多重图形热点优化方法

摘要

本发明涉及多重图形热点优化方法，针对初始拆分方式中多重图形热点，对热点附近图形进行重新拆分，热点附近图形拆分方式改变后，影响整个版图的拆分方式，评估不同重新拆分方式对热点工艺窗口的影响、及不同重新拆分方式对整个版图工艺窗口的影响，从而选出最佳热点附近图形拆分方式，而提高多重图形工艺窗口。

权利要求

1.一种多重图形热点优化方法，其特征在于，包括：

S1：提供原始设计版图，并导入初始拆分方式，该初始拆分方式将原始设计版图内的图形拆分成位于第一掩模版内的第一掩模版图形和位于第二掩模版内的第二掩模版图形，该初始拆分方式使原始设计版图中产生一初始热点；

S2：对初始热点附近的图形进行重新拆分而得到不同于初始拆分方式的重新拆分方式；

S3：评估重新拆分方式对热点工艺窗口的影响以及整个版图工艺窗口的影响；以及S4：根据S3的评估确定最优拆分方式；其中S2中重新拆分为：将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版；或者，将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内，或者，将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内，并同时将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版内。

2.根据权利要求1所述的多重图形热点优化方法，其特征在于，S2中初始热点附近的图形为以初始热点为中心、以d为半径的范围内的所有图形。

3.根据权利要求2所述的多重图形热点优化方法，其特征在于，d为最小线宽与最小间距之和的3到7倍之间。

4.根据权利要求3所述的多重图形热点优化方法，其特征在于，d为最小线宽与最小间距之和的5倍。

5.根据权利要求1所述的多重图形热点优化方法，其特征在于，S3中所述评估的标准包括：a、重新拆分方式对初始热点工艺窗口是否有提高；b、重新拆分方式会不会导致新的热点；以及c、重新拆分方式在满足前两条的前提下，与初始拆分方式的差异。

6.根据权利要求1所述的多重图形热点优化方法，其特征在于，所述最优拆分方式为对初始热点工艺窗口有所提高、没有导致新的热点并与初始拆分方式差异最小的重新拆分方式。

说明书

多重图形热点优化方法

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体集成电路工艺优化技术，尤其涉及一种多重图形热点优化方法。

背景技术

[0002] 在半导体集成电路制造过程中，电路的图形结构首先定义在掩模版版图(Mask)上，之后通过光刻将掩模版版图上的图形结构即设计图形转移到形成于晶圆表面的光刻胶上并形成光刻胶图形。由于在光刻过程中，由于图形的尺寸和光刻的波长的尺寸接近甚至更小时，由于光的干涉、衍射和显影等原因会导致曝光在光刻胶上的图形和掩模版版图上的图形不一致，产生光学临近效应(Optical Proximity Effect，OPE)的失真。所以为了在光刻胶上形成需要的图形，需要对掩模版版图上的图形进行OPC修正，经过OPC修正后的掩模版版图上的图形尺寸虽然和要求的不一致，但是经过曝光转移到光刻胶上之后光刻胶上的图形和要求一致。

[0003] 但是随着集成度的增加，图形尺寸越来越小、版图设计越来越复杂，多重图形化工艺也已经被广泛应用。OPC修正过程中会遇到越来越多的热点，热点为OPC修正后的光刻版版图上出现各种问题的点，由于热点图形都是有问题的图形，故需要对热点图形进行处理并在处理后能消除这些热点。

[0004] 热点图形本身通常是符合设计规则的，但是工艺窗口即光刻工艺窗口较小，也即在光刻过程中，当光刻工艺如光强或聚集深度具有较小的波动时，热点图形就会出现问题并形成缺陷。多重图形由于其版图和工艺特点，将一个版图拆分为多层版图，多重图形热点在一层版图和多层版图间同时存在。

发明内容

[0005] 本发明在于提供一种多重图形热点优化方法，包括：S1：提供原始设计版图，并导入初始拆分方式，该初始拆分方式将原始设计版图内的图形拆分成位于第一掩模版内的第一掩模版图形和位于第二掩模版内的第二掩模版图形，该初始拆分方式使原始设计版图中产生一初始热点；S2：对初始热点附近的图形进行重新拆分而得到不同于初始拆分方式的重新拆分方式；S3：评估重新拆分方式对热点工艺窗口的影响以及整个版图工艺窗口的影响；以及S4：根据S3的评估确定最优拆分方式。

[0006] 更进一步的，S2中初始热点附近的图形为以初始热点为中心、以d为半径的范围内的所有图形。

[0007] 更进一步的，d为最小线宽与最小间距之和的3到7倍之间。

[0008] 更进一步的，d为最小线宽与最小间距之和的5倍。

[0009] 更进一步的，S2中重新拆分为将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版内。

[0010] 更进一步的，S2中重新拆分为将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内。

[0011] 更进一步的，S2中重新拆分为将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内，并同时将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版内。

[0012] 更进一步的，S3中所述评估的标准包括：a、重新拆分方式对初始热点工艺窗口是否有提高；b、重新拆分方式会不会导致新的热点；以及c、重新拆分方式在满足前两条的前提下，与初始拆分方式的差异。

[0013] 更进一步的，所述最优拆分方式为对初始热点工艺窗口有所提高、没有导致新的热点并与初始拆分方式差异最小的重新拆分方式

附图说明

[0014] 图1为多重图形热点优化方法流程图。

[0015] 图2为原始设计版图示意图。

[0016] 图3为采用初始拆分方式划分原始设计版图的示意图。

[0017] 图4a至图4g为除初始拆分方式以外的重新拆分方式示意图。

具体实施方式

[0018] 下面将结合附图，对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0019] 应当理解，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大，自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

[0020] 空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

[0021] 在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

[0022] 本发明一实施例中，提出一种多重图形热点优化方法，请参阅图1所示的多重图形热点优化方法流程图，包括：S1：提供原始设计版图，并导入初始拆分方式，该初始拆分方式将原始设计版图内的图形拆分成位于第一掩模版内的第一掩模版图形和位于第二掩模版内的第二掩模版图形，该初始拆分方式使原始设计版图中产生一初始热点；S2：对初始热点附近的图形进行重新拆分而得到不同于初始拆分方式的重新拆分方式；S3：评估重新拆分方式对热点工艺窗口的影响以及整个版图工艺窗口的影响；以及S4：根据S3的评估确定最优拆分方式。

[0023] 具体的，本发明一实施例的多重图形热点优化方法，包括：

[0024] S1：提供原始设计版图，并导入初始拆分方式，该初始拆分方式将原始设计版图内的图形拆分成位于第一掩模版内的第一掩模版图形和位于第二掩模版内的第二掩模版图形，该初始拆分方式使原始设计版图中产生一初始热点；

[0025] 具体的，请参阅图2，图2为原始设计版图示意图，如图2所示，原始设计版图100内包括图形01、02、03、04、05和06。并请参阅图3，图3为采用初始拆分方式划分原始设计版图的示意图，如图3所示，将图形01、02和04拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形03、05和06拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。并如图3所示的区域110为初始热点所在位置，该热点因位于同一掩模版的图形01、02工艺窗口不足而产生。

[0026] S2：对初始热点附近的图形进行重新拆分而得到不同于初始拆分方式的重新拆分方式；

[0027] 具体的，在本发明一实施例中，初始热点附近的图形为以初始热点为中心、以d为半径的范围内的所有图形。更进一步的，在一实施例中，d为最小线宽与最小间距之和的3到7倍之间。较优的，d为最小线宽与最小间距之和的5倍。

[0028] 重新拆分需要满足该层拆分规则，对于图2所示的原始设计版图可产生如图4a至图4g所示的除初始拆分方式以外的重新拆分方式示意图。如图4a所示，将图形01、02、04和06拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形03和05拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4b所示，将图形02和04拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形01、03、05和06拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4c所示，将图形02、04和06拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形01、
03和05拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4d所示，将图形01、03和05拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形02、04和06拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4e所示，将图形01、03、05和06拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形02和04拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4f所示，将图形03和05拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形01、02、
04和06拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。如图4g所示，将图形03、05和06拆分成位于第一掩模版内而形成第一掩模版图形，将图形01、02和04拆分成位于第二掩模版内而形成第二掩模版图形。也即，具体的，重新拆分为将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版内；重新拆分为将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内；或重新拆分为将初始拆分方式中的第二掩模版内的至少一第二掩模版图形划分至第一掩模版内，并同时将初始拆分方式中的第一掩模版内的至少一第一掩模版图形划分至第二掩模版内。如此初始热点附近图形拆分方式改变后，影响了整个版图的拆分方式。

[0029] S3：评估重新拆分方式对热点工艺窗口的影响以及整个版图工艺窗口的影响；

[0030] 具体的，在一实施例中，所述评估的标准包括：a、重新拆分方式对初始热点工艺窗口是否有提高；b、重新拆分方式会不会导致新的热点；以及c、重新拆分方式在满足前两条的前提下，与初始拆分方式的差异。

[0031] S4：根据S3的评估确定最优拆分方式。

[0032] 具体的，在一实施例中，所述最优拆分方式为对初始热点工艺窗口有所提高、没有导致新的热点并与初始拆分方式差异最小的重新拆分方式。

[0033] 具体的，如图4a至4g中，区域120表示重新拆分方式对初始热点工艺窗口有提高，区域110为热点所在位置。其中，图4a所示的重新拆分方式不满足评估标准a、不满足评估标准b；图4b所示的重新拆分方式满足评估标准a、满足评估标准b；图4c所示的重新拆分方式满足评估标准a、不满足评估标准b；图4d所示的重新拆分方式满足评估标准a、不满足评估标准b；图4e所示的重新拆分方式满足评估标准a、满足评估标准b；图4f所示的重新拆分方式不满足评估标准a、不满足评估标准b；图4g所示的重新拆分方式不满足评估标准a、满足评估标准b。可得如上七种重新拆分方式中，只有如图4b和图4e的重新拆分方式同时满足评估标准a和评估标准b，按照评估标准c，图4b的重新拆分方式与初始拆分方式差异最小，因此图4b的重新拆分方式为最优拆分方式而选定为对原始设计掩模版的最终拆分方式。且图4b的重新拆分方式仅通过优化拆分方式即可实现提高初始热点工艺窗口、不会导致新的热点、与初始拆分方式差异较小的优点。

[0034] 针对初始拆分方式中多重图形热点，对热点附近图形进行重新拆分，热点附近图形拆分方式改变后，影响整个版图的拆分方式，评估不同重新拆分方式对热点工艺窗口的影响、及不同重新拆分方式对整个版图工艺窗口的影响，从而选出最佳热点附近图形拆分方式，而提高多重图形工艺窗口。

[0035] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。