发光二极管外延片的生长方法

摘要

本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；在所述P型层生长完后，对所述P型层进行n次退火处理，2≤n≤8，每进行一次所述退火处理后，在所述P型层上生长一层P型GaN子层，然后对所述P型层和所述P型GaN子层继续进行下一次退火处理，直至在所述P型层上生长n‑1层所述P型GaN子层，每层所述P型GaN子层的厚度不超过6nm。采用该生长方法可以提高注入到有源层中的空穴的数量，从而提高电子和空穴在有源层中的辐射复合，最终大大提高发光二极管的内量子效率。

权利要求

1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：提供一衬底；

在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；

其特征在于，

在所述P型层生长完后，对所述P型层进行n次退火处理，2≤n≤8，其中，每进行一次所述退火处理后，在所述P型层上生长一层P型GaN子层，然后对所述P型层和所述P型GaN子层继续进行下一次退火处理，直至在所述P型层上生长n‑1层所述P型GaN子层，每层所述P型GaN子层的厚度不超过6nm；

所述P型层的生长温度高于退火处理时的退火温度，且所述P型层的生长温度不超过所述P型GaN子层的生长温度，所述P型GaN子层的生长温度为980～1020℃；

对所述P型层进行n次退火处理，包括：在前n‑1次退火处理的过程中，向退火炉内通入In源和Al源；

在最后一次退火处理的过程中，向反应炉内通入In源和Si源。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，n次所述退火处理的退火时间和退火温度均相同。

3.根据权利要求2所述的生长方法，其特征在于，所述退火时间为20～60s，所述退火温度为700～800℃。

4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，n次所述退火处理的退火时间逐次减少，退火温度逐次降低。

5.根据权利要求4所述的生长方法，其特征在于，所述退火时间每次减少5～15s，所述退火温度每次减少100～200℃。

6.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述P型GaN子层的生长速率大于所述P型层的生长速率。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述P型GaN子层的生长速率为10～

20nm/min。

8.根据权利要求1～5任一项所述的生长方法，其特征在于，所述P型GaN子层的Mg/Ga比大于所述P型层的Mg/Ga比。

说明书

发光二极管外延片的生长方法

技术领域

[0001] 本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片的生长方法。

背景技术

[0002] 发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，LED是前景广阔的新一代光源，正
在被迅速广泛地应用在如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、户内外显示屏和小间距
显示屏等领域。

[0003] 外延片是LED制作过程中的初级成品。相关技术中，LED外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。其中，N型层
是掺Si的GaN层，用于提供电子。P型层是高温生长且高掺杂Mg的GaN层，用于提供空穴。电子
和空穴在有源层进行辐射复合发光。

[0004] 但是由于Mg是深能级受主，激活效率比较低，因此P型层能够提供的空穴数量相比电子数量要少得多，导致较多的电子无法与空穴进行辐射复合，最终会从有源层中溢出，严
重影响发光二极管内量子效率的进一步提高。

发明内容

[0005] 本公开实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，可以提高注入到有源层中的空穴的数量，从而提高电子和空穴在有源层中的辐射复合，最终大大提高发光二极管
的内量子效率。所述技术方案如下：

[0006] 本公开实施例提供了一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：

[0007] 提供一衬底；

[0008] 在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层；

[0009] 其特征在于，

[0010] 在所述P型层生长完后，对所述P型层进行n次退火处理，2≤n≤8，其中，每进行一次所述退火处理后，在所述P型层上生长一层P型GaN子层，然后对所述P型层和所述P型GaN
子层继续进行下一次退火处理，直至在所述P型层上生长n‑1层所述P型GaN子层，每层所述P
型GaN子层的厚度不超过6nm。

[0011] 可选地，n次所述退火处理的退火时间和退火温度均相同。

[0012] 可选地，所述退火时间为20～60s，所述退火温度为700～800℃。

[0013] 可选地，n次所述退火处理的退火时间逐次减少，退火温度逐次降低。

[0014] 可选地，所述退火时间每次减少5～15s，所述退火温度每次减少100～200℃。

[0015] 可选地，对所述P型层进行n次退火处理，包括：

[0016] 在前n‑1次退火处理的过程中，向退火炉内通入In源和Al源；

[0017] 在最后一次退火处理的过程中，向反应炉内通入In源和Si源。

[0018] 可选地，所述P型GaN子层的生长温度为980～1020℃。

[0019] 可选地，所述P型GaN子层的生长速率大于所述P型层的生长速率。

[0020] 可选地，所述P型GaN子层的生长速率为10～20nm/min。

[0021] 可选地，所述P型GaN子层的Mg/Ga比大于所述P型层的Mg/Ga比。

[0022] 本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

[0023] 通过采用该生长方法，该生长方法相当于在生长完P型层后，对P型层进行一次退火处理，对P型层中的Mg进行激活活化，从而能够提高P型层中Mg的掺杂效率，进而可以提高
P型层提高空穴的数量。接着再在P型层上生长多层P型GaN子层，多层P型GaN子层也可以作
为空穴提供层，增加空穴的数量。且每生长一层P型GaN子层后，即对P型层和P型GaN子层进
行一次退火处理，可以更大程度上打开Mg‑H键，有效提高P型层和P型GaN子层中的载流子浓
度。每层P型GaN子层较薄，厚度不超过6nm，对光的吸收效果较弱，影响可忽略。因此，采用本
公开提供的生长方法可以提高注入到有源层中的空穴的数量，从而提高电子和空穴在有源
层中的辐射复合，最终大大提高发光二极管的内量子效率。

附图说明

[0024] 为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于
本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。

[0025] 图1是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的生长方法流程图；

[0026] 图2是本公开实施例提供的另一种发光二极管外延片的生长方法流程图。

具体实施方式

[0027] 为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。

[0028] 图1是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的生长方法流程图，如图1所示，该生长方法包括：

[0029] 步骤101、提供一衬底。

[0030] 其中，衬底可以为蓝宝石衬底。

[0031] 步骤102、在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、有源层、电子阻挡层和P型层。

[0032] 其中，低温缓冲层为低温生长的GaN层，高温缓冲层为高温生长的GaN层、N型层为掺Si的GaN层，用于提供电子。有源层包括多个周期交替生长的InGaN阱层和GaN垒层，电子
阻挡层为掺Mg的AlyGa1‑yN(y＝0.15～0.25)，P型层为高温生长的掺Mg的GaN层，用于提供空
穴。

[0033] 步骤103、对P型层进行n次退火处理。

[0034] 其中，2≤n≤8，每层P型GaN子层的厚度不超过6nm。

[0035] 在步骤103中，每进行一次退火处理后，在P型层上生长一层P型GaN子层，然后对P型层和P型GaN子层继续进行下一次退火处理，直至在P型层上生长n‑1层P型GaN子层。

[0036] 本公开实施例提供的生长方法通过在生长完P型层后，对P型层进行一次退火处理，对P型层中的Mg进行激活活化，从而能够提高P型层中Mg的掺杂效率，进而可以提高P型
层提高空穴的数量。接着再在P型层上生长多层P型GaN子层，多层P型GaN子层也可以作为空
穴提供层，增加空穴的数量。且每生长一层P型GaN子层后，即对P型层和P型GaN子层进行一
次退火处理，可以更大程度上打开Mg‑H键，有效提高P型层和P型GaN子层中的载流子浓度。
每层P型GaN子层较薄，厚度不超过6nm，对光的吸收效果较弱，影响可忽略。因此，采用本公
开提供的生长方法可以提高注入到有源层中的空穴的数量，从而提高电子和空穴在有源层
中的辐射复合，最终大大提高发光二极管的内量子效率。

[0037] 同时，进行多次退火还可以消除P型层和P型GaN子层中的部分晶格缺陷，提高空穴迁移率，降低接触电阻，减少发光二极管在运行时产生的热量，从而可以提高发光二极管的
使用寿命。

[0038] 图2是本公开实施例提供的另一种发光二极管外延片的生长方法流程图，如图2所示，该生长方法包括：

[0039] 步骤201、提供一衬底。

[0040] 其中，衬底可采用蓝宝石平片衬底。

[0041] 进一步地，步骤201还可以包括：

[0042] 在氢气气氛下，高温处理衬底5‑6min。其中，反应室温度为1000‑1100℃，反应室压力控制在200‑500torr。

[0043] 在本实施例中，采用Veeco K465i or C4 or RB MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备实现外延片的生长方法。采用高纯
H2(氢气)或高纯N2(氮气)或高纯H2和高纯N2的混合气体作为载气，高纯NH3作为N源，三甲基
镓(TMGa)及三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，硅烷(SiH4)作为N型掺杂
剂，即Si源，三甲基铝(TMAl)作为铝源，二茂镁(CP2Mg)作为P型掺杂剂，即Mg源。反应室压力
为100‑600torr。

[0044] 步骤202、在衬底上生长低温缓冲层。

[0045] 其中，低温缓冲层为GaN层。

[0046] 示例性地，控制反应腔内的温度为530‑560℃，压力为200‑500torr，在蓝宝石的

[0001]面上生长厚度为10～30nm的低温缓冲层。

[0047] 步骤203、在低温缓冲层上生长高温缓冲层。

[0048] 其中，高温缓冲层为GaN层。

[0049] 示例性地，控制反应腔内的温度为1000～1100℃，压力为200～600torr，在低温缓冲层上生长厚度为2～3.5um的高温缓冲层。

[0050] 步骤204、在高温缓冲层上生长N型层。

[0051] 其中，N型层为掺Si的GaN层，Si的掺杂浓度为1019cm‑3～6*1019cm‑3。

[0052] 示例性地，控制反应腔内的温度为1000～1100℃，压力为150～300torr，在高温缓冲层上生长厚度为2～3um的N型层。

[0053] 步骤205、在N型层上生长有源层。

[0054] 其中，有源层包括多个周期交替生长的InGaN阱层和GaN垒层。有源层的周期数可以为5～11。

[0055] 示例性地，控制反应腔内的温度为760～780℃，压力为200torr，生长厚度为2nm～4nm的InGaN阱层。

[0056] 控制反应腔内的温度为860～890℃，压力为200torr，生长厚度为9nm～20nm的GaN垒层。

[0057] 步骤206、在有源层上生长电子阻挡层。

[0058] 其中，电子阻挡层为掺Mg的AlyGa1‑yN(y＝0.15～0.25)。

[0059] 示例性地，控制反应腔内的温度为930～970℃，压力为100torr，在有源层上生长厚度为30～50nm的电子阻挡层。

[0060] 步骤207、在电子阻挡层上生长P型层。

[0061] 其中，P型层为掺Mg的GaN层，Mg的掺杂浓度为8*1018cm‑3～6*1019cm‑3。

[0062] 示例性地，控制反应腔内的温度为940～980℃，压力为200～600torr，在电子阻挡层上生长厚度为50～80nm的P型层。

[0063] 步骤208、对P型层进行n次退火处理。

[0064] 其中，2≤n≤8。若进行退火处理的次数过少，则无法有效起到提高空穴数量的效果。若进行退火处理的次数过多，既会增加生产成本又不会再继续产生较大的退火效果，且
还会导致生长周期较长。

[0065] 示例性地，2≤n≤5，此时既可保证对空穴数量的提高效果，又不会造成成本增加。

[0066] 在步骤208中，每进行一次退火处理后，在P型层上生长一层P型GaN子层，然后对P型层和P型GaN子层继续进行下一次退火处理，直至在P型层上生长n‑1层P型GaN子层，每层P
型GaN子层的厚度不超过6nm。

[0067] 需要说明的是，本公开实施例中的退火处理的过程是在退火炉内进行的，退火工艺即将外延片缓慢加热至退火温度，保持一段时间，然后再以适宜速度冷却。炉内退火一方
面可以节约设备，省时、方便；另一方面退火效果也较好，可以保证对Mg的激活活化效果。由
于P型层和P型GaN子层中均掺有Mg，对P型层和P型GaN子层进行退火可以打断Mg‑H键，从而
可以提高Mg的激活活化效果。

[0068] 可选地，步骤208中，对P型层进行n次退火处理，包括：

[0069] 在前n‑1次退火处理的过程中，向退火炉内通入In源和Al源。此时In可以作为退火时催活Mg的催化剂，降低Mg的活化能，进一步提高有效空穴的注入，而Al的粘滞系数高可以
减少In的析出。

[0070] 在最后一次退火处理的过程中，向反应炉内通入In源和Si源。在进行最后一次退火处理后，得到的外延片在后续制成芯片时，在P型层和P型GaN子层表面会形成一层透明导
电层。此时，在最后一次退火处理的过程中通入In源，不仅可以作为退火时催活Mg的催化
剂，降低Mg的活化能，进一步提高有效空穴的注入，还可以有利于与透明导电层之间形成良
好的欧姆接触。而通入Si源可以起到降低电阻率的目的，从而减小欧姆接触电阻。

[0071] 可选地，在前n‑1次退火处理的过程中，向退火炉内通入的In源流量为100～200sccm，Al源流量为80～100sccm。此时，可以保证In对Mg的催活效果。

[0072] 在最后一次退火处理的过程中，向反应炉内通入的In源流量为300～400sccm，Si源流量为50～10L。

[0073] 在本公开实施例的一种实现方式中，n次退火处理的退火时间和退火温度均相同，以便于实际控制。

[0074] 在该实现方式中，每次进行退火处理时的退火时间可以为20～60s。若退火时间小于20s，会因为时间太短而影响对Mg的活化效果。若退火时间大于60s，同样会因为时间较长
而影响已经生长完毕的外延层。

[0075] 示例性地，每次进行退火处理时的退火时间为20～50s。此时既可以保证对Mg的活化效果，又不会影响已经生长完毕的外延层。

[0076] 在该实现方式中，每次进行退火处理时的退火温度可以为700～800℃。若退火温度低于700℃，会影响对Mg的活化效果。若退火温度高于800℃，又会因为炉内温度过高而影
响已经生长完毕的外延层。

[0077] 示例性地，每次进行退火处理时的退火温度可以为700～780℃。此时既可以保证较优的Mg的活化效果，又不会影响已经生长完毕的外延层。

[0078] 由于后续退火处理逐渐接近生长尾声，如果温度较高会导致结束生长需要较长的时间而影响生产效率。后续退火的效果也会越来越弱，时间长会影响生产周期。

[0079] 因此，在本公开实施例的另一种实现方式中，n次退火处理的退火时间逐次减少，退火温度逐次降低。这样，越接近生长尾声，退火时间就越短，退火温度越低，从而可以有效
缩短结束生产需要的时间，进而提高生产效率。

[0080] 在该实现方式中，退火时间每次减少5～15s，退火温度每次减少100～200℃。此时，既可以保证Mg的活化效果，又不会影响生产效率。

[0081] 可选地，P型GaN子层的生长温度高于退火处理时的退火温度，从而可以保证P型GaN子层中Mg的并入效果，高温更容易激活Mg从而提供空穴。

[0082] 可选地，P型GaN子层的生长温度为980～1020℃。

[0083] 若生长温度低于980℃，则不利于提高P型GaN子层中Mg的并入，从而无法起到有效提高空穴数量的效果。若生长温度高于1020℃，又会因为生长温度过高而破坏有源层InGaN
阱层的晶体质量。

[0084] 示例性地，P型GaN子层的生长温度为990～1000℃。此时，即可以保证能够有效提高空穴数量，又可以减小P型GaN子层对InGaN阱层的晶体的破坏作用。

[0085] 可选地，P型GaN子层的生长压力为200～500torr。

[0086] 可选地，P型GaN子层的生长速率大于P型层的生长速率。由于P型GaN子层的生长温度较高，高温会对前面生长的有源层等外延层的晶格质量有一定的影响，因此将P型GaN子
层的生长速率设置的较快，可以加快P型GaN子层的生长周期，从而减小对前述已经生长的
外延层所带来的负面影响。

[0087] 可选地，P型GaN子层的生长速率为10～20nm/min。

[0088] 若生长速率低于10nm/min，也无法起到减小P型GaN子层高温生长对前述已经生长的外延层所带来的负面影响的效果。若生长速率大于20nm/min。又会因为生长速率过快而
影响Mg掺入到GaN晶格中。

[0089] 示例性地，P型GaN子层的生长速率为12～18nm/min。此时，既可以保证前述已经生长的已经生长的外延层的晶体质量，又可以保证Mg能够有效掺入到GaN晶格中。

[0090] 可选地，P型GaN子层的Mg/Ga比大于P型层的Mg/Ga比。由于P型GaN子层要进行多次退火，因此，将Mg/Ga比设置的较大，即Mg的掺杂浓度较大，经过多次退火后，对于Mg的激活
效果也会多次叠加，最终可以得到更多的空穴，而P型层还要考虑晶格质量问题，如果P型层
中Mg掺杂过多，会导致晶格质量变差，电性反而会更差，因此P型层的Mg/Ga比设置的较小。

[0091] 可选地，P型GaN子层的Mg/Ga比为0.5～1.5。

[0092] 若Mg/Ga比低于0.5，会影响产生较多空穴的综合作用效果的达成。若Mg/Ga比大于1.5，会因为Mg含量较高而影响P型GaN子层的晶格的完整性，进而导致P型GaN子层的晶体质
量较差。

[0093] 示例性地，P型GaN子层的Mg/Ga比为0.8～1.2。此时可以保证产生较多空穴Mg/Ga比的协同作用和晶格完整性。

[0094] 可选地，P型层的Mg/Ga比为0.2～0.5。

[0095] 在本公开实施例中，P型GaN子层中Mg的掺杂浓度为6*1019cm‑3～2*1020cm‑3。

[0096] 可选地，P型GaN子层的厚度为2～5nm。

[0097] 若厚度小于2nm，会因为P型GaN子层的厚度较薄而影响Mg的掺杂效果。若厚度大于6nm，会因为P型GaN子层的厚度较厚而增加对光的吸收从而影响出光效率。

[0098] 本公开实施例提供了一种生长方法，该生长方法通过在生长完P型层后，对P型层进行一次退火处理，对P型层中的Mg进行激活活化，从而能够提高P型层中Mg的掺杂效率，进
而可以提高P型层提高空穴的数量。接着再在P型层上生长多层P型GaN子层，多层P型GaN子
层也可以作为空穴提供层，增加空穴的数量。且每生长一层P型GaN子层后，即对P型层和P型
GaN子层进行一次退火处理，可以更大程度上打开Mg‑H键，有效提高P型层和P型GaN子层中
的载流子浓度。每层P型GaN子层较薄，厚度不超过6nm，对光的吸收效果较弱，影响可忽略。
因此，采用本公开提供的生长方法可以提高注入到有源层中的空穴的数量，从而提高电子
和空穴在有源层中的辐射复合，最终大大提高发光二极管的内量子效率。

[0099] 图2所示的发光二极管外延片的生长方法的一种具体实现包括：在P型层生长完后，对P型层进行第一次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型层上生长一层
厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第二次退火处理，退火时间为30s，退
火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN
子层进行第三次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一
层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第四次退火处理，退火时间为30s，
退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型
GaN子层进行第五次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃。

[0100] 其中，在生长上述各层P型GaN子层时的生长温度均为1000℃，生长压力均为200torr，生长速率均为15nm/min。P型层的Mg/Ga比1.0。在前四次退火处理过程中，向退火
炉内通入的In源流量均为150sccm，Al源流量均为90sccm。在第五次退火处理的过程中，向
退火炉内通入的In源流量为350sccm，Si源流量均为8L。

[0101] 将上述外延片制成LED芯片，与现有技术中未采用上述步骤208制成的芯片相比，LED芯片的出光效率增加了3％。

[0102] 图2所示的发光二极管外延片的生长方法的一种具体实现包括：在P型层生长完后，对P型层进行第一次退火处理，退火时间为60s，退火温度为780℃；在P型层上生长一层
厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第二次退火处理，退火时间为50s，退
火温度为740℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN
子层进行第三次退火处理，退火时间为40s，退火温度为700℃；在P型GaN子层上继续生长一
层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第四次退火处理，退火时间为30s，
退火温度为660℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型
GaN子层进行第五次退火处理，退火时间为20s，退火温度为620℃。

[0103] 其中，在生长上述各层P型GaN子层时的生长温度均为1000℃，生长压力均为200torr，生长速率均为15nm/min。P型层的Mg/Ga比1.0。在前四次退火处理过程中，向退火
炉内通入的In源流量均为150sccm，Al源流量均为90sccm。在第五次退火处理的过程中，向
退火炉内通入的In源流量为350sccm，Si源流量均为8L。

[0104] 将上述外延片制成LED芯片，与现有技术中未采用上述步骤208制成的芯片相比，LED芯片的出光效率增加了3％。

[0105] 图2所示的发光二极管外延片的生长方法的一种具体实现包括：在P型层生长完后，对P型层进行第一次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型层上生长一层
厚度为6nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第二次退火处理，退火时间为30s，退
火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为6nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN
子层进行第三次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一
层厚度为6nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第四次退火处理，退火时间为30s，
退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为6nm的P型GaN子层；对P型层和P型
GaN子层进行第五次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃。

[0106] 其中，在生长上述各层P型GaN子层时的生长温度均为1000℃，生长压力均为200torr，生长速率均为15nm/min。P型层的Mg/Ga比1.0。在前四次退火处理过程中，向退火
炉内通入的In源流量均为150sccm，Al源流量均为90sccm。在第五次退火处理的过程中，向
退火炉内通入的In源流量为350sccm，Si源流量均为8L。

[0107] 将上述外延片制成LED芯片，与现有技术中未采用上述步骤208制成的芯片相比，LED芯片的出光效率增加了3％。

[0108] 图2所示的发光二极管外延片的生长方法的一种具体实现包括：在P型层生长完后，对P型层进行第一次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型层上生长一层
厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第二次退火处理，退火时间为30s，退
火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN
子层进行第三次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一
层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第四次退火处理，退火时间为30s，
退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型
GaN子层进行第五次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃。在P型GaN子层上继续生
长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和P型GaN子层进行第六次退火处理，退火时间为
30s，退火温度为750℃；在P型GaN子层上继续生长一层厚度为4nm的P型GaN子层；对P型层和
P型GaN子层进行第七次退火处理，退火时间为30s，退火温度为750℃。

[0109] 其中，在生长上述各层P型GaN子层时的生长温度均为1000℃，生长压力均为200torr，生长速率均为15nm/min。P型层的Mg/Ga比1.0。在前六次退火处理过程中，向退火
炉内通入的In源流量均为150sccm，Al源流量均为90sccm。在第五次退火处理的过程中，向
退火炉内通入的In源流量为350sccm，Si源流量均为8L。将上述外延片制成LED芯片，与现有
技术中未采用上述步骤208制成的芯片相比，LED芯片的出光效率增加了3％。

[0110] 以上所述仅为本公开的可选实施例，并不用以限制本公开，凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。