一种线电压补偿电路及其补偿方法转让专利
申请号 : CN201910759295.3
文献号 : CN112397016B
文献日 : 2022-02-22
发明人 : 林昌全 , 李进
申请人 : 华润微集成电路(无锡)有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种线电压补偿电路,应用于LED驱动电路或AC/DC恒流电路中,其特征在于,所述线电压补偿电路包括:
线电压采样模块,用于采样变压器的原边线电压,并比较采样电压与关断阈值电压,在所述采样电压小于所述关断阈值电压时产生第一处理信号,在所述采样电压大于等于所述关断阈值电压时产生第二处理信号;
关断延迟调节模块,连接于所述线电压采样模块,用于对预设通断信号和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行处理,以产生开关信号,实现基于所述开关信号调节不同线电压下原边开关管的关断延迟,从而调节不同线电压下原边开关管的实际导通时间,使不同线电压下原边输入电流相等;
其中,所述关断延迟调节模块包括:控制信号产生单元,连接于所述线电压采样模块,用于对所述预设通断信号和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行逻辑运算处理,以产生充电控制信号或放电控制信号;
调变电压产生单元,连接于所述控制信号产生单元,用于在所述充电控制信号或所述放电控制信号的作用下进行充放电处理,从而产生电压值变化的调变电压;
开关信号产生单元,连接于所述调变电压产生单元和所述线电压采样模块,用于比较所述调变电压和预设电压,并对比较结果和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行逻辑运算处理,以产生开关信号,控制所述原边开关管的导通和关断,实现对不同线电压下原边开关管的关断延迟进行调节。
2.根据权利要求1所述的线电压补偿电路,其特征在于,所述线电压采样模块包括:原边开关管、采样电阻和第一比较器,其中所述原边开关管的漏极端连接于所述变压器的一端,所述原边开关管的栅极端连接于时间调节模块的输出端,所述原边开关管的源极端连接于所述采样电阻的一端,同时连接于所述第一比较器的正相输入端,所述采样电阻的另一端接地,所述第一比较器的反相输入端接入关断阈值电压,所述第一比较器的输出端作为所述线电压采样模块的输出端,连接于所述时间调节模块。
3.根据权利要求1所述的线电压补偿电路,其特征在于,所述控制信号产生单元包括:第一反相器、或非门和第二反相器,其中所述第一反相器的输入端接入所述预设通断信号,所述第一反相器的输出端连接于所述或非门的第一输入端,所述或非门的第二输入端连接于所述线电压采样模块的输出端,所述或非门的输出端连接于所述第二反相器的输入端,同时作为所述控制信号产生单元的第一输出端,连接于所述调变电压产生单元,所述第二反相器的输出端作为所述控制信号产生单元的第二输出端,连接于所述调变电压产生单元。
4.根据权利要求1所述的线电压补偿电路,其特征在于,所述调变电压产生单元包括:充电电流源、放电电流源和充放电电容,其中所述充电电流源串联接入所述充放电电容的一端,同时所述充电电流源的控制端连接于所述控制信号产生单元的第一输出端,所述放电电流源并联接入所述充放电电容的两端,同时所述放电电流源的控制端连接于所述控制信号产生单元的第二输出端,所述充放电电容的一端作为所述调变电压产生单元的输出端,连接于所述开关信号产生单元,所述充放电电容的另一端接地。
5.根据权利要求1所述的线电压补偿电路,其特征在于,所述开关信号产生单元包括第二比较器和与非门,其中所述第二比较器的正相输入端接入所述预设电压,所述第二比较器的反相输入端连接于所述调变电压产生单元的输出端,所述第二比较器的输出端连接于所述与非门的第一输入端,所述与非门的第二输入端连接于所述线电压采样模块的输出端,所述与非门的输出端作为所述开关信号产生单元的输出端,连接于所述线电压采样模块。
6.一种采用如权利要求1‑5任一项所述的线电压补偿电路实现的线电压补偿方法,其特征在于,所述线电压补偿方法包括:采样变压器的原边线电压,并比较采样电压与关断阈值电压,在所述采样电压小于所述关断阈值电压时产生第一处理信号,在所述采样电压大于等于所述关断阈值电压时产生第二处理信号;
对预设通断信号和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行处理,以产生开关信号,实现基于所述开关信号调节不同线电压下原边开关管的关断延迟,从而调节不同线电压下原边开关管的实际导通时间,使不同线电压下原边输入电流相等。
7.根据权利要求6所述的线电压补偿方法,其特征在于,所述开关信号的产生方法包括:
对所述预设通断信号和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行逻辑运算处理,以产生充电控制信号或放电控制信号;
在所述充电控制信号或所述放电控制信号的作用下进行充放电处理,从而产生电压值变化的调变电压;
比较所述调变电压和预设电压,并对比较结果和所述第一处理信号或所述第二处理信号进行逻辑运算处理,以产生控制所述原边开关管导通和关断的开关信号,实现对不同线电压下原边开关管的关断延迟进行调节。
说明书 :
一种线电压补偿电路及其补偿方法
技术领域
背景技术
为关断阈值,那么LED驱动电路或AC/DC恒流电路的原边输入电流ipk就都是一致的,具体如
图2(a)所示。但在实际情况下,控制系统是一定存在开关延迟Td的,即使都以相同的ipk_th
为关断阈值,由于低输入电压时原边开关管的导通时间TonL和高输入电压时原边开关管的
导通时间TonH是不同的,因实际电感电流的上升斜率不同会导致实际原边输入电流的不
同,具体如图2(b)所示。
小,低输入电压时增大Vref的值以使ipk_thL的值增大,从而补偿开关延迟Td带来的影响,
使得不同线电压下实际原边输入电流ipk_actual一致,具体如图3所示。
大电容来实现,而小电流和大电容意味着需要很多的半导体器件(如在3μs内增加20mV的补
偿幅度,那么由电容充电公式 可得,0.5μA的电流需要75pF的电容,这个容值的电容
在模拟电源芯片里代价是非常大的)。
的设计引入了额外的温度系数误差。
发明内容
于所述关断阈值电压时产生第二处理信号;
不同线电压下原边开关管的关断延迟,从而调节不同线电压下原边开关管的实际导通时
间,使不同线电压下原边输入电流相等。
间调节模块的输出端,所述原边开关管的源极端连接于所述采样电阻的一端,同时连接于
所述第一比较器的正相输入端,所述采样电阻的另一端接地,所述第一比较器的反相输入
端接入关断阈值电压,所述第一比较器的输出端作为所述线电压采样模块的输出端,连接
于所述时间调节模块。
信号;
行逻辑运算处理,以产生开关信号,控制所述原边开关管的导通和关断,实现对不同线电压
下原边开关管的关断延迟进行调节。
门的第一输入端,所述或非门的第二输入端连接于所述线电压采样模块的输出端,所述或
非门的输出端连接于所述第二反相器的输入端,同时作为所述控制信号产生单元的第一输
出端,连接于所述调变电压产生单元,所述第二反相器的输出端作为所述控制信号产生单
元的第二输出端,连接于所述调变电压产生单元。
所述控制信号产生单元的第一输出端,所述放电电流源并联接入所述充放电电容的两端,
同时所述放电电流源的控制端连接于所述控制信号产生单元的第二输出端,所述充放电电
容的一端作为所述调变电压产生单元的输出端,连接于所述开关信号产生单元,所述充放
电电容的另一端接地。
单元的输出端,所述第二比较器的输出端连接于所述与非门的第一输入端,所述与非门的
第二输入端连接于所述线电压采样模块的输出端,所述与非门的输出端作为所述开关信号
产生单元的输出端,连接于所述线电压采样模块。
产生第二处理信号;
电压下原边开关管的实际导通时间,使不同线电压下原边输入电流相等。
同线电压下原边开关管的关断延迟进行调节。
越小,通过线电压采样模块和关断延迟调节模块后对应原边开关管的关断延迟时间越长,
即原边开关管的实际导通时间越长;反之线电压越大,通过线电压采样模块和关断延迟调
节模块后对应原边开关管的关断延迟时间越短,即原边开关管的实际导通时间越短),从而
使得不同线电压对应的原边输入电流相等;而且由于本发明不同线电压对应同一关断阈值
(即ipk),故在芯片测试时只需测试一个ipk的值即可,从而简化了测试过程。
附图说明
边开关管的导通时间与关断阈值之间的关系示意图。
具体实施方式
施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离
本发明的精神下进行各种修饰或改变。
目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变,且其
组件布局形态也可能更为复杂。
等于所述关断阈值电压时产生第二处理信号;
号调节不同线电压下原边开关管的关断延迟,从而调节不同线电压下原边开关管的实际导
通时间,使不同线电压下原边输入电流相等。
边开关管M1的栅极端连接于所述时间调节模块200的输出端,所述原边开关管M1的源极端
连接于所述采样电阻Rcs的一端,同时连接于所述第一比较器Comp1的正相输入端,所述采
样电阻Rcs的另一端接地,所述第一比较器Comp1的反相输入端接入关断阈值电压Vref_th,
所述第一比较器Comp1的输出端作为所述线电压采样模块的输出端,连接于所述时间调节
模块200。本实施例中,所述采样电阻Rcs对所述变压器T1的原边线电压进行采样,以得到采
样电压Vcs;所述第一比较器Comp1对采样电压Vcs和关断阈值电压Vref_th进行比较,并在
采样电压Vcs小于关断阈值电压Vref_th时输出第一处理信号,即低电平,在采样电压Vcs大
于等于关断阈值电压Vref_th时输出第二处理信号,即高电平。
电控制信号;
理信号进行逻辑运算处理,以产生开关信号,控制所述原边开关管的导通和关断,实现对不
同线电压下原边开关管的关断延迟进行调节。
反相器IN1的输出端连接于所述或非门NOR的第一输入端,所述或非门NOR的第二输入端连
接于所述线电压采样模块100的输出端,所述或非门NOR的输出端连接于所述第二反相器的
输入端IN2,同时作为所述控制信号产生单元201的第一输出端,连接于所述调变电压产生
单元202,所述第二反相器IN2的输出端作为所述控制信号产生单元201的第二输出端,连接
于所述调变电压产生单元202。本实施例中,在所述预设通断信号on到来(此时on为高电
平)、且所述第一比较器Comp1输出第一处理信号(即低电平)时,所述控制信号产生单元201
的第一输出端输出充电控制信号TC(即或非门NOR输出高电平);在所述预设通断信号on到
来(此时on为高电平)、且所述第一比较器Comp1输出第二处理信号(即高电平)时,所述控制
信号产生单元201的第二输出端输出放电控制信号TCB(即或非门NOR输出低电平,第二反相
器IN2输出高电平)。
充电电流源I1的控制端连接于所述控制信号产生单元201的第一输出端,所述放电电流源
I2并联接入所述充放电电容C1的两端,同时所述放电电流源I2的控制端连接于所述控制信
号产生单元201的第二输出端,所述充放电电容C1的一端作为所述调变电压产生单元202的
输出端,连接于所述开关信号产生单元203,所述充放电电容C1的另一端接地。本实施例中,
在所述控制信号产生单元201输出充电控制信号TC时,所述充电电流源I1在所述充电控制
信号TC的控制下,对所述充放电电容C1进行充电操作,从而使输出的调变电压Vramp增大;
在所述控制信号产生单元201输出放电控制信号TCB时,所述放电电流源I2在所述放电控制
信号TCB的控制下,对所述充放电电容C1进行放电操作,从而使输出的调变电压Vramp减小。
Comp2的反相输入端连接于所述调变电压产生单元202的输出端,所述第二比较器Comp2的
输出端连接于所述与非门NAND的第一输入端,所述与非门NAND的第二输入端连接于所述线
电压采样模块100的输出端,所述与非门NAND的输出端作为所述开关信号产生单元203的输
出端,连接于所述线电压采样模块100。本实施例中,在所述充电电流源I1对所述充放电电
容C1进行充电初始,由于调变电压Vramp小于所述预设电压VT,故所述第二比较器Comp2输
出高电平;随着充电的持续进行,调变电压Vramp不断增加,在调变电压Vramp等于预设电压
VT时,所述第二比较器Comp2发生翻转,输出低电平;但由于充电过程中所述线电压采样模
块100输出的一直是第一处理信号,即低电平,故所述第二比较器Comp2的输出与第一处理
信号进行“与非”处理后,输出高电平的开启信号,以控制所述原边开关管M1开启。在所述放
电电流源I2对所述充放电电容C1进行放电初始,由于调变电压Vramp大于所述预设电压VT,
故所述第二比较器Comp2输出低电平,同时由于放电过程中所述线电压采样模块100输出的
是第二处理信号,即高电平;故所述第二比较器Comp2输出的低电平与第二处理信号进行
“与非”处理后,仍输出高电平的开启信号。随着放电的持续进行,调变电压Vramp不断减小,
在调变电压Vramp等于预设电压VT时,所述第二比较器Comp2发生翻转,输出高电平,同时由
于放电过程中所述线电压采样模块100输出的是第二处理信号,即高电平;故所述第二比较
器Comp2输出的高电平与第二处理信号进行“与非”处理后,输出低电平的关断信号,以控制
所述原边开关管M1关断。
产生第二处理信号;
电压下原边开关管的实际导通时间,使不同线电压下原边输入电流相等。
同线电压下原边开关管的关断延迟进行调节。
第一比较器Comp1输出低电平,即第一处理信号;所述控制信号产生单元201对所述预设通
断信号和所述第一处理信号进行逻辑运算处理以输出充电控制信号TC,从而控制所述充电
电流源I1对所述充放电电容C1进行充电;
以控制所述原边开关管M1开启。
出低电平,该低电平与第一处理信号进行“与非”运算后,仍输出高电平的开启信号。
处理信号;所述控制信号产生单元201对所述预设通断信号和所述第二处理信号进行逻辑
运算处理以输出放电控制信号TCB,从而控制所述放电电流源I2对所述充放电电容C1进行
放电;
号。
出高电平,该高电平与第二处理信号进行“与非”运算后,输出低电平的关断信号,以控制所
述原边开关管M1关断,同时重置计时周期以等待新的开关周期。
Ipk_actual相等;也就是说,输入电压越小,原边线电压越小,对应的关断延迟TdL越长,即
开关信号中实际导通时间Ton_actual越长(Ton_actual=TonL+TdL),充电电流源I1的充电
时间越长,调变电压Vramp上升越高,那么开关信号中实际关断时刻(true_off)到来的越
晚;此时低输入电压对应的关断延迟TdL相对于高输入电压对应的关断延迟TdH就越长,即
TdL>TdH,只要I1、I2、C1、VT的参数设置合适,那么就可以得到合适的TdL和TdH,从而得到相
同的Ipk_actual,实现线电压补偿的目的。需要注意的是,系统总的关断延迟TD=Tdn+Td,
Td为系统固有的关断延迟,Tdn为新增的关断延迟;而Td一般是在十几ns之内,如果人为设
置Tdn为几十甚至上百ns,那么Td的影响就可以忽略不计,TD就主要由Tdn决定。
VinL为低输入电压,VinH为高输入电压;
Vramp的最高电压值,VH为高输入电压时调变电压Vramp的最高电压值,I1为充电电流源的
电流值。
导通时间Ton_actual与新增的关断延迟Tdn满足一次线性方程Tdn=k×Ton+m;只要k和m取
合适的值,那么只需比较少的代价就能实现线电压的补偿效果;同时由于Tdn是ns级别的延
迟,从公式 可以看出,如一个典型示例,du取一个逻辑门的阈值3V,要想产生一个
100ns的关断延迟只需要5μA的电流和0.16pF的电容,这样小的电容和电流在模拟电源芯片
里代价是非常小的;而且本实施例所述线电压补偿电路中并未用到固定失调比较器,因此
也未引入额外的温度系数。
越小,通过线电压采样模块和关断延迟调节模块后对应原边开关管的关断延迟时间越长,
即原边开关管的实际导通时间越长;反之线电压越大,通过线电压采样模块和关断延迟调
节模块后对应原边开关管的关断延迟时间越短,即原边开关管的实际导通时间越短),从而
使得不同线电压对应的原边输入电流相等;而且由于本发明不同线电压对应同一关断阈值
(即ipk),故在芯片测试时只需测试一个ipk的值即可,从而简化了测试过程。所以,本发明
有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
此,举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完
成的一切等效修饰或改变,仍应由本发明的权利要求所涵盖。