一种双频天线及天线阵列转让专利

申请号 : CN202011005060.4

文献号 : CN112201934B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 李青侠熊冰詹再果张玉珍

申请人 : 华中科技大学

摘要 :

本发明公开了一种双频天线及天线阵列,所述双频天线包括:介质基板和扇弧形振子;扇弧形振子包括两个扇弧形臂,其中,每个扇弧形臂由一个扇形贴片和一个弧形贴片组成,扇形贴片与弧形贴片通过电感器连接,扇形贴片另一端与电容结构连接;所述电容结构位于所述扇弧形振子中部,由两个平行的贴片构成,所述两个平行的贴片分别位于介质基板的正面和背面相对位置;通过电感器连接扇形贴片和弧形贴片,从而实现双频工作。如此,本发明仅采用一个振子即可实现双频工作,有效减小了双频天线整体的尺寸。此外,本发明提供的双频天线中,还可以包括寄生单元,所述寄生单元中间加载开关,通过控制开关通断来改变寄生单元的作用,实现方向图重构。

权利要求 :

1.一种双频天线,其特征在于,包括:介质基板和扇弧形振子;

所述扇弧形振子包括两个扇弧形臂,两个扇弧形臂分别位于所述介质基板的正面和背面;

每个扇弧形臂包括一个扇形贴片和一个弧形贴片,所述扇形贴片与所述弧形贴片通过电感器连接,所述扇形贴片另一端与电容结构连接;所述电容结构位于所述扇弧形振子中部,由两个平行的贴片构成,所述两个平行的贴片分别位于介质基板的正面和背面相对位置;

高频带时,所述电感器高阻隔开扇形贴片和弧形贴片,仅扇形贴片辐射;低频带时,所述电感器低阻连通扇形贴片和弧形贴片,扇形贴片和弧形贴片一起辐射,从而实现双频工作;

所述双频天线还包括:两个大寄生单元和两个小寄生单元;

所述扇弧形振子以及四个寄生单元均关于同一对称轴对称;

所述四个寄生单元均位于所述介质基板的正面;每个寄生单元均包括两个对称的寄生贴片,中间通过开关连接;两个大寄生单元和两个小寄生单元均关于所述扇弧形振子对称,且所述小寄生单元相对于所述大寄生单元更靠近所述扇弧形振子。

2.如权利要求1所述的双频天线,其特征在于,所述四个寄生单元均为领结形,所述寄生贴片为扇矩形。

3.如权利要求1所述的双频天线,其特征在于,所述双频天线的工作频段为2.40GHz‑2.51GHz和5.15GHz‑6.04GHz;

其中,所述大寄生单元控制2.40GHz‑2.51GHz频段波束方向,所述小寄生单元控制

5.15GHz‑6.04GHz频段波束方向。

4.如权利要求1所述的双频天线,其特征在于,所述大寄生单元和小寄生单元中的开关为光控微波开关,所述光控微波开关包括两个金属贴片、光敏半导体材料、导光材料以及反光材料;

其中,所述导光材料外形为长方体结构,所述光敏半导体材料嵌入到所述导光材料中,被所述导光材料包围;所述反光材料贴在所述导光材料外表面,仅留一个进光口;所述两个金属贴片放置在所述光敏半导体材料两端,用于连接所述光敏半导体材料与外部的微带线。

5.如权利要求4所述的双频天线,其特征在于,所述光敏半导体材料为高阻抗的掺杂硅片。

6.如权利要求4所述的双频天线,其特征在于,所述反光材料为由多层不同性能材料组成的层结构。

7.如权利要求1所述的双频天线,其特征在于,所述介质基板为矩形面的绝缘材料。

8.一种2*2MIMO天线阵列,其特征在于,包括两个如权利要求1至7任一项所述的双频天线,其中,两个天线在水平方向上下摆放或左右摆放,且一个天线相对于另一个天线顺时针旋转90°。

9.一种4*4MIMO天线阵列,其特征在于,包括四个如权利要求1至7任一项 所述的双频天线,其中,四个天线在水平方向呈田字形摆放,左上方天线、右上方天线、右下方天线分别相对于左下方天线顺时针旋转90°、180°、270°。

说明书 :

一种双频天线及天线阵列

技术领域

[0001] 本发明属于无线通信技术领域,更具体地,涉及一种双频天线及天线阵列。

背景技术

[0002] 由于无线局域网的广泛使用,使2.4GHz频段超负荷,因此需要拓展为2.4GHz及5GHz双频段。然而,现有的双频天线,往往需要通过两个振子来实现,体积较大,不利于整个
天线的集成。
[0003] 随着无线通信系统的发展,方向图可重构天线被广泛研究。方向图可重构天线能够减小干扰、提高安全性并且通过定向发射信号来减小能量损耗。双频段方向图可重构天
线是适用这种需求的技术。
[0004] 可重构天线通过改变天线电流分布,使其具有多种工作模式,形成多个天线在功能上的叠加,满足无线系统发展的需求,减少电磁干扰,因此具有较高的价值。
[0005] 现有的方向图可重构天线大多存在频带宽度较窄、体积较大,可重构状态较少等问题。
[0006] 同时,在方向图可重构天线中使用的光控微波开关(Optically Controlled Microwave Switches,OCMS),与微机电开关(Micro‑Electro‑Mechanical Systems,MEMS)
和PIN二极管相比,OCMS具有以下显著优势:(1)无需直流偏置电压;(2)良好的电磁兼容性;
(3)极快的响应速度。这些优势说明OCMS可以在复杂电磁环境下实现微波开关与系统部件
之间良好的电磁兼容。
[0007] 但是现有的光控微波开关仍然存在诸多的不足,比如相比于MEMS开关具有较高的插入损耗,激励光源需要使用激光,不利于成本控制等等,因此需研究如何提升光控微波开
关的电气性能。

发明内容

[0008] 针对现有技术的缺陷和改进需求,本发明提供了一种双频天线及天线阵列,在保证双频段范围内正常工作的同时,减小双频天线整体的尺寸。
[0009] 为实现上述目的,本发明提供了一种双频天线,包括:介质基板和扇弧形振子;所述扇弧形振子包括两个扇弧形臂,两个扇弧形臂分别位于所述介质基板的正面和背面;每
个扇弧形臂包括一个扇形贴片和一个弧形贴片,所述扇形贴片与所述弧形贴片通过电感器
连接,所述扇形贴片另一端与电容结构连接;所述电容结构位于所述扇弧形振子中部,由两
个平行的贴片构成,所述两个平行的贴片分别位于介质基板的正面和背面相对位置;高频
带时,所述电感器高阻隔开扇形贴片和弧形贴片,仅扇形贴片辐射;低频带时,所述电感器
低阻连通扇形贴片和弧形贴片,扇形贴片和弧形贴片一起辐射,从而实现双频工作。
[0010] 进一步地,还包括:两个大寄生单元和两个小寄生单元;所述扇弧形振子以及四个寄生单元均关于同一对称轴对称;所述四个寄生单元均位于所述介质基板的正面;每个寄
生单元均包括两个对称的寄生贴片,中间通过开关连接;两个大寄生单元和两个小寄生单
元均关于所述扇弧形振子对称,且所述小寄生单元相对于所述大寄生单元更靠近所述扇弧
形振子。
[0011] 进一步地,所述四个寄生单元均为领结形,其寄生贴片为扇矩形,领结形寄生单元的领结形状配合扇弧形振子,可形成良好的方向性。
[0012] 进一步地,所述双频天线中,谐振在2.45GHz和5.40GHz频点,频段为2.40GHz‑2.51GHz和5.15‑6.04GHz,通过控制开关的通断来让在XOY平面的方向图主瓣最大增益点在
0°和180°之间互相切换;所述两个大领结形寄生单元控制2.40GHz‑2.51GHz频段波束方向,
所述两个小领结形寄生单元控制5.15‑6.04GHz频段波束方向。
[0013] 进一步地,所述介质基板为矩形面的绝缘材料。
[0014] 进一步地,所述寄生单元中的开关为光控微波开关,所述光控微波开关包括两个金属贴片、光敏半导体材料、导光材料以及反光材料;
[0015] 其中,所述导光材料外形为长方体结构,所述光敏半导体材料嵌入到所述导光材料中,被所述导光材料包围;所述反光材料贴在所述导光材料外表面,仅留一个进光口;所
述两个金属贴片放置在所述光敏半导体材料两端,用于连接所述光敏半导体材料与外部的
微带线。
[0016] 进一步地,所述光敏半导体材料为高阻抗的掺杂硅片,被特定波长的光照射时,光敏半导体材料的电导率显著增加。
[0017] 进一步地,所述反光材料为由多层不同性能材料组成的层结构。
[0018] 为实现上述目的,本发明提供了一种2*2MIMO天线阵列,包括两个上述的双频天线,其中,两个天线在水平方向上下摆放或左右摆放,且一个天线相对于另一个天线顺时针
旋转90°。
[0019] 为实现上述目的,本发明提供了一种4*4MIMO天线阵列,包括四个上述的双频天线,其中,四个天线在水平方向呈田字形摆放,左上方天线、右上方天线、右下方天线分别相
对于左下方天线顺时针旋转90°、180°、270°。
[0020] 总体而言,通过本发明所构思的以上技术方案,能够取得以下有益效果:
[0021] (1)本发明提供的双频天线中,扇弧形振子的每个扇弧形臂由一个扇形贴片和一个弧形贴片组成,扇形贴片与弧形贴片之间由一个电感器连接,电感器在高频带和低频带
辐射作用不同,高频带相当于隔开扇形贴片和弧形贴片,只有扇形贴片辐射;低频带则相当
于连通扇形贴片和弧形贴片,扇形贴片和弧形贴片作为一个整体一起辐射,从而实现双频
工作。如此,本发明仅采用一个振子即可实现双频工作,在保证双频段范围内正常工作的同
时,有效减小了双频天线整体的尺寸。
[0022] (2)本发明提供的双频天线中,寄生单元中间加载开关,当开关导通时,寄生单元起到反射器的作用,开关断开则起到引向器的作用,通过控制开关通断来改变寄生单元的
作用,实现方向图重构;且寄生单元中的每个开关可以独立控制,从而可以实现多种方向
图。
[0023] (3)寄生单元的领结形状配合扇弧形振子,可形成良好的方向性。
[0024] (4)本发明的扇弧形振子尺寸小,更利于整个天线的集成;两个扇弧形臂之间是一个平行的电容结构,用于阻抗匹配,与电感器配合,使得整个天线收发信号的性能更好。
[0025] (5)本发明中提供的光控微波开关,将硅片嵌入导光材料之中,使导光材料环绕包围硅片,照射光经进光口进入导光材料后,会在导光材料中传播,从而照射硅片外表面,使
硅片外表层都形成等离子体,从而增加电导率,降低插损;最外层的反光材料避免光外漏损
失,提高光照效率;金属贴片、光敏半导体材料、导光材料及反光材料为一体化结构。

附图说明

[0026] 图1是本发明提供的一种双频天线整体结构示意图,图2(A)是天线正面图,图2(B)是天线背面图;
[0027] 图3是本发明提供的另一种双频天线整体结构示意图,图4(A)是天线正面图,图4(B)是天线背面图,图4(C)是天线侧视图,图4(D)是扇弧形振子和同轴线馈电结构连接示意
图,图4(E)是同轴线馈电结构示意图,图4(F)和图4(G)是同轴线馈电结构参数图;
[0028] 图5(A)是2*2MIMO天线阵列整体结构示意图,图5(B)是2*2MIMO天线阵列正面图,图5(C)是2*2MIMO天线阵列背面图;
[0029] 图6(A)是4*4MIMO天线阵列整体结构示意图,图6(B)是4*4MIMO天线阵列正面图,图6(C)是4*4MIMO天线阵列背面图;
[0030] 图7(A)至图7(D)是本发明双频天线结构参数图;
[0031] 图8(A)和图8(B)是本发明双频天线在状态一和状态二下的S11(回波损耗)曲线图;
[0032] 图9(A)和图9(B)是本发明单体天线在状态一的2.4GHz和5.5GHz的XOY平面的方向图;
[0033] 图10(A)和图10(B)是本发明单体天线在状态二的2.4GHz和5.5GHz的XOY平面的方向图;
[0034] 图11(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的S11曲线图,图11(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的S11曲线图;
[0035] 图12(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的S21曲线图,图12(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的S21曲线图;
[0036] 图13(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的XOY面方向图(实线为2.45GHz,虚线为5.70GHz),图13(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的
XOY面方向图(实线为2.45GHz,虚线为5.70GHz);
[0037] 图14是4*4MIMO天线阵列中四个单体天线都为状态二的S(散射参数)曲线图,包括S11、S12、S13、S14;
[0038] 图15(A)是本发明提供的光控微波开关立体结构示意图,图15(B)是光控微波开关俯视图;
[0039] 图16(A)、图16(B)和图16(C)分别为光控微波开关俯视参数图、左视参数图和正视参数图;
[0040] 图17(A)和图17(B)分别为开关+微带线结构的俯视图和左视图;
[0041] 图18(A)和图18(B)分别为开关+微带线结构的俯视参数图和左视参数图;
[0042] 图19(A)为开关光照时的S21曲线图,图19(B)为开关光照时的S11曲线图;
[0043] 图20(A)为开关无光照时的S21曲线图,图20(B)为开关无光照时的S11曲线图。

具体实施方式

[0044] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不
用于限定本发明。
[0045] 如图1所示,是本发明提供的一种双频天线整体结构示意图,包括:介质基板和扇弧形振子;
[0046] 所述扇弧形振子包括两个扇弧形臂,两个扇弧形臂分别位于所述介质基板的正面和背面;
[0047] 每个扇弧形臂包括一个扇形贴片和一个弧形贴片,所述扇形贴片与所述弧形贴片通过电感器连接,所述扇形贴片另一端与电容结构连接;所述电容结构位于所述扇弧形振
子中部,由两个平行的贴片构成,所述两个平行的贴片分别位于介质基板的正面和背面相
对位置;
[0048] 高频带时,所述电感器高阻隔开扇形贴片和弧形贴片,仅扇形贴片辐射;低频带时,所述电感器低阻连通扇形贴片和弧形贴片,扇形贴片和弧形贴片一起辐射,从而实现双
频工作。
[0049] 如图3所示,是本发明提供的另一种双频天线整体结构示意图,在图1的基础上,还包括:两个大寄生单元和两个小寄生单元;
[0050] 所述扇弧形振子以及四个寄生单元均关于同一对称轴对称;
[0051] 所述小寄生单元位于靠近所述扇弧形振子的一侧;
[0052] 所述四个寄生单元均位于所述介质基板的正面;每个寄生单元均包括两个对称的寄生贴片,中间通过开关连接;两个大寄生单元和两个小寄生单元均关于所述扇弧形振子
对称。
[0053] 具体的,天线介质基板为绝缘的FR4材料,该基板的尺寸为50mm*50mm*1.6mm;单个大领结形寄生单元由两个对称扇矩形贴片组成,中间通过一个大小为0.94mm*0.94mm的开
关连接;单个小领结形寄生单元由两个对称扇矩形贴片组成,中间通过一个大小为0.94mm*
0.94mm的开关连接;扇弧形振子的每个扇弧形臂由一个扇形贴片和一个弧形贴片组成,扇
形贴片和个弧形贴片通过一个感值为5nH的贴片电感器连接,贴片电感的尺寸为1mm*
0.5mm。
[0054] 如图4(D)和图4(E)所示,同轴线馈电结构设置于双频方向图可重构天线的几何中心,穿过电容结构,用于激励扇弧形振子,使扇形贴片和/或弧形贴片产生电磁辐射;同轴线
的内导体探针垂直穿过介质基板并与正面的扇弧形臂连接,同轴线的外导体与背面的扇弧
形臂连接。
[0055] 如图7(A)至图7(D)所示,是本发明实施例双频方向图可重构天线结构参数图,具体参数如表1所示。
[0056] 表1
[0057] W W1 W2 D L1 L2 L3 L4 L50.94mm 1mm O.5mm 1mm 2.26mm 17.30mm 2.26mm 6.80mm 2.26mm
L6 L7 L8 L9 La Lb Lc Ld Le
4.80mm 6.82mm 1.19mm 0.54mm 2.52mm 6.34mm 8.02mm 1.70mm 9.80mm
H H1 S1 S2 D1 D2      
1.6mm 0.2mm 2mm 1.6mm 2.3mm 2.7mm      
[0058] 进一步地,通过控制开关通断来改变寄生单元的作用,实现方向图重构。具体的,寄生单元中间加载开关,当开关导通时,寄生单元起到反射器的作用,开关断开则起到引向
器的作用,通过控制开关通断来改变寄生单元的作用,实现方向图重构,以双频方向图可重
构天线在两种不同状态下为例,进行说明。
[0059] 状态一:图3中,由上到下的开关依次断开、导通、断开、导通;
[0060] 状态二:图3中,由上到下的开关依次导通、断开、导通、断开。
[0061] 图8(A)和图8(B)是本发明双频天线在状态一和状态二下的S11(回波损耗)曲线图;
[0062] 图9(A)和图9(B)是本发明单体天线在状态一的2.4GHz和5.5GHz的XOY平面的方向图;
[0063] 图10(A)和图10(B)是本发明单体天线在状态二的2.4GHz和5.5GHz的XOY平面的方向图;
[0064] 图11(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的S11曲线图,图11(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的S11曲线图;
[0065] 图12(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的S21(隔离度)曲线图,图12(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的S21曲线图;
[0066] 图13(A)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态一下的XOY面方向图(实线为2.45GHz,虚线为5.70GHz),图13(B)是2*2MIMO天线阵列中两个单体天线都为状态二下的
XOY面方向图(实线为2.45GHz,虚线为5.70GHz);
[0067] 图14是4*4MIMO天线阵列中四个单体天线都为状态二的S(散射参数)曲线图,包括S11、S12、S13、S14,其中,S11是单个天线的回波损耗,S12、S13和S14代表MIMO阵列中不同单
体天线之间的隔离度。
[0068] 此外,本发明中开关可以是电控微波开关,也可以是光控微波开关。
[0069] 下面以光控微波开关为例,介绍本发明相对于现有光控微波开关的主要改进。
[0070] 本发明的光控微波开关结构如图15(A)和图15(B)所示,主要包括金属贴片、光敏半导体材料、导光材料及反光材料;其中,所述导光材料外形为长方体结构,所述光敏半导
体材料嵌入到所述导光材料中,被所述导光材料包围;所述反光材料贴在所述导光材料外
表面,仅留一个进光口;所述两个金属贴片放置在所述光敏半导体材料两端,用于连接所述
光敏半导体材料与外部的微带线。
[0071] 具体的,本实施例中光控微波开关尺寸约为2.2mm*2.4mm*0.68mm,其中金属贴片为长方体铜片,尺寸为2mm*0.2mm*0.2mm,共两片,放置在光敏半导体材料两端,连接光敏半
导体材料与外部的微带线;光敏半导体材料为高阻抗掺杂硅片,被特定波长光照射时,半导
体材料的电导率显著增加,尺寸为2mm*2mm*0.28mm;导光材料为PC材料或者PMMA材料,包围
着光敏半导体材料,外形为长方体结构,尺寸2.2mm*2.4mm*0.68mm,传导光至光敏半导体材
料的各个面;反光材料由多层不同性能材料组成的层结构,贴在导光材料各个面,反射光
照,避免光能外漏,提高光照效率。光从进光口照射,经导光材料照射到硅片的各个面,使得
硅片各面由不导电的暗态转化为等离子层,显著增大电导率;无光照时整个硅片不导电,电
导率很小。
[0072] 如图16(A)至图16(C)所示,是本发明实施例光控微波开关结构参数图,具体参数如表2所示。
[0073] 表2(单位:mm)
[0074]L W h W1 L1 h1 L2 d R1 h2
33 27 1.6 2 3 0.28 2 0.1 1 0.2
[0075] 将上述光控微波开关安装在微带线上,如图17(A)和图17(B)所示,图17(A)为俯视图,图17(B)为左视图,其中微带线中心导带尺寸为33mm*3mm,接地平面尺寸为33mm*27mm;
介质基板为矩形面的FR4材料,尺寸为33mm*27mm*1.6mm,介电常数为4.4。具体参数如图18
(A)和图18(B)所示。两个端口分别在微带线的两端,有光照射时,S21表示插入损耗,无光照
时,S21表示隔离度。
[0076] 根据表1的具体参数仿真的结果如图19(A)、图19(B)、图20(A)、图20(B)所示。图19(A)为本开关在光照下的插入损耗曲线图,从图中可以看出,1~6GHz频段范围内,插入损耗
在1.6dB以下。图20(A)为本开关在无光照时的隔离度曲线图,从图中可以看出,1~4.2GHz
频段范围内,隔离度大于15dB,4.2~6GHz频段范围内,隔离度大于12dB。
[0077] 本领域的技术人员容易理解,以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含
在本发明的保护范围之内。