一种Cu-Hf-Si-Ni-Ce铜合金材料及其制备方法转让专利
申请号 : CN202011279283.X
文献号 : CN112359247B
文献日 : 2021-11-09
发明人 : 王晨 , 张玉业 , 周建辉 , 童长青 , 杨海特 , 曾佳伟 , 苏龙水
申请人 : 福州大学 , 福建紫金铜业有限公司 , 龙岩学院
摘要 :
本发明公开了一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料及其制备方法。该铜合金材料由Cu与0.75~1.15wt%的Hf、0.06~0.18wt%的Si、0.08~0.12wt%的Ni、0.05~0.10wt%的Ce组成。其制备方法包括合脉冲电场熔铸、均匀化处理、热轧制、室温轧制、时效处理的步骤。本发明所得铜合金材料成分中不含有毒元素，制备过程中也不产生有毒物质，对人体和环境危害小，所制得的铜合金材料硬度、强度、导电率和抗软化等综合性能优异，可以用来研制和生产高性能电子设备及各种电子元件、器件、仪器、仪表等。
权利要求 :
1.一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料的制备方法，其特征在于，所述Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料，按质量百分数之和为100%计，其所含各组分的质量百分数为：0.75 1.15wt%的~
Hf、0.06 0.18wt%的Si、0.08 0.12wt%的Ni、0.05 0.10wt%的Ce，其余为Cu；Hf:Si的摩尔比~ ~ ~
为1 2:1；
~
所述的Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料的制备方法，包括以下步骤：（1）合金熔铸：将原材料放入带有脉冲电场装置的感应炉中，在纯氩气保护下熔炼，待原材料完全熔化后，保温10分钟，然后将脉冲电场的电极插入熔体中，进行熔体脉冲电场处2
理，脉冲电场处理时间30 180s，脉冲频率5 30Hz，脉冲电流密度5 20A/mm，脉冲宽度为50~ ~ ~ ~
200μs，脉冲电场处理后，将合金熔液浇铸到模具中并冷却到室温，得到合金铸锭；
（2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为900℃ 980℃，保温时间为1 2小时，然后随炉冷却至室温；
~ ~
（3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至880℃ 960℃进行热轧制，热轧总变形量为~
60% 80%，终轧温度为800℃ 910℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
~ ~
（4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，轧制总变形量为70% 90%；
~
（5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行一次时效处理，时效温度为430 530℃，时效时间为2 5小时，然后以风冷的方式冷却至~ ~
室温；
（6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，轧制总变形量为30% 50%；
~
（7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为380℃ 450℃，时效时间为5 30分钟，然后以风冷的方式冷~ ~
却至室温，得到所述铜合金材料。
2. 根据权利要求1所述的Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料的制备方法，其特征在于，步骤（1）所用原材料为纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块, 含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金。
3.根据权利要求1所述的Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料的制备方法，其特征在于，纯氩气中Ar的体积分数≥99.99%。
说明书 :
一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明属于铜合金材料技术领域，具体涉及一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料及其制备方法。
背景技术
[0002] 作为现代电子信息技术的核心，集成电路自从20世纪发明以来得到了飞速的发展。集成电路是由IC芯片和引线框架经封装而成，其中引线框架起到了支撑芯片、连接外部
电路以及在工作时协助散热等作用。随着大规模、超大规模集成电路的不断发展，对于引线
框架材料的导电性能、力学性能、抗软化性能等提出了越来越高的要求。
电路以及在工作时协助散热等作用。随着大规模、超大规模集成电路的不断发展，对于引线
框架材料的导电性能、力学性能、抗软化性能等提出了越来越高的要求。
[0003] 纯铜尽管有良好的导电性和导热性，但是其硬度和强度较低，在电子器件越来越小型化和微型化的趋势下，无法提供足够的力学支撑。所以需要对纯铜进行合金化处理，并
辅以一定的制备工艺，以提高其力学性能。铜合金的强化手段主要有固溶强化、析出相强
化、形变强化、细晶强化。近年来，随着以析出相强化为主要强化手段的铜合金（如CuNiAl、
CuCrZr、CuFeP等）在电子信息产业得到广泛应用，逐渐代替CuZn、CuSnP等为代表的以固溶
强化+形变强化为主要强化手段的铜合金材料。析出相强化型铜合金，是指以铜为基体元
素，通过固溶的方式在铜基体中加入一种或多种其它合金元素，将合金在固溶线上进行高
温固溶处理，然后进行急速冷却，使基体中的合金元素以固溶原子形式保留的基体中，成过
饱和固溶体，然后对过饱和固溶体进行时效处理，从铜基体中析出纳米尺度的沉淀相，这些
沉淀相粒子硬度高、热稳定性好、不易发生分解，阻碍位错运动和晶界迁移，从而强化合金。
固溶元素以沉淀相粒子的方式析出后，铜合金基体得到纯化，导电率升高。
辅以一定的制备工艺，以提高其力学性能。铜合金的强化手段主要有固溶强化、析出相强
化、形变强化、细晶强化。近年来，随着以析出相强化为主要强化手段的铜合金（如CuNiAl、
CuCrZr、CuFeP等）在电子信息产业得到广泛应用，逐渐代替CuZn、CuSnP等为代表的以固溶
强化+形变强化为主要强化手段的铜合金材料。析出相强化型铜合金，是指以铜为基体元
素，通过固溶的方式在铜基体中加入一种或多种其它合金元素，将合金在固溶线上进行高
温固溶处理，然后进行急速冷却，使基体中的合金元素以固溶原子形式保留的基体中，成过
饱和固溶体，然后对过饱和固溶体进行时效处理，从铜基体中析出纳米尺度的沉淀相，这些
沉淀相粒子硬度高、热稳定性好、不易发生分解，阻碍位错运动和晶界迁移，从而强化合金。
固溶元素以沉淀相粒子的方式析出后，铜合金基体得到纯化，导电率升高。
[0004] 在铜合金的研究中，各种性能的彼此增减的矛盾一直是铜合金研究者面临的一大难题。目前，工业上常用的析出相强化型铜合金主要有CuBe合金、CuFeP和CuNiSi合金。但
是，它们依然存在各自的不足。对于CuBe合金而言，铍及其化合物的粉尘、烟雾能引起人体
很多器官的急性或慢性中毒，加工过程中
是，它们依然存在各自的不足。对于CuBe合金而言，铍及其化合物的粉尘、烟雾能引起人体
很多器官的急性或慢性中毒，加工过程中
[0005] 若是防护不到位，容易造成Be的挥发，造成严重事故。对于CuNiSi合金而言，为了确保Si元素能够尽可能多地形成Ni‑Si第二相析出，人们往往增大Ni元素的含量，但是由于
Cu‑Ni可以形成完全互溶的固溶体（根据Cu‑Ni二元相图可知），多余的Ni元素会残留在Cu基
体中，导致合金导电率的下降。CuFeP合金属于低强度的导电合金，抗拉强度在400 600 MPa
~
之间。而且P添加量的控制较为严格，若P添加量偏高，则形成的Fe2P 析出颗粒在时效过程
中容易粗化，导致合金的强度下降；若P添加量偏少，则无法与Fe形成足够多的Fe2P析出相，
导致合金的导电率和强度都降低。因此，针对以析出相强化为主要强化手段的铜合金材料，
急需研究开发出新的铜合金成分和对应的制备工艺，以适应下游器件产业对新材料的需
求。
Cu‑Ni可以形成完全互溶的固溶体（根据Cu‑Ni二元相图可知），多余的Ni元素会残留在Cu基
体中，导致合金导电率的下降。CuFeP合金属于低强度的导电合金，抗拉强度在400 600 MPa
~
之间。而且P添加量的控制较为严格，若P添加量偏高，则形成的Fe2P 析出颗粒在时效过程
中容易粗化，导致合金的强度下降；若P添加量偏少，则无法与Fe形成足够多的Fe2P析出相，
导致合金的导电率和强度都降低。因此，针对以析出相强化为主要强化手段的铜合金材料，
急需研究开发出新的铜合金成分和对应的制备工艺，以适应下游器件产业对新材料的需
求。
发明内容
[0006] 本发明的目的在于提供一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料及其制备方法。
[0007] 为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：
[0008] 一种Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料，按质量百分数之和为100%计，其所含各组分的质量百分数为：0.75 1.15wt%的Hf、0.06 0.18wt%的Si、0.08 0.12wt%的Ni、0.05 0.10wt%
~ ~ ~ ~
的Ce，其余为Cu。其中，Hf:Si的摩尔比为1 2:1。
~
~ ~ ~ ~
的Ce，其余为Cu。其中，Hf:Si的摩尔比为1 2:1。
~
[0009] 所述Cu‑Hf‑Si‑Ni‑Ce铜合金材料的制备方法，包括以下步骤：
[0010] （1）合金熔铸：将原材料放入带有脉冲电场装置的感应炉中，在纯氩气保护下熔炼，待原材料完全熔化后，保温10分钟，然后将脉冲电场的电极插入熔体中，进行熔体脉冲
2
电场处理，脉冲电场处理时间30 180s，脉冲频率5‑30Hz，脉冲电流密度5 20A/mm ，脉冲宽
~ ~
度为50 200μs，脉冲电场处理后，将合金熔液浇铸到模具中并冷却到室温，得到合金铸锭；
~
2
电场处理，脉冲电场处理时间30 180s，脉冲频率5‑30Hz，脉冲电流密度5 20A/mm ，脉冲宽
~ ~
度为50 200μs，脉冲电场处理后，将合金熔液浇铸到模具中并冷却到室温，得到合金铸锭；
~
[0011] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为900℃ 980℃，保温时间为1 2小时，然后随炉冷却至室温；
~ ~
~ ~
[0012] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至880℃ 960℃进行热轧制，热轧总变形~
量为60% 80%，终轧温度为800℃ 910℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
~ ~
量为60% 80%，终轧温度为800℃ 910℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
~ ~
[0013] （4）一次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，轧制总变形量为70% 90%；
~
~
[0014] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行一次时效处理，时效温度为430 530℃，时效时间为2 5小时，然后以风冷的方式冷
~ ~
却至室温；
~ ~
却至室温；
[0015] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，轧制总变形量为30% 50%；
~
~
[0016] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为380℃ 450℃，时效时间为5 30分钟，然后以风冷的方
~ ~
式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
~ ~
式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0017] 步骤（1）所用原材料为纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金。纯氩气中Ar的体积分数≥99.99%。
[0018] 本发明的优点在于：
[0019] （1）本发明在合金成分中以Cu、Hf、Si为主要元素，根据Miedema理论计算可知，Hf‑Si之间的混合焓大于Cu‑Hf和Cu‑Si。所以，该铜合金材料在时效过程中能够形成大量细小、
弥散分布的Hf‑Si析出相，同时减少固溶于Cu基体中的Hf和Si含量，有利于提高材料的导电
率。当Hf:Si摩尔比为1~2:1时，在本合金成分中可形成的Hf‑Si析出相有HfSi、Hf2Si、Hf5Si4
和Hf3Si2。
弥散分布的Hf‑Si析出相，同时减少固溶于Cu基体中的Hf和Si含量，有利于提高材料的导电
率。当Hf:Si摩尔比为1~2:1时，在本合金成分中可形成的Hf‑Si析出相有HfSi、Hf2Si、Hf5Si4
和Hf3Si2。
[0020] （2）本发明在合金成分中加入了Ni元素，Ni‑Hf和Ni‑Si之间的混合焓大于Cu‑Ni。所以，它可以在铜合金中形成Ni‑Hf以及Ni‑Si析出相，促进Hf和Si元素从铜基体中析出，既
有利于进一步提高铜合金的力学性能，也有利于提高导电性能。
有利于进一步提高铜合金的力学性能，也有利于提高导电性能。
[0021] （3）本发明在合金成分中加入了稀土元素Ce，起到了去除合金熔液中有害杂质（氧、硫、铅等）的作用，同时还可以细化铸锭组织，减少热轧开裂现象。
[0022] （4）本发明对合金熔体采用脉冲电场处理，脉冲电场在熔体中可产生电磁力和焦耳热效应。电磁力既可以在合金熔体中产生宏观搅拌作用，同时由于熔体中的Cu、Hf、Si、
Ni、Ce元素的原子半径和带电状态有所不同，其所受到的电磁力也随之不同，所以还可以在
微观上促进元素的均匀分布。熔体中往往会由于局部成分过冷或杂质的存在导致出现不均
匀析出，这些先析出的晶粒在后续的凝固过程中会生成粗大的树枝晶，不利于铸锭热轧。而
焦耳热可以有效地将先析出的晶粒回溶到熔体中，抑制不均匀析出，使晶粒能够均匀地形
核和长大。脉冲电场的参数必须与本发明的合金熔体相适应，才能产生合适的电磁力和焦
耳热效应，使铸锭的晶粒细小，成分均匀，减少杂质元素在晶界的偏聚，减少热轧开裂现象。
否则，电磁力太小对熔体的搅拌作用不强，电磁力太大会产生熔体飞溅现象（容易导致设备
损坏和人员危险）；焦耳热太小，抑制不均匀析出的效果差，焦耳热太大，容易出现熔体过热
现象不利于后续的浇铸，而且容易产生Hf、Si、Ni、Ce元素的过量挥发。
Ni、Ce元素的原子半径和带电状态有所不同，其所受到的电磁力也随之不同，所以还可以在
微观上促进元素的均匀分布。熔体中往往会由于局部成分过冷或杂质的存在导致出现不均
匀析出，这些先析出的晶粒在后续的凝固过程中会生成粗大的树枝晶，不利于铸锭热轧。而
焦耳热可以有效地将先析出的晶粒回溶到熔体中，抑制不均匀析出，使晶粒能够均匀地形
核和长大。脉冲电场的参数必须与本发明的合金熔体相适应，才能产生合适的电磁力和焦
耳热效应，使铸锭的晶粒细小，成分均匀，减少杂质元素在晶界的偏聚，减少热轧开裂现象。
否则，电磁力太小对熔体的搅拌作用不强，电磁力太大会产生熔体飞溅现象（容易导致设备
损坏和人员危险）；焦耳热太小，抑制不均匀析出的效果差，焦耳热太大，容易出现熔体过热
现象不利于后续的浇铸，而且容易产生Hf、Si、Ni、Ce元素的过量挥发。
[0023] （5）本发明的材料成分中不含有毒元素，对人体和环境危害小，且所得铜合金材料具有优良的综合力学性能和导电性能（硬度为205 240HV，屈服强度为585 690MPa，抗拉强
~ ~
度为656 775MPa，断后伸长率为15 25%，软化温度为500 570℃，导电率为80 85%IACS）。
~ ~ ~ ~
~ ~
度为656 775MPa，断后伸长率为15 25%，软化温度为500 570℃，导电率为80 85%IACS）。
~ ~ ~ ~
附图说明
[0024] 图1为实施例1所得铜合金材料的金相组织图；
[0025] 图2为实施例1所得铜合金材料的扫描电镜图；
[0026] 图3为实施例1所得铜合金材料的透射电镜图；
[0027] 图4为对比例1所得铜合金材料的金相组织图；
[0028] 图5为对比例2所得铜合金材料的扫描电镜图。
具体实施方式
[0029] 下面结合实施例对本发明做进一步的阐述，但不是对本发明的限定。本发明相关的主要测试方法及标准：按照GB/T4340.1‑2009《金属材料维氏硬度试验 第1部分：试验方
法》测定铜合金材料的硬度；按照GB/T34505‑2017《铜及铜合金材料 室温拉伸试验方法》测
定铜合金材料的屈服强度、抗拉强度和断后伸长率；按照GB/T 33370‑2016《铜及铜合金软
化温度的测定方法》测定铜合金材料的软化温度；按照GB/T351‑2019《金属材料电阻率测量
方法》测定铜合金材料的导电率，并将其数值与国际退火铜标准（100% IACS，
International Annealed Copper Standard）进行对比。
法》测定铜合金材料的硬度；按照GB/T34505‑2017《铜及铜合金材料 室温拉伸试验方法》测
定铜合金材料的屈服强度、抗拉强度和断后伸长率；按照GB/T 33370‑2016《铜及铜合金软
化温度的测定方法》测定铜合金材料的软化温度；按照GB/T351‑2019《金属材料电阻率测量
方法》测定铜合金材料的导电率，并将其数值与国际退火铜标准（100% IACS，
International Annealed Copper Standard）进行对比。
[0030] 实施例1
[0031] 合金成分的质量百分数为：0.80wt%的Hf、0.09wt%的Si、0.09wt%的Ni、0.06wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.40:1。
[0032] 其制备方法为：
[0033] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间150s,脉冲频率8Hz，脉冲
2
电流密度7A/mm ，脉冲宽度100μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间150s,脉冲频率8Hz，脉冲
2
电流密度7A/mm ，脉冲宽度100μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0034] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为900℃，保温时间为1小时，然后随炉冷却至室温；
[0035] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至890℃进行热轧制，热轧总变形量为70%，终轧温度为810℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0036] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为80%，轧制后样品厚度为1.4mm；
[0037] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为440℃，时效时间为2小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0038] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为45%，轧制后样品厚度为0.71 mm；
[0039] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为400℃，保温时间为15分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0040] 经检测，所得铜合金材料的硬度为234HV，屈服强度为682MPa，抗拉强度为750Pa，断后伸长率为20%，软化温度为550℃，导电率为81% IACS。
[0041] 图1为实施例1最终成品的金相组织图，从图中可以看出，其晶粒细小，晶粒尺寸≤8μm，平均晶粒直径约为5μm。
[0042] 图2为实施例1的扫描电镜图片，可以观察到细小均匀的球状析出相，弥散分布在铜基体中，大部分析出相的尺寸为5 25nm；图3为实施例1的透射电镜图片，可以观察到很多
~
细小弥散的球状和少量棒状的析出相粒子，析出相的尺寸为3 15nm。析出相颗粒的尺寸跨
~
度从3nm到25nm，根据位错和析出相颗粒之间的切割机制和绕过机制，析出相尺寸在一定范
围内分布，可以起到一定的复合强化作用。
~
细小弥散的球状和少量棒状的析出相粒子，析出相的尺寸为3 15nm。析出相颗粒的尺寸跨
~
度从3nm到25nm，根据位错和析出相颗粒之间的切割机制和绕过机制，析出相尺寸在一定范
围内分布，可以起到一定的复合强化作用。
[0043] 实施例2
[0044] 合金成分的质量百分数为：0.90wt%的Hf、0.10wt%的Si、0.095wt%的Ni、0.08wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.42:1。
[0045] 其制备方法为：
[0046] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间90s，脉冲频率9Hz，脉冲电
2
流密度10A/mm ，脉冲宽度70μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金
铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的
Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间90s，脉冲频率9Hz，脉冲电
2
流密度10A/mm ，脉冲宽度70μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金
铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的
Cu‑Ce中间合金；
[0047] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为960℃，保温时间为1小时，然后随炉冷却至室温；
[0048] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至900℃进行热轧制，热轧总变形量为65%，终轧温度为820℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0049] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为75%，轧制后样品厚度为2.08mm；
[0050] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为450℃，时效时间为3小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0051] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为40%，轧制后样品厚度为1.17mm；
[0052] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为410℃，保温时间为10分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0053] 经检测，所得铜合金材料的硬度为205HV，屈服强度为585MPa，抗拉强度为656MPa，断后伸长率为25%，软化温度为500℃，导电率为85% IACS。
[0054] 实施例3
[0055] 合金成分的质量百分数为：0.75wt%的Hf、0.06wt%的Si、0.08wt%的Ni、0.05wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.97:1。
[0056] 其制备方法为：
[0057] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间30s，脉冲频率5Hz，脉冲电
2
流密度5A/mm ，脉冲宽度50μs,然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸
锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑
Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间30s，脉冲频率5Hz，脉冲电
2
流密度5A/mm ，脉冲宽度50μs,然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸
锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑
Ce中间合金；
[0058] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为900℃，保温时间为1小时，然后随炉冷却至室温；
[0059] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至880℃进行热轧制，热轧总变形量为60%，终轧温度为800℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0060] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为70%，轧制后样品厚度为2.9mm；
[0061] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为430℃，时效时间为2小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0062] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为30%，轧制后样品厚度为1.94mm；
[0063] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为380℃，保温时间为5分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0064] 经检测，所得铜合金材料的硬度为240HV，屈服强度为690MPa，抗拉强度为775MPa，断后伸长率为15%，软化温度为570℃，导电率为80% IACS。
[0065] 实施例4
[0066] 合金的质量分数为：1.00wt%的Hf、0.12wt%的Si、0.10wt%的Ni、0.09 wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.31:1。
[0067] 其制备方法为：
[0068] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间40s,脉冲频率13Hz，脉冲
2
电流密度12A/mm ，脉冲宽度160μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间40s,脉冲频率13Hz，脉冲
2
电流密度12A/mm ，脉冲宽度160μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0069] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为920℃，保温时间为2小时，然后随炉冷却至室温；
[0070] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至920℃进行热轧制，热轧总变形量为70%，终轧温度为850℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0071] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为80%，轧制后样品厚度为1.4mm；
[0072] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为460℃，时效时间为4小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0073] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为35%，轧制后样品厚度为0.82mm；
[0074] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为410℃，保温时间为20分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0075] 经检测，所得铜合金材料的硬度为227HV，屈服强度为636MPa，抗拉强度为715MPa，断后伸长率为22%，软化温度为540℃，导电率为82% IACS。
[0076] 实施例5
[0077] 合金成分的质量百分数为：1.12wt%的Hf、0.15wt%的Si、0.11wt%的Ni、0.095wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.17:1。
[0078] 其制备方法为：
[0079] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间100s,脉冲频率23Hz，脉冲
2
电流密度16A/mm ，脉冲宽度110μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间100s,脉冲频率23Hz，脉冲
2
电流密度16A/mm ，脉冲宽度110μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0080] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为970℃，保温时间为1小时，然后随炉冷却至室温；
[0081] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至930℃进行热轧制，热轧总变形量为75%，终轧温度为860℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0082] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为85%，轧制后样品厚度为0.85mm；
[0083] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为480℃，时效时间为3小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0084] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为40%，轧制后样品厚度为0.43mm；
[0085] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为430℃，保温时间为12分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0086] 经检测，所得铜合金材料的硬度为216HV，屈服强度为614MPa，抗拉强度为692MPa，断后伸长率为23%，软化温度为530℃，导电率为83% IACS。
[0087] 实施例6
[0088] 合金成分的质量百分数为：1.15wt%的Hf、0.18wt%的Si、0.12wt%的Ni、0.10wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比1.01:1。
[0089] 其制备方法为：
[0090] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间180s,脉冲频率30Hz，脉冲
2
电流密度20A/mm ，脉冲宽度200μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间180s,脉冲频率30Hz，脉冲
2
电流密度20A/mm ，脉冲宽度200μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0091] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为980℃，保温时间为2小时，然后随炉冷却至室温；
[0092] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至960℃进行热轧制，热轧总变形量为80%，终轧温度为910℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0093] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为90%，轧制后样品厚度为0.40mm；
[0094] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为530℃，时效时间为5小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0095] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为50%，轧制后样品厚度为0.14mm；
[0096] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为450℃，保温时间为30分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0097] 经检测，所得铜合金材料的硬度为210HV，屈服强度为600MPa，抗拉强度为677MPa，断后伸长率为24%，软化温度为520℃，导电率为84% IACS。
[0098] 对比例1
[0099] 合金成分的质量百分数为：0.85wt%的Hf、0.07wt%的Si、0.086wt%的Ni、0.065wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.91:1。
[0100] 其制备方法为：
[0101] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸锭，铸锭厚度
为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸锭，铸锭厚度
为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金；
[0102] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为940℃，保温时间为1.5小时，然后随炉冷却至室温；
[0103] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至890℃进行热轧制，热轧总变形量为70%，终轧温度为820℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0104] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为70%，轧制后样品厚度为2.17mm；
[0105] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为440℃，时效时间为3小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0106] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为30%，轧制后样品厚度为1.43mm；
[0107] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为390℃，保温时间为8分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0108] 经检测，所得铜合金材料的硬度为164HV，屈服强度为462MPa，抗拉强度为535MPa，断后伸长率为6.3%，软化温度为430℃，导电率为65.3% IACS。
[0109] 即证明当制备方法中缺少了脉冲电场处理，其制得的铜合金材料的导电性能会明显变差，同时力学性能和软化温度也有一定程度的下降。
[0110] 图4为本对比例最终成品的金相组织图，从图中可以看出，其晶粒大小分布不均，而且可以观察到部分晶粒的晶粒尺寸≥20μm。
[0111] 对比例2
[0112] 合金成分的质量百分数为：0.40wt%的Hf、0.02wt%的Si、0.07wt%的Ni、0.01wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为3.15:1。
[0113] 其制备方法为：
[0114] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间100s，脉冲频率12Hz，脉冲
2
电流密度11A/mm ，脉冲宽度80μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间100s，脉冲频率12Hz，脉冲
2
电流密度11A/mm ，脉冲宽度80μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0115] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为970℃，保温时间为2小时，然后随炉冷却至室温；
[0116] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至900℃进行热轧制，热轧总变形量为80%，终轧温度为830℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0117] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为80%，轧制后样品厚度为0.92mm；
[0118] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为445℃，时效时间为4小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0119] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为40%，轧制后样品厚度为0.48mm；
[0120] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为410℃，保温时间为25分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0121] 经检测，所得铜合金材料的硬度为153HV，屈服强度为439MPa，抗拉强度为506MPa，断后伸长率为7.7%，软化温度为415℃，导电率为70.5% IACS。
[0122] 即证明当合金成分（Hf、Si、Ni、Ce）含量低于限定范围时，其制得的铜合金材料的力学性能和软化温度明显变差，同时导电性能也有一定程度的下降。
[0123] 图5为本对比例的扫描电镜图片，从图中可以看出，析出相颗粒分布不均，在晶界处可以观察到析出相颗粒的偏聚。
[0124] 对比例3
[0125] 合金成分的质量百分数为：1.1wt%的Hf、0.16wt%的Si、0.115wt%的Ni、0.07wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为1.08:1。
[0126] 其制备方法为：
[0127] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸锭，铸锭厚度
为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合金铸锭，铸锭厚度
为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce的Cu‑Ce中间合金；
[0128] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为910℃，保温时间为1小时，然后随炉冷却至室温；
[0129] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至920℃进行热轧制，热轧总变形量为60%，终轧温度为830℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0130] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为75%，轧制后样品厚度为2.42mm；
[0131] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为430℃，时效时间为2小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0132] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为50%，轧制后样品厚度为1.13mm；
[0133] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效处理温度为400℃，时效时间为18分钟，随后以风冷的方式冷
却至室温；
却至室温；
[0134] 经检测，所得铜合金材料的硬度为166HV，屈服强度为500MPa，抗拉强度为577MPa，断后伸长率为5%，软化温度为440℃，导电率为69.6% IACS。
[0135] 即证明当制备方法中缺少了脉冲电场处理，其制得的铜合金材料的导电性能会明显变差，同时力学性能和软化温度也有一定程度的下降。
[0136] 对比例4
[0137] 合金成分的质量分数为：1.2wt%的Hf、0.3wt%的Si、0.2wt%的Ni、0.2wt%的Ce，其余为Cu，Hf:Si的摩尔比为0.63:1。
[0138] 其制备方法为：
[0139] （1）合金熔铸：将原材料放入感应炉的坩埚中，抽真空到10‑3Pa，然后通入1.1×5
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间120s,脉冲频率19Hz，脉冲
2
电流密度17A/mm ，脉冲宽度150μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
10 Pa的纯氩气（Ar≥99.99%），在纯氩气保护下进行熔炼，待固体完全熔化形成合金熔液
后，保持10分钟，将脉冲电场的电极插入到熔体液面下，脉冲时间120s,脉冲频率19Hz，脉冲
2
电流密度17A/mm ，脉冲宽度150μs，然后将合金熔液浇铸到石墨模具中，冷却后开模取出合
金铸锭，铸锭厚度为25mm；熔炼使用的是纯度≥99.9wt%的Cu、Hf、Si、Ni金属块，含25wt%Ce
的Cu‑Ce中间合金；
[0140] （2）均匀化处理：在纯氩气保护下，将所得合金铸锭放入热处理炉中进行均匀化处理，均匀化处理温度为930℃，保温时间为2小时，然后随炉冷却至室温；
[0141] （3）热轧制：将均匀化后的合金铸锭加热至960℃进行热轧制，热轧总变形量为65%，终轧温度为800℃，终轧后的合金材料立刻进行水淬处理；
[0142] （4）一次室温轧制：将热轧制后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为70%，轧制后样品厚度为2.61mm；
[0143] （5）一次时效处理：将一次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行时效处理，时效处理温度为450℃，时效时间为3小时，随后以风冷的方式冷却至室
温；
温；
[0144] （6）二次室温轧制：将一次时效处理后的铜合金材料进行铣面，去除表面氧化皮，然后进行室温轧制变形，总变形量为45%，轧制后样品厚度为1.41 mm；
[0145] （7）二次时效处理：将二次室温轧制后的铜合金材料放入热处理炉中，在纯氩气保护下进行二次时效处理，时效温度为420℃，保温时间为6分钟；时效结束后，将铜合金材料
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
以风冷的方式冷却至室温，得到所述铜合金材料。
[0146] 经检测，所得铜合金材料的硬度为142HV，屈服强度为401MPa，抗拉强度为472MPa，断后伸长率为8.9%，软化温度为400℃，导电率为75.3% IACS。
[0147] 即证明当合金成分（Hf、Si、Ni、Ce）含量高于限定范围时，其制得的铜合金材料的力学性能和软化温度明显变差，同时导电性能也有一定程度的下降。
[0148] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。