发光装置及其制造方法转让专利
申请号 : CN202010757611.6
文献号 : CN112310264B
文献日 : 2022-02-01
发明人 : 李宗宪 , 李居安 , 林谓昌 , 周明奇
申请人 : 台湾应用晶体股份有限公司 , 台湾中山大学
摘要 :
权利要求 :
1.一种发光装置,其特征在于,包含:一第一磷光体层,由磷光晶体片材所组成,其中该第一磷光体层具有相对的一第一表面和一第二表面;
一第二磷光体层,设于该第一磷光体层的该第二表面上,其中该第二磷光体层是由多个第一磷光晶体粉所组成,所述多个第一磷光晶体粉具有一单晶结构或一多晶结构,且在没有粘结剂的存在下,所述多个第一磷光晶体粉彼此直接接触而烧结接合,且至少一部分的所述多个第一磷光晶体粉与该第一磷光体层的该第二表面直接接触而烧结接合;
以及
一光源,设于邻近该第一磷光体层的该第一表面的一侧,或设于邻近该第二磷光体层的一侧。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该磷光晶体片材具有一单晶结构或一多晶结构。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包含一第三磷光体层,设于该第一磷光体层的该第一表面,该第三磷光体层是由多个第二磷光晶体粉所组成,且所述多个第二磷光晶体粉的每一者具有一或多个晶向。
4.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,具有该多晶结构的所述多个第一磷光晶体粉掺杂有一稀土元素,且该稀土元素的一掺杂浓度至少为0.1原子%。
5.如权利要求4所述的发光装置,其特征在于,该光源的一第一放射光具有一第一放射光波长,该第一磷光体层吸收该第一放射光而放出具有一第二放射光波长的一第二放射光,以及该第二磷光体层吸收该第一放射光而放出具有一第三放射光波长的一第三放射光,其中第二放射光波长小于或等于该第三放射光波长。
6.如权利要求2所述的发光装置,其特征在于,具有该单晶结构的该磷光晶体片材掺杂有一稀土元素,且该稀土元素的一掺杂浓度不高于6原子%。
7.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该第一磷光体层与该第二磷光体层的厚度比为1:1至14:1。
8.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该光源设于该第二磷光体层的该侧,且该发光装置还包含一反射层,设于该第一磷光体层的该第一表面。
9.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,该光源设于该第二磷光体层的该侧,且该发光装置还包含一反射单元,设于该第二磷光体层和该光源之间。
10.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,还包含:一基板,其中该光源设置于该基板上;以及一封装层,包覆该光源并设置于该基板上,其中该第一磷光体层经由该第一表面设置于该封装层上。
11.一种发光装置的制造方法,其特征在于,包含:提供一第一磷光体层,其中该第一磷光体层是由一第一磷光晶体柱裁切而得的一磷光晶体片材;
使多个磷光晶体粉分布于该第一磷光体层上,其中所述多个磷光晶体粉是由一第二磷光晶体柱粉碎而得;以及
烧结该第一磷光体层和所述多个磷光晶体粉,使所述多个磷光晶体粉彼此熔接并且熔接于该第一磷光体层上。
12.如权利要求11所述的发光装置的制造方法,其特征在于,烧结该第一磷光体层和所述多个磷光晶体粉的步骤是在1600℃至低于1900℃下进行。
说明书 :
发光装置及其制造方法
技术领域
背景技术
在放光的过程中伴随热的产生,此热的产生易造成荧光粉层的放光效率的衰减,常有白光
中的蓝光过多、发光装置过热等负面影响。
特性,且可为单晶结构,故除了改善荧光粉层散热效果不佳的问题外,具有能阶跃迁稳定、
光转换效率高的优点。然而,蓝光在与荧光粉层相等厚度的磷光晶体中的行进路径较短,造
成可被吸收的蓝光少;蓝光通过率过高,仍无法有效解决白光偏蓝的缺陷。倘若为增加光的
行进路径而增加磷光晶体的厚度,不仅无法符合现有的发光装置的规格,也由于磷光晶体
的成长成本高,故会大幅增加发光装置的制造成本。
发光装置的规格,以降低生产成本。
发明内容
二表面。所述第二磷光体层设于第一磷光体层的第二表面上。第二磷光体层是由多个第一
磷光晶体粉所组成,此些磷光晶体粉的每一者皆具有一或多个晶向。第一磷光晶体粉彼此
熔接,且至少一部分的第一磷光晶体粉与第一磷光体层的第二表面熔接。所述光源设置于
邻近第一磷光体层的第一表面的一侧,或设置于邻近第二磷光体层的一侧。
者皆具有一或多个晶向。
第一放射光而放出具有第三放射光波长的第三放射光,其中第二放射光波长小于或等于第
三放射光波长。
上。
分布于第一磷光体层上。磷光晶体粉是由第二磷光晶体柱粉碎而得。然后,烧结此第一磷光
体层和磷光晶体粉,使磷光晶体粉彼此熔接并且熔接于第一磷光体层上。
附图说明
具体实施方式
体粉的复合结构,使发光单元的光通过磷光晶体片材后,可接着通过所述磷光晶体粉层,此
磷光粉晶体层中的磷光晶体粉粒子可增加光的行进路径,使未能在磷光晶体片材中被吸收
转换的光,可通过磷光晶体粉层被转换为具有预定波长的光。因此,穿透此复合结构的发光
单元的光减少,从而可例如改善白光偏蓝的缺点。选择性地,所述光也可先通过磷光晶体粉
层,再通过磷光晶体片材层。在又一些实施例中,磷光晶体粉可具有与磷光晶体片材不同的
稀土元素掺杂浓度,使得此复合结构可用于产生各种色度的光。据此,磷光晶体粉层可视为
补偿磷光晶体片材不足的光行进路径或色度(相当于光波长)的补偿层,以减少发光单元的
光直接穿透的几率,或可基于色度补偿的方法,增加调整发光装置的色度的宽容度。本发明
的发光装置具有良好的光转换效率、发光效率和宽容的色度可调性。此外,磷光晶体材料本
身具有良好的散热性,故本发明的发光装置可维持良好的散热效果,使其也可应用于易产
生高温的光源(例如激光)上。
系式计算而得。此内部光转换效率进一步经式 (2)换算为外部光转换效率。
光体层150。发光单元120设置于基板110上,且封装层130覆盖发光单元120并设置于基板
110上。第一磷光体层140 设置于相对于基板110的封装层130的另一侧,而第二磷光体层
150设置于第一磷光体层140上。
单元120可使用例如氮化镓系半导体化合物的倒芯片型的元件,以发出前述的波长的蓝光。
在其他实施例中,发光单元120的放射光可为其他短波长的光。
增大。上述发光单元120容置于此开口131 中。
体、氧化物磷光晶体、铝酸盐磷光晶体及其类似物、氧氮化物磷光晶体、硫化物磷光晶体、氮
化物磷光晶体或其类似物等,此些磷光晶体可掺杂有稀土元素。在一些实施例中,所述稀土
元素可包括但不限于铈(Ce)、铕(Eu)、钕(Nd)或其类似物等。在一些具体的例子中,第一磷
光体层140和第二磷光体层150的材料可例如为Y3Al5O12:Ce (Ce:YAG)、(Y,Gd)3Al5O12:Ce、
Lu3Al5O12:Ce(Ce:LuAG)、Tb3Al3O12:Ce、 Ca3Sc2Si3O12:Ce、Lu2CaMg2(Si,Ge)3O12:Ce、(Sr,Ba)
2SiO4:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、 Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、Ca3Si2O7:Eu、CaAl12O19:Mn、SrAl2O4:
Eu、ZnS:Cu,Al、 CaS:Eu、CaGa2S4:Eu、SrGa2S4:Eu、CaSi2O2N2:Eu、SrSi2O2N2:Eu、BaSi2O2N2:
Eu、 Ca‑α‑SiAlON、CaAlSiN3:Eu、CaSi5N8:Eu或其类似物等。此些磷光体材料具有良好的导
热性,以改善发光装置的散热性能。
光的色度。举例而言,为了避免白光偏蓝,可使用吸收发光单元120的光后可发出较长波长
的磷光的材料做为第二磷光体层150。
151各自可具有单晶结构或多晶结构。在一些实施例中,单晶的磷光晶体片材和磷光晶体粉
151各自可具有0.1原子%至 6原子%的稀土元素掺杂浓度。在一些实施例中,多晶的磷光
晶体片材和磷光晶体粉151各自可具有0.1原子%至15原子%的稀土元素掺杂浓度。基于不
同的形成方式,多晶磷光晶体柱中可掺杂较高浓度的稀土元素而不发生浓度不均的现象,
故多晶磷光晶体柱的稀土元素浓度可调整范围大。而稀土元素的浓度越高,代表此晶体柱
应用于前述的磷光晶体片材或磷光晶体粉151时,在吸收发光单元120的光后,可发出波长
较长的光。可调整的浓度范围变大,也增加放光的色度调整宽容度。通过单晶或多晶的不同
稀土元素掺杂浓度的组合,可将第二磷光体层150做为调整第一磷光体层 140的光色度的
补偿层,以改善白光偏蓝的问题,或是通过混合不同波长范围的色光来获得具有预定波长
的色光。
明,然此些技术效果也可存在于其他配置的例子中。
光体层150可放射例如介于514nm至546nm 波长的黄光。在此例子中,第二磷光体层150增加
发光单元120的光被磷光体材料吸收的机会、降低直接穿透磷光体层的蓝光比例,因而此单
芯片材与单晶磷光晶体粉的复合结构可解决白光偏蓝的问题。
原子%,其吸收发光单元120的光后放射光的波长为528nm;而单晶磷光晶体粉的铈掺杂浓
度为6原子%,其吸收发光单元120的光后放射光的波长为540nm。同为单晶结构的磷光晶体
片材和磷光晶体粉的缺陷少,具有能阶跃迁稳定、光转换效率佳的优点,因而此配置的发光
装置可具有良好的发光效率。此外,通过使单晶磷光粉体的铈掺杂浓度高于磷光晶体片材
的铈掺杂浓度,可造成放射光波长不同、色度不同的二种光,进而可调整发光装置的放光的
色度。
度为0.68原子%,其吸收发光单元120的光后放射光的波长为528nm;而多晶磷光晶体粉的
铈掺杂浓度为12原子%,其吸收发光单元120的光后放射光的波长为550nm。相较于单晶磷
光晶体粉,多晶磷光晶体粉的制造成本低、可调整的铈掺杂浓度范围广,故增加调整发光色
度的宽容度。
浓度为6原子%,其吸收发光单元120的光后放射光的波长为540nm。多晶的磷光晶体片材和
磷光晶体粉的制造成本低、可调整的铈掺杂浓度范围广,故增加调整发光色度的宽容度。选
择性地,磷光晶体片材和磷光晶体粉可具有不同的铈掺杂浓度。
无法获得预定色光(例如白光偏蓝)的缺点。另一方面,若厚度比过小,即第一磷光体层140
的厚度不足,由于磷光晶体片材的光转换效率仍优于磷光晶体粉的光转换效率,故过厚的
第二磷光体层150将造成发光装置的发光效率不佳。在一例子中,第一磷光体层140和第二
磷光体层150的总厚度为150μm至200μm。此总厚度符合现有发光装置的规格,因与现有规格
相容,故可有效降低生产成本。
构中,例如磷光晶体粉中掺入其他颜色的荧光粉。举例而言,可掺入红色荧光粉,从而可使
发光装置的光产生红移。或者,也可于磷光晶体粉的第二磷光体层150上额外形成荧光粉
层,以调整发光装置所产生的光的色度。
结剂层。倘若使用粘结剂将磷光晶体粉151设置于第一磷光体层140上,此粘结剂对发光装
置100的散热效果有负面影响。再者,使用粘结剂也可能造成污染风险的提高。
光晶体粉151,有利于形成结构紧密的第二磷光体层150,从而提高发光单元120的光被吸收
磷光体吸收的几率。
95%的光转换效率,从而使得发光装置100可具有至少150流明/瓦的发光效率。
的步骤的前、中或后加入其他步骤,或可省略或调换所示出的一些步骤。
层,以形成开口131,其中一部分的基板 110自开口131暴露出来。接着,可于开口131中设置
发光单元120。
述磷光晶体柱300,如图3所示。磷光晶体柱300具有头端301和尾端303,此磷光晶体柱300掺
杂有浓度为0.1原子%至6原子%的稀土元素,且稀土元素的浓度较均匀分布于整个第一磷
光晶体柱300。在单晶的磷光晶体柱中,倘若稀土元素浓度高于上述范围,会导致稀土元素
分布较不均。若使用稀土元素分布不均的磷光晶体做为前述第一磷光体层140,其吸收发光
单元120的光而得的放光的波长不固定,从而也难以对这种磷光体层进行色度的补偿。而若
稀土元素的浓度过低,无法将发光单元120的光转换为预定波长的光。
步骤,形成直径为20mm至75mm 的晶体;尔后,形成预定直径的晶体后,将成长速度调整为
0.3mm/hr至 3mm/hr,并持续生长晶体至预定的长度。在一些例子中,此晶体可例如具有5公
分至20公分的长度。
的稀土元素,且稀土元素的浓度均匀分布于整个磷光晶体柱。纵然多晶磷光晶体的制造方
法对于稀土元素浓度的宽容度较高,一旦此稀土元素浓度超过所订的上限值,会有稀土元
素浓度淬灭与晶体缺陷过多的问题产生。同样地,若多晶磷光晶体的稀土元素浓度低于所
订下限值,无法将发光单元120的光转换为预定波长的光。
(Al2O3)和氧化铈(CeO2)等。接下来,冷却并形成多晶柱。之后,于1500℃至1800℃下,对多晶
柱进行退火,以减少多晶柱的缺陷,从而可制得多晶磷光晶体。
亦可以类似的方法进行裁切。可例如以激光切割形成磷光晶体片材310、312、314、316和
318。可对此裁切后的磷光晶体片材进行研磨,以达到预定的片材厚度,并可例如做为前述
的第一磷光体层140。选择性地,也可使用磷光多晶晶体片材做为第一磷光体层140。
结构或多晶结构的所述磷光晶体柱,其结构类似于图3的磷光晶体柱300。此外,类似于步骤
220的其他实施例,可通过如熔炼法或其他类似的方法形成具有多晶结构的磷光晶体柱。关
于柴氏长晶法和熔炼法的具体参数悉如前述,因此,此磷光晶体柱的稀土元素浓度也是均
匀分布的。接着,可例如使用常见的粉碎设备,如球磨机、锤式粉碎机或喷气磨机等,进行磷
光晶体柱的粉碎,以形成如图1所示的磷光晶体粉151。磷光晶体粉151的平均粒径和粒径差
异范围悉如前述,此处不另赘述。
放光的色度坐标例如为(x2,y2),则根据此二笔色度坐标,可调整第二磷光晶体柱的稀土元
素掺杂浓度,以通过磷光晶体粉补偿磷光晶体片材的放光色度。
此处所称的使磷光晶体粉分布于磷光晶体片材上的步骤,磷光晶体粉是在保持粉体的状态
下,直接接触磷光晶体片材312。因此,在一些实施例中,本发明排除将磷光晶体粉分散于粘
结剂中。
步骤可例如在介于1600℃至低于磷光晶体粉151的熔点的温度下进行。在一些例子中,此烧
结步骤可于1600℃至低于1900℃下进行1天至3天。于上述温度范围内烧结磷光晶体粉151
达足够的时间,在没有粘结剂的存在下,使磷光晶体粉151彼此黏合,也使磷光晶体粉151与
磷光晶体片材312黏合。在一些实施例中,发光装置的制造方法可进一步包括在烧结后,对
磷光晶体粉151所形成的层进行平坦化步骤。然后,如步骤260所示,将上述复合结构与封装
层130接合,以形成发光装置100。
400的第二磷光体层150形成于第一磷光体层140邻近发光单元120一侧的表面上。换言之,
在图4的实施例中,发光单元120的放射光依序接触第二磷光体层150和第一磷光体层140。
在图 4所示的实施例中,第二磷光体层150仅分布于第一磷光体层140和开口 131接触的位
置。然而,在其他实施例中,第二磷光体层150也可额外分布于其他位置:例如位于封装层
130和第一磷光体层140之间。
磷光体层140的相对二个表面分别设有第二磷光体层150和第三磷光体层160。在一些例子
中,第二磷光体层150和第三磷光体层160可使用相同的磷光晶体粉形成。在另一些例子中,
第二磷光体层150和第三磷光体层160可使用不同的磷光晶体粉形成,以使发光单元120和
各个磷光体层的放射光混合而可获得具有预定波长的光。
件是以相同的元件符号标示。发光装置600 至少包含光源610、偏振分光镜(Polarizing
Beam Splitter)620、第一磷光体层 140和第二磷光体层150的复合结构,以及反射层630。
第二磷光体层150 设置于第一磷光体层140的第一表面,而反射层630是设置于相对第一磷
光体层140的第一表面的第二表面上。此磷光体层与反射层630的复合结构可做为激光投影
机中的色轮(Color Wheel)使用。
发光611可具有400nm至495nm的波长。所述偏振分光镜620是配置以反射光源610的极化激
发光611,并将光导向第一磷光体层140和第二磷光体层150的复合结构。反射层630可例如
由银、二色涂层(Dichroic Coating)和上述的组合的材料所形成。经由第一磷光体层140和
第二磷光体层150吸收并再放射的磷光613,可通过偏振分光镜 620进入激光投影机的芯片
模块670中。
接着通过扩散片642。
是配置以将磷光体层所放射的磷光613 转换为远心光束(telecentric bundles)。所述导
光单元652是配置以接收极化激发光611并将此光导向第一磷光体层140和第二磷光体层
150。所述波长转换二色单元654是配置以反射部分经由磷光体层所放射、波长较短的光,此
些被反射的光可例如被回收至第一磷光体层140和第二磷光体层150,再次经磷光体层的吸
收放射。经此循环多次后,以将具有较短波长的光转换为具有适当波长的光(例如磷光
613)。反射极化镜656可反射与极化激发光 611正交极化的极化激发光。
体层140、第二磷光体层150和反射层630的复合结构上设置散热层(未示出),例如可设置于
反射层630上。
件是以相同的元件符号标示。发光装置700 的第一磷光体层140和第二磷光体层150的复合
结构中,并未设置反射层,使得极化激发光611的一部分可通过第一磷光体层140和第二磷
光体层150,一部分则由第一磷光体层140和第二磷光体层150吸收并放射出磷光613。在如
图7所示的实施例中,极化激发光611是依序通过第二磷光体层150 和第一磷光体层140。然
而,在其他实施例中,类似于图1的发光装置100,可使极化激发光611是依序通过第一磷光
体层140和第二磷光体层150。所产生的磷光613可再经由分光镜710导向激光投影机的芯片
模块670中。
体层150和反射层630的复合结构,以及反射元件810。所述反射元件810是设置在复合结构
和光源610之间,使得从复合结构所放出或反射出的光,可通过反射元件810反射。
求改变配置。
简易调整发光装置的放射光色度。同时,此发光装置具有令人满意的散热性、光转换效率和
发光效率。
此本发明的保护范围当视权利要求所界定者为准。