一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器转让专利
申请号 : CN202010871391.X
文献号 : CN111968981B
文献日 : 2021-12-24
发明人 : 华文宇 , 陶谦 , 刘藩东 , 夏季
申请人 : 无锡拍字节科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种存储器件的制造方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括铁电存储单元区,所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线;
形成第一互连结构,所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线,及它们之间的第一介质层;
形成电容器接触盘,所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层;
依次形成第三介质层和硬掩模层;
通过光刻和刻蚀工艺使硬掩模层图案化,并以图案化后的硬掩模层作为掩模进行刻蚀,在第三介质层中形成深孔,然后去除硬掩模层,所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘;
形成第一电极层;
形成高K铁电氧化物层和第二电极层;
形成金属互连及板线,
其中所述方法还包括:在形成第一电极层之前,对深孔顶部进行扩孔,形成扩孔结构,所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔的截面面积,其中形成第一电极层包括:在深孔结构和扩孔结构内形成电容的底部电极层的第一电极层,然后去除介质层顶面、扩孔结构侧壁和底部的底部电极层,仅保留扩孔结构下方的深孔底部和侧面的第一电极层;在底部电极层上形成铁电材料层和铁电材料层上的第二电极层,其中铁电材料层完全覆盖深孔的第一电极层以及扩孔结构的内表面,第二电极层完全填充深孔和扩孔结构;通过化学机械研磨的方式将第三介质层顶面的铁电材料层和第二电极层磨掉形成铁电电容结构。
2.如权利要求1所述的存储器件的制造方法,其特征在于,形成金属互连及板线包括:在第三介质层的顶面形成第四介质层;在第四介质层上钻孔并形成金属互连,所述金属互连与第二电极层电连接;在所述金属互连上方形成板线。
3.如权利要求1所述的存储器件的制造方法,其特征在于,第三介质层由至少两种不同的绝缘材料层叠形成,
所述方法还包括在形成深孔并去除硬掩模层之后,通过湿法刻蚀对深孔的侧壁进行处理,所述湿法刻蚀对至少两种不同的绝缘材料的刻蚀速率不同,从而在深孔侧壁上形成一个或多个凸起。
4.一种存储器件的电容器,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括铁电存储单元区,所述铁电存储单元区具有源区、漏区、栅极区、隔离区以及各个功能区上方的电极及互连金属线;
第一互连结构,所述第一互连结构包括电容器导电柱、位线导电柱、电容器导电柱顶部的电容器导电互连、位线导电柱顶部的金属位线及它们之间的第一介质层;
电容器接触盘,所述电容器接触盘包括与所述电容器导电柱电连接的金属导电柱、金属导电柱顶部的接触盘、以及它们之间的第二介质层;
层叠在第二介质层上的第三介质层;
形成在第三介质层中的深孔,所述深孔的底部暴露出所述电容器接触盘;
依次沉积在深孔的侧壁和底部的第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层;
板线,所述板线通过金属互连连接到所述第二电极层;
通过对深孔顶部进行刻蚀形成的扩孔结构,所述扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积,所述第一电极层仅设置在扩孔结构下方的深孔底部和侧面,所述高K铁电氧化物层和第二电极层形成在深孔和扩孔结构的侧壁和底部。
5.如权利要求4所述的存储器件的电容器,其特征在于,所述第三介质层由至少两种不同的绝缘材料层叠形成,所述深孔的侧壁具有一个或多个凸起。
6.一种存储器件的制造方法,其包括:在半导体衬底上形成存储单元区和外围电路区,其中在存储单元区的衬底上形成晶体管,所述晶体管包括源极、漏极和栅极;
在存储单元区及外围电路区衬底的晶体管层上沉积第一介质层,在第一介质层内形成与晶体管源极或漏极对应的通孔,在通孔内形成位线导电柱和电容导电柱;
在第一介质层上形成第二介质层,在第二介质层形成与电容导电柱连接的电容器导电互连,在第二介质层形成与位线导电柱连接的金属位线;
在第二介质层上形成第三介质层,在第三介质层形成与电容器导电互连相连的电容器接触盘;
在第三介质层上形成第四介质层,在第四介质层与前述电容器接触盘对应的位置刻蚀形成深孔暴露出电容器接触盘,在深孔内依次沉积下电极层、铁电材料层和上电极层形成铁电电容结构;
在铁电电容上方形成第五介质层,在第五介质层形成与铁电电容上电极相连的金属板线,
其中形成深孔的步骤进一步包括先刻蚀形成具有第一截面尺寸的深孔,然后在深孔上方刻蚀形成扩孔结构的步骤,扩孔结构处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积,
其中形成铁电电容的步骤进一步包括:在深孔结构和扩孔结构内形成电容的底部电极层的第一电极层,然后去除介质层顶面、扩孔结构侧壁和底部的底部电极层,仅保留扩孔结构下方的深孔底部和侧面的第一电极层;在底部电极层上形成铁电材料层和铁电材料层上的第二电极层,其中铁电材料层完全覆盖深孔的第一电极层以及扩孔结构的内表面,第二电极层完全填充深孔和扩孔结构;通过化学机械研磨的方式将第四介质层顶面的铁电材料层和第二电极层磨掉形成铁电电容结构。
7.如权利要求6所述的方法,其中所述电容器导电互连、金属位线、金属板线为铜金属。
8.如权利要求6所述的方法,其中所述铁电电容结构还包括形成于下电极与电容器接触盘之间的铜扩散保护层,在上电极上形成有一层铜扩散保护层。
9.如权利要求6所述的方法,其中所述铁电电容的底面积小于电容器接触盘的面积,刻蚀形成深孔时,电容器接触盘构成深孔刻蚀阻挡层。
10.如权利要求6所述的方法,其中形成与电容器上电极相连的金属板线的步骤包括,在电容器结构上形成介质层,在介质层的电容器结构的中心位置形成通孔,在通孔内形成导电柱连接电容器的上电极,在导电柱上形成介质层,在介质层形成开孔,在开孔内沉积金属形成金属板线。
11.如权利要求6所述的方法,其中第四介质层包括多层结构,刻蚀形成深孔的步骤进一步包括先对多层结构进行刻蚀,形成平齐的深孔内壁,然后再经过湿法刻蚀形成不同层之间的凸出结构。
12.如权利要求6所述的方法,其中所述铁电电容的上电极层和下电极层的材料包括下列各项至少之一:氮化钛TiN、氮化钛硅TiSiNx、氮化钛铝TiAlNx、碳氮化钛TiCNx、氮化钽TaNx、氮化钽硅TaSiNx、氮化钽铝TaAlNx、氮化钨WNx、硅化钨WSix、碳氮化钨WCNx、钌Ru、氧化钌RuOx、铱Ir、掺杂多晶硅、透明导电氧化物TCO或氧化铱IrOx;所述铁电材料层的材料包括氧和一种或多种铁电金属,所述铁电金属包括锆Zr、铪Hf、钛Ti、铝Al、镍Ni和/或铁Fe,并且铁电材料可以掺杂第II族元素钙Ca、锶Sr或钡Ba或第III族元素钪Sc、钇Y、铝Al、镓Ga以及铟In或者镧系元素镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钷Pm、钐Sm、铕Eu、钆Gd、铽Tb、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb、镥Lu。
说明书 :
一种FCOB存储器件的制造方法及其电容器
技术领域
背景技术
心原子顺着电场的方向在晶体里移动并停在第二低能量状态。大量中心原子在晶体单胞中
移动耦合形成铁电畴,铁电畴在电场作用下形成极化电荷。铁电畴在电场下反转所形成的
极化电荷较高,铁电畴在电场下无反转所形成的极化电荷较低,这种铁电材料的二元稳定
状态使得铁电可以作为存储器。
别存储单元是在“1”或“0”状态。铁电畴的反转不需要高电场,仅用一般的工作电压就可以
改变存储单元是在“1”或“0”的状态;也不需要电荷泵来产生高电压数据擦除,因而没有擦
写延迟的现象。这种特性使铁电存储器在掉电后仍能够继续保存数据,写入速度快且具有
无限次写入寿命,不容易写坏。并且,与现有的非易失性内存技术比较,铁电存储器具有更
高的写入速度和更长的读写寿命。
单元,其包括电容器102和晶体管104。晶体管104为NMOS晶体管。晶体管104的源极S电连接
到位线BL。晶体管104的栅极电连接到字线WL。晶体管104的漏极D电连接到电容器102的下
电极112。电容器102的上电极110连接到板线PL。
的平面铁电电容器102占据的面积较大,限制了该铁电存储单元的集成度。
发明内容
触盘;
的导电金属、高K铁电氧化物层和第二电极层,仅保留深孔中的保护层、导电金属、高K铁电
氧化物层和第二电极层。
所述金属互连上方形成板线。
和第二电极层,仅保留深孔侧壁、底部及顶部四周的第一电极层、高K铁电氧化物层和第二
电极层,从而使得每个电容器相互分离开。
中所述金属互连从深孔底部的第二电极层延伸到第四介质层顶部,或者所述金属互连从深
孔顶部四周的第二电极层延伸到第四介质层顶部;在所述金属互连上方形成板线。
的截面面积。
成一个或多个凸起。
述第一电极层仅设置在扩孔结构下方的深孔底部和侧面,所述高K铁电氧化物层和第二电
极层形成在深孔和扩孔结构的侧壁和底部。
电容器结构,因此,本发明的这种结构也称为FCOB(铁电电容在位线的上方Ferroelectric
Capacitor Over Bitline)。采用深孔型结构的下电极和上电极,可以在同等正对平面面积
下,显著提高铁电电容的等效剩余极化强度,使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提
供足够大的电压窗口,在130nm工艺节点以下可以实现铁电电容三维化,存储密度大。
附图说明
将不被认为是对其范围的限制。在附图中,为了清楚明了,相同或相应的部件将用相同或类
似的标记表示。
具体实施方式
一起实施各实施例。在其它情形中,未示出或未详细描述公知的结构、材料或操作以免使本
发明的各实施例的诸方面晦涩。类似地,为了解释的目的,阐述了特定数量、材料和配置,以
便提供对本发明的实施例的全面理解。然而,本发明可在没有特定细节的情况下实施。此
外,应理解附图中示出的各实施例是说明性表示且不一定按比例绘制。
语“在一个实施例中”并不一定全部指代同一实施例。
性,或以复数形式来描述特征、结构或特性的组合。类似地,诸如“一个”、“一”、或“该”之类
的术语又可以至少部分地根据上下文被理解为表达单数用法或表达复数用法。
在有中间特征或中间层位于二者之间的情况下处于某物上,并且“在……之上”、或“在……
上方”不仅指处于某物之上或上方,而且还可以包括在二者之间没有中间特征或中间层的
情况下处于在某物之上或上方(即直接处于某物上)。
系。空间相关术语旨在除了涵盖器件在附图中描述的取向以外还涵盖该器件在使用或操作
时的其它取向。装置可以以其它方式被定向(旋转90°或处于其它取向),并且这里所用的空
间相关描述相应地也可同样地来解释。
多样的半导体材料,如硅、锗、砷化镓、磷化铟等。可替代地,衬底也可由电学非导电材料,如
玻璃、塑料、或蓝宝石晶片制成。
异质的连续结构的一个区域,该区域的厚度小于该连续结构的厚度。例如,层可位于任何一
对水平平面之间,或位于该连续结构的顶面或底面处。层可水平地、垂直地、和/或沿锥形表
面延伸。衬底可以是层,可包括一个或多个层在其中,和/或可以具有一个或多个层在其上,
和/或一个或多个层在其下。一层可包括多层。例如,互连层可包括一个或多个导体和接触
层(其中形成接触部、互连线和/或通孔)和一个或多个介电层。
图3A至图3K以及图4描述形成铁电存储单元的电容器的过程。
元区312已经形成有器件的源区、漏区(图中未示出)、栅极区313、器件间隔离区314以及各
个功能区上方的电极及互连金属线(图中未示出)。为了清楚并简化本发明的描述,在图3A
中,仅示出了部分电路区311和铁电存储单元区312。电路区311可用于对铁电存储单元区
312进行控制。
层321中形成通孔,该通孔暴露出衬底310上各功能区的外接电极;依次沉积粘合层和钨金
属层填充该通孔;进行化学机械研磨工艺去除多余的介质层321、粘合层和钨金属层,形成
从衬底310表面电极延伸到介质层321顶面的多个钨导电柱323、324、325,如图3B所示,然后
在多个钨导电柱上形成介质层329和第一金属层,如图3C所示。在本发明的其他实施例中,
可以采用其他金属作为形成导电柱的材料。在图3B所示的具体实施例中,在钨导电柱与衬
底310表面电极之间以及钨导电柱与介质层之间可以形成氮化钛作为粘合层(图中未示
出)。多个钨导电柱可包括电路导电柱323、电容器导电柱324、位线导电柱325等等。电路导
电柱323与电路区311表面电极连接,电容器导电柱324用于将铁电存储单元区312的晶体管
的掺杂区(源极或漏极)与电容器形成电连接,位线导电柱325用于将铁电存储单元区312的
晶体管的另一掺杂区(源极或漏极)与位线形成电连接。在图3C所示的具体实施例中,第一
金属层为金属铜层,其可包括电路线路326、电容器导电互连327、金属位线328。电路线路
326与电路导电柱323电连接,电容器导电互连327与电容器导电柱324电连接,金属位线328
与位线导电柱325电连接。其中电容器导电互连327从顶面俯视为一个方块,金属位线328为
垂直纸面的一条金属线。
互连结构。
质层331中形成通孔,该窗口暴露出电容器导电互连327的部分顶面;沉积金属层填充通孔,
在该实施例中该金属层为金属铜;去除多余金属层,形成从电容器导电互连327的顶面延伸
到介质层331顶面的导电柱334;在导电柱334的顶面形成介质层333和电容器接触盘330。在
上述电容器接触盘330的形成过程的同时,可以在电路区311上方形成与电路线路326电连
接的导电柱335和电路线路332,从而使电路导电柱323延伸到介质层的顶面。在该实施例中
导电柱335和电路线路332均为铜金属,在该实施例中导电柱和电路线路为分两步分别进行
通孔刻蚀和填充,在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和电路线路的通孔然后一次
性填充金属同时形成导电柱和电路线路,同样的在该实施例中在存储单元区导电柱334和
电容器接触盘330是分两步分别进行通孔刻蚀和填充,在其他实施例中也可以是先统一刻
蚀导电柱和电容器接触盘的通孔然后一次性填充金属同时形成导电柱和电容器接触盘。电
容器接触盘330的面积大于后续形成的深孔的底部面积,因此该电容器接触盘330可以用作
深孔刻蚀的刻蚀停止层。
路导电柱和电路线路具有五层电路导电柱和电路线路结构,然而本领域的技术人员应该理
解,在本发明的其他实施例,电路区可以具有更多或更少的导电柱和电路线路结构。每一层
导电柱和电路线路结构中所采用的介质材料和金属材料可以相同也可以不同。
层(例如,介质层331、333等)单独或组合起来可以是单一材料层,也可以是多层材料层叠形
成的复合材料层。在本发明的实施例中,介质层可以为氧化硅、氮氧硅、硼硅酸盐玻璃、硅酸
磷玻璃(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、氟化玻璃硅酸盐玻璃(FSG)、low‑K介质等无机材料;
也可以为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材料、BCB(双苯环
丁烯树脂)或者PBO(苯基苯并二恶唑树脂)等有机材料。介质层可以通过化学气相沉积、滚
压、旋涂、喷涂、印刷、非旋转涂覆、热压、真空压合、浸泡、压力贴合等方式制作介质层。
337可以是多层结构,也可以是单一材料层。在本发明的实施例中,通过刻蚀工艺形成电容
器深孔361可包括形成掩模层,通过光刻刻蚀工艺在掩模层中形成窗口露出下方介质层,刻
蚀介质层直到暴露出电容器接触盘的顶端,最后去除掩模层。电容器接触盘可以作为深孔
刻蚀工艺的刻蚀停止层。电容器接触盘的面积大于深孔361的底面积。
TiAlNx、TiCNx、TaAlNx、TaCNx、AlNx、Ru、RuOx、Ir、IrOx、W、WCNx、Wsix、Pt、Au、Ni、Mo或这些
材料的复合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电子束Ebeam蒸
发沉积、分子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或多种工艺来
沉积第一电极层371,然后去除介质层顶面的材料层,仅保留深孔361底部和侧面的材料层。
在本发明的具体实施例中,如果电容器接触盘是铜焊盘,为了防止铜迁移,在沉积第一电极
层371之前,先沉积保护层372;如果电容器接触盘是钨焊盘,则可以省略保护层372的沉积
步骤。保护层372可以是氮化钽(TaN)或者氮化钨(WNx)等。
料中的一种或多种:HfOx、AlOx、ZrOx、LaOx、TaOx、NbOx、GdOx、YOx、SiOx、SrOx或这些材料的复
合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电子束Ebeam蒸发沉积、分
子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或多种工艺来沉积高K铁
电氧化物层。第二电极层382是电容器的另一个电极层,例如,可以是以下材料中的一种或
多种:钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钛硅(TiSiNx)、氮化钛铝(TiAlNx)、碳氮化钛(TiCNx)、氮
化钽(TaNx)、氮化钽硅(TaSiNx)、氮化钽铝(TaAlNx)、氮化钨(WNx)、硅化钨(WSix)、碳氮化
钨(WCNx)、钌(Ru)、氧化钌(RuOx)、铱(Ir)、掺杂多晶硅、透明导电氧化物(TCO)或氧化铱
(IrOx)或这些材料的复合。可通过原子层沉积ALD、化学气相沉积CVD、物理气相沉积PVD、电
子束Ebeam蒸发沉积、分子束外延MBE沉积、脉冲激光沉积PLD以及类似沉积工艺中的一种或
多种工艺来沉积第二电极层382。
3J所示,仅保留深孔361中的保护层391和接触层392、高K铁电氧化物层381和第二电极层
382。在本发明的一个实施例中,保护层391与保护层372类似,可以是但不限于TaN或者氮化
钨等。填充金属392与接触盘类似,可以是但不限于铜。
积的金属层在电路区形成与下方的导电线路及导电柱连接的导电柱395,然后在导电柱上
形成电路线路397,在存储单元区形成与电容上电极上沉积的填充金属392连接的导电柱
396,然后在导电柱396上形成金属板线394如图3K所示,其中金属板线394为垂直纸面延伸
的一条金属线。在该实施例中导电柱和电路线路为分两步分别进行通孔刻蚀和填充,在其
他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和电路线路的通孔然后一次性填充金属同时形成
导电柱和电路线路,在该实施例中导电柱和金属板线为分两步分别进行通孔刻蚀和填充,
在其他实施例中也可以是先统一刻蚀导电柱和金属板线的通孔然后一次性填充金属同时
形成导电柱和金属板线。至此形成了存储器的铁电电容和板线,然后在板线的上方再形成
介质层、金属互连和其他金属层等结构以形成对外的连接,此处不再一一详细说明。
层氮化钽或者氮化钨以防止金属铜扩散的保护层。
介质层,形成铁电电容的介质层336、337可以统称为第四介质层,覆盖铁电电容的介质层
393可以称为第五介质层。
存储单元区312金属互连及引出,有利于简化工艺步骤并降低制造成本。
位线并在位线上形成接触盘,电容器单元在金属位线之上形成,因此本发明的这种结构也
称为FCOB(铁电电容在位线的上方Ferroelectric Capacitor Over Bitline)。采用深孔型
结构的下电极和上电极,可以在同等正对平面面积下,显著提高铁电电容的等效剩余极化
强度,使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提供足够大的电压窗口,在130nm工艺节点
以下可以实现铁电电容三维化,存储密度大。
在图5的圆圈标记处出现金属离子残留,导致上下电极的漏电,若上电极4发生光刻对准偏
差,容易造成上下电极的直接短路;因此图6至图8的实施例针对上述问题,提出了一种新的
方案。
略步骤610至步骤640的详细描述。
第一电极层、高K铁电氧化物层和第二电极层的材料和形成工艺类似,同样的,在铜金属接
触盘与铁电电容的下电极711之间形成有一层防止铜扩散的保护层(图中未标号),此处不
再详细描述。
层711、高K铁电氧化物层712和第二电极层713,从而使得每个电容器相互分离开,如图7B所
示。图8示出根据本发明的一个实施例的采用步骤660进行光刻和刻蚀后分隔开的电容器单
元的立体示意图,其中省略了保护层的示意图,如图所示与传统的平面电容不同,所述电容
器为三维立体结构。
732分别连接到第二电极层713、电路导电柱716,接下来,在电容导电柱731上方形成介质层
然后开孔沉积金属形成与导电柱731连通的金属板线733,而在电路区开孔沉积金属形成与
电路导电柱716连通的金属线路734,如图7C所示。在图7C所示的实施例中,导电柱731从电
容器深孔底部延伸到介质层715的顶部。在本发明的另一个实施例中,导电柱731可以设置
在电容器深孔顶部边缘,如图7D所示。在本发明的又一个实施例中,在深孔中填充导电金
属,然后在导电金属顶部形成导电柱731,如图7E所示。
略步骤910至步骤940的详细描述。
102,扩孔结构102处于深孔的顶部且截面面积大于深孔结构的截面面积。
101底部和侧面的材料层,如图10C所示。
填充深孔101和扩孔结构102。
连、板线和位线,如图10F所示。形成金属互连、板线和位线的具体步骤可以参考图3K并结合
前述实施例的步骤480的描述来形成金属互连及板线、位线。
示流程类似。该实施例主要区别在于:前述图3K所示实施例中,一层或多层介质层336、337
统称为第四介质层,其中介质层336、337由至少两种不同的绝缘材料层叠形成,并且在步骤
440、640和940之后增加通过湿法刻蚀对电容器深孔的侧壁进行处理,在深孔侧壁上形成一
个或多个凸起。图11A示出了根据本发明的一个实施例的通过刻蚀工艺形成电容器深孔并
去除碳层和氮氧化硅层后的电容器深孔部分的截面示意图。如图11A所示,第四介质层可包
括三层第一绝缘材料111和二层第二绝缘112材料,每一层第一绝缘材料与第二绝缘材料依
次交替层叠。在形成铁电电容的深孔结构时,先形成如图11A所示的侧壁平齐的深孔结构
113,在刻蚀形成图11A的结构之后,对图11A形成的结构再进行湿法刻蚀,通过该湿法刻蚀
工艺对介质层中不同绝缘材料的刻蚀速率不同形成不同的刻蚀深度,从而形成不同层之间
的侧壁凹陷程度不同,形成不同层之间的凸出结构114。例如,第一绝缘材料层111的刻蚀速
率低于第二绝缘材料层112的刻蚀速率,经过特定时间,第一绝缘材料层111相对于第二绝
缘材料层112凸出,如图11B所示,从而可以在相同的孔径下增加电容的面积,实现铁电性能
的提升。然后,在具有不同层的凸出结构的深孔114内沉积形成铁电电容的底电极层、铁电
材料层和顶电极层,具体的步骤可以参考前述的460‑480、660‑670和960‑980步骤的描述。
本领域的技术人员应该理解,用于形成铁电电容深孔结构的第四介质层不限于图11A所示
的三层第一绝缘材料111和二层第二绝缘材料112交替层叠结构,用于形成铁电电容深孔结
构的第四介质层可以包括三种或更多种绝缘材料的层叠结构,并且可以根据实际需要设置
每层绝缘材料的厚度和位置。
质等无机材料;也可以为聚酰亚胺、感光型环氧树脂、阻焊油墨、绿漆、干膜、感光型增层材
料、BCB(双苯环丁烯树脂)或者PBO(苯基苯并二恶唑树脂)等有机材料或它们的组合。湿法
刻蚀工艺可以是盐酸、磷酸、氢氟酸等酸性溶液进行刻蚀。
一举例说明。
电容器结构,因此,本发明的这种结构也称为FCOB(铁电电容在位线的上方Ferroelectric
Capacitor Over Bitline)。采用深孔型结构的下电极和上电极,可以在同等正对平面面积
下,显著提高铁电电容的等效剩余极化强度,使得铁电存储器可以继续等比缩小而依然提
供足够大的电压窗口,在130nm工艺节点以下可以实现铁电电容三维化,存储密度大。
和改变而不背离本发明的精神和范围。因此,此处所公开的本发明的宽度和范围不应被上
述所公开的示例性实施例所限制,而应当仅根据所附权利要求书及其等同替换来定义。