真空绝热材料用外包装材料、真空绝热材料和带有真空绝热材料的物品转让专利

申请号 : CN201980021453.3

文献号 : CN111954778B

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相似专利:

发明人 : 栋田琢今井将博沟尻诚

申请人 : 大日本印刷株式会社

摘要 :

本公开提供一种真空绝热材料用外包装材料,其具有气体阻隔膜和粘接层,上述气体阻隔膜具有金属铝膜,上述粘接层直接配置在上述金属铝膜上,上述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,上述粘接层的上述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

权利要求 :

1.一种真空绝热材料用外包装材料,其具有气体阻隔膜和粘接层,所述气体阻隔膜具有金属铝膜,所述粘接层直接配置在所述金属铝膜上,所述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,所述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,所述粘接层的所述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

2.根据权利要求1所述的真空绝热材料用外包装材料,其中,所述含硅化合物是所述水解性基团或所述羟基的至少1种直接键合于有机硅原子的有机硅化合物,所述粘接层的所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

3.根据权利要求2所述的真空绝热材料用外包装材料,其中,所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且5.0at%以下。

4.一种真空绝热材料,其是具有芯材和封入了所述芯材的外包装材料的真空绝热材料,所述外包装材料具有气体阻隔膜和粘接层,所述气体阻隔膜具有金属铝膜,所述粘接层直接配置在所述金属铝膜上,所述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,所述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,所述粘接层的所述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

5.根据权利要求4所述的真空绝热材料,其中,所述含硅化合物是所述水解性基团或所述羟基的至少1种直接键合于有机硅原子的有机硅化合物,所述粘接层的所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

6.根据权利要求5所述的真空绝热材料,其中,所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且5.0at%以下。

7.一种带有真空绝热材料的物品,其具备真空绝热材料和具有热绝缘区域的物品,所述真空绝热材料具有芯材和外包装材料,所述芯材被封入所述外包装材料,所述外包装材料具有气体阻隔膜和粘接层,所述气体阻隔膜具有金属铝膜,所述粘接层直接配置在所述金属铝膜上,所述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,所述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,所述粘接层的所述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

8.根据权利要求7所述的带有真空绝热材料的物品,其中,所述含硅化合物是所述水解性基团或所述羟基的至少1种直接键合于有机硅原子的有机硅化合物,所述粘接层的所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。

9.根据权利要求8所述的带有真空绝热材料的物品,其中,所述有机硅原子的原子比率为1.5at%以上且5.0at%以下。

说明书 :

真空绝热材料用外包装材料、真空绝热材料和带有真空绝热

材料的物品

技术领域

[0001] 本公开涉及真空绝热材料的形成中使用的真空绝热材料用外包装材料。

背景技术

[0002] 近年来,出于物品的省能耗化的目的,使用了真空绝热材料。真空绝热材料是在外包装材料的袋体内配置芯材、并将上述袋体内保持在压力比大气压低的真空状态的构件,由于内部的热对流受到抑制,因此能够发挥良好的绝热性能。需要说明的是,将真空绝热材料所使用的外包装材料称为真空绝热材料用外包装材料或简称为外包装材料来进行说明。
[0003] 就真空绝热材料用外包装材料而言,为了长期保持真空绝热材料内部的真空状态,要求以下物性:用于抑制氧、水蒸气等气体的透过的气体阻隔性能;用于将相对的一对外包装材料的边缘通过热熔接进行密封而形成袋体、将芯材封入密闭的热熔接性等。为了满足这些物性,作为真空绝热材料用外包装材料,一般采用包含气体阻隔膜和能够热熔接的膜作为构成构件的层叠体(专利文献1~5)。
[0004] 作为上述气体阻隔膜,已知有例如在塑料膜等基材的表面成膜了金属膜、金属氧化物膜等无机薄膜的构成。具有金属铝膜作为上述无机薄膜的气体阻隔膜尤其能够在较低的成本下具有高的水蒸气阻隔性能。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1:日本特开2005‑351405号公报
[0008] 专利文献2:日本特开2008‑023932号公报
[0009] 专利文献3:日本特开2004‑130654号公报
[0010] 专利文献4:日本特开2015‑075182号公报
[0011] 专利文献5:日本专利第6149997号

发明内容

[0012] 发明要解决的课题
[0013] 构成中包含具有金属铝膜的气体阻隔膜的真空绝热材料用外包装材料若长期暴露在高温高湿环境下,则发生上述金属铝膜的性状变化,其结果是有时真空绝热材料用外包装材料整体的水蒸气阻隔性能会在短时间内劣化。
[0014] 本公开的主要目的在于,提供一种真空绝热材料用外包装材料、和使用其的真空绝热材料、以及带有真空绝热材料的物品,上述真空绝热材料用外包装材料包含具有金属铝膜的气体阻隔膜,即使在长期暴露在高温高湿环境下的情况下,也能够抑制水蒸气阻隔性能的劣化。
[0015] 用于解决课题的手段
[0016] 本公开提供一种真空绝热材料用外包装材料,其具有气体阻隔膜和粘接层,上述气体阻隔膜具有金属铝膜,上述粘接层直接配置在上述金属铝膜上,上述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,上述粘接层的上述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。
[0017] 需要说明的是,以下的说明中,有时将“硅原子的原子比率”称为“(粘接层的)硅原子比率”来进行说明。另外,对于说明书中的“有机硅原子的原子比率”,也有时称为“(粘接层的)有机硅原子比率”来进行说明。
[0018] 另外,本公开提供一种真空绝热材料,其是具有芯材和封入了上述芯材的外包装材料的真空绝热材料,上述外包装材料具有气体阻隔膜和粘接层,上述气体阻隔膜具有金属铝膜,上述粘接层直接配置在上述金属铝膜上,上述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,上述粘接层的上述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。
[0019] 另外,本公开提供一种带有真空绝热材料的物品,其是具备真空绝热材料和具有热绝缘区域的物品的带有真空绝热材料的物品,上述真空绝热材料具有芯材和封入了上述芯材的外包装材料,上述外包装材料具有气体阻隔膜和粘接层,上述气体阻隔膜具有金属铝膜,上述粘接层直接配置在上述金属铝膜上,上述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,上述粘接层的上述硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下。
[0020] 发明效果
[0021] 根据本公开的真空绝热材料用外包装材料,通过将包含水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物且硅原子比率处于规定的范围的粘接层直接配置在具有金属铝膜的气体阻隔膜的上述金属铝膜上,从而发挥即使在长期暴露在高温高湿环境下的情况下也能够抑制水蒸气阻隔性能的劣化这样的效果。

附图说明

[0022] 图1为示出本公开的真空绝热材料用外包装材料的一例的概要截面图。
[0023] 图2为示出本公开的真空绝热材料的一例的概要立体图和概要截面图。

具体实施方式

[0024] 本公开的实施方式中包括真空绝热材料用外包装材料、真空绝热材料和带有真空绝热材料的物品。以下,边参照附图等边说明本公开的实施方式。但是,本公开可以通过多种不同方式实施,不应解释为限定于以下例示的实施方式的记载内容。另外,为了使说明更清楚,附图与实施方式相比,有时对于各部分的宽度、厚度、形状进行了示意性的表示,但其仅是一例,并非对本公开的解释进行限定。另外,本说明书和各图中,对于与关于之前的图在前面叙述过的要素同样的要素,有时附以相同符号,并适当省略详细的说明。另外,为了说明的方便,有时使用上方或下方这样的用语来进行说明,但上下方向也可以逆转。
[0025] 另外,本说明书中,将某构件或某区域等某构成设为位于其它构件或其它区域等其它构成“上(或下)”的情况下,只要没有特别限定,则其不仅包括直接位于其它构成上(或下)的情况,也包括位于其它构成的上方(或下方)的情况,即,也包括在其它构成的上方(或下方)之间包含有别的构成要素的情况。
[0026] I.真空绝热材料用外包装材料
[0027] 本公开的真空绝热材料用外包装材料(以下,有时称为本公开的外包装材料。)具有气体阻隔膜和粘接层,上述气体阻隔膜具有金属铝膜,上述粘接层直接配置在上述金属铝膜上,上述粘接层包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物,上述粘接层的上述硅原子的原子比率为规定的范围。
[0028] 图1为示出本公开的外包装材料的一例的示意截面图。图1所示的真空绝热材料用外包装材料10具有气体阻隔膜11和粘接层12,气体阻隔膜11具有金属铝膜1和配置在金属铝膜1的一面上的基材2,粘接层12直接配置在金属铝膜1的另一面上。需要说明的是,图1中,在粘接层12的与相接于金属铝膜1的面相反一侧的面配置有能够热熔接的膜13。粘接层12包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物。另外,粘接层12的硅原子的原子比率为规定的范围。
[0029] 本公开的外包装材料中,粘接层“直接配置在金属铝膜上”是指,在上述外包装材料的厚度(层叠)方向上,粘接层的一面与金属铝膜的一面直接相接地配置,金属铝膜与粘接层之间不夹着其它层。
[0030] 已知金属铝膜若暴露在空气中,则与空气中的氧发生反应而在表面形成氧化覆膜,上述氧化覆膜与空气中的水分子发生反应,由此表面被羟基覆盖。因此,构成中包含具有金属铝膜的气体阻隔膜的真空绝热材料用外包装材料中,通常金属铝膜表面存在羟基。在此,由于羟基为亲水性基团,因此当真空绝热材料用外包装材料长期暴露在高湿环境下时,金属铝膜表面存在的羟基将透过了外包装材料的空气中的水分子吸附而形成氢键,上述金属铝膜的表面被大量的水分子覆盖,由此,向铝化合物的性状变化进一步推进至膜内部。而且,伴随着上述金属铝膜的性状变化,水蒸气阻隔性能的劣化推进,其结果是,真空绝热材料用外包装材料整体的水蒸气阻隔性能也发生劣化。关于因金属铝膜的性状变化而导致水蒸气阻隔性能劣化的理由并不确定,但可推测是因为:从金属铝膜向铝化合物的不良的性状变化在整个膜中推进,由此在膜中成为铝化合物与金属铝混合存在的状态,在铝化合物与金属铝的界面处形成微小的水蒸气的通道。
[0031] 另外,除高湿环境以外,越是高温环境,则空气中的水分子越容易透过外包装材料,因此上述金属铝膜越容易与水分子接触,越促进金属铝膜的性状变化的推进。因此,与暴露在常温环境下的情况相比,会在短时间内发生上述金属铝膜和真空绝热材料用外包装材料整体的水蒸气阻隔性能的劣化。
[0032] 像这样,在构成中包含具有金属铝膜的气体阻隔膜的真空绝热材料用外包装材料有时难以在高温高湿环境下长期发挥水蒸气阻隔性能。另外,使用了这样的真空绝热材料用外包装材料的真空绝热材料当在高温高湿环境下使用时,有时内部真空度急剧降低,难以长期发挥绝热性能。
[0033] 与此相对,根据本公开的外包装材料,通过将包含水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物且硅原子比率处于规定的范围的粘接层与具有金属铝膜的气体阻隔膜的上述金属铝膜直接相接地配置,从而即使在长期暴露在高温高湿环境下的情况下也能够抑制水蒸气阻隔性能的劣化。据推测其为以下理由所致。即,上述粘接层所包含的含硅化合物具有的水解性基团、羟基能够直接或通过与水分子的水解反应而成为硅烷醇基,从而与在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基形成氢键、或与上述羟基历经脱水缩合反应而形成共价键。由此,可将在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基封端,能够阻止水分子的吸附,能够抑制金属铝膜的性状变化和与其相伴的水蒸气阻隔性能的劣化。另外,通过将上述粘接层的硅原子比率设为规定的范围,从而对于与在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基形成所期望的键而言充分量的含硅化合物存在于上述粘接层中。由此,能够将在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基充分封端。此外,与金属铝膜键合的含硅化合物具有疏水性的官能团的情况下,金属铝膜的膜表面的疏水性提高,因此能够在膜表面中减小水分子的存在概率。通过这些理由,能够充分地发挥上述的效果。
[0034] 据推测本公开的外包装材料通过长期暴露在高温高湿环境下,从而在粘接层与金属铝膜之间,在含硅化合物的键合于硅原子的羟基与金属铝膜表面存在的羟基之间形成氢键或形成Si‑O‑Al键(共价键)。这样的推测基于如下情况:例如在金属铝膜表面涂布含硅化合物,其后通过丙酮超声清洗而除去,用X射线光电子能谱分析(XPS)对清洗后的上述金属铝膜的表面残留的硅原子的比例进行分析时,可间接地确认金属铝膜与含硅化合物键合。需要说明的是,例如在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜的表面涂布含硅化合物的情况下,PET膜与含硅化合物的涂布膜之间未形成所期望的键,因此即使进行同样的分析,在丙酮超声清洗后的PET膜的表面也确认不到硅原子的残留。
[0035] 以下对于本公开的外包装材料的构成、特性进行详细说明。
[0036] A.粘接层
[0037] 本公开的外包装材料的粘接层直接配置在具有金属铝膜的气体阻隔膜的上述金属铝膜上,且包含粘接剂成分和含硅化合物,上述含硅化合物是水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子的含硅化合物。
[0038] 本公开的外包装材料的粘接层的硅原子的原子比率(粘接层的硅原子比率)为规定的范围。在此,粘接层的硅原子比率是指,通过X射线光电子能谱分析(XPS)测定的、将上述粘接层表面的碳原子、氧原子、氮原子和硅原子(无机硅原子和有机硅原子)的总原子数设为100at%时的硅原子的原子数比率。另外,如后所述,上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下,有机硅原子的原子比率(粘接层的有机硅原子比率)是指,通过X射线光电子能谱分析(XPS)测定的、将上述粘接层表面的碳原子、氧原子、氮原子和有机硅原子的总原子数设为100at%时的有机硅原子的原子数比率。
[0039] 上述粘接层的硅原子比率为7.0at%以下即可。这是因为,通过将硅原子比率设为7.0at%以下,上述粘接层能够发挥充分的粘接力,并且能够充分抑制水分子向金属铝膜的吸附和性状变化。其中,上述粘接层的硅原子比率优选为5.0at%以下,更优选为4.5at%以下,特别优选为4.0at%以下。通过将硅原子比率设为5.0at%以下,能够减少通过含硅化合物具有的水解性基团与金属铝膜的羟基的反应而产生的醇气体等气体的产生量,能够维持更高的绝热性能。另外,上述粘接层的硅原子比率为1.5at%以上即可,优选为2.0at%以上,更优选为2.5at%以上。
[0040] 因此,上述粘接层的硅原子比率为规定的范围是指,具体而言,硅原子的原子比率为1.5at%以上且7.0at%以下即可,优选为1.5at%以上且5.0at%以下,更优选为2.0at%以上且5.0at%以下。这是因为,通过上述粘接层的硅原子比率处于上述的范围,能够充分抑制水分子向金属铝膜的吸附和性状变化,另外,上述粘接层能够发挥充分的粘接力。
[0041] 如后所述,上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下,上述粘接层的有机硅原子比率可以以上述的硅原子比率的范围来设定。即,上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下,上述粘接层的有机硅原子的原子比率优选为1.5at%以上且7.0at%以下,更优选为1.5at%以上且5.0at%以下,特别优选为2.0at%以上且5.0at%以下。关于其理由,与将上述粘接层的硅原子比率设为规定的范围的情况的理由是同样的,因此省略此处的说明。
[0042] 需要说明的是,上述粘接层的有机硅原子比率大幅超过上述的范围时,粘接层中有机硅化合物以高浓度存在,由此有机硅化合物彼此的缩合反应推进,粘接层中有机硅化合物的缩合物(硅氧烷低聚物)所占的比例变多,因此有时粘接强度降低从而粘接层与金属铝膜之间容易发生剥离。
[0043] 上述粘接层的硅原子比率或有机硅原子比率可以通过X射线光电子能谱分析(XPS)进行粘接层表面的组成分析而求得。更具体而言,能够通过以下的步骤求得。首先,在真空绝热材料用外包装材料的粘接层与相接于上述粘接层的金属铝膜之间进行剥离而使粘接层露出,使用X射线光电子能谱仪,在下述的条件下从粘接层的露出面沿深度方向照射X射线,测定X射线光电子谱。作为X射线光电子能谱仪,可以使用例如Thermo公司制的Theta‑Probe。测定上述粘接层的硅原子比率的情况下,可以将C、O、N、无机Si和有机Si作为分析对象元素,从得到的谱中减去用Shirley法确定的背底,根据峰的面积,使用相对灵敏度因子法,求得将碳原子、氧原子、氮原子和硅原子的总原子数设为100at%时的硅原子的原子数比率(at%)。另外,测定上述粘接层的有机硅原子比率的情况下,可以将C、O、N、有机Si作为分析对象元素,从得到的谱中减去用Shirley法确定的背底,根据峰的面积,使用相对灵敏度因子法,求得将碳原子、氧原子、氮原子和有机硅原子的总原子数设为100at%时的有机硅原子的原子数比率(at%)。需要说明的是,以C1s谱中归属于C‑C键的峰为284.6eV~285.0eV的范围的方式进行谱的电荷校正。另外,对于Si2p峰,将谱中在101.5eV~102.5eV的范围出现的峰作为来自有机Si的峰,并将在103.0eV~103.8eV的范围出现的峰作为来自无机Si的峰。
[0044] (测定条件)
[0045] ·入射X射线:Monochromated Al‑Kα线(单色化X射线,Hv=1486.6eV)[0046] ·X射线照射区域(测定面积):400μmφ
[0047] ·X射线输出功率:100W(15kV·6.7mA)
[0048] ·光电子收集角度:53°(将试样法线设为0°)
[0049] ·电荷中和条件:电子中和枪(+6V、0.05mA),低加速Ar+离子照射
[0050] ·测定峰:Al2p、Si2p、C1s、N1s、O1s、F1s
[0051] 以下,对上述粘接层的组成进行说明。
[0052] 1.含硅化合物
[0053] 就上述粘接层所包含的含硅化合物而言,水解性基团或羟基的至少1种直接键合于硅原子。
[0054] 作为上述含硅化合物,可举出例如无机硅化合物、有机硅化合物、它们的混合物。
[0055] 在此,“有机硅化合物”是指包含硅(Si)原子作为构成原子的有机化合物。上述有机硅化合物具有至少1个的硅原子与碳原子的直接化学键,将与碳原子化学键合的硅原子称为有机硅原子。与此相对,将包含硅(Si)原子作为构成原子的无机化合物称为“无机硅化合物”,与有机硅化合物区分。将上述无机硅化合物的硅原子称为无机硅原子。无机硅原子与有机硅原子的键能不同,因此在基于X射线光电子能谱分析(XPS)法的分析中,在Si2p谱中分开出现。可以通过分峰解析,将高键能侧出现的峰作为来自无机硅原子的Si(无机Si)的峰,将低键能侧出现的峰作为来自有机硅原子的Si(有机Si)的峰。
[0056] 即,本公开的有机硅化合物是指,水解性基团或羟基的至少1种直接键合于有机硅原子的化合物。另外,本公开的无机硅化合物是指,水解性基团或羟基的至少1种直接键合于无机硅原子的化合物。
[0057] 本公开中,尤其优选上述含硅化合物为有机硅化合物。这是因为,上述有机硅化合物大多包含疏水性的有机官能团,通过这样的有机硅化合物与金属铝膜形成键,能够提高金属铝膜的膜表面的疏水性。由此,金属铝膜表面的水分子的存在概率减小,不易发生吸附反应和性状变化。
[0058] 作为上述有机硅化合物,例如可举出下述式(1)所示的单体。
[0059] Rn‑SiX4‑n…(1)
[0060] (上述式(1)中,n为1~3的整数,X为水解性基团或羟基,R为有机官能团或包含有机官能团的烃基。)
[0061] 上述式(1)中,n为1~3的整数,但尤其优选n=1。这是因为,通过将上述式(1)中的n设为上述整数,即包含3个基团的水解性基团或羟基,从而富有与金属铝膜表面的羟基的反应性,可进一步发挥上述金属铝膜的性状变化抑制效果和气体阻隔性能的劣化抑制效果。
[0062] 上述式(1)中的X表示水解性基团或羟基。上述式(1)中的n为1或2的情况下,2个以上的X可以互相相同也可以不同。上述式(1)中的X具有如下功能,即,直接或通过与水分子的水解反应而成为硅烷醇基,从而与在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基形成氢键、或与上述羟基历经脱水缩合反应而形成共价键。具体而言,羟基直接键合于有机硅原子的情况下,有机硅化合物具有硅烷醇基,因此上述硅烷醇基能够与在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基形成氢键或共价键。另外,水解性基团直接键合于有机硅原子的情况下,有机硅化合物的上述水解性基团与周围的水分子发生反应而水解从而成为硅烷醇基,上述硅烷醇基能够与在金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基形成氢键或共价键。
[0063] 对于作为上述X的水解性基团而言,例如可以设为选自烷氧基、酰氧基、烯氧基、酮肟基、烷氧基烷氧基、卤素基、异氰酸酯基、酮肟酸酯基(ketoxime group)、酰胺基、羟氨基(amidoxyl)、巯基、烯氧基、苯氧基、以及无取代或取代的氨基中的至少1种。
[0064] 作为上述烷氧基,优选碳数1~4的烷氧基,具体而言,可举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基等。上述烷氧基可以包括被烷氧基取代的烷氧基等取代烷氧基。
[0065] 作为上述酰氧基,优选碳数1~6的酰氧基,具体而言,可举出乙酰氧基、苯甲酰氧基等。
[0066] 作为上述烯氧基,具体而言,可举出异丙烯氧基。作为上述酮肟基,具体而言,可举出甲乙酮肟基。
[0067] 作为上述烷氧基烷氧基,具体而言,可举出甲氧基甲氧基、甲氧基乙氧基等。
[0068] 作为上述卤素基,具体而言,可举出氟基、氯基、溴基、碘基等。
[0069] 作为上述异氰酸酯基,例如可举出与烷基键合的异氰酸酯基、与环烷基键合的异氰酸酯基、与芳基键合的异氰酸酯基、与被环烷基取代的烷基键合的异氰酸酯基、与被芳基取代的烷基键合的异氰酸酯基等。
[0070] 其中,上述水解性基团优选为烷氧基,特别优选为甲氧基或乙氧基。
[0071] 另外,上述式(1)中的R为有机官能团或包含有机官能团的烃基。换言之,上述式(1)中的R为具有与有机硅原子直接键合的碳原子的有机官能团、或者包含有机官能团并具有与有机硅原子直接键合的碳原子的烃基。上述式(1)中的n为2以上的情况下,2个以上的R可以互相相同也可以不同。作为上述有机官能团,例如可举出乙烯基、环氧基、苯乙烯基、(甲基)丙烯酰基、甲基丙烯酰氧基、氨基、酰脲基、异氰酸酯基、巯基、羟基、卤素基、氰基、硫醚基等。需要说明的是,(甲基)丙烯酰基是指丙烯酰基或甲基丙烯酰基的任意者。另外,上述R为包含有机官能团的烃基的情况下,上述烃基的碳数没有特别限定,例如可以设为1~30的范围内。
[0072] 作为上述有机硅化合物,只要是上述式(1)所示的具有上述R和上述X的化合物则没有特别限定,其中优选硅烷偶联剂。
[0073] 作为上述有机硅化合物,具体而言,可举出甲基三氯硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三丁氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三异丙氧基硅烷、乙基三丁氧基硅烷、丁基三甲氧基硅烷、五氟苯基三甲氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、九氟丁基乙基二甲氧基硅烷、三氟甲基三甲氧基硅烷、二甲基二氨基硅烷、二甲基二氯硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二丁基二甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3‑(3‑甲基‑3‑氧杂环丁烷甲氧基)丙基三甲氧基硅烷、氧杂环己基三甲氧基硅烷、甲基三(甲基)丙烯酰氧基硅烷、甲基[2‑(甲基)丙烯酰氧基乙氧基]硅烷、甲基‑三环氧丙氧基硅烷、甲基三(3‑甲基‑3‑氧杂环丁烷甲氧基)硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、2‑(3,4‑环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3‑环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3‑环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3‑环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、对苯乙烯基三甲氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3‑甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3‑丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N‑2‑(氨基乙基)‑3‑氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N‑2‑(氨基乙基)‑3‑氨基丙基三甲氧基硅烷、N‑2‑(氨基乙基)‑3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、3‑氨基丙基三甲氧基硅烷、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷、3‑三乙氧基甲硅烷基‑N‑(1,3‑二甲基‑丁叉基)丙胺、N‑苯基‑3‑氨基丙基三甲氧基硅烷等。
[0074] 另外,作为上述有机硅化合物,可举出例如具有乙烯基系聚合物作为上述式(1)中的R的化合物,上述乙烯基系聚合物共聚了选自以下这些之中的乙烯基系化合物:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2‑乙基己酯、(甲基)丙烯酸环己酯等(甲基)丙烯酸酯;(甲基)丙烯酸、衣康酸、富马酸等羧酸和马来酸酐等酸酐;(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等环氧化合物;二乙基氨基乙基(甲基)丙烯酸酯、氨基乙基乙烯基醚等氨基化合物;(甲基)丙烯酰胺、衣康酸二酰胺、α‑乙基丙烯酰胺、巴豆酰胺、富马酸二酰胺、马来酸二酰胺、N‑丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等酰胺化合物;丙烯腈、苯乙烯、α‑甲基苯乙烯、氯乙烯、乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等。
[0075] 上述粘接层中,可以单独包含1种上述有机硅化合物,也可以包含2种以上。
[0076] 上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下,上述粘接层中的有机硅化合物的含量只要是上述粘接层的有机硅原子比率成为上述的范围的量即可,可以根据粘接剂成分的种类、有机硅化合物的种类来适当设定。例如,有机硅化合物的含量以固体成分量计,相对于粘接剂成分100质量份,可以设为0.5质量份以上且10质量份以下,尤其优选为0.5质量份以上且5质量份以下,特别优选为1质量份以上且4质量份以下。相对于粘接剂成分100质量份的有机硅化合物的含量超过上述的范围时,有机硅化合物彼此容易发生缩合反应而形成硅氧烷低聚物,有时会阻碍粘接剂本来的密合性。另外,通过有机硅化合物具有的水解性基团与金属铝膜的羟基的反应、有机硅化合物彼此的缩合反应而产生的醇气体等气体的产生量增加,在将使用了本公开的外包装材料的真空绝热材料长期暴露在高温高湿环境下的过程中绝热性能有时会降低。另一方面,相对于粘接剂成分100质量份的有机硅化合物的含量不足上述的范围时,未包含能够与金属铝膜的粘接层侧的面存在的羟基充分形成键的量的有机硅化合物,上述羟基会残留,有时无法充分抑制水分子的吸附和性状变化。
[0077] 上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下,上述粘接层中,上述有机硅化合物可以以上述式(1)所示的单体的形式存在,也可以以具有硅氧烷键(Si‑O‑Si)的硅氧烷低聚物的形式存在。上述硅氧烷低聚物为上述式(1)所示的单体的缩合物。上述硅氧烷低聚物至少具有硅氧烷键(Si‑O‑Si),但优选具有直接键合于有机硅原子的水解性基团或羟基的至少1种。这是因为,硅氧烷低聚物具有的水解性基团或羟基能够与金属铝膜表面的羟基形成氢键或共价键。需要说明的是,上述粘接层中的硅氧烷低聚物的比例过大时,容易产生如下不良情况,即,上述粘接层发生白浊、上述粘接层的粘接力降低而容易发生层间剥离等。因此,作为硅氧烷低聚物的含量,以固体成分量计,相对于粘接剂成分100质量份,优选为5质量份以下。
[0078] 另一方面,上述含硅化合物为无机硅化合物的情况下,作为上述无机硅化合物,例如可举出硅酸、二硅氧烷、三硅氧烷、四甲氧基硅烷(TMOS)、四乙氧基硅烷(TEOS)等。上述含硅化合物为无机硅化合物的情况下,上述粘接层中的无机硅化合物的含量可以设为与上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下的上述粘接层中的有机硅化合物的含量相同。
[0079] 上述含硅化合物为无机硅化合物和有机硅化合物的混合物的情况下,上述粘接层中的硅化合物的含量(无机硅化合物的含量与有机硅化合物的含量的总和)可以设为与上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下的上述粘接层中的有机硅化合物的含量相同。另外,对于上述情况下的上述粘接层中的硅氧烷低聚物的含量,也可以设定为与上述含硅化合物为有机硅化合物的情况下的硅氧烷低聚物的含量相同。
[0080] 2.粘接剂成分
[0081] 作为上述粘接层的粘接剂成分,可以使用一般的粘接剂,其种类没有特别限定。作为上述粘接剂,例如可举出聚醚系粘接剂、聚酯系粘接剂、聚氨酯系粘接剂、乙烯基系粘接剂、(甲基)丙烯酸系粘接剂、聚酰胺系粘接剂、环氧系粘接剂、橡胶系粘接剂等。粘接剂可以为单液固化型,也可以为二液固化型。这些粘接剂成分在上述粘接层中可以仅包含1种,也可以包含2种以上。
[0082] 3.其它
[0083] 上述粘接层根据需要可以含有1种或2种以上的添加剂。作为上述添加剂,可举出例如硫化剂(交联剂)、硫化促进剂、硫化助剂(交联助剂)、增添剂、增强剂、加工助剂、抗氧化剂、增塑剂、紫外线吸收剂、润滑剂等。
[0084] 作为上述粘接层的厚度,只要是能够使上述粘接层的硅原子比率(有机硅原子比率)成为上述范围并能够发挥所期望的粘接力的大小就没有特别限定,例如可以设为1μm以上且10μm以下,优选设为2μm以上且5μm以下,更优选设为3μm以上且5μm以下。通过将上述粘接层的厚度设为上述范围,能够发挥充分的粘接力,并且进一步减少来自粘接层的脱气量。
[0085] 如上所述,在高温高湿环境下,上述粘接层通过含硅化合物具有的水解性基团与金属铝膜的羟基的反应、有机硅化合物彼此的缩合反应而产生醇气体等气体。当来自上述粘接层的气体的产生量过多时,在将使用了包含上述粘接层的外包装材料的真空绝热材料长期暴露在高温高湿环境下的过程中,从外包装材料产生的气体会滞留在真空绝热材料的内部,有时绝热性能降低。因此,上述粘接层在高温高湿环境下气体产生量越少越优选。具2 2
体而言,每1个上述粘接层的加热产生气体量优选为10mg/m以下,更优选为5mg/m以下,特
2
别优选为3mg/m以下。这是因为,通过加热产生气体量处于上述的范围,在将使用了本公开的外包装材料的真空绝热材料长期暴露在高温高湿环境下的过程中,能够抑制从上述外包装材料产生的气体滞留在真空绝热材料内部从而绝热性能降低。
[0086] 每1个粘接层的加热产生气体量可以设为通过顶空气相色谱(HS‑GC)法在规定的测定条件下测定的值。具体而言,可以制作在剥离纸的单面形成粘接层的单层而得的粘接片,从上述粘接片切出样品(尺寸10cm×10cm),将从上述样品剥下剥离纸而得的试验片封入试样管,用顶空采样器在120℃下加热60分钟,用气相色谱分析产生的气体,通过使用了峰面积的标准曲线法对加热产生气体量进行定量。对于基于顶空气相色谱(HS‑GC)法的测定时的测定条件,可以设为与后述的通过顶空气相色谱(HS‑GC)法测定外包装材料整体的加热产生气体量时的测定条件相同,因此省略此处的说明。
[0087] B.具有金属铝膜的气体阻隔膜
[0088] 本公开的外包装材料的具有金属铝膜的气体阻隔膜至少具有金属铝膜。
[0089] 1.金属铝膜
[0090] 上述金属铝膜如后所述是厚度为数nm~数百nm单位的薄膜,有别于厚度为数μm~数十μm单位的金属铝箔。另外,上述金属铝膜有别于氧化铝膜、氢氧化铝膜等由铝化合物成膜的铝化合物膜。需要说明的是,金属铝膜中可以包含杂质。
[0091] 上述金属铝膜的厚度没有特别限定,具体而言,优选为200nm以下,进一步优选为150nm以下,更优选为100nm以下,特别优选为80nm以下。另外,上述金属铝膜优选具有能够发挥所期望的气体阻隔性能的程度的厚度,没有特别限定,例如可以设为10nm以上,尤其优选为20nm以上,特别优选为30nm以上。上述金属铝膜的厚度越小,则性状变化从膜表面推进至膜内部为止的时间越短,高温高湿环境下上述性状变化容易在更加短的时间内发生。因此,采用厚度更小的金属铝膜作为上述金属铝膜的情况下,能够更显著地发挥将上述的本公开的粘接层直接配置所带来的效果。
[0092] 上述金属铝膜可以是基于涂敷的涂布膜,也可以是蒸镀膜。上述金属铝膜可以根据材料、种类而使用涂布法、蒸镀法、压接法等以往公知的方法来成膜。
[0093] 2.基材
[0094] 具有金属铝膜的气体阻隔膜可以仅为金属铝膜,也可以在上述金属铝膜的与相接于粘接层的面相反一侧的面具有基材。该情况下,上述金属铝膜通常与上述基材的表面直接相接地配置。上述基材只要是支承金属铝膜的构件则没有特别限定,例如可适宜使用树脂基材。作为上述树脂基材,具体而言,可以举出聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)等聚烯烃树脂膜;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯系树脂膜;环状烯烃共聚物膜;环状烯烃聚合物膜;聚苯乙烯树脂膜;丙烯腈‑苯乙烯共聚物(AS树脂)膜;丙烯腈‑丁二烯‑苯乙烯共聚物(ABS树脂)膜;聚(甲基)丙烯酸类树脂膜;
聚碳酸酯树脂膜;聚乙烯醇(PVA)、乙烯‑乙烯醇共聚物(EVOH)等聚乙烯醇系树脂膜;乙烯‑乙烯酯共聚物皂化物膜;各种尼龙等聚酰胺树脂膜;聚酰亚胺树脂膜;聚氨酯树脂膜;缩醛树脂膜;三乙酰纤维素(TAC)等纤维素树脂膜;其它各种树脂膜或片。尤其优选聚酯树脂膜,更优选PET膜。这是因为,由于有耐热性且有弹性,因此容易将金属铝膜成膜。
[0095] 上述基材的厚度可以设为具有能够支承金属铝膜的强度的大小,没有特别限定,例如可以设为2μm以上且400μm以下。
[0096] 上述基材优选具有可挠性。另外,上述基材可以具有透光性也可以不具有,可以透明,可以半透明,也可以不透明。
[0097] 上述基材可以在与金属铝膜相接的面进行过表面处理,也可以在与金属铝膜相接的面配置有底层、底涂层等任意的层。这是因为,可以提高对上述金属铝膜的密合性。
[0098] 3.其它
[0099] 具有金属铝膜的气体阻隔膜可以仅由金属铝膜构成,可以为在基材的一面具有金属铝膜的构成,也可以为在基材的两面具有金属铝膜的构成。
[0100] 具有金属铝膜的气体阻隔膜具有基材的情况下,可以在上述基材的未形成金属铝膜的面具有外涂膜。这是因为,能够进一步提高通过具有金属铝膜的气体阻隔膜所发挥的气体阻隔性能。作为上述外涂膜的材料,没有特别限定,例如可举出:包含具有M‑O‑P键(在此,M表示金属原子,O表示氧原子,P表示磷原子。)的金属氧化物磷酸、丙烯酸锌、树脂和无1 2 1 2
机层状化合物的气体阻隔性树脂组合物;通式R nM(OR)m(其中,式中,R 、R表示碳数1~8的有机基团,M表示金属原子,n表示0以上的整数,m表示1以上的整数,n+m表示M的原子价。)所示的至少1种以上醇盐与水溶性高分子的溶胶凝胶缩聚物等。
[0101] 本公开的外包装材料中,上述具有金属铝膜的气体阻隔膜只要有至少1个即可,也可以具有2个以上。上述具有金属铝膜的气体阻隔膜的数量可以在本公开的外包装材料能够具备所期望的特性的范围内,根据具有金属铝膜的气体阻隔膜的构成、外包装材料的气体阻隔性能等适当设定。本公开的外包装材料具有2个以上的具有金属铝膜的气体阻隔膜的情况下,具有金属铝膜的气体阻隔膜的至少1者在金属铝膜上直接配置有在上述“A.粘接层”的项目中说明过的特定的粘接层即可,尤其优选在上述情况下,具有金属铝膜的气体阻隔膜各自在金属铝膜上直接配置有在上述“A.粘接层”的项目中说明过的特定的粘接层。
[0102] C.其它构件
[0103] 本公开的外包装材料可以具有其它构件。以下,对于本公开的外包装材料的其它构件进行说明。
[0104] 1.能够热熔接的膜
[0105] 本公开的外包装材料可以在上述外包装材料的厚度方向的一侧的最外具有能够热熔接的膜。能够热熔接的膜是能够通过加热而熔接的膜。上述能够热熔接的膜是担任外包装材料的厚度方向的一个表面的构件,是在使用本公开的外包装材料制作真空绝热材料时与芯材相接、且在密封芯材时将相对的外包装材料彼此的端部接合的构件。
[0106] 作为上述能够热熔接的膜,可以使用能够通过加热而发生熔融从而融合的树脂膜,可举出例如直链状短链分支聚乙烯(LLDPE)等聚乙烯、未拉伸聚丙烯(CPP)等聚烯烃系树脂膜;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)等聚酯系树脂膜;聚乙酸乙烯酯系树脂膜、聚氯乙烯系树脂膜、聚(甲基)丙烯酸酯系树脂膜、氨基甲酸酯树脂膜等。
[0107] 上述能够热熔接的膜中,可以包含有抗粘连剂、润滑剂、阻燃剂、填充剂等其它材料。
[0108] 上述能够热熔接的膜的厚度只要是将外包装材料彼此接合时能够得到所期望的粘接力的厚度即可,例如可以设为15μm以上且100μm以下的范围内,优选设为25μm以上且90μm以下的范围内,更优选设为30μm以上且80μm以下的范围内。
[0109] 2.保护膜
[0110] 本公开的外包装材料可以在上述外包装材料的厚度方向的另一侧的最外具有保护膜。通过具有保护膜,上述保护膜成为担任外包装材料的厚度方向的另一个表面的构件,因此可以作为担任外包装材料的厚度方向的另一个表面的层,能够保护除保护膜以外的外包装材料的构成构件不发生损伤、劣化。
[0111] 作为上述保护膜,可以使用表现出比能够热熔接的膜更高的熔点的通用的树脂膜。上述保护膜尤其优选为选自尼龙膜、PET膜、PBT膜和PP膜中的至少1种。上述保护膜的厚度没有特别限定,可以适当设定。
[0112] 3.其它粘接层
[0113] 本公开的外包装材料可以具有不直接配置在金属铝膜上的其它粘接层。作为上述其它粘接层,可举出例如与在基材的一面具有金属铝膜的气体阻隔膜的上述基材相接的粘接层、夹在上述外包装材料的除上述具有金属铝膜的气体阻隔膜以外的2个构件间的粘接层等。
[0114] 上述其它粘接层可以是在上述“A.粘接层”的项目中说明过的组成的粘接层,也可以是与在上述“A.粘接层”的项目中说明过的粘接层不同组成的粘接层。即,本公开的外包装材料中,上述其它粘接层只要包含在上述“A.粘接层”的项目中说明过的粘接剂成分,则可以进一步包含含硅化合物,也可以不包含含硅化合物。
[0115] 4.任意的构成
[0116] 本公开的外包装材料除具有金属铝膜的气体阻隔膜以外,还可以包含能够发挥气体阻隔性的层。作为这样的层,例如可举出金属箔、在基材的至少一面具有用除金属铝以外的金属或无机化合物形成的薄膜的膜等。
[0117] D.其它
[0118] 本公开的外包装材料的厚度没有特别限定,可以适当设定。上述厚度优选为能够具有上述的特性的大小,根据层构成而不同,可以设为例如30μm以上,优选50μm以上,另外,上述厚度可以设为例如200μm以下,优选150μm以下。
[0119] 本公开的外包装材料的水蒸气透过度越低越优选,例如优选为0.1g/(m2·day)以2 2
下,尤其优选为0.05g/(m·day)以下,特别优选为0.01g/(m·day)以下。上述水蒸气透过度的值设为在高温高湿环境下暴露前的初始水蒸气透过度。
[0120] 水蒸气透过度可以依据ISO 15106‑5:2015(差压法),使用水蒸气透过度测定装置,在温度40℃、相对湿度差90%RH的条件下测定。初始水蒸气透过度的测定可以按照以下步骤进行。首先,将切为所期望的尺寸的外包装材料的样品安装在上述装置的上室与下室2
之间,将透过面积设为约50cm (透过区域:直径8cm的圆形),在温度40℃、相对湿度差90%RH的条件下进行测定。测定的真空绝热材料用外包装材料具有能够热熔接的膜的情况下,以真空绝热材料用外包装材料的与能够热熔接的膜相反一侧的最外层为高湿度侧(水蒸气供给侧)的方式进行安装。水蒸气透过度测定装置例如可以使用英国TechnoloX公司制的“DELTAPERM”。
[0121] 水蒸气透过度的测定在1个条件下对至少3个样品进行,将它们的测定值的平均作为该条件下的水蒸气透过度的值。以下,本说明书的水蒸气透过度可以通过与上述的方法同样的方法来测定。
[0122] 另外,本公开的外包装材料的氧透过度越低越优选,例如优选为0.1cc/(m2·2
day·atm)以下,尤其更优选为0.05cc/(m·day·atm)以下。上述氧透过度的值设为在高温高湿环境下暴露前的初始氧透过度。
[0123] 氧透过度可以参考JISK 7126‑2:2006(塑料‑膜和片‑气体透过度试验方法‑第2部:等压法,附录A:基于电解传感法的氧气透过度的试验方法),使用氧气透过度测定装置,在温度23℃、湿度60%RH的条件下测定。作为氧气透过度测定装置,例如可以使用美国MOCON公司制的“OXTRAN”。氧透过度的测定可以在1个条件下对至少3个样品进行,并将它们的测定值的平均作为该条件下的氧透过度的值。
[0124] 本公开的外包装材料整体的气体的产生量越少越优选。具体而言,本公开的外包2 2 2
装材料的加热产生气体量优选为30mg/m以下,更优选为15mg/m以下,特别优选为10mg/m以下。这是因为,通过上述外包装材料的加热产生气体量处于上述的范围,在将使用了本公开的外包装材料的真空绝热材料长期暴露在高温高湿环境下的过程中,能够抑制从上述外包装材料产生的气体滞留在真空绝热材料内部而绝热性能降低。
[0125] 上述外包装材料的加热产生气体量可以设为通过顶空气相色谱HS‑GC)法在下述的条件下测定的值。具体而言,可以从外包装材料切出试验片(尺寸:10cm×10cm),将上述试验片封入试样管中,用顶空采样器以120℃加热60分钟,用气相色谱分析产生的气体,通过使用了峰面积的标准曲线法对加热产生气体量进行定量。
[0126] <测定条件>
[0127] ·顶空气相色谱装置:Agilent Technologies公司制,HS7694型‑GC6890型[0128] ·顶空加热条件:120℃,60分钟
[0129] ·GC注入口温度:280℃
[0130] ·GC注入口模式:分流
[0131] ·GC注入口分流比:20∶1
[0132] ·柱:相当于DB‑5的产品
[0133] ·载气:氦
[0134] ·柱流量:2.0ml/分钟
[0135] ·柱升温条件:40℃×3分钟(保持)→15℃/分钟(升温)→320℃×5.33分钟(保持)
[0136] ·全程时间:27分钟
[0137] ·检测器:氢焰离子化检测器(FID)
[0138] ·检测器温度:300℃
[0139] 本公开的外包装材料具有2个以上的具有金属铝膜的气体阻隔膜的情况下,优选以如下方式来配置,即,在上述“A.粘接层”的项目中说明过的粘接层的第1面与具有金属铝膜的第1气体阻隔膜的上述金属铝膜直接相接,上述粘接层的与上述第1面相对的第2面与具有金属铝膜的第2气体阻隔膜的上述金属铝膜直接相接。这是因为,通过在上述“A.粘接层”的项目中说明过的1个粘接层,能够阻止水分子向具有金属铝膜的2个气体阻隔膜各自具有的金属铝膜的吸附,能够抑制各个金属铝膜的性状变化的推进和水蒸气阻隔性能的劣化。
[0140] 本公开的外包装材料可以在真空绝热材料中使用。在真空绝热材料中,本公开的外包装材料可以以能够热熔接的膜成为芯材侧的方式夹着芯材相对地配置而使用。
[0141] II.真空绝热材料
[0142] 本公开的真空绝热材料具有芯材和封入了上述芯材的外包装材料,上述外包装材料是在上述“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料。
[0143] 图2(a)为显示本公开的真空绝热材料的一例的概要立体图,图2(b)为图2(a)的X‑X线截面图。图2(a)、(b)中例示的真空绝热材料20具有芯材21和封入芯材21的外包装材料10,外包装材料10为图1中例示的真空绝热材料用外包装材料。就图2(a)、(b)中例示的真空绝热材料20而言,一对外包装材料10以各自的能够热熔接的膜相向的方式夹着芯材21相对地配置,通过将外包装材料10的外周的端部22接合密封,从而封入有芯材21。真空绝热材料
20的内部压力受到减压而成为比大气压低的压力状态。
[0144] 根据本公开的真空绝热材料,封入芯材的外包装材料是在上述“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料,即使在将上述真空绝热材料在高温高湿度环境下使用的情况下,也可抑制上述外包装材料的水蒸气阻隔性能的劣化,因此能够长期维持内部的低真空状态。由此,本公开的真空绝热材料能够在高温高湿度环境下长期发挥良好的绝热性能。
[0145] 以下,对于本公开的真空绝热材料,按照各构成进行说明。
[0146] A.外包装材料
[0147] 本公开的真空绝热材料的外包装材料是封入芯材的构件,与在上述“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料相同,因此省略此处的说明。
[0148] B.芯材
[0149] 本公开的真空绝热材料的芯材是被外包装材料封入的构件。需要说明的是,被封入(封入)是指被密封(密封)在使用外包装材料所形成的袋体的内部。
[0150] 上述芯材只要是热传导率低的材料即可,例如可举出粉粒体、发泡树脂、纤维等。上述芯材可以用上述的材料中的1种材料形成,也可以是混合2种以上的材料而形成的复合材料。另外,上述芯材可以为包含无机材料的物质,可以为包含有机材料的物质,也可以为包含无机材料的物质与包含有机材料的物质的混合物。
[0151] C.真空绝热材料
[0152] 本公开的真空绝热材料在外包装材料的袋体中封入芯材,将密闭的内部减压而成为真空状态。本公开的真空绝热材料的内部的真空度例如优选为5Pa以下。这是因为,不易发生因内部残留的空气的对流所导致的热传导,能够发挥优异的绝热性。
[0153] 本公开的真空绝热材料的热传导率越低越优选。上述热传导率例如优选为5mW/(mK)以下。这是因为,不易将热传导到外部,可以发挥高的绝热效果。上述热传导率尤其更优选为4mW/(mK)以下,进一步优选为3mW/(mK)以下。热传导率可以设为依据JIS A1412‑2:1999,在高温侧30℃、低温侧10℃、平均温度20℃的条件下测定的值。
[0154] D.其它
[0155] 本公开的真空绝热材料的制造方法可以使用公知的方法。例如,可以准备2张在上述的“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料,将各自的能够热熔接的膜彼此相对地重叠,将三边的外缘进行热熔接(热封),得到一边开口的袋体。从开口将芯材放入该袋体中后,从上述开口抽吸空气,在袋体的内部经减压的状态下封住开口,由此得到真空绝热材料。
[0156] III.带有真空绝热材料的物品
[0157] 本公开的带有真空绝热材料的物品为具备真空绝热材料和具有热绝缘区域的物品的带有真空绝热材料的物品,上述真空绝热材料具有芯材和封入了芯材的外包装材料,上述外包装材料是在上述“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料。
[0158] 根据本公开的带有真空绝热材料的物品,构成物品所具备的真空绝热材料的外包装材料是在上述“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中说明过的真空绝热材料用外包装材料,因此即使在高温高湿环境下长期使用的情况下,也能够长期发挥良好的绝热性能。通过物品具备这样的真空绝热材料,可以实现物品、物品所使用的对象物的省能耗化。
[0159] 对于本公开的真空绝热材料和其所使用的外包装材料,已经在上述“II.真空绝热材料”和“I.真空绝热材料用外包装材料”的项目中详细说明过,因此省略此处的说明。
[0160] 本公开的物品具有热绝缘区域。在此,上述热绝缘区域是指被真空绝热材料热绝缘的区域,例如为保温、保冷的区域;包围热源、冷源的区域;与热源、冷源隔离的区域。这些区域可以是空间也可以是物体。作为上述物品,例如可举出冰箱、冰柜、保温器、保冷器等电器;保温容器、保冷容器、输送容器、容纳器、储藏容器等容器;车辆、航空器、船舶等交通工具;房屋、仓库等建筑物;墙壁材料、地板材料等建筑材料等。
[0161] 需要说明的是,本公开不限定于上述实施方式。上述实施方式为例示,具有与本公开的请求保护的范围所记载的技术思想实质相同的构成、发挥同样的作用效果的任意方式均包含在本公开的技术范围内。
[0162] 实施例
[0163] 以下示出参考实施例和参考比较例以及实施例和比较例,进一步具体地说明本公开。
[0164] [参考实施例1~8和参考比较例1~3]
[0165] (粘接剂组合物的制备)
[0166] 使用下述材料,按照表1所示的配合制备粘接剂组合物AA1~AA5、BA1~BA4、BB1~BB2。
[0167] <粘接剂>
[0168] ·粘接剂A:以聚酯多元醇作为主成分的主剂(ROCKPAINT公司制,产品名:RU‑77T)、包含脂肪族系多异氰酸酯的固化剂(ROCKPAINT公司制,产品名:H‑7)和乙酸乙酯溶剂以重量配合比为主剂∶固化剂∶溶剂=10∶1∶14的方式混合而得的二液固化型粘接剂。
[0169] ·粘接剂B:以聚酯系树脂作为主成分、具有甲氧基硅烷成分的主剂(东洋莫顿公司制,产品名:TM‑556‑S)、包含多异氰酸酯系树脂的固化剂(东洋莫顿公司制,产品名:CAT‑56)和乙酸乙酯溶剂以重量配合比为主剂∶固化剂∶溶剂=17∶3∶30的方式混合而得的二液固化型粘接剂。
[0170] <硅烷偶联(SC)剂>
[0171] ·硅烷偶联剂A(SC剂A):3‑环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(信越SILICONE株式会社制,KBM‑403)
[0172] ·硅烷偶联剂B(SC剂B):乙烯基三甲氧基硅烷(信越SILICONE株式会社制,KBM‑1003)
[0173] [表1]
[0174]
[0175] 在单面具有铝蒸镀膜(厚度70nm)的气体阻隔膜A(TORAY Film加工公司制,产品2
名:TAF1590,基材:PET膜,以下有时简称为膜A。)的铝蒸镀膜面,以涂布量为3.5g/m的方式涂布提前制备得到的各粘接剂组合物之一而形成粘接层。在上述粘接层的与相接于铝蒸镀膜的面相反一侧的面配置聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材,在40℃下进行3天老化,得到样品(参考实施例1~8和参考比较例1~3)。
[0176] [评价]
[0177] 对于参考实施例1~8和参考比较例1~3中得到的样品,进行下述评价1~4。
[0178] (评价1:粘接层的有机硅原子比率)
[0179] 对于参考实施例1~8和参考比较例1~3中得到的各样品,通过X射线光电子能谱分析(XPS)进行粘接层表面的组成分析,求出粘接层的有机硅原子比率。首先,将各样品的粘接层与金属铝膜之间剥离而使粘接层露出,使用X射线光电子能谱仪(Thermo公司制的Theta‑Probe),在下述的条件下从粘接层的露出面沿深度方向照射X射线,将C、O、N、有机Si作为分析对象元素,测定X射线光电子谱。从得到的谱中减去用Shirley法确定的背底,根据峰的面积,使用相对灵敏度因子法,求得将粘接层中的碳原子、氧原子、氮原子和有机硅原子的总原子数设为100at%时的有机硅原子的原子数比率(at%)。需要说明的是,以C1s谱中归属于C‑C键的峰为284.6eV~285.0eV的范围的方式进行谱的电荷校正。另外,对于Si2p峰,将谱中在101.5eV~102.5eV的范围出现的峰作为来自有机Si元素的峰,在103.0eV~103.8eV的范围出现的峰作为来自无机Si元素的峰。
[0180] <测定条件>
[0181] ·入射X射线:Monochromated Al‑Kα线(单色化X射线,Hv=1486.6eV)[0182] ·X射线照射区域(测定面积):400μmφ
[0183] ·X射线输出功率:100W(15kV·6.7mA)
[0184] ·光电子收集角度:53°(将试样法线设为0°)
[0185] ·电荷中和条件:电子中和枪(+6V、0.05mA),低加速Ar+离子照射
[0186] ·测定峰:Al2p、Si2p、C1s、N1s、O1s、F1s
[0187] 需要说明的是,在参考实施例1~8和参考比较例1~3中得到的各样品的粘接层表面的组成分析中,未检测到无机Si的谱,因此上述粘接层的硅原子比率与上述有机硅原子比率相同。
[0188] (评价2:层间剥离发生评价)
[0189] 对于参考实施例1~8和参考比较例1~3中得到的各样品,从上述粘接层的与相接于金属铝膜的面相反一侧的面配置的PET基材侧确认外观,确认层间剥离是否发生。将金属铝膜与PET基材之间未确认到层间剥离的情况设为○,金属铝膜与PET基材之间确认到1处以上的层间剥离的情况设为×。
[0190] (评价3:初始和高温高湿保持后的水蒸气透过度)
[0191] 对于参考实施例1~6和参考比较例1~3中得到的各样品,测定初始的水蒸气透过度。水蒸气透过度依据JIS K7129:2008(附录B:红外线传感法),使用水蒸气透过度测定装置(美国MOCON公司制,PERMATRAN),在温度40℃、相对湿度差90%RH的条件下测定。就测定而言,首先,从各样品以所期望的尺寸切出试验片,以上述试验片的金属铝膜面成为高湿度2
侧(水蒸气供给侧)的方式安装于上述装置的上室与下室之间,将透过面积设为约50cm (透射区域:直径8cm的圆形),在温度40℃、相对湿度差90%RH的条件下进行测定。针对各样品,对至少3个试验片进行水蒸气透过度的测定,将它们的测定值的平均作为该样品的水蒸气透过度的值。
[0192] 接下来,将参考实施例1~6和参考比较例1中得到的各样品在温度85℃、相对湿度85%的环境下保持28天后,与上述的初始的水蒸气透过度的测定方法同样地进行,测定高温高湿保持后的水蒸气透过度。
[0193] (评价4:初始和高温高湿保持后的OD值)
[0194] 对于参考实施例1~6和参考比较例1~3中得到的各样品,使用透过浓度计(X‑rite公司制,便携式透过浓度计341)测定初始的OD值。
[0195] 接下来,将参考实施例1~6和参考比较例1~3中得到的各样品在温度85℃、相对湿度85%的环境下保持28天后,与上述的初始的OD值的测定方法同样地进行,测定高温高湿保持后的OD值。
[0196] 将评价1~4的结果示于表2。
[0197] [表2]
[0198]
[0199] [考察1]
[0200] 根据上述表2,参考实施例1~6和参考比较例1的初始的水蒸气透过度未观察到大的差异,但参考比较例1的高温高湿环境下长期保持后的水蒸气透过度与参考实施例1~6相比大幅上升。由该情况显示,粘接层的有机硅原子比率越高,则即使在高温高湿环境下长期保持也可抑制水蒸气阻隔性能的劣化。另一方面,参考比较例2~3中,粘接层的有机硅原子比率超过7.0at%,在高温高湿环境下保持的过程中确认到层间剥离的发生。另外,参考比较例2~3中,观察到粘接层发生白浊的样子。
[0201] 参考实施例1~8和参考比较例1~3的初始的OD值未观察到大的差异,但粘接层中的有机硅原子比率不满足规定的范围的参考比较例1的高温高湿环境下长期保持后的OD值与参考实施例1~8相比急剧降低。据推测这是由于,未能与粘接层中的有机硅化合物形成键的羟基在金属铝膜表面残留较多,上述羟基大量吸附水分子,因此性状变化推进至膜内部而成为透明的铝化合物膜。
[0202] [实施例1~2和比较例1]
[0203] (真空绝热材料用外包装材料的制作)
[0204] 准备下述中所示的具有金属氧化物磷酸层的膜(以下有时简称为膜B。)、具有金属铝膜的气体阻隔膜(以下有时简称为膜C。)和能够热熔接的膜。
[0205] ·具有金属氧化物磷酸层的膜(膜B):在单面形成了具有Al‑O‑P键的金属氧化物磷酸层的PET膜(厚度12μm,可乐丽公司制,KURARISTER CF)
[0206] ·具有金属铝膜的气体阻隔膜(膜C):单面蒸镀了金属铝(Al)膜的EVOH膜(厚度12μm,可乐丽公司制,TMXL)
[0207] ·能够热熔接的膜:直链状(线性)低密度聚乙烯(LLDPE)膜(厚度50μm,三井化学Tohcello公司制,TUX‑HC‑E)
[0208] 使用参考实施例1~6和参考比较例1中使用的膜A及上述膜B和上述膜C、以及上述能够热熔接的膜,得到具有膜B//膜A//膜C//能够热熔接的膜的层叠顺序的真空绝热材料用外包装材料。上述层叠顺序的“//”是指经由粘接层的层叠界面。另外,上述真空绝热材料用外包装材料中,膜B为能够发挥气体阻隔性的层。粘接层如下形成:在上述层叠顺序中经2
由上述粘接层相邻的2个层中的一个层表面,以涂布量为3.5g/m的方式涂布提前制备得到的各粘接剂组合物的AA1~AA3的任意者。另外,膜A~C分别以如下方式配置:膜A以金属铝膜面朝向膜B侧的方式配置,膜B以金属氧化物磷酸层侧的表面朝向膜C侧的方式配置,膜C以金属铝膜侧的表面朝向膜B侧的方式配置。
[0209] (真空绝热材料的制作)
[0210] 准备2张从得到的真空绝热材料用外包装材料切出的单片(尺寸:360mm×450mm),以能够热熔接的膜彼此相向的方式将2张重叠,将四边形的三边热封而制作仅一边开口的袋体。作为芯材,使用玻璃棉(尺寸:290mm×300mm×30mm),进行干燥处理后,在袋体中收纳芯材和作为干燥剂的5g的氧化钙,将袋体内部进行排气。其后,将袋体的开口部分通过热封进行密封从而得到真空绝热材料。到达压力设为0.05Pa。
[0211] [评价]
[0212] 对于实施例1~2和比较例1中得到的真空绝热材料用外包装材料和真空绝热材料,进行下述的评价5~评价6。
[0213] (评价5:加热产生气体量)
[0214] 通过顶空气相色谱(HS‑GC)法测定实施例1~2和比较例1中得到的真空绝热材料用外包装材料的加热产生气体量。首先,从各真空绝热材料用外包装材料切出试验片(尺寸:10cm×10cm),将上述试验片封入试样管中,将其用顶空采样器以120℃加热60分钟。由此,将从试验片产生的气体供于气相色谱测定。加热产生气体量通过使用了峰面积的标准曲线法进行定量。测定条件如下所示。
[0215] <测定条件>
[0216] ·HS‑GC装置:Agilent Technologies公司制,HS7694型‑GC6890型
[0217] ·顶空加热条件:120℃,60分钟
[0218] ·GC注入口温度:280℃
[0219] ·GC注入口模式:分流
[0220] ·GC注入口分流比:20∶1
[0221] ·柱:相当于DB‑5的产品
[0222] ·载气:氦
[0223] ·柱流量:2.0ml/分钟
[0224] ·柱升温条件:40℃×3分钟(保持)→15℃/分钟(升温)→320℃×5.33分钟(保持)
[0225] ·全程时间:27分钟
[0226] ·检测器:氢焰离子化检测器(FID)
[0227] ·检测器温度:300℃
[0228] (评价6:热传导率)
[0229] 对于实施例1~2和比较例1中得到的真空绝热材料,分别测定初始(在温度70℃、湿度90%RH的气氛中保持前)的热传导率(A)、在温度70℃、湿度90%RH的气氛中保持15天后的热传导率(B)、在温度70℃、湿度90%RH的气氛中保持50天后的热传导率(C)。热传导率使用热传导率测定装置(产品名:AutoA HC‑074,英弘精机制),依据JIS A1412‑2:1999(热绝缘材料的热阻和热传导率的测定方法‑第2部:热流计法(HFM法)),在下述的条件下测定。针对各真空绝热材料,对至少3个样品进行热传导率的测定,将它们的测定值的平均作为该真空绝热材料的热传导率的值。
[0230] <测定条件>
[0231] ·尺寸:宽度29cm±0.5cm,长度30cm±0.5cm
[0232] ·试验的稳定所需要的时间:15分钟以上
[0233] ·标准板的种类:EPS
[0234] ·高温面的温度:30℃
[0235] ·低温面的温度:10℃
[0236] ·测定试样的平均温度:20℃
[0237] 将评价5~6的结果示于表3。
[0238] [表3]
[0239]
[0240] [考察2]
[0241] 根据上述表3可确认,实施例2与实施例1相比,从在温度70℃、湿度90%RH的环境下放置起至热传导率降低为止的时间更早。据推测这是由于,实施例2的真空绝热材料用外包装材料的粘接层的有机硅原子比率超过5.0at%,来自粘接层的加热产生气体量增加。
[0242] 附图标记说明:
[0243] 1:金属铝膜;
[0244] 2:基材;
[0245] 10:真空绝热材料用外包装材料;
[0246] 11:具有金属铝膜的气体阻隔膜;
[0247] 12:粘接层;
[0248] 13:能够热熔接的膜;
[0249] 20:真空绝热材料;
[0250] 21:芯材。