溴化锑酸盐新型发光材料、发光薄膜及其制备方法转让专利

申请号 : CN202010748525.9

文献号 : CN112011331B

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发明人 : 倪春林张静刘维陈丛丛徐奕琳陈克来

申请人 : 华南农业大学

摘要 :

本发明属于功能材料技术领域,具体涉及溴化锑酸盐新型发光材料,即五溴合锑酸苄基取代吡啶盐,为五溴合锑阴离子和苄基取代吡啶类阳离子组成的化合物,其制备方法包括以下步骤:(1)将一定量苄基溴和取代吡啶盐置于容器中,加入溶剂溶解,加热进行反应,再进行浓缩、干燥,得到油状物;(2)将一定量Sb2O3溶于氢溴酸中,再加入一定量步骤1所得油状物,加热进行反应,然后进行过滤,将所得滤液浓缩得到晶体,即得,并可进一步采用静电纺丝工艺制备发光薄膜。本发明溴化锑酸盐新型发光材料及发光薄膜在365nm紫外光照射下展示出良好的橙红色荧光效果,是性能优异的光学材料。本发明制备方法操作简便、产率高,节约成本,应用范围广,利于工业化推广。

权利要求 :

1.溴化锑酸盐新型发光材料,其特征在于:其化学结构如下式所示:;其中,R为H或NH2;

所述溴化锑酸盐新型发光材料为晶体材料,晶系为Monoclinic,空间群为P21/n。

2.根据权利要求1所述的溴化锑酸盐新型发光材料,其特征在于:当R为H时,所述晶体材料的晶胞参数为a=10.025‑10.028 Å、b=24.191‑24.197 Å、c=11.885‑11.889 Å,b=

105.361‑105.369°;当R为NH2时,所述晶体材料的晶胞参数为a=9.321‑9.322 Å、b=12.621‑

12.622 Å、c=24.958‑24.961 Å,b=99.665‑99.667°。

3.权利要求1‑2任一项所述溴化锑酸盐新型发光材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将一定量苄基溴和取代吡啶盐置于容器中,加入溶剂溶解,加热进行反应,再进行浓缩、干燥,得到油状物;

(2)将一定量Sb2O3溶于氢溴酸中,再加入一定量步骤1所得油状物,加热进行反应,然后进行过滤,将所得滤液浓缩得到晶体,即得。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤(1)中的溶剂为甲醇,反应条件为于65‑70℃搅拌回流16‑24小时,浓缩为旋转蒸发;步骤(2)中的反应条件为于60‑120℃搅拌加热0.5‑2小时,所述滤液浓缩条件为室温蒸发。

5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:当R为H时,步骤(2)中的反应条件为于

100‑120℃搅拌加热0.5‑2小时;当R为NH2时,步骤(2)在反应前加入适量甲醇,反应条件为于60‑70℃搅拌加热0.5‑2小时。

6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:所用苄基溴和取代吡啶盐的摩尔比为

1:(0.5‑1.5),所用Sb2O3和油状物的质量比为1:(1.7‑1.9)。

7.溴化锑酸盐新型发光薄膜,由以下步骤制备而成:将一定量聚环氧乙烯溶于乙腈中,再加入一定量权利要求1‑2任一项所述溴化锑酸盐新型发光材料进行溶解,形成均质纺丝溶液;将所得纺丝溶液采用静电纺丝工艺进行纺丝,得到发光薄膜;所述聚环氧乙烯与溴化锑酸盐新型发光材料之间的质量比为(2‑3):1。

8.根据权利要求7所述的溴化锑酸盐新型发光薄膜,其特征在于,所述静电纺丝工艺的参数为:速度2.0 mL/h;针距收集器9 cm;电压18 kV;收集滚筒的速度为每分钟236转;纺丝时间为8小时;环境温度为25°C;相对湿度为40%‑70%。

说明书 :

溴化锑酸盐新型发光材料、发光薄膜及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于功能材料技术领域,具体涉及溴化锑酸盐新型发光材料,即五溴合锑酸苄基取代吡啶盐,及其制备方法与由其制备的发光薄膜。

背景技术

[0002] 发光材料是当今社会生活的重要组成部分之一,在能源、信息、环境和医疗保健技术等领域都得到了广泛应用。随着时间的推移,多种类型的发光材料得到了发展,包括有机
和聚合物发射体、过渡金属配合物、稀土掺杂荧光粉、纳米晶和有机‑无机杂化钙钛矿。磷光
金属配合物作为最重要的发光材料之一,在具有近100%内部量子效率的有机发光二极管中
取得了巨大的成功。然而,大多数高效的磷光配合物都是基于铱或铂,它们既不富含于地
球,也不具有成本效益,并且它们的制备往往涉及多个步骤的合成,这限制了它们在实际设
备中的潜在应用。
[0003] 近年来,有机‑无机杂化光致发光材料成为光致发光材料领域研究的热点。大多数杂化光致发光材料是含金属化合物的,其中光致发光可以很容易地通过改变金属中心来调
节。目前,金属主要是f族元素,通常成本昂贵,因此,探索其他低成本、高效率的中心金属来
合成光致发光材料是亟待解决的技术问题。

发明内容

[0004] 本发明的目的在于提供一种溴化锑酸盐新型发光材料,其在365nm紫外光照射下发出强烈的橙红色光。
[0005] 为实现上述目的,本发明通过以下技术方案实现:
[0006] 设计溴化锑酸盐新型发光材料,为五溴合锑阴离子和苄基取代吡啶类阳离子组成的化合物,其化学结构如下式所示:
[0007] ;其中,R为H或其他取代基。
[0008] 进一步优选,R为H或NH2;即溴化锑酸盐新型发光材料优选为五溴合锑酸苄基吡啶盐[BzPy]2[SbBr5](Ⅰ)或五溴合锑酸苄基4‑氨基吡啶盐[Bz‑4‑NH2Py]2[SbBr5](Ⅱ)。
[0009] 进一步优选,所述溴化锑酸盐新型发光材料为晶体材料,晶系为Monoclinic,空间群为P21/n。当R为H时,所述晶体材料的晶胞参数为a=10.025‑10.028 Å、b=24.191‑24.197 
Å、c=11.885‑11.889 Å,β=105.361‑105.369°;当R为NH2时,所述晶体材料的晶胞参数为a=
9.321‑9.322 Å、b=12.621‑12.622 Å、c=24.958‑24.961 Å,β=99.665‑99.667°。
[0010] 本发明还提供了溴化锑酸盐新型发光材料的制备方法,该方法产率高,节约成本,易于操作,利于工业化生产。该制备方法,包括以下步骤:
[0011] (1)将一定量苄基溴和取代吡啶盐置于容器中,加入溶剂(优选甲醇)溶解,于65‑70℃进行反应(搅拌回流16‑24小时),再进行浓缩(旋转蒸发仪)、干燥,得到油状物;
[0012] (2)将一定量Sb2O3溶于氢溴酸中,再加入一定量步骤1所得油状物,加热进行反应(于60‑120℃搅拌加热0.5‑2小时),然后进行过滤,将所得滤液浓缩(室温蒸发)得到晶体,
即得。
[0013] 进一步优选,当R为H时,步骤(2)中的反应条件为于100‑120℃搅拌加热0.5‑2小时;当R为NH2时,步骤(2)在反应前加入适量甲醇,反应条件为于60‑70℃搅拌加热0.5‑2小
时。
[0014] 优选的,所用苄基溴和取代吡啶盐的摩尔比为1:(0.5‑1.5),更优选1:1。
[0015] 优选的,所用Sb2O3和油状物的质量比为1:(1.7‑1.9)。
[0016] 本发明还提供了溴化锑酸盐新型发光薄膜,由以下方法制备:将一定量聚环氧乙烯(PEO)溶于乙腈中,再加入上述所得溴化锑酸盐新型发光材料进行溶解,形成均质纺丝溶
液;将所得纺丝溶液采用静电纺丝工艺进行纺丝,得到发光薄膜。
[0017] 优选的,所述静电纺丝工艺的参数为:速度2.0 mL/h;针距收集器9 cm;电压18 kV;收集滚筒的速度为每分钟236转;纺丝时间为8小时;环境温度为25°C;相对湿度为40%‑
70%。
[0018] 优选的,所述聚环氧乙烯与溴化锑酸盐新型发光材料之间的质量比为(2‑3):1,更优选8:3。
[0019] 本发明具有以下积极有益效果:
[0020] 本发明溴化锑酸盐新型发光材料及发光薄膜在365nm紫外光照射下展示出良好的橙红色荧光效果,是性能优异的光学材料。且本发明制备方法操作简便、产率高;所需仪器
设备简单,易于操作;所需溶剂耗量少,节约成本,应用范围广,利于工业化推广。

附图说明

[0021] 图1为本发明实施例 1溴化锑酸盐新型发光材料的晶体结构图(氢原子省略);
[0022] 图2为本发明实施例 1溴化锑酸盐新型发光材料的单位晶胞堆积图(氢原子省略);
[0023] 图3为本发明实施例 2溴化锑酸盐新型发光材料的晶体结构图(氢原子省略);
[0024] 图4为本发明实施例 2溴化锑酸盐新型发光材料的单位晶胞堆积图(氢原子省略);
[0025] 图5为本发明实施例1和2溴化锑酸盐新型发光材料的固体紫外可见吸收光谱;
[0026] 图6为本发明实施例1溴化锑酸盐新型发光材料的荧光发射光谱图;
[0027] 图7为本发明实施例2溴化锑酸盐新型发光材料的荧光发射光谱图;
[0028] 图8为本发明实施例1和2溴化锑酸盐新型发光材料的发光效果图(左为实施例1、右为实施例2);
[0029] 图9 为本发明实施例3和4溴化锑酸盐新型发光薄膜的发光效果图(左为实施例3、右为实施例4)。

具体实施方式

[0030] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于
限定本发明。以下实施例中所涉及的原料,如无特别说明均为市售,所涉及检测方法如无特
2‑ +
别说明,则均为常规方法。以下简写[SbBr5] 为五溴合锑阴离子,[BzPy]为苄基吡啶阳离
+
子,[Bz‑4‑NH2Py]为苄基4‑氨基吡啶阳离子。
[0031] 实施例1:
[0032] 一种五溴合锑酸苄基吡啶盐新型发光材料,用以下步骤制备而成:
[0033] (1)取0.02 mol的苄溴和0.02 mol的吡啶于100mL锥形瓶中,加入35mL甲醇溶解,于70℃加热搅拌回流20h,溶液于45℃旋转蒸发溶剂,得到粘稠黄色液体,即为溴化苄基吡
啶盐[BzPy]Br。
[0034] (2)取1mmol Sb2O3于烧杯中,加入氢溴酸10mL溶解,后加入2mmol的[BzPy]Br,于110℃加热搅拌1h,得到澄清溶液,常温下自然挥发两周,生成黄色的晶体,即得五溴合锑酸
苄基吡啶盐[BzPy]2[SbBr5];产率为77.8%。
[0035] 将所得材料进行红外光谱检测,IR(cm‑1):ν(C‑H): 3117、3048,ν(C=C):1626、1577、1484,ν(CH2):1453,ν(C–N):1287、1206、1157。
[0036] 将所得材料进行固体紫外吸收光谱检测,图谱见图5,吸收截止波长分别为为480nm,对应的光学带隙为2.40eV,对可见光有一定的吸收能力,这些带隙属于典型半导体
材料的范围,与作为潜在太阳能吸收剂研究的其他溴化金属化合物的值相当,是一种潜在
的光学材料。
[0037] 将所得材料进行X‑射线单晶衍射,晶体学数据见表1,晶体结构见图1,单位晶胞堆积见图2。将所得材料进行荧光分析,光致发光光谱见图6,在400nm激发波长下,本实施例溴
化锑酸盐在 580‑750nm间表现出一个宽带橙红色发射峰,最大吸收峰在684nm。
[0038] 将所得材料于365nm紫外光照射下进行发光性能检测,能发出明显的橙红光,见图8。
[0039] 实施例2:
[0040] 一种五溴合锑酸苄基‑4‑氨基吡啶盐新型发光材料,用以下步骤制备而成:
[0041] (1)取0.02 mol的溴化苄和0.02 mol的4‑氨基吡啶于100mL锥形瓶中,加入30mL甲醇,于60℃加热搅拌回流20h,溶液于45℃旋转蒸发溶剂,得到粘稠黄色液体,即为溴化苄基
4‑氨基吡啶盐[Bz‑4‑NH2Py]Br。
[0042] (2)取1mmol Sb2O3于烧杯中,加入1mL氢溴酸溶解,置于100mL锥形瓶中,加入2mmol的[Bz‑4‑NH2Py]Br,加入30mL甲醇,于60℃加热搅拌回流1h,进行过滤,回收粉末,将所得滤
液放入小烧杯中,常温下自然挥发两周,生成黄色的晶体,即得五溴合锑酸苄基4‑氨基吡啶
季铵盐[Bz‑4‑NH2Py]2[SbBr5];产率为85.6%。
[0043] 将所得材料进行红外光谱检测,IR(cm‑1): ν(C‑H): 3050,ν(C=C):1646、1529,ν(CH2):1455,ν(C–N):1204、1169。
[0044] 将所得材料进行固体紫外吸收光谱检测,图谱见图5,吸收截止波长分别为为470nm,对应的光学带隙分别为2.54eV,对可见光有一定的吸收能力,这些带隙属于典型半
导体材料的范围,与作为潜在太阳能吸收剂研究的其他溴化金属化合物的值相当,是一种
潜在的光学材料。
[0045] 将所得材料进行X‑射线单晶衍射,晶体学数据见表1,晶体结构见图3,单位晶胞堆积见图4。
[0046] 将所得材料进行荧光分析,光致发光光谱见图7,在400nm激发波长下,本实施例溴化锑酸盐在 580‑750nm间表现出两个橙红色发射峰,最大吸收峰分别在607nm和684nm。
[0047] 将所得材料于365nm紫外光照射下进行发光性能检测,能发出明显的橙红光,见图8。
[0048] 表1 本发明实施例 1 和2溴化锑酸盐的主要晶体学数据
[0049] 。
[0050] 实施例3:
[0051] 将实施例1五溴合锑酸苄基吡啶盐新型发光材料应用于发光薄膜制备,包括以下步骤:
[0052] 称取0.8g 聚环氧乙烯(PEO)溶于10g乙腈,放置在磁力搅拌器上70°C搅拌溶解;称取实施例1五溴合锑酸苄基吡啶盐新型发光材料0.3g溶于1g乙腈;两种溶液混合在70°C恒
温条件下搅拌至完全溶解,关闭加热,常温慢速搅拌至消泡,直至形成均匀的纺丝溶液。将
配置好的纺丝溶液注入10 mL注射器内,利用静电纺丝机进行纺丝。纺丝参数:速度为2.0 
mL/h;针距收集器9 cm;电压为18 kV;收集滚筒的速度为每分钟236转;纺丝时间为8小时;
环境温度为25°C;相对湿度为50%。最后,在静电纺丝条件下制备了发光薄膜,将所得发光薄
膜于365nm紫外光照射下进行发光性能检测,能发出明显的橙红光,见图9。
[0053] 实施例4:
[0054] 将实施例2五溴合锑酸苄基‑4‑氨基吡啶盐新型发光材料应用于发光薄膜制备,包括以下步骤:
[0055] 称取0.8g 聚环氧乙烯(PEO)溶于10g乙腈,放置在磁力搅拌器上70°C搅拌溶解;称取实施例2五溴合锑酸苄基‑4‑氨基吡啶盐新型发光材料0.3g溶于1g乙腈;两种溶液混合在
70°C恒温条件下搅拌至完全溶解,关闭加热,常温慢速搅拌至消泡,直至形成均匀的纺丝溶
液。将配置好的纺丝溶液注入10 mL注射器内,利用静电纺丝机进行纺丝。纺丝参数:速度为
2.0 mL/h;针距收集器9 cm;电压为18 kV;收集滚筒的速度为每分钟236转;纺丝时间为8小
时;环境温度为25°C;相对湿度为50%。最后,在静电纺丝条件下制备了发光薄膜,将所得发
光薄膜于365nm紫外光照射下进行发光性能检测,能发出明显的橙红光,见图9。
[0056] 上述实施案例仅仅表述了本发明几种具体的实施方案,而不是对本发明专利范围的限制,应当是,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以做
出不同的改进获得其他的实施方案,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保
护范围应以所附权利要求为准。