包括下述步骤：将母合金细粉、子合金细粉进行混合，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
[0072] 所述的工艺二包括下述步骤：将母合金氢破粉、子合金氢破粉进行混合，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
[0073] 所述的工艺三包括下述步骤：将母合金片、子合金片进行混合，氢破，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料。
[0074] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的母合金细粉的D50粒径可为3.6‑4.5μm。
[0075] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的母合金细粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得母合金细粉。
[0076] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0077] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0078] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0079] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0080] 在某一方案中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0081] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的子合金细粉的D50粒径可为3.2‑3.5μm。
[0082] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的子合金细粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得子合金细粉。
[0083] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0084] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0085] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0086] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0087] 在某一方案中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0088] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0089] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0090] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0091] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的母合金氢破粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得母合金氢破粉。
[0092] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0093] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0094] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0095] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0096] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的子合金氢破粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得子合金氢破粉。
[0097] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0098] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0099] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0100] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0101] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0102] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0103] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0104] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0105] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的母合金片可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得母合金片。
[0106] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0107] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0108] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的子合金片可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得子合金片。
[0109] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0110] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0111] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0112] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0113] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0114] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0115] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0116] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0117] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料的制备方法，其为工艺一、工艺二或工艺三；
[0118] 所述的工艺一包括下述步骤：将母合金细粉、子合金细粉进行混合，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
[0119] 所述的工艺二包括下述步骤：将母合金氢破粉、子合金氢破粉进行混合，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
[0120] 所述的工艺三包括下述步骤：将母合金片、子合金片进行混合，氢破，制粉，成型，烧结，时效处理，制得R‑T‑B系永磁材料；
[0121] 以重量百分比计，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片包括下述组分：
[0122] R：30.41wt％～30.53wt％；所述的R为稀土元素，其包含Nd和重稀土元素RH，所述H
的R的含量为1.14wt％～3.70wt％；
[0123] Al：0.75wt％～1.12wt％；
[0124] Cu：0.10wt％～0.44wt％；
[0125] Co：0wt％～0.09wt％；
[0126] Ga：0.18wt％～0.61wt％；
[0127] Zr：0.03wt％～0.05wt％；
[0128] B：0.98wt％～1.00wt％；
[0129] 以重量百分比计，所述的子合金细粉、子合金氢破粉或子合金片包括下述组分：
[0130] Dy：61.72wt％；
[0131] Cu：1.40wt％；
[0132] Co：30.96wt％；
[0133] Al：0.90wt％；
[0134] Zr：5.02wt％；
[0135] “所述的子合金细粉与所述的母合金细粉的质量比”、“所述的子合金氢破粉与所述的母合金氢破粉的质量比”或“所述的子合金片与所述的母合金片的质量比”为(3：97)～
(4：96)。
[0136] 在某一方案中，所述的制备方法中的某些参数可如下所述，未涉及的参数如其他任一方案所述(以下简称“在某一方案中”)：所述的工艺一中，所述的母合金细粉的D50粒径
可为3.6‑4.5μm。
[0137] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的母合金细粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得母合金细粉。
[0138] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0139] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0140] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0141] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0142] 在某一方案中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0143] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的子合金细粉的D50粒径可为3.2‑3.5μm。
[0144] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的子合金细粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破、制粉，制得子合金细粉。
[0145] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0146] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0147] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0148] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0149] 在某一方案中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0150] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0151] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0152] 在某一方案中，所述的工艺一中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0153] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的母合金氢破粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得母合金氢破粉。
[0154] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0155] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0156] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0157] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0158] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的子合金氢破粉可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎、氢破，制得子合金氢破粉。
[0159] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0160] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0161] 在某一方案中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0162] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0163] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0164] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0165] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0166] 在某一方案中，所述的工艺二中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0167] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的母合金片可按照本领域的常规方法制得，例如：将母合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得母合金片。
[0168] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0169] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0170] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的子合金片可按照本领域的常规方法制得，例如：将子合金的各组分进行熔炼、粗破碎，制得子合金片。
[0171] 在某一方案中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金片的厚
度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0172] 在某一方案中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0173] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0174] 在某一方案中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢破粉和
磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0175] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0176] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的成型可为本领域双合金工艺中常规的成型。所述的成型方式可为磁场成型法或热压热变形法。
[0177] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的烧结可为本领域双合金工艺中常规的烧结。所述的烧结可为两次烧结。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的温度可为1070
℃，第二次烧结时的温度可为1080℃。当所述的烧结为两次烧结时，初次烧结时的时间可为
2小时，第二次烧结时的时间可为10小时。
[0178] 在某一方案中，所述的工艺三中，所述的时效处理可为本领域双合金工艺中常规的时效处理。所述的时效处理可为两次时效处理。当所述的时效处理为两次时效处理时，初
次时效处理时的温度可为820℃～960℃(例如840℃)，第二次时效处理时的温度可为420℃
～630℃(例如460℃)。当所述的时效处理为两次时效处理时，初次时效处理时的时间可为2
小时～5小时(例如4小时)，第二次时效处理时的时间可为3小时～7小时(例如6小时)。
[0179] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R的含量可为30.43wt％～30.50wt％，又可为30.49wt％。
[0180] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的R为Nd和H
R。
[0181] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Nd的含量可为26.73wt％～29.36wt％，又可为29.21wt％～29.29wt％，还可为29.22wt％～
29.28wt％。
[0182] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的RH的含量可为1.19wt％～1.32wt％，又可为1.21wt％。
[0183] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的RH可为Dy、Tb、Gd和Ho中的一种或多种，又可为(1)Dy；(2)Dy和Tb；或(3)Dy、Gd和Ho。
[0184] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的RH包含Dy时，所述的Dy的含量可为0.44wt％～1.37wt％，又可为0.45wt％～1.07wt％，还可为
0.89wt％。
[0185] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的RH包含Tb时，所述的Tb的含量可为0.25wt％～0.76wt％，又可为0.75wt％。
[0186] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的RH包含Gd时，所述的Gd的含量可为0.84wt％。
[0187] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，当所述的RH包含Ho时，所述的Ho的含量可为1.49wt％。
[0188] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Al的含量可为0.87wt％～1.00wt％。
[0189] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Cu的含量可为0.34wt％～0.43wt％。
[0190] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Co的含量可为0.02wt％～0.05wt％。
[0191] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Zr的含量可为0.04wt％。
[0192] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的B的含量可为0.99wt％。
[0193] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片中，所述的Cu和所述的Al的总含量可为0.85wt％～1.44wt％，又可为1.21wt％～1.43wt％，还可为1.22wt％～
1.34wt％。
[0194] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片还可包含Fe。
[0195] 在某一方案中，当所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片还包含Fe时，所述的Fe的含量可为66.63wt％～67.37wt％，又可为66.65wt％～66.99wt％，还可为66.78wt％
～66.87wt％。
[0196] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片可由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Co、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成。
[0197] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片可由所述的R、所述的Al、所述的Cu、所述的Ga、所述的Zr、所述的B和所述的Fe组成。
[0198] 所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片可含有不可避免的杂质，例如碳元素。
[0199] 在某一方案中，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片里，C＜1000ppm。
[0200] 在某一方案中，以重量百分比计，所述的母合金细粉、母合金氢破粉或母合金片的组分如下任一所述
[0201]编号 Nd B Fe Dy Tb Gd Ho Cu Co Al Zr Ga
1 26.73 0.98 67.37 1.37 0 0.84 1.49 0.1 0.05 0.75 0.04 0.18
2 29.36 1.0 66.99 0.89 0.25 0 0 0.1 0 1.12 0.03 0.18
3 29.29 0.99 66.87 0.45 0.76 0 0 0.34 0.02 1.0 0.04 0.18
4 29.21 0.99 66.63 1.07 0.25 0 0 0.44 0.09 1.0 0.05 0.18
5 29.22 0.99 66.65 0.44 0.75 0 0 0.34 0.02 0.87 0.04 0.61
6 29.28 0.99 66.78 0.45 0.76 0 0 0.43 0.02 1.0 0.04 0.18
[0202] 其中数字的单位为wt.％。
[0203] 在某一方案中，所述的子合金细粉、子合金氢破粉或子合金片可由所述的Dy、所述的Cu、所述的Co、所述的Al和所述的Zr组成。
[0204] 在某一方案中，所述的子合金与所述的母合金的质量比可为(3.5：96.5)～(3.8：96.2)，又可为(3.6：96.4)～(3.7：96.3)。
[0205] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料可如上所述。
[0206] 在某一方案中，所述的R‑T‑B系永磁材料可为方片或圆片。
[0207] 本发明还提供了一种R‑T‑B系永磁材料，其按照上述的R‑T‑B系永磁材料得制备方法制得。
[0208] 本发明还提供了一种用于制备R‑T‑B系永磁材料的组合物，以重量百分比计，其包括下述组分：
[0209] Dy：61.72wt％；
[0210] Cu：1.40wt％；
[0211] Co：30.96wt％；
[0212] Al：0.90wt％；
[0213] Zr：5.02wt％。
[0214] 所述的组合物的制备方法可为下述任一方法：
[0215] 方法1：将各组分混合，即可；
[0216] 方法2：将各组分混合，熔炼，即可；
[0217] 方法3：将各组分混合，熔炼，粗破碎，即可；
[0218] 方法4：将各组分混合，熔炼，粗破碎，氢破，即可；
[0219] 方法5：将各组分混合，熔炼，粗破碎，氢破，制粉，即可。
[0220] 在所述的方法2～5中，所述的熔炼可为本领域双合金工艺中常规的熔炼。所述的熔炼的温度可为1700℃。所述的熔炼的升温速率可为2‑4℃/min。所述的熔炼后获得的合金
片的厚度可为0.12mm～0.60mm，又可为0.12mm～0.25mm，还可为0.20mm。
[0221] 在所述的方法3～5中，所述的粗破碎可为本领域双合金工艺中常规的粗破碎。所述的粗破碎的方式可为撵滚。所述的粗破碎后的D50粒径可小于10mm。
[0222] 在所述的方法4～5中，所述的氢破可为本领域双合金工艺中常规的氢破。所述的氢破的脱氢温度可为580℃～680℃。
[0223] 在所述的方法4～5中，所述的氢破后、制粉前，还可加入磁粉保护剂。所述的磁粉保护剂可为天津市悦圣新材料研究所的磁粉保护剂3#。所述的磁粉保护剂的用量可为(氢
破粉和磁粉保护剂)混合后总质量的0.08wt.％～0.12wt.％。
[0224] 在所述的方法5中，所述的制粉可为气流磨粉碎。所述的气流磨粉碎时的环境可为含氧量为10ppm～150ppm的氮气下，又可为120ppm～150ppm。
[0225] 在所述的方法5中，所述的制粉后的D50粒径可为3.2‑3.5μm。
[0226] 如无特别说明，权利要求书和说明书中的wt.％具有如下含义：
[0227] 1、原料配方中的wt.％是指某元素相对于所有原料之和的百分比；
[0228] 2、所得材料的元素分析中的wt.％一般是指某元素相对于产品质量的百分比，ICP‑OES测出的数据(某元素相对于所有ICP‑OES测出的元素之和的百分比)与之接近。
[0229] 在不违背本领域常识的基础上，上述各优选条件，可任意组合，即得本发明各较佳实例。
[0230] 本发明所用试剂和原料均市售可得。
[0231] 本发明的积极进步效果在于：该永磁材料耐高温性能好，受热后磁性能衰减较小。
附图说明
[0232] 图1为实施例1制得的材料的EPMA图片分析元素分布图。
具体实施方式
[0233] 下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，按照常规方法和条件，或按照商
品说明书选择。
[0234] 实施例
[0235] 表1母合金成分配比(wt％)
[0236] 编号 Nd B Fe Dy Tb Gd Ho Cu Co Al Zr Ga实施例1的母合金 26.73 0.98 67.37 1.37 0 0.84 1.49 0.1 0.05 0.75 0.04 0.18
实施例2的母合金 29.36 1.0 66.99 0.89 0.25 0 0 0.1 0 1.12 0.03 0.18
实施例3的母合金 29.29 0.99 66.87 0.45 0.76 0 0 0.34 0.02 1.0 0.04 0.18
实施例4的母合金 29.21 0.99 66.63 1.07 0.25 0 0 0.44 0.09 1.0 0.05 0.18
实施例5的母合金 29.22 0.99 66.65 0.44 0.75 0 0 0.34 0.02 0.87 0.04 0.61
实施例6的母合金 29.28 0.99 66.78 0.45 0.76 0 0 0.43 0.02 1.0 0.04 0.18
[0237] 表2子合金成分配比(wt％)
[0238]编号 Dy Cu Co Al Zr B Fe
实施例1～6的子合金 61.72 1.40 30.96 0.90 5.02 0 0
对比子合金1 60 1 0 1 5.5 0.5 32
对比子合金2 70 2 0 2 6 0.2 19.8
对比子合金3 58 1 10 1 5 0 25
[0239] 表3母合金、子合金组成配比
[0240] 编号 母合金：子合金(质量比例)实施例1 96.5：3.5
实施例2 96.2：3.8
实施例3 96.3：3.7
实施例4 96.5：3.5
实施例5 96.3：3.7
实施例6 96.3：3.7
[0241] 以表1～3所示的配方为原料，采用下述的制备工艺，制备实施例1～6的材料：
[0242] (1)按表1中所示母合金原料比例，制得速凝薄片；将母合金的速凝薄片经吸氢破碎和微粉碎制成D50粒径为3.6‑4.5μm的细粉；
[0243] (2)按表2中所示子合金原料比例，在1700℃条件下熔炼，熔炼过程升温速率为2‑4℃/min，在1530℃条件下浇铸，浇铸过程中，铜辊需通入冷冻水，其出水温度≤29℃，按33
转/分的转速，制得0.12‑0.25mm厚度的速凝合金片；
[0244] 将速凝片平铺于钢筛中，用撵滚将合金片进行粗破碎至D50粒径≤10mm；
[0245] 将粗破碎的颗粒进行吸氢破碎，并在680℃脱氢，获得D50粒径为1‑4mm的粉体，在所得氢破粉中加入磁粉保护剂(天津市悦圣新材料研究所3#，添加量0.08‑0.12wt％)，在三
维混料机中混合2小时；将所得的氢破粉进行气流磨粉碎进一步得到微小颗粒，气流磨粉碎
在含氧量为120‑150ppm的氮气气氛下进行，破碎粒度D50为3.2‑3.5μm；
[0246] (3)将步骤(1)中的母合金粉末、步骤(2)中的子合金粉末按表3中所示母合金和子合金的比例混合，用磁场成型法或热压热变形获得成型体；
[0247] (4)将步骤(3)中热处理后的成型体在真空或惰性气体中、1070℃的条件下进行预烧结2小时，之后，在真空或惰性气体中以1080℃的温度对成型体进行烧结，保温10小时，得
烧结体毛坯；
[0248] (5)将步骤(4)中的烧结体毛坯在820℃条件下进行4小时一级时效处理，在420℃条件下进行6小时二级时效处理，得到烧结磁体。
[0249] 对比例
[0250] 表1中“实施例2的母合金”与表2中“对比子合金1、对比子合金2或对比子合金3”按照96.2：3.8的质量比作为原料，采用实施例的制备方法，制得相应的烧结磁体。
[0251] 原料的成分配比如下所示：
[0252] 表4原料的成分配比(wt％)
[0253]
[0254]
[0255] 也即，使用对比子合金1、对比子合金2或对比子合金3替代实施例2中的子合金。
[0256] 效果实施例
[0257] (1)成分测定
[0258] 实施例1～6和对比例1～3的烧结磁体使用高频电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP‑OES)测定具体成分。成分检测结果如表5所示：
[0259] 表5
[0260]
[0261] (2)磁性能检测
[0262] 磁性能评价：烧结磁铁使用中国计量院的NIM‑10000H型BH大块稀土永磁无损测量系统进行磁性能检测。磁性能检测结果如表6和表7所示：
[0263] 表6
[0264]
[0265] 表7
[0266]
[0267] 使用对比子合金制备的烧结磁体的Br温度系数绝对值，明显高于使用本申请的子合金制备的烧结磁体的Br温度系数绝对值，且磁损较差。
[0268] (3)FE‑EPMA检测：对材料的垂直取向面进行抛光，采用场发射电子探针显微分析仪(FE‑EPMA，日本电子株式会社[JEOL]，8530F)检测。首先通过FE‑EPMA面扫描确定材料中
Dy等元素的分布，然后通过FE‑EPMA单点定量分析确定相中Dy等元素的含量，测试条件为加
速电压15kv，探针束流50nA。
[0269] 实施例1制得的材料进行FE‑EPMA检测，见图1。图1左侧的EDS背散射图中黑色部分是主相(Nd2Fe14B)，白色是富钕相，灰色是重稀土扩散到主相边沿。图1右侧是EPMA图片分析
元素分布情况，从图中可以明显看出Dy元素沿着主相周围分布，并在其周围形成一层富Dy
的壳层结构。
