充电电路

摘要

本公开涉及一种充电电路，该充电电路包括：恒压充电模块和恒流充电模块，恒压充电模块与恒流充电模块相连；恒压充电模块用于获取待充电装置的当前电压大小，并确定待充电装置的当前电压是否小于参考电压，在确定当前电压小于参考电压的情况下，产生用于指示恒流充电模块对待充电装置进行恒流充电的控制指令；恒流充电模块用于响应于控制指令，根据恒定充电电流对待充电装置进行恒流充电。如此，利用简单的LDO结构即可实现对待充电装置的充电终止电压精确可控，达到充分利用待充电装置容量而不过冲的目的。并且，实现了充电电流可控的目的，进而可以有效避免充电初期电流过大从而导致的待充电装置内部温度过高影响寿命的问题。

权利要求

1.一种充电电路，其特征在于，包括：恒压充电模块和恒流充电模块，其中，所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连；

所述恒压充电模块，用于获取待充电装置的当前电压大小，并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压，在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下，产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令；

所述恒流充电模块，用于响应于所述控制指令，根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电；

所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路，其中，所述比较单元和所述分流支路相连，所述分流支路与所述待充电装置并联；

所述比较单元为运算放大器，所述分流支路为第一N型MOS管；

其中，所述运算放大器的同相输入端连接所述待充电装置的电压输入端，以获取所述待充电装置的当前电压，所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取所述待充电装置的参考电压；

所述第一N型MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连，所述第一N型MOS管的漏极与所述恒流充电模块相连，所述第一N型MOS管的源极接地；

所述运算放大器，还用于在确定所述当前电压大于或等于所述参考电压的情况下，控制所述第一N型MOS管导通，以通过所述第一N型MOS管对所述恒定充电电流进行分流，其中，当所述第一N型MOS管导通时，所述第一N型MOS管流经的电流逐渐增大，直至增大至所述恒定充电电流时结束充电；

所述恒流充电模块，还用于根据分流后的充电电流对所述待充电装置进行恒压充电。

2.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述运算放大器，用于确定所述待充电装置的当前电压是否小于所述参考电压，并在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下，控制所述第一N型MOS管断开，以由所述恒流充电模块根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。

3.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述恒流充电模块包括：供电电源、电流偏置电路、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第一P型MOS管和第二P型MOS管；

所述电流偏置电路的一端与所述供电电源相连，以产生所述恒定充电电流；

所述电流偏置电路的另一端分别与所述恒压充电模块、所述第二N型MOS管的漏极和栅极、以及所述第三N型MOS管的栅极相连；

所述第二N型MOS管的源极与所述第三N型MOS管的源极接地；

所述第三N型MOS管的漏极与所述第一P型MOS管的漏极和栅极、以及所述第二P型MOS管的栅极相连；

所述第一P型MOS管的源极和所述第二P型MOS管的源极均与所述供电电源相连；

所述第二P型MOS管的漏极与所述待充电装置相连，用于根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。

4.根据权利要求3所述的充电电路，其特征在于，在恒流充电阶段，所述待充电装置的目标充电电流为所述恒定充电电流与第一比例系数、第二比例系数的乘积，其中，所述第一比例系数为所述第三N型MOS管与第二N型MOS管的电流镜像比例系数，所述第二比例系数为所述第二P型MOS管与所述第一P型MOS管的电流镜像比例系数。

5.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述充电电路还包括：电压反馈模块，所述电压反馈模块与所述恒压充电模块相连；

所述电压反馈模块，用于与所述待充电装置相连，以产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号；

所述恒压充电模块，还用于根据所述电信号获取所述待充电装置的当前电压大小。

6.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻和电压检测装置，其中，所述电压检测装置与所述恒压充电模块相连；

其中，所述第一电阻的一端与所述待充电装置相连，另一端与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地；

所述电压检测装置用于检测所述第一电阻和/或所述第二电阻的电压，并根据所检测到的电压大小确定所述待充电装置的当前电压大小，并产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号。

7.根据权利要求5所述的充电电路，其特征在于，所述恒压充电模块包括运算放大器，所述电压反馈模块包括第一电阻和第二电阻；

其中，所述第一电阻的一端与所述待充电装置相连，另一端分别与所述运算放大器的同相输入端、所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地，所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取所述待充电装置的参考电压。

8.根据权利要求1所述的充电电路，其特征在于，所述参考电压小于所述待充电装置的额定电压。

说明书

充电电路

技术领域

[0001] 本公开涉及集成电路设计技术领域，具体地，涉及一种充电电路。

背景技术

[0002] 宽带电力线载波HPLC通信模块中，需要利用超级电容充放电管理机制来实现停电上报的功能。超级电容充电一般采用恒流(CC)恒压(CV)的充电方式，该方式在充电初期采用恒定的大电流充电，当电容电压达到预设充电终止电压时，此时充电电流减小至零，并维持预设充电终止电压不变，即从恒流模式转换到恒压模式。

[0003] 然而，在相关技术中仅能实现对待充电装置（例如超级电容）进行恒压充电。在相关技术中对待充电装置进行恒压充电时，需要增加专用的充电芯片，专用的充电芯片在过压时，起到保护的作用，但是这种芯片成本极高，且不能实现对待充电装置进行恒流充电的目的。

发明内容

[0004] 本公开的目的是提供一种充电电路，以解决相关技术中存在的问题。

[0005] 为了实现上述目的，本公开提供一种充电电路，包括：恒压充电模块和恒流充电模块，其中，所述恒压充电模块与所述恒流充电模块相连；

[0006] 所述恒压充电模块，用于获取待充电装置的当前电压大小，并确定所述待充电装置的当前电压是否小于参考电压，在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下，产生用于指示所述恒流充电模块对所述待充电装置进行恒流充电的控制指令；

[0007] 所述恒流充电模块，用于响应于所述控制指令，根据恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。

[0008] 可选地，所述恒压充电模块包括比较单元和分流支路，其中，所述比较单元和所述分流支路相连，所述分流支路与所述待充电装置并联；

[0009] 所述比较单元，用于确定所述待充电装置的当前电压是否小于所述参考电压，并在确定所述当前电压小于所述参考电压的情况下，控制所述分流支路断开，以由所述恒流充电模块根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。

[0010] 可选地，所述比较单元，还用于在确定所述当前电压大于或等于所述参考电压的情况下，控制所述分流支路导通，以通过所述分流支路对所述恒定充电电流进行分流；

[0011] 所述恒流充电模块，还用于根据分流后的充电电流对所述待充电装置进行恒压充电。

[0012] 可选地，所述比较单元为运算放大器，所述分流支路为第一N型MOS管；

[0013] 其中，所述运算放大器的同相输入端连接所述待充电装置的电压输入端，以获取所述待充电装置的当前电压，所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取所述待充电装置的参考电压；

[0014] 所述第一N型MOS管的栅极与所述运算放大器的输出端相连，所述第一N型MOS管的漏极与所述恒流充电模块相连，所述第一N型MOS管的源极接地。

[0015] 可选地，所述恒流充电模块包括：供电电源、电流偏置电路、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第一P型MOS管和第二P型MOS管；

[0016] 所述电流偏置电路的一端与所述供电电源相连，以产生所述恒定充电电流；

[0017] 所述电流偏置电路的另一端分别与所述恒压充电模块、所述第二N型MOS管的漏极和栅极、以及所述第三N型MOS管的栅极相连；

[0018] 所述第二N型MOS管的源极与所述第三N型MOS管的源极接地；

[0019] 所述第三N型MOS管的漏极与所述第一P型MOS管的漏极和栅极、以及所述第二P型MOS管的栅极相连；

[0020] 所述第一P型MOS管的源极和所述第二P型MOS管的源极均与所述供电电源相连；

[0021] 所述第二P型MOS管的漏极与所述待充电装置相连，用于根据所述恒定充电电流对所述待充电装置进行恒流充电。

[0022] 可选地，在恒流充电阶段，所述待充电装置的目标充电电流为所述恒定充电电流与第一比例系数、第二比例系数的乘积，其中，所述第一比例系数为所述第三N型MOS管与第二N型MOS管的电流镜像比例系数，所述第二比例系数为所述第二P型MOS管与所述第一P型MOS管的电流镜像比例系数。

[0023] 可选地，所述充电电路还包括：电压反馈模块，所述电压反馈模块与所述恒压充电模块相连；

[0024] 所述电压反馈模块，用于与所述待充电装置相连，以产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号；

[0025] 所述恒压充电模块，还用于根据所述电信号获取所述待充电装置的当前电压大小。

[0026] 可选地，所述电压反馈模块包括第一电阻、第二电阻和电压检测装置，其中，所述电压检测装置与所述恒压充电模块相连；

[0027] 其中，所述第一电阻的一端与所述待充电装置相连，另一端与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地；

[0028] 所述电压检测装置用于检测所述第一电阻和/或所述第二电阻的电压，并根据所检测到的电压确定所述待充电装置的当前电压大小，并产生用于表征所述待充电装置的当前电压大小的电信号。

[0029] 可选地，所述恒压充电模块包括运算放大器，所述电压反馈模块包括第一电阻和第二电阻；

[0030] 其中，所述第一电阻的一端与所述待充电装置相连，另一端分别与所述运算放大器的同相输入端、所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地，所述运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取所述待充电装置的参考电压。

[0031] 可选地，所述参考电压小于所述待充电装置的额定电压。

[0032] 通过上述技术方案，当待充电装置的当前电压小于参考电压时，根据恒定充电电流对待充电装置进行恒流充电。如此，利用简单的LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压器）结构即可实现对待充电装置的充电终止电压精确可控，达到充分利用待充电装置容量而不过冲的目的。并且，在恒流充电过程中，充电电流可以根据实际需求设置，实现了充电电流可控的目的，进而可以有效避免充电初期电流过大从而导致的待充电装置内部温度过高影响寿命的问题，延长了待充电装置的使用寿命。

[0033] 本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

[0034] 附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。

[0035] 图1是根据一示例性实施例示出的一种相关技术中充电电路的示意图。

[0036] 图2是根据一示例性实施例示出的一种充电电路的框图。

[0037] 图3是根据一示例性实施例示出的一种充电电路的示意图。

[0038] 图4是根据一示例性实施例示出的另一种充电电路的示意图。

具体实施方式

[0039] 以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

[0040] 相关技术中的充电电路包括：运算放大器、电压反馈模块、供电电源VDD、功率管MP。其中，电压反馈模块与超级电容Csuper并联，用于向运算放大器反馈超级电容Csuper的电压。示例地，图1是根据一示例性实施例示出的一种相关技术中充电电路的示意图。如图1所示，电压反馈模块包括第一电阻R1和第二电阻R2，且第一电阻R1的一端与超级电容Csuper相连，另一端分别与运算放大器的同相端、第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端接地。如此，运算放大器的同相端输入的电压VFB能够表征超级电容Csuper的充电电压，运算放大器的反相端输入的电压为参考电压VREF，运算放大器的输出端与功率管MP的栅极相连，功率管MP的源极与供电电源VDD相连，功率管MP的漏极与超级电容Csuper的一端相连，以使供电电源为超级电容Csuper充电，其充电电流为Ich。

[0041] 在图1中，VFB与超级电容Csuper的充电电压VC呈正比，两者之间的关系满足以下公式：VFB=（R2/（R1+R2））×VC，相应地，为了防止因超级电容Csuper的充电电压VC高于其额定电压而损坏的问题，在图1所示的充电电路中，上述参考电压VREF可以小于或等于超级电容Csuper的额定电压与R2/（R1+R2）的乘积。在VFB大于或等于VREF时，功率管MP不导通，此时，供电电源VDD停止对超级电容Csuper充电。在VFB小于VREF时，功率管MP导通，此时，供电电源VDD对超级电容Csuper进行充电。如此，通过该充电电路可以精准控制超级电容Csuper的充电终止电压。

[0042] 值得说明的是，还可以将超级电容Csuper的充电电压直接作为运算放大器的同相端输入电压，如此，上述参考电压VREF可以为超级电容Csuper的额定电压或者略小于额定电压的电压。本公开对此不作具体限定。

[0043] 但是，基于LDO结构直接利用供电电源对超级电容Csuper进行充电会产生以下问题：（1）仅能实现对超级电容的充电终止电压进行控制，而不能对其进行恒流充电。（2）在充电初期充电电流过大而会导致超级电容Csuper的内部温度过高从而影响电容寿命。（3）当超级电容Csuper的充电电压接近预设充电终止电压时，此时如果还以大电流充电，会导致超级电容Csuper内部温度过高而影响其容量特性。（4）当超级电容Csuper的充电电压接近预设充电终止电压时，此时如果还以大电流充电，还会出现瞬间的过冲现象，使充电电压超出超级电容Csuper的额定电压，从而会导致超级电容容量减小、寿命缩短的问题。

[0044] 鉴于此，本公开提供一种充电电路，以至少实现基于LDO结构对待充电装置进行恒流恒压充电。

[0045] 图2是根据一示例性实施例示出的一种充电电路的框图。如图2所示，该充电电路200可以包括恒压充电模块201和恒流充电模块202，其中，恒压充电模块201和恒流充电模块202相连。

[0046] 恒压充电模块201用于获取待充电装置300的当前电压大小，并确定待充电装置300的当前电压是否小于参考电压，在确定当前电压小于参考电压的情况下，产生用于指示恒流充电模块202对待充电装置300进行恒流充电的控制指令。其中，待充电装置300可以为超级电容、可充电电池、或者其他能够进行恒流恒压充电的任一装置。参考电压为预设电压，其可以是待充电装置的额定电压，或者略小于额定电压的电压。

[0047] 在一种可能的方式中，恒压充电模块201可以不与待充电装置300相连。在进行充电时，用户基于电压检测器件检测待充电装置300的电压大小，并将该电压大小发送至恒压充电模块201，以使恒压充电模块201获取到待充电装置300的当前电压大小。

[0048] 在另一种可能的方式中，恒压充电模块201可以与待充电装置300相连，用于获取待充电装置300的当前电压大小。例如，在电路中通过导线将恒压充电模块201与待充电装置300相连。

[0049] 恒压充电模块201在按照上述方式获取到待充电装置300的当前电压大小之后，根据待充电装置的当前电压与参考电压的大小关系，确定是否产生用于指示恒流充电模块202对待充电装置300进行恒流充电的控制指令。示例地，在待充电装置300的当前电压小于参考电压时产生用于指示恒流充电模块对待充电装置进行恒流充电的控制指令。在当前电压大于或等于参考电压时对待充电装置进行恒压充电。

[0050] 恒流充电模块202用于在恒压充电模块201确定产生控制指令的情况下，根据恒定充电电流对待充电装置300进行恒流充电。其中，恒定充电电流的大小可以是用户根据实际需求预先设置的。

[0051] 采用上述充电电路，当待充电装置的当前电压大于或等于参考电压时对待充电装置进行恒压充电，当待充电装置的当前电压小于参考电压时，根据恒定充电电流对待充电装置进行恒流充电。如此，利用简单的LDO结构即可实现对待充电装置的充电终止电压精确可控，达到充分利用待充电装置容量而不过冲的目的。并且，在恒流充电过程中，充电电流可以根据实际需求设置，实现了充电电流可控的目的，进而可以有效避免充电初期电流过大从而导致的待充电装置内部温度过高影响寿命的问题，延长了待充电装置的使用寿命。

[0052] 为了便于本领域技术人员更好的理解本公开所提供的充电电路，下面结合一个完整的实施例对该充电电路进行说明。

[0053] 图2中的恒压充电模块201可以包括比较单元和分流支路，其中，比较单元和分流支路相连，该分流支路与待充电装置并联。比较单元用于确定待充电装置的当前电压是否小于参考电压，并在确定当前电压小于参考电压的情况下，控制分流支路断开，以由恒流充电模块根据恒定充电电流对待充电装置进行恒流充电。以及，比较单元还用于在确定当前电压大于或等于参考电压的情况下，控制分流支路导通，以通过分流支路对恒定充电电流进行分流，相应地，恒流充电模块还用于根据分流后的充电电流对待充电装置进行恒压充电。值得说明的是，在分流支路导通的情况下，该分流支路中流经的电流大小并不是恒定的。在上述实施例中，用于指示恒流充电模块对待充电装置进行恒流充电的控制指令可以是用于指示断开分流支路的指令。

[0054] 示例地，上述比较单元为运算放大器，分流支路为第一N型MOS管。其中，运算放大器的同相输入端连接待充电装置的电压输入端，以获取待充电装置的当前电压，运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取待充电装置的参考电压。第一N型MOS管的栅极与运算放大器的输出端相连，第一N型MOS管的漏极与恒流充电模块相连，第一N型MOS管的源极接地。

[0055] 这样，当待充电装置的当前电压小于参考电压时第一N型MOS管MN1断开，此时不分流，恒流充电模块采用恒定充电电流对待充电装置进行充电。当待充电装置的当前电压大于或等于参考电压时第一N型MOS管MN1导通，恒定充电电流中的一部分电流经由第一N型MOS管MN1的漏极和源极流入地，以使恒流充电模块采用分流后充电电流对充电装置进行充电。

[0056] 如此，当待充电装置的当前电压小于参考电压时，利用恒定充电电流对待充电装置进行充电，可以提高充电效率。当待充电装置的当前电压接近参考电压时，导通分流支路以减小充电电流，既可以避免当待充电装置的当前电压接近参考电压时，此时如果还以大电流充电，会导致待充电装内部温度过高而影响其性能的问题，还可以避免当待充电装置的当前电压接近参考电压时，此时如果还以大电流充电，会出现瞬间的过冲现象，使充电电压超出额定电压，从而导致待充电装置容量减小、寿命缩短的问题。

[0057] 此外，还可以基于电压反馈模型203获取待充电装置的当前电压大小。示例地，该电压反馈模块203用于与待充电装置300相连，以产生用于表征待充电装置300的当前电压大小的电信号，该恒压充电模块201还用于根据电信号获取待充电装置的当前电压大小。

[0058] 在一种实施例中，该电压反馈模块203的一端与待充电装置的一端相连，另一端接地，这样，电压反馈模块203可以直接检测到待充电装置的当前电压大小，进而产生用于表征待充电装置的当前电压大小的电信号。

[0059] 在另一种实施例中，该电压反馈模块203可以包括第一电阻、第二电阻和电压检测装置。其中，电压检测装置与恒压充电模块相连，第一电阻的一端与待充电装置相连，另一端与第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端接地；电压检测装置用于检测第一电阻和/或第二电阻的电压，并根据所检测到的电压确定待充电装置的当前电压大小，并产生用于表征待充电装置的当前电压大小的电信号。

[0060] 示例地，当电压检测装置检测的是第一电阻或第二电阻的电压时，可以基于第一电阻的阻值、第二电阻的阻值、以及检测到的电压值，计算出第一电阻和第二电阻的电压之和，该电压之和即为待充电装置的当前电压。

[0061] 在又一种实施例中，在恒压充电模块201包括运算放大器的情况下，电压反馈模块203还可以仅包括第一电阻和第二电阻。其中，第一电阻的一端与待充电装置相连，另一端分别与运算放大器的同相输入端、第二电阻的一端相连，第二电阻的另一端接地，运算放大器的反相输入端连接参考电压端，以获取待充电装置的参考电压。

[0062] 值得说明的是，在该实施例中，运算放大器的同相输入端输入的电压为第二电阻两端的电压，该电压与待充电装置的电压呈正比，且两者之间的比值为R2/（R1+R2），其中，R1表征第一电阻的阻值，R2表征第二电阻的阻值。相应地，上述参考电压的数值可以为额定电压与R2/（R1+R2）的乘积，也可以是略小于额定电压与R2/（R1+R2）的乘积。

[0063] 下面以一个完整的附图对本公开所提供的充电电路进行说明。

[0064] 图3是根据一示例性实施例示出的一种充电电路的示意图。如图3所示，待充电装置为超级电容Csuper。电压反馈模块中的第一电阻R1的一端与超级电容Csuper的一端相连，第一电阻R1的另一端分别与运算放大器的同相输入端、第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端接地，运算放大器的反相输入端输入参考电压VREF，运算放大器的输出端与恒流充电模块相连。

[0065] 其中，恒流充电模块包括供电电源、电流偏置电路、第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2。如图3所示，电流偏置电路的一端与供电电源VDD相连，以产生恒定充电电流，电流偏置电路的另一端分别与运算放大器的输出端、第二N型MOS管MN2的漏极和栅极、以及第三N型MOS管MN3的栅极相连；第二N型MOS管MN2的源极与第三N型MOS管MN3的源极接地。如此，第二N型MOS管MN2和第三N型MOS管MN3构成一对N型镜像单元。

[0066] 第三N型MOS管MN3的漏极与第一P型MOS管MP1的漏极和栅极、以及第二P型MOS管MP2的栅极相连；第一P型MOS管MP1的源极和第二P型MOS管MP2的源极均与供电电源VDD相连，第二P型MOS管MP2的漏极与超级电容Csuper相连，用于根据恒定充电电流对超级电容Csuper进行恒流充电。如此，第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2构成一对P型镜像单元。

[0067] 在充电初始，当VFB小于VREF时，第一N型MOS管MN1不导通，第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2均处于导通状态。此时，电流偏置电路输出的恒定充电电流ICC经由第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2流入超级电容Csuper，以对超级电容Csuper进行恒流充电。

[0068] 在本公开中，基于恒定充电电流对超级电容Csuper进行恒流充电时，超级电容Csuper的目标充电电流为恒定充电电流ICC与第一比例系数、第二比例系数的乘积。其中，目标充电电流即为实际充电电流。第一比例系数为第三N型MOS管MN3与第二N型MOS管MN2的电流镜像比例系数，第二比例系数为第二P型MOS管MP2与所述第一P型MOS管MP1的电流镜像比例系数。

[0069] 值的说明的是，可以根据实际需求设计电流偏置电路以得到期望的恒定充电电流。同样地，也可以根据实际需求选择合适的第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1以及第二P型MOS管MP2。本公开对此均不作具体限定。

[0070] 当VFB大于或等于VREF时，第一N型MOS管MN1导通，第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2均处于导通状态。此时，电流偏置电路输出的恒定充电电流ICC中的部分电流ICV经由第一N型MOS管MN1流入地，则分流后的充电电流（ICC-ICV）经由第二N型MOS管MN2、第三N型MOS管MN3、第一P型MOS管MP1和第二P型MOS管MP2流入对超级电容Csuper，以对超级电容Csuper进行小电流充电。

[0071] 在实际应用中，VFB是逐渐增大的，当VBF由小于VREF首先增大至等于VREF，此时第一N型MOS管MN1就会导通，电流偏置电路输出的恒定充电电流ICC中的部分电流ICV经由第一N型MOS管MN1流入地。并且，ICV是逐渐增大的，相应的，分流后的充电电流（ICC-ICV）会逐渐减小，在未减小至零之前，超级电容Csuper的电压仍会持续增大，即，VBF仍会持续增大，大于VREF。当ICV增大至ICC时，超级电容Csuper的电压保持不变。值得说明的是，ICV由零增大至ICC的过程较短，可忽略不计。

[0072] 此外，如果考虑到ICV由零增大至ICC的过程，则参考电压VREF的数值可以是略小于超级电容Csuper的额定电压与R2/（R1+R2）的乘积，以确保超级电容Csuper的充电终止电压不超过额定电压。

[0073] 同样地，基于分流后的充电电流对超级电容Csuper进行充电时，超级电容Csuper的目标充电电流为分流后的充电电流（ICC-ICV）与第一比例系数、第二比例系数的乘积，其中，第一比例系数、第二比例系数如前文所述，此处不再赘述。

[0074] 如此，基于该充电电路可以实现待充电装置从恒流充电模式到恒压充电模式的平稳过渡。

[0075] 此外，本公开还提供另一种充电电路。图4是根据一示例性实施例示出的另一种充电电路的示意图。如图4所示，恒压充电模块201包括运算放大器和第三P型MOS管MP3，恒流充电模块202包括供电电源VDD、偏置电路、第四P型MOS管MP4和第五P型MOS管MP5。

[0076] 在图4中，第一电阻R1的一端与超级电容Csuper的一端相连，第一电阻R1的另一端分别与运算放大器的反相输入端、第二电阻R2的一端相连，第二电阻R2的另一端接地，运算放大器的同相输入端输入参考电压VREF，运算放大器的输出端与第三P型MOS管MP3的栅极相连。第三P型MOS管MP3的源极、第四P型MOS管MP4的源极和第五P型MOS管MP5的源极均与供电电源VDD相连，且第三P型MOS管MP3的漏极、第四P型MOS管MP4的漏极和栅极、以及第五P型MOS管MP5的栅极均与偏置电路的一端相连，偏置电路的另一端接地，其中，偏置电路用于产生恒定充电电流ICC。第五P型MOS管MP5的漏极与超级电容Csuper的一端相连。

[0077] 当VBF小于VREF时，第三P型MOS管MP3不导通，第四P型MOS管MP4和第五P型MOS管MP5均处于导通状态，此时，偏置电路产生的恒定电流ICC经由第五P型MOS管MP5流入超级电容Csuper，以对超级电容Csuper进行恒流充电。

[0078] 当VBF大于或等于VREF时，第三P型MOS管MP3导通，第四P型MOS管MP4和第五P型MOS管MP5仍处于导通状态，此时，偏置电路产生的恒定充电电流ICC等于第三P型MOS管MP3的电流ICV与第四P型MOS管MP4和第五P型MOS管MP5的电流之和。即，第五P型MOS管MP5是基于ICC-ICV的充电电流对超级电容Csuper进行小电流充电，直至ICV等于ICC时，超级电容Csuper进入恒压充电阶段。

[0079] 本发明并非限于上述实施例，而是在所附权利要求的精神和范围内能够以修改或改变的方式来实践。本领域的技术人员应该清楚的是，在不脱离本发明的精神或本质特征的情况下，本发明可以以其它形式、结构、布置、比例，以及用其它组件、材料和部件来实现。在不脱离本发明范围和精神的情况下，可以对这里所披露的实施例进行其它变形和改变。
因此，本技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

[0080] 另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。

[0081] 此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。