一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构

摘要

本发明公开了一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：先设置分别贯穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；然后于第一基片和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；接着上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；再将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构。本发明将通槽金属层和腔体金属层之间的基片进行腐蚀去除，从而在通槽金属层和腔体金属层之间形成内空的腔体，内外导体之间采用空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。

权利要求

1.一种微同轴结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相对的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

S2：设置分别贯穿所述第一基片和所述第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；

S3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

S4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板；

S5：所述上通槽和所述下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且所述上腔体和所述下腔体形成内腔体结构，在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；

S6：移除所述第一盖板和所述第二盖板进行脱模操作，并将所述第一基片和所述第二基片外表面的隔离钝化层去除；

S7：将所述第一基片和所述第二基片进行腐蚀去除操作，形成所述微同轴结构；

S8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，所述阶梯型端口至少露出所述腔体金属层，并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

2.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S2进一步包括：

S21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的第一槽孔、所述上腔体及第二槽孔，所述上腔体位于所述第一槽孔和所述第二槽孔之间，于所述第二基片的第一表面形成平行排列的第三槽孔、所述下腔体及第四槽孔，所述下腔体位于所述第三槽孔和所述第四槽孔之间；

S22：将所述第一槽孔和所述第二槽孔延伸至所述第一基片的第二表面分别形成第一通孔和第二通孔，于所述第一基片的第二表面上形成若干个沿所述上腔体长度方向平行间隔排布的第一沟槽，所述第一沟槽沿所述上腔体宽度方向横跨所述上腔体，且所述第一沟槽的两端分别与所述第一通孔和所述第二通孔相连通，所述第一通孔、所述第二通孔及若干个所述第一沟槽构成所述上通槽；

S23：将所述第三槽孔和所述第四槽孔延伸至所述第二基片的第二表面分别形成第三通孔和第四通孔，于所述第二基片的第二表面上形成若干个沿所述下腔体长度方向平行间隔排布的第二沟槽，所述第二沟槽沿所述下腔体宽度方向横跨所述下腔体，且所述第二沟槽的两端分别与所述第三通孔和所述第四通孔相连通，所述第三通孔、所述第四通孔及若干个所述第二沟槽构成所述下通槽。

3.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，“在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层”进一步包括：合模的所述第一基片、所述第二基片加设所述第一盖板和所述第二盖板后形成微模具结构，将所述微模具结构放置在熔融状态的液态金属池表面或者通过在所述第二盖板上做通槽；

将合金通过该槽引入所述微模具结构中，使液态金属压入所述内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入所述内腔体；

高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，使流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

4.根据权利要求3所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性：将所述第一盖板暴露在外面，并对所述第一盖板包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一冷却方式进行快速冷却。

5.根据权利要求4所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:用物理或者化学沉积的方式在所述第一盖板和所述第二盖板表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。

6.根据权利要求1或2所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在内的材料制成。

7.根据权利要求1所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括于所述第一基片的第一表面和第二表面形成氧化层、于所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤。

8.一种微同轴结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相对的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

A2：设置贯穿所述第一基片和所述第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔体、下腔体、第一盖板的上凹槽和第二盖板的下凹槽；

A3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

A4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分别加设所述第一盖板和所述第二盖板；

A5：所述上凹槽、所述第一通槽、所述下凹槽和所述第二通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且所述上腔体和所述下腔体形成内腔体结构，在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；

A6：移除所述第一盖板和所述第二盖板进行脱模操作，并将所述第一基片和所述第二基片外表面的隔离钝化层去除；

A7：将所述第一基片和所述第二基片进行腐蚀去除操作，形成所述微同轴结构；

A8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，所述阶梯型端口至少露出所述腔体金属层，并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

9.根据权利要求8所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A2进一步包括：

A21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的上第一通槽、所述上腔体及上第二通槽，所述上腔体位于所述上第一通槽和所述上第二通槽之间，于所述第二基片的第一表面形成平行排列的下第一通槽、所述下腔体及下第二通槽，所述下腔体位于所述下第一通槽和所述下第二通槽之间；

A22：将所述第一盖板与所述第一基片贴合的面定义为所述第一盖板的第一表面，于所述第一盖板的第一表面形成所述上凹槽，所述上凹槽包括与所述上第一通槽对应的上第一通孔、与所述上第二通槽对应的上第二通孔及沿所述第一盖板长度方向平行间隔排布的若干第一沟槽，所述第一沟槽的两端分别与所述上第一通孔和所述上第二通孔相连通；

A23：将所述第二盖板与所述第二基片贴合的面定义为所述第二盖板的第一表面，于所述第二盖板的第一表面形成所述下凹槽，所述下凹槽包括与所述下第一通槽对应的下第一通孔、与所述下第二通槽对应的下第二通孔及沿所述第二盖板长度方向平行间隔排布的若干第二沟槽，所述第二沟槽的两端分别与所述下第一通孔和所述下第二通孔相连通；

合模处理时，所述上腔体和所述下腔体形成一内腔体，所述上、下第一通槽和所述上、下第二通槽分别形成贯通所述第一基片和所述第二基片的所述第一通槽和所述第二通槽，所述上第一通孔、所述第一通槽及所述下第一通孔一一对应连通，所述上第二通孔、所述第二通槽及所述下第二通孔一一对应连通。

10.根据权利要求8所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，“在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层”进一步包括：合模的所述第一基片、所述第二基片加设所述第一盖板和所述第二盖板后形成微模具结构，将所述微模具结构放置在熔融状态的液态金属池表面或者通过在所述第二盖板上做通槽；

将合金通过该槽引入所述微模具结构中，使液态金属压入所述内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入所述内腔体；

高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，使流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

11.根据权利要求10所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性：将所述第一盖板暴露在外面，并对所述第一盖板包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一冷却方式进行快速冷却。

12.根据权利要求11所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:用物理或者化学沉积的方式在所述第一盖板和所述第二盖板表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。

13.根据权利要求8或9所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，还包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在内的材料制成。

14.根据权利要求8所述的微同轴结构的制备方法，其特征在于，所述步骤A1与所述步骤A2之间还包括均于所述第一基片和所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤。

15.一种微同轴结构，其特征在于，采用权利要求1至14任意一项所述的微同轴结构的制备方法制备，从内至外至少包括内导体、隔离钝化层、外导体；

所述外导体与所述内导体之间形成一内腔体，所述外导体的上表面沿长度方向平行间隔排布有若干第一沟槽，所述第一沟槽从所述外导体的上表面延伸至所述内腔体，所述外导体的下表面沿长度方向平行间隔排布有若干第二沟槽，所述第二沟槽从所述外导体的下表面延伸至所述内腔体；

所述隔离钝化层包括包覆于所述外导体的内壁上的第一隔离钝化层、包覆于所述内导体的外壁上的第二隔离钝化层及支撑钝化层，所述支撑钝化层横跨所述内腔体，将所述内腔体分为上、下内腔体，所述支撑钝化层用于连接所述内导体和所述外导体。

16.根据权利要求15所述的微同轴结构，其特征在于，所述微同轴结构沿长度方向的两端分别设置阶梯型端口，露出所述内导体并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

说明书

一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构

技术领域

[0001] 本发明涉及微同轴技术领域，尤其涉及一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构。

背景技术

[0002] 传输线是微波系统的基础，各种无源元件、滤波器、匹配网络以及微波集成电路都要用到微波传输线。目前可供使用的传输线种类很多，包括带状线、微带线、耦合线、槽线和
共面波导等。随着微波毫米波频段电路乃至更高频段系统的应用，传统的平面传输线结构
因介质和射损耗问题以及高次模态激励的限制，传输性能将大大降低。在毫米波电路中，槽
线和波导的损耗虽然相对较小，但其体积庞大且笨重，不利于系统集成，因此也不能作为毫
米波和太赫兹器件推广的传输线结构。

[0003] 随着MEMS技术的发展，通过光刻、溅射等微加工工艺手段精确实现的微同轴传输线成为改善传输线高频性能的重要研究方向。微同轴传输线是典型的双导体结构，由内外
导体构成。基于UV‑LIGA技术(基于紫外光刻、电铸技术)的微同轴结构通常外导体接地构成
屏蔽层，内导体为信号传输层。内外导体之间通常采用SU8胶作为支撑。与常见同轴线不同
的是，其内外导体均为矩形，传输微波信号的过程中会激励起高次模，因此微同轴内部的信
号传输模式为准TEM模，可控制微同轴的导体形状，如内外导体间距，填充介质等参数来控
制高次模的影响，提升微同轴的信号传输频率。目前，矩形微同轴在300GHz时，可以做到插
损小于0.8dB/cm。

[0004] 现有的微同轴结构，其内外导体之间均采用绝缘介质材料作为支撑层，本申请人在前申请的一篇发明专利，申请号为CN202010039385.8，发明名称为“一种微同轴结构的制
备方法及微同轴结构”，该微同轴结构包括外面金属框，金属框内部的玻璃介质及玻璃介质
内部的金属电极，金属电极与金属框形成一个同轴结构，内外导体之间通过玻璃作为介质
材料，玻璃作为介质，其介电常数和损耗角较大，进而影响微同轴结构的传输性能。

发明内容

[0005] 本发明的目的是提供一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构，内外导体之间采用空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。

[0006] 为解决上述问题，本发明的技术方案为：

[0007] 一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：

[0008] S1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相对的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

[0009] S2：设置分别贯穿所述第一基片和所述第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；

[0010] S3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

[0011] S4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板；

[0012] S5：所述上通槽和所述下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且所述上腔体和所述下腔体形成内腔体结构，在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质
而形成通槽金属层和腔体金属层；

[0013] S6：移除所述第一盖板和所述第二盖板进行脱模操作，并将所述第一基片和所述第二基片外表面的隔离钝化层去除；

[0014] S7：将所述第一基片和所述第二基片进行腐蚀去除操作，形成所述微同轴结构；

[0015] S8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，露出所述腔体金属层并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0016] 优选地，所述步骤S2进一步包括：

[0017] S21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的第一通孔、所述上腔体及第二通孔，所述上腔体位于所述第一通孔和所述第二通孔之间，于所述第二基片的第一表面形成
平行排列的第三通孔、所述下腔体及第四通孔，所述下腔体位于所述第三通孔和所述第四
通孔之间；

[0018] S22：于所述第一基片的第二表面上形成若干个沿所述上腔体长度方向平行间隔排布的第一沟槽，所述第一沟槽沿所述上腔体宽度方向横跨所述上腔体，且所述第一沟槽
的两端分别与所述第一通孔和所述第二通孔相连通，所述第一通孔和所述第二通孔延伸至
所述第一基片的第二表面，所述第一通孔、所述第二通孔及若干个所述第一沟槽构成所述
上通槽；

[0019] S23：于所述第二基片的第二表面上形成若干个沿所述下腔体长度方向平行间隔排布的第二沟槽，所述第二沟槽沿所述下腔体宽度方向横跨所述下腔体，且所述第二沟槽
的两端分别与所述第三通孔和所述第四通孔相连通，所述第三通孔和所述第四通孔延伸至
所述第二基片的第二表面，所述第三通孔、所述第四通孔及若干个所述第二沟槽构成所述
下通槽。

[0020] 优选地，“在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层”进一步包括：

[0021] 合模的所述第一基片、所述第二基片加设所述第一盖板和所述第二盖板后形成微模具结构，将所述微模具结构放置在熔融状态的液态金属池表面或者通过在所述第二盖板
上做通槽；

[0022] 将合金通过该槽引入所述微模具结构中，使液态金属压入所述内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入所述内腔体；

[0023] 高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，使流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

[0024] 优选地，还包括通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性：将所述第一盖板暴露在外面，并对所述第一盖板包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一冷却方式
进行快速冷却。

[0025] 优选地，还包括:

[0026] 用物理或者化学沉积的方式在所述第一盖板和所述第二盖板表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。

[0027] 优选地，还包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在内的材料制成。

[0028] 优选地，所述步骤S1与所述步骤S2之间还包括于所述第一基片的第一表面和第二表面形成氧化层、于所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤。

[0029] 基于相同的发明构思，本发明还提供了一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：

[0030] A1：提供第一基片和第二基片，所述第一基片包括相对的第一表面和第二表面，所述第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

[0031] A2：设置贯穿所述第一基片和所述第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔体、下腔体、第一盖板的上凹槽和第二盖板的下凹槽；

[0032] A3：于所述第一基片和所述第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

[0033] A4：在合模的所述第一基片和所述第二基片上下分别加设所述第一盖板和所述第二盖板；

[0034] A5：所述上凹槽、所述第一通槽、所述下凹槽和所述第二通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且所述上腔体和所述下腔体形成内腔体结构，在所述通槽腔体结构和所述内
腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层；

[0035] A6：移除所述第一盖板和所述第二盖板进行脱模操作，并将所述第一基片和所述第二基片外表面的隔离钝化层去除；

[0036] A7：将所述第一基片和所述第二基片进行腐蚀去除操作，形成所述微同轴结构；

[0037] A8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，露出所述腔体金属层并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0038] 优选地，所述步骤A2进一步包括：

[0039] A21：于所述第一基片的第一表面形成平行排列的上第一通槽、所述上腔体及上第二通槽，所述上腔体位于所述上第一通槽和所述上第二通槽之间，于所述第二基片的第一
表面形成平行排列的下第一通槽、所述下腔体及下第二通槽，所述下腔体位于所述下第一
通槽和所述下第二通槽之间；

[0040] A22：将所述第一盖板与所述第一基片贴合的面定义为所述第一盖板的第一表面，于所述第一盖板的第一表面形成所述上凹槽，所述上凹槽包括与所述上第一通槽对应的上
第一通孔、与所述上第二通槽对应的上第二通孔及沿所述第一盖板长度方向平行间隔排布
的若干第一沟槽，所述第一沟槽的两端分别与所述上第一通孔和所述上第二通孔相连通；

[0041] A23：将所述第二盖板与所述第二基片贴合的面定义为所述第二盖板的第一表面，于所述第二盖板的第一表面形成所述下凹槽，所述下凹槽包括与所述下第一通槽对应的下
第一通孔、与所述下第二通槽对应的下第二通孔及沿所述第二盖板长度方向平行间隔排布
的若干第二沟槽，所述第二沟槽的两端分别与所述下第一通孔和所述下第二通孔相连通；

[0042] 合模处理时，所述上腔体和所述下腔体形成一内腔体，所述上、下第一通槽和所述上、下第二通槽分别形成贯通所述第一基片和所述第二基片的所述第一通槽和所述第二通
槽，所述上第一通孔、所述第一通槽及所述下第一通孔一一对应连通，所述上第二通孔、所
述第二通槽及所述下第二通孔一一对应连通。

[0043] 优选地，“在所述通槽腔体结构和所述内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金属层”进一步包括：

[0044] 合模的所述第一基片、所述第二基片加设所述第一盖板和所述第二盖板后形成微模具结构，将所述微模具结构放置在熔融状态的液态金属池表面或者通过在所述第二盖板
上做通槽；

[0045] 将合金通过该槽引入所述微模具结构中，使液态金属压入所述内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入所述内腔体；

[0046] 高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，使流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

[0047] 优选地，还包括通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性：将所述第一盖板暴露在外面，并对所述第一盖板包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一冷却方式
进行快速冷却。

[0048] 优选地，还包括:

[0049] 用物理或者化学沉积的方式在所述第一盖板和所述第二盖板表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。

[0050] 优选地，还包括:所述第一基片和所述第二基片采用硅片、陶瓷、塑料至少其中之一在内的材料制成。

[0051] 优选地，所述步骤A1与所述步骤A2之间还包括均于所述第一基片和所述第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤。

[0052] 基于相同的发明构思，本发明还提供了一种微同轴结构，采用上述的微同轴结构的制备方法制备，从内至外至少包括内导体、隔离钝化层、外导体；

[0053] 所述外导体与所述内导体之间形成一内腔体，所述外导体的上表面沿长度方向平行间隔排布有若干第一沟槽，所述第一沟槽从所述外导体的上表面延伸至所述内腔体，所
述外导体的下表面沿长度方向平行间隔排布有若干第二沟槽，所述第二沟槽从所述外导体
的下表面延伸至所述内腔体；

[0054] 所述隔离钝化层包括包覆于所述外导体的内壁上的第一隔离钝化层、包覆于所述内导体的外壁上的第二隔离钝化层及支撑钝化层，所述支撑钝化层横跨所述内腔体，将所
述内腔体分为上、下内腔体，所述支撑钝化层用于连接所述内导体和所述外导体。

[0055] 优选地，所述微同轴结构沿长度方向的两端分别设置阶梯型端口，露出所述内导体并作为所述微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0056] 本发明由于采用以上技术方案，使其与现有技术相比具有以下的优点和积极效果：

[0057] 1)本发明提供了一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：先设置分别贯穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；然后于第一基片和第二基片的外表
面上沉积隔离钝化层；接着上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和
下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金
属层和腔体金属层；再将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构。本发明
将通槽金属层和腔体金属层之间的基片进行腐蚀去除，从而在通槽金属层和腔体金属层之
间形成内空的腔体，内外导体之间采用空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进
而可以提高微同轴结构的传输性能。

附图说明

[0058] 图1为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的流程图；

[0059] 图2A‑图2B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S1所得结构的不同截面示意图；

[0060] 图3A‑图3B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的基片氧化步骤所得结构的不同截面示意图；

[0061] 图4A‑图4B、图5A‑图5B、图6A‑图6B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S2所得结构的不同截面示意图；

[0062] 图7A‑图7B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S3所得结构的不同截面示意图；

[0063] 图8A‑图8B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S4所得结构的不同截面示意图；

[0064] 图9A‑图9B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S5所得结构的不同截面示意图；

[0065] 图10A‑图10B、图11A‑图11B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S6所得结构的不同截面示意图；

[0066] 图12A‑图12B为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤S7所得结构的不同截面示意图；

[0067] 图13‑图14为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的结构示意图；

[0068] 图15为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的左视图；

[0069] 图16‑图17为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的电镜图；

[0070] 图18为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的插入损耗与工作频段的关系图；

[0071] 图19‑图20为本发明实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的多种微同轴结构的结构示意图；

[0072] 图21为发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的流程图；

[0073] 图22A‑图22B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A1所得结构的不同截面示意图；

[0074] 图23A‑图23B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的基片氧化步骤所得结构的不同截面示意图；

[0075] 图24A‑图24B、图25A‑图25B、图26A‑图26B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A2所得结构的不同截面示意图；

[0076] 图27A‑图27B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A3所得结构的不同截面示意图；

[0077] 图28A‑图28B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A4所得结构的不同截面示意图；

[0078] 图29A‑图29B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A5所得结构的不同截面示意图；

[0079] 图30A‑图30B、图31A‑图31B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A6所得结构的不同截面示意图；

[0080] 图32A‑图32B为本发明实施例二提供的一种微同轴结构的制备方法的步骤A7所得结构的不同截面示意图。

具体实施方式

[0081] 以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本申请实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体
细节的其它实施例中也可以实现本申请。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电
路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本申请的描述。

[0082] 应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、
操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

[0083] 还应当理解，在此本申请说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本申请。如在本申请说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上
下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。

[0084] 还应当进一步理解，在本申请说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

[0085] 如在本说明书和所附权利要求书中所使用的那样，术语“如果”可以依据上下文被解释为“当...时”或“一旦”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，短语“如果确定”或
“如果检测到[所描述条件或事件]”可以依据上下文被解释为意指“一旦确定”或“响应于确
定”或“一旦检测到[所描述条件或事件]”或“响应于检测到[所描述条件或事件]”。

[0086] 为了说明本申请所述的技术方案，下面通过具体实施例来进行说明。

[0087] 金属铸造是一种被广泛使用的金属制造方法。人类使用铸造的历史有5000多年，铸造的基本原理是将金属或者合金熔化后注入预制模具中，待固化后，脱模取出成型铸件。
一种新的熔模单晶铸造技术应运而生。该技术以单晶形式铸造喷气式发动机的叶片，从而
满足超高温度和转速的使用要求。80年代末，真空铸造的研发减少了铸件中的气泡缺陷，促
使铸件的成型质量大幅提高。MEMS技术与铸造的结合，缘自它们之间的一个共通点：两者都
是机械部件制造技术，区别在于尺度上存在几个数量级差异。相对于其他机械加工方法，例
如车，铣，抛等，铸造的长处在于它几乎一次成形，可免机械加工或少量加工，降低了成本并
在一定程度上缩短了加工周期，而且可成型复杂结构的机械部件。而MEMS技术是近几十年
从微电子技术中发展出来的一项微加工技术。通过在硅片或者其它衬底上制造出微米尺度
的机械部件，来实现传感、执行、能量采集等功能。MEMS与铸造结合的基本概念是通过体硅
刻蚀工艺在硅片(或者其它材料衬底)上制造出需要成型的微模具，然后将微量金属熔化注
入填充并固化成型。

[0088] 而本发明是MEMS技术与微同轴线领域相关技术的相结合，且本发明较之前的微同轴结构的制备方法，将通槽金属层和腔体金属层之间的基片进行腐蚀去除，从而在通槽金
属层和腔体金属层之间形成内空的腔体，内外导体之间采用空气作为介质层，空气的介电
常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。

[0089] 本文中为了更好地展示制备过程中，微同轴的内部结构，故对制备方法的每个步骤所得结构从两个不同截面进行截图示意，其中带标号A的为基片或者盖板表面开槽处的
截面，带标号B的为基片或者盖板表面非开槽处的截面，结合最后制得的微同轴结构图13进
行说明，例如图5A为图13中非沟槽处的截面，图5B为图13中沟槽处的截面。

[0090] 实施例一

[0091] 请参阅图1，本实施例了提供了一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：

[0092] S1：提供第一基片和第二基片，第一基片包括相对的第一表面和第二表面，第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

[0093] S2：设置分别贯穿第一基片和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体和下腔体；

[0094] S3：于第一基片和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

[0095] S4：在合模的第一基片和第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板；

[0096] S5：上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层和腔体金
属层；

[0097] S6：移除第一盖板和第二盖板进行脱模操作，并将第一基片和第二基片外表面的隔离钝化层去除；

[0098] S7：将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构；

[0099] S8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，露出腔体金属层并作为微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0100] 在步骤S1中，请参阅图1中的步骤S1及图2A至图2B所示，提供第一基片10和第二基片，第一基片10包括相对的第一表面及第二表面，第二基片包括相对的第一表面及第二表
面，在本实施例中，第一基片10和第二基片为完全相同的基片，故图2A至图2B仅示出第一基
片10进行说明，第二基片未示出，后续的图3A至图3B、4A至图4B、5A至图5B、6A至图6B、7A至
图7B中第一基片10和第二基片也均为完全相同的加工处理，在本实施例中，图3A至图3B、4A
至图4B、5A至图5B、6A至图6B、7A至图7B均只示出第一基片10进行说明，第二基片未示出，在
此说明，后续不再累述；

[0101] 在本实施例中，第一基片10和第二基片采用硅片，也可以采用包括陶瓷、塑料等在内的绝缘介质；第一基片10和第二基片的大小、形状通常相同，以便后续制作方便。硅片、陶
瓷、塑料等为具有一定耐高温的绝缘介质即可。在本发明中该些绝缘介质可以提供片状且
比较容易进行槽等的加工。

[0102] 作为示例，如图3A至图3B所示，步骤S1之后还包括于第一基片10的第一表面和第二表面形成氧化层11的步骤，以及于第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤，
氧化层可以作为后续刻蚀第一基片10和第二基片的刻蚀阻挡层，

[0103] 在步骤S2中，请参阅图1中的步骤S2及图4A至图4B、图5A至图5B，设置分别贯穿第一基片10和第二基片的上通槽、下通槽、上腔体12和下腔体；

[0104] 作为示例，步骤S2包括如下步骤：

[0105] S21：参看图4A至图4B所示，于第一基片10的第一表面形成平行排列的第一槽孔13、上腔体12及第二槽孔14，上腔体12位于第一槽孔13和第二槽孔14之间，于第二基片的第
一表面形成平行排列的第三槽孔、下腔体及第四槽孔，下腔体位于第三槽孔和第四槽孔之
间；

[0106] 具体地，第一基片10上方的中部开设细长宽度的上腔体12，比如，可以采用刻蚀工艺形成长条槽，作为上腔体。当然，可以采用的工艺非常多，只要形成可以作为上腔体的长
条槽即可，并且，长条槽的形状是长方体、宽度都可以预先设定。按同样的原理，可以制成第
二基片的下腔体，并且后续第一基片10翻转后可以与第二基片处合模，并且上腔体12与下
腔体形成一完整的内腔体结构；

[0107] 在硅片等介质上形成该些通槽或槽，有很多种制备方案，在此就不再详细说明。

[0108] S22：参看图5A至图5B所示，将第一槽孔13和第二槽孔14延伸至第一基片10的第二表面分别形成第一通孔15和第二通孔16，于第一基片10的第二表面上形成若干个沿上腔体
12长度方向平行间隔排布的第一沟槽17，第一沟槽17沿上腔体12宽度方向横跨上腔体12，
且第一沟槽17的两端分别与第一通孔15和第二通孔16相连通，第一通孔15、第二通孔16及
若干个第一沟槽17构成上通槽；

[0109] S23：重复步骤S22，将第三槽孔和第四槽孔延伸至第二基片的第二表面分别形成第三通孔和第四通孔，于第二基片的第二表面上形成若干个沿下腔体长度方向平行间隔排
布的第二沟槽，第二沟槽沿下腔体宽度方向横跨下腔体，且第二沟槽的两端分别与第三通
孔和第四通孔相连通，第三通孔、第四通孔及若干个第二沟槽构成下通槽。

[0110] 作为示例，如图6A至图6B所示，步骤S2之后还包括将第一基片10的第一表面和第二表面上的氧化层11去除的步骤，以及将第二基片的第一表面和第二表面上的氧化层去除
的步骤。

[0111] 在步骤S3中，请参阅图1中的步骤S3及图7A至图7B所示，于第一基片10和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层18；

[0112] 在本实施例中，采用低压力化学气相沉积法于第一基片10和第二基片的外表面上沉积氮化硅作为隔离钝化层18。

[0113] 在步骤S4中，请参阅图1中的步骤S4及图8A至图8B所示，在合模的第一基片10和第二基片20上下分别加设第一盖板30和第二盖板40；

[0114] 第一基片10和第二基片20上增设第一盖板30和第二盖板40，并形成一个闭合的空间结构。第一基片10和第二基片20上增设第一盖板30和第二盖板40，该结构简称为微模具
结构。

[0115] 第一盖板30和第二盖板40可以使用硅片介质，也可以采用包括陶瓷、塑料等在内的绝缘介质，在本实例中，采用硅片介质。

[0116] 在步骤S5中，请参阅图1中的步骤S5及图9A至图9B所示，上通槽和下通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结
构内分别填充金属介质而形成通槽金属层60和腔体金属层50；

[0117] 具体地，将第一基片10和第二基片20进行合模处理，上腔体和下腔体形成一整体内腔体，第一通孔15、第二通孔16及若干个第一沟槽17构成的上通槽与第三通孔25、第四通
孔26及若干个第二沟槽27构成的下通槽形成贯通的通槽腔体结构。

[0118] 在本实例中，合模处理仅可以只把第一基片10和第二基片20进行叠放，形成内腔体、上通槽和下通槽。当然，考虑到精准度，在合模处理时，也可以做个预粘合处理，使后续
操作第一基片和第二基片不易错位。

[0119] 作为示例，步骤S5中所述的“在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层60和腔体金属层50”，即，高温熔化下金属在两个腔体中形成的通路中进
行流动填充操作形成金属介质进一步包括：

[0120] 把需要填充的第一基片10和第二基片20夹在第一盖板30和第二盖板40之间，组成一个三明治结构；该三明治结构就是我们上述所说的微模具结构，将所述微模具结构放置
在熔融状态的液态金属池表面或者通过在第二盖板40上做通槽；

[0121] 将合金通过该槽引入微模具结构中，使液态金属压入内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入内腔体；

[0122] 高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，其流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

[0123] 不管采用什么方式，本发明只需要将通槽腔体结构和内腔体结构中进行高温熔化下金属的填充，固化后形成金属介质即是本发明的保护范围。本发明后续采用引流装置进
行解释仅仅是用来举例说明。

[0124] 作为示例，后续还可以通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性。比如，将第一盖板30暴露在外面，并对第一盖板30包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一
冷却方式进行快速冷却。

[0125] 本申请人在前申请的一篇发明专利，申请号为CN202010039385.8，发明名称为“一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构”中，对于引流装置进行了详述，在此不再累述。

[0126] 在步骤S6中，请参阅图1中的步骤S6及图10A至图10B、图11A至图11B所示，移除第一盖板30和第二盖板40进行脱模操作，并将第一基片10和第二基片20外表面的隔离钝化层
去除；

[0127] 作为示例，还包括:用物理或者化学沉积的方式在第一盖板30和第二盖板40表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。通过快速冷却的方式来提高固化目的，是将第一盖板30暴
露在外面，并对第一盖板30吹冷气进行快速冷却，冷气包括使用液化的低温氮气。吹冷气冷
却仅是一种快速冷却的方式，也可以采用冷却块冷却等其它方式。

[0128] 参看图11A至图11B所示，将合模状态的第一基片10和第二基片20的上下表面的隔离钝化层去除。

[0129] 在步骤S7中，请参阅图1中的步骤S7及图12A至图12B所示，将第一基片10和第二基片20进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构，本发明将通槽金属层和腔体金属层之间的基片
进行腐蚀去除，从而在通槽金属层和腔体金属层之间形成内空的腔体，内外导体之间采用
空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。

[0130] 在步骤S8中，请参阅图1中的步骤S8所示，在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，阶梯型端口至少露出腔体金属层，并作为微同轴结构的输入端口和输出
端口。

[0131] 可以采用切割等方式形成一阶梯型端口，或划片的方式露出腔体金属层，两端露出的腔体金属层分别作为微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0132] 请参阅图13至图20，其为采用上述的一种微同轴结构的制备方法制得的微同轴结构，参看图13至图15所示，微同轴结构从内至外至少包括内导体1、隔离钝化层2、外导体3；

[0133] 外导体3与内导体1之间形成一内腔体4，外导体3的上表面沿长度方向平行间隔排布有若干第一沟槽31，第一沟槽31从外导体3的上表面延伸至内腔体4，外导体3的下表面沿
长度方向平行间隔排布有若干第二沟槽32，第二沟槽32从外导体3的下表面延伸至内腔体
4；

[0134] 隔离钝化层2包括包覆于外导体3的内壁上的第一隔离钝化层21、包覆于内导体1的外壁上的第二隔离钝化层22及支撑钝化层23，支撑钝化层横23跨内腔体4，将内腔体4分
为上、下内腔体41、42，支撑钝化层23用于连接内导体1和外导体3。

[0135] 作为示例，微同轴结构沿长度方向的两端分别设置阶梯型端口5，该阶梯型端口5上至少包括露出来的内导体1的两端，这两端分别作为微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0136] 参见图16‑图17所示，图16‑图17为采用实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的电镜图。

[0137] 参见图18所示，图18为定长度微同轴传输线插入损耗与工作频段的关系图，用于说明采用实施例一提供的一种微同轴结构的制备方法制得的一种微同轴结构的插损性能，
从图中可以看出，随着频率的增高，插入损耗降低。

[0138] 本实施例对微同轴结构的形状不加以限制，采用上述的一种微同轴结构的制备方法制得的微同轴结构可以为任意形状，如图13为简单的长条形的微同轴结构，也可以根据
实际应用场景的需要，制作各种复杂形状的微同轴结构，如图图19‑图20所示，图19示出了
一种具有多条分支的微同轴结构，图20示出了一种曲形的微同轴结构。

[0139] 实施例二

[0140] 基于相同的发明构思，实施例二提供了另外一种微同轴结构的制备方法，包括如下步骤：

[0141] A1：提供第一基片和第二基片，第一基片包括相对的第一表面和第二表面，第二基片包括相对的第一表面和第二表面；

[0142] A2：设置贯穿第一基片和第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔体、下腔体、第一盖板的上凹槽和第二盖板的下凹槽；

[0143] A3：于第一基片和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层；

[0144] A4：在合模的第一基片和第二基片上下分别加设第一盖板和第二盖板；

[0145] A5：上凹槽、第一通槽、下凹槽和第二通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成
通槽金属层和腔体金属层；

[0146] A6：移除第一盖板和第二盖板进行脱模操作，并将第一基片和第二基片外表面的隔离钝化层去除；

[0147] A7：将第一基片和第二基片进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构；

[0148] A8：在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，阶梯型端口至少露出腔体金属层，并作为微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0149] 在步骤A1中，请参阅图21中的步骤A1及图22A至图22B所示，提供低介质常数低损耗的材料制成的第一基片10和第二基片，第一基片10包括相对的第一表面及第二表面，第
二基片包括相对的第一表面及第二表面，在本实施例中，第一基片10和第二基片20为完全
相同的基片，故图22A至图22B仅示出第一基片10进行说明，第二基片未示出，后续的图23A
至图23B、24A至图24B、26A至图26B、27A至图27B中第一基片10和第二基片也均为完全相同
的加工处理，在本实施例中，图23A至图23B、24A至图24B、26A至图26B、27A至图27B均只示出
第一基片10进行说明，第二基片未示出，在此说明，后续不再累述；

[0150] 在本实施例中，第一基片10和第二基片采用硅片，也可以采用包括陶瓷、塑料等在内的绝缘介质；第一基片10和第二基片的大小、形状通常相同，以便后续制作方便。硅片、陶
瓷、塑料等为具有一定耐高温的绝缘介质即可。在本发明中该些绝缘介质可以提供片状且
比较容易进行槽等的加工。

[0151] 作为示例，如图23A至图23B所示，步骤A1之后还包括于第一基片10的第一表面和第二表面形成氧化层11的步骤，以及于第二基片的第一表面和第二表面形成氧化层的步
骤，氧化层可以作为后续刻蚀第一基片10和第二基片的刻蚀阻挡层，

[0152] 在步骤A2中，请参阅图21中的步骤A2及图24A至图24B、图25A至图25B、图26A至图26B所示，设置贯穿第一基片10和第二基片的第一通槽、第二通槽、上腔体12、下腔体、第一
盖板30的上凹槽和第二盖板的下凹槽，第一盖板30和第二盖板也均为完全相同的加工处
理，故图25A至图25B中只示出第一盖板30进行说明，第二盖板未示出；

[0153] 作为示例，步骤A2包括如下步骤：

[0154] A21：参见图24A至图24B所示，于第一基片10的第一表面形成平行排列的上第一通槽13、上腔体12及上第二通槽14，上腔体12位于上第一通槽13和上第二通槽14之间，于第二
基片的第一表面形成平行排列的下第一通槽、下腔体及下第二通槽，下腔体位于下第一通
槽和下第二通槽之间；

[0155] A22：参见图25A至图25B所示，将第一盖板30与第一基片10贴合的面定义为第一盖板30的第一表面，于第一盖板30的第一表面形成上凹槽，上凹槽包括与上第一通槽13对应
的上第一通孔32、与上第二通槽14对应的上第二通孔33及沿第一盖板30长度方向平行间隔
排布的若干第一沟槽34，第一沟槽34的两端分别与上第一通孔32和上第二通孔33相连通；

[0156] A23：将第二盖板与第二基片贴合的面定义为第二盖板的第一表面，于第二盖板的第一表面形成下凹槽，下凹槽包括与下第一通槽对应的下第一通孔、与下第二通槽24对应
的下第二通孔及沿第二盖板长度方向平行间隔排布的若干第二沟槽44，第二沟槽的两端分
别与下第一通孔和下第二通孔相连通；

[0157] 合模处理时，参看图28A至图28B所示，上腔体和下腔体形成一内腔体，上、下第一通槽13、23和上、下第二通槽14、24分别形成贯通第一基片10和第二基片20的第一通槽和第
二通槽，上第一通孔32、第一通槽及下第一通孔42一一对应连通，上第二通孔33、第二通槽
及下第二通孔43一一对应连通。

[0158] 作为示例，如图25A至图25B所示，步骤A2还包括于第一盖板30的第一表面和第二表面形成氧化层31的步骤，以及于第二盖板的第一表面和第二表面形成氧化层的步骤，氧
化层可以作为后续刻蚀第一盖板30和第二盖板的刻蚀阻挡层，

[0159] 作为示例，如图26A至图26B所示，步骤A2之后还包括将第一基片10的第一表面和第二表面上的氧化层11去除的步骤，以及将第二基片的第一表面和第二表面上的氧化层去
除的步骤。

[0160] 在步骤A3中，请参阅图21中的步骤A3及图27A至图27B所示，于第一基片10和第二基片的外表面上沉积隔离钝化层18；

[0161] 在本实施例中，采用低压力化学气相沉积法于第一基片10和第二基片的外表面上沉积氮化硅作为隔离钝化层18。

[0162] 在步骤A4中，请参阅图21中的步骤A4及图28A至图28B所示，在合模的第一基片10和第二基片20上下分别加设第一盖板30和第二盖板40；

[0163] 第一基片10和第二基片20上增设第一盖板30和第二盖板40，并形成一个闭合的空间结构。第一基片10和第二基片20上增设第一盖板30和第二盖板40，该结构简称为微模具
结构。

[0164] 第一盖板30和第二盖板40可以使用硅片介质，也可以采用包括陶瓷、塑料等在内的绝缘介质，在本实例中，采用硅片介质。

[0165] 在步骤A5中，请参阅图21中的步骤A5及图29A至图29B所示，上凹槽、第一通槽、下凹槽和第二通槽共同形成贯通的通槽腔体结构，并且上腔体和下腔体形成内腔体结构，在
通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层60和腔体金属层50；

[0166] 具体地，将第一基片10和第二基片20进行合模处理，上腔体和下腔体形成一整体内腔体，上、下第一通槽13、23构成的第一通槽与上、下第二通槽14、24构成的第二通槽与由
上第一通孔32、第一沟槽34及上第二通孔33构成的上凹槽与下第一通孔42、第二沟槽44及
下第二通孔43构成的下凹槽形成通槽腔体结构。

[0167] 在本实例中，合模处理仅可以只把第一基片10和第二基片20进行叠放，形成内腔体、上通槽和下通槽。当然，考虑到精准度，在合模处理时，也可以做个预粘合处理，使后续
操作第一基片和第二基片不易错位。

[0168] 作为示例，步骤A5中所述的“在通槽腔体结构和内腔体结构内分别填充金属介质而形成通槽金属层60和腔体金属层50”，即，高温熔化下金属在两个腔体中形成的通路中进
行流动填充操作形成金属介质进一步包括：

[0169] 把需要填充的第一基片10和第二基片20夹在第一盖板30和第二盖板40之间，组成一个三明治结构；该三明治结构就是我们上述所说的微模具结构，将所述微模具结构放置
在熔融状态的液态金属池表面或者通过在第二盖板40上做通槽；

[0170] 将合金通过该槽引入微模具结构中，使液态金属压入内腔体，或通过包括喷嘴或高压在内的喷射/引流装置压入内腔体；

[0171] 高温熔化下金属进行对两个所述腔体结构流动填充操作，其流动填充类似于微流控，产生了流动填充机理。

[0172] 不管采用什么方式，本发明只需要将通槽腔体结构和内腔体结构中进行高温熔化下金属的填充，固化后形成金属介质即是本发明的保护范围。本发明后续采用引流装置进
行解释仅仅是用来举例说明。

[0173] 作为示例，后续还可以通过快速冷却的方式来提高填充金属介质的固化均匀性。比如，将第一盖板30暴露在外面，并对第一盖板30包括吹冷气和压上冷却块在内的任意一
冷却方式进行快速冷却。

[0174] 本申请人在前申请的一篇发明专利，申请号为CN202010039385.8，发明名称为“一种微同轴结构的制备方法及微同轴结构”中，对于引流装置进行了详述，在此不再累述。

[0175] 在步骤A6中，请参阅图1中的步骤A6及图30A至图30B、图31A至图31B所示，移除第一盖板30和第二盖板40进行脱模操作，并将第一基片10和第二基片20外表面的隔离钝化层
去除；

[0176] 作为示例，还包括:用物理或者化学沉积的方式在第一盖板30和第二盖板40表面沉积一层脱模材料，以辅助脱模。通过快速冷却的方式来提高固化目的，是将第一盖板30暴
露在外面，并对第一盖板30吹冷气进行快速冷却，冷气包括使用液化的低温氮气。吹冷气冷
却仅是一种快速冷却的方式，也可以采用冷却块冷却等其它方式。

[0177] 参看图31A至图31B所示，将合模状态的第一基片10和第二基片20的上下表面的隔离钝化层去除。

[0178] 在步骤A7中，请参阅图21中的步骤A7及图32A至图32B所示，将第一基片10和第二基片20进行腐蚀去除操作，形成微同轴结构，本发明将通槽金属层和腔体金属层之间的基
片进行腐蚀去除，从而在通槽金属层和腔体金属层之间形成内空的腔体，内外导体之间采
用空气作为介质层，空气的介电常数和损耗角较小，进而可以提高微同轴结构的传输性能。

[0179] 在步骤A8中，请参阅图21中的步骤A8所示，在微同轴结构沿长度方向的两端分别形成一阶梯型端口，阶梯型端口至少露出腔体金属层，并作为微同轴结构的输入端口和输
出端口。

[0180] 可以以切割等方式形成一阶梯型端口，或划片的方式露出腔体金属层，两端露出的腔体金属层分别作为微同轴结构的输入端口和输出端口。

[0181] 上面结合附图对本发明的实施方式作了详细说明，但是本发明并不限于上述实施方式。即使对本发明作出各种变化，倘若这些变化属于本发明权利要求及其等同技术的范
围之内，则仍落入在本发明的保护范围之中。