一种基于MOS管的温度传感器转让专利
申请号 : CN202011231226.4
文献号 : CN112345103B
文献日 : 2021-07-27
发明人 : 李靖 , 余先银 , 尧博文 , 田明 , 宁宁 , 于奇
申请人 : 电子科技大学 , 上海华力微电子有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种基于MOS管的温度传感器,其特征在于,包括正温度系数电压产生模块、负温度系数电压产生模块和输出模块,
所述负温度系数电压产生模块包括第一NMOS管、第二NMOS管和第一电阻,所述正温度系数电压产生模块包括第一PMOS管、第二PMOS管和第二电阻,其中第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管均工作在亚阈值区;
第二NMOS管的栅极连接第一NMOS管的源极和第一电阻的一端,其源极连接第一电阻的另一端并接地,其漏极连接第一NMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极;第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端,其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电压,其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极;
调节第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管的宽长比,令流经第二NMOS管的电流和流经第一PMOS管的电流相等,第二NMOS管的漏极输出负温度系数电压,第一PMOS管的漏极输出正温度系数电压;
所述输出模块用于获取所述正温度系数电压减去所述负温度系数电压的差值信号并作为所述温度传感器的输出信号。
2.根据权利要求1所述的基于MOS管的温度传感器,其特征在于,所述输出模块包括第一模数转换器和第二模数转换器,第一模数转换器用于将所述正温度系数电压转换为数字信号,第二模数转换器用于将所述负温度系数电压转换为数字信号,所述输出模块将第一模数转换器输出的数字信号减去第二模数转换器输出的数字信号后获得所述温度传感器的输出信号。
3.根据权利要求1所述的基于MOS管的温度传感器,其特征在于,所述输出模块用于将所述正温度系数电压减去所述负温度系数电压得到差值电压,再将所述差值电压转换为数字信号后作为所述温度传感器的输出信号。
4.根据权利要求1或2所述的基于MOS管的温度传感器,其特征在于,第一电阻和第二电阻的阻值相等。
说明书 :
一种基于MOS管的温度传感器
技术领域
背景技术
电路技术的快速发展,温度传感器广泛应用在医疗、环境监测、电路和系统控制和无线物联
网平台。对功耗低、芯片面积小、灵敏度高的温度传感器有较大需求,温度传感器集成化成
为一个重要的趋势。
变慢和热稳定性影响,严重甚至会导致芯片烧毁。为了消除电子元器件性能在不同温度下
的漂移,在各种电子产品中都会内嵌温度传感器。
感器,基于MOS管的温度传感器中的MOS管有较低电源电压、较小的功耗,因此基于MOS管的
温度传感器被广泛应用。但现有的基于MOS管的温度传感器往往只采集一个与温度相关的
电压并从中获取温度的变化,较难提高其灵敏度。对高精度的温度传感器而言,如何将温度
传感器的灵敏度提高是本领域技术人员待解决的问题之一。
发明内容
度系数产生模块,获得了与温度正相关的正温度系数电压和温度负相关的负温度系数电
压,结构简单且电路面积小,亚阈值的MOS管也降低了功耗;再利用输出模块将正温度系数
电压与负温度系数电压相减后的差值作为温度传感器的输出信号,以增大输出信号随温度
变化的幅度,使得本发明的温度传感器的输出信号能够更明显反应出温度的变化,提高了
温度传感器的灵敏度。
NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管均工作在亚阈值区;
极连接第二PMOS管的源极和第二电阻的一端,其源极连接第二电阻的另一端并连接电源电
压,其漏极连接第二PMOS管的栅极和第一NMOS管的漏极;
一PMOS管的漏极输出正温度系数电压;
转换为数字信号,所述输出模块将第一模数转换器输出的数字信号减去第二模数转换器输
出的数字信号后获得所述温度传感器的输出信号。
利用四个亚阈值的MOS管和两个电阻就获得了正温度系数电压和负温度系数电压,结构简
单,降低了面积、功耗和电源电压,适用于CMOS片上系统。
附图说明
式提供了本发明的一些实施例。为简明起见,不同附图中具有相同功能的相同或类似的组
件或结构采用相同的附图标记。
具体实施方式
施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离
本发明的精神下进行各种修饰或改变。
数电压产生模块12的结构示意图,如图1所示,负温度系数电压产生模块12包括第一NMOS管
M3、第二NMOS管M4和第一电阻R1,正温度系数电压产生模块11包括第一PMOS管M1、第二PMOS
管M2和第二电阻R2,第二NMOS管M4的栅极连接第一NMOS管M3的源极和第一电阻R1的一端,其
源极连接第一电阻R1的另一端并接地GND,其漏极连接第一NMOS管M3的栅极和第二PMOS管M2
的漏极;第一PMOS管M1的栅极连接第二PMOS管M2的源极和第二电阻R2的一端,其源极连接第
二电阻R2的另一端并连接电源电压VDD,其漏极连接第二PMOS管M2的栅极和第一NMOS管M3的
漏极。
模块12共使用6个元器件,结构简单且电路面积小;另外第一NMOS管M3、第二NMOS管M4、第一
PMOS管M1和第二PMOS管M2均工作在亚阈值区,降低了电路功耗。下面分析正温度系数电压产
生模块11和负温度系数电压产生模块12的工作原理。
源电压;VDS为MOS管的漏源电压;Vth为阈值电压。
在亚阈值区,且R1=R2=R,对于第一PMOS管M1漏电流ID1、第二NMOS管M4漏电流ID4有:
(1.9)所示的线性函数的形式,其中a、b是与温度无关的常数。
系数电压获得差值信号并作为温度传感器的输出信号。正温度系数电压VPTAT和负温度系数
电压VCTAT都是模拟信号,可利用输出模块先将正温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT
分别转换成数字信号后再相减得到温度传感器的输出信号,也可以直接将正温度系数电压
VPTAT和负温度系数电压VCTAT相减获得差值电压VSENSOR再转换成数字信号得到温度传感器的
输出信号。
度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT具有更大的随温度变化的幅值,本发明通过获得正
温度系数电压VPTAT和负温度系数电压VCTAT并利用其差值进行温度检测,相比传统的只利用
一个与温度相关的电压进行温度检测而言,增大了所获得的随温度变化电压的幅值,更明
显显示出温度的变化,提高了温度传感器的灵敏度。
此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完
成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。