发光二极管封装结构转让专利
申请号 : CN201911137385.5
文献号 : CN112420905B
文献日 : 2021-10-01
发明人 : 陈泓瑞 , 林柏睿
申请人 : 光宝光电(常州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括:一基板,其具有一第一区域与一第二区域,所述基板包括设置于所述第二区域的至少一电极接垫;
一发光二极管芯片,设置于所述基板上,所述发光二极管芯片具有一芯片上表面,所述芯片上表面具有一出光区与一打线区,所述出光区对应于所述第一区域,所述打线区对应于所述第二区域,所述发光二极管芯片包括位于所述打线区上的至少一电极接点,所述至少一电极接点透过至少一金属线与所述至少一电极接垫电连接;以及一反射组件,其包括一第一部分与一第二部分,所述第一部分环绕所述发光二极管芯片,所述第二部分对应设置于所述第二区域上,并覆盖部分的所述第一部分及所述打线区;
其中,所述第一部分具有一第一表面,与所述出光区齐平;所述第二部分具有一第二表面,高于所述至少一金属线的最高点。
2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构更包括一透光组件,所述透光组件覆盖所述反射组件及所述出光区。
3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构更包括一透光组件,其设置于所述第一表面与所述出光区上方。
4.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构更包括一荧光粉层,覆盖所述发光二极管芯片。
5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述荧光粉层覆盖所述出光区及所述第一表面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射组件包括反射粒子。
7.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述反射组件的侧面为一阶梯结构。
8.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述第二部分的上表面呈多边形。
9.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述打线区与所述出光区的面积比值小于20%。
10.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述出光区的其中一个侧边与所述打线区的其中一个侧边等长。
11.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构包括一透镜,位于所述出光区之上。
说明书 :
发光二极管封装结构
技术领域
背景技术
率及长寿命之特性,可大幅节省成本与降低耗能。
HID)灯具,将可加速LED照明产业进入另一阶段。
装结构,可以避免金属线断裂,同时又可以调整LED的视角,提升LED的中心照度。
发明内容
第二区域,基板包括设置于第二区域的至少一电极接垫。发光二极管芯片设置于基板上,发
光二极管芯片具有一芯片上表面,芯片上表面具有一出光区与一打线区,出光区对应于第
一区域上,打线区对应于第二区域上,发光二极管芯片包括位于打线区上的至少一电极接
点,至少一电极接点通过至少一金属线与至少一电极接垫电连接。反射组件包括一第一部
分与一第二部分,第一部分环绕发光二极管芯片,第二部分对应设置于第二区域上,并覆盖
部分的第一部分及打线区。其中,第一部分具有一第一表面,且与芯片上表面齐平,更特定
而言,是与出光区齐平。第二部分具有一第二表面,高于至少一金属线的最高点。
基板包括设置于第二区域的至少一电极接垫;设置一发光二极管芯片于基板上,其中发光
二极管芯片的一出光区与一打线区分别对应于第一区域与一第二区域,且所述发光二极管
芯片包括至少一电极接点;通过至少一金属线电连接所述至少一电极接点与所述至少一电
极接垫;提供一反射组件于基板与发光二极管芯片上,以覆盖至少一金属线,其中,芯片上
表面具有一出光区与一打线区,第一部分环绕发光二极管芯片,第二部分对应于第二区域,
并覆盖部分的第一部分及打线区;其中,第一部分具有一第一表面,与芯片上表面齐平,更
特定而言,是与出光区平;第二部分具有一第二表面,高于至少一金属线的顶点。
护组件于基板上。
线断裂,更透过反射组件达到缩小视角的目的。
附图说明
具体实施方式
果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用,本说明书中的各项细节也可基
于不同观点与应用,在不背离本发明的构思下进行各种修改与变更。另外,本发明的附图仅
为简单示意说明,并非依实际尺寸的描绘,事先声明。以下的实施方式将进一步详细说明本
发明的相关技术内容,但所公开的内容并非用以限制本发明的保护范围。
件,或者一信号与另一信号。另外,本文中所使用的术语“或”,应视实际情况可能包括相关
联的列出项目中的任一个或者多个的组合。
投影机、建筑照明、娱乐装置等等。本文描述之功能也可以实施于外围设备或内置卡。透过
进一步举例,这种功能也可以实施在不同芯片或在单个装置上执行之不同程序之电路板。
10主要包括基板11、发光二极管芯片12与反射组件13。
的第一区域111与第二区域112上,详细来说,部分的发光二极管芯片12是设置在基板11的
第一区域111内,而部分的发光二极管芯片12设置在第二区域112内。发光二极管芯片12具
有芯片上表面121,且芯片上表面121包括出光区122与打线区123,芯片上表面121的出光区
122对应于基板11的第一区域111,其打线区123对应于基板11的第二区域112,发光二极管
芯片12在第二区域112所发出的光,会因为后续设置在基板11与发光二极管芯片12上方的
反射组件13的遮蔽而无法传递至发光二极管封装结构10的表面。
数量可各自为一或多个,且可对应于电极接垫113的数量,但不限于此。金属线14较佳为纯
金线,但在此并不以此为限。
光区122)齐平,换句话说,反射组件13第一部分131的厚度与发光二极管芯片12的厚度大致
相同,使反射组件13的第一部分131不会过高而遮蔽发光二极管芯片12的发光路径。
应设置于基板11的第二区域112上,反射组件13的第二部分132堆栈在第一部分131上,反射
组件13的第二部分132覆盖位于基板11第二区域112的金属线14,反射组件13的第二部分
132的第二表面134高于至少一金属线14的最高点,使反射组件13的第二部分132达到保护
金属线14的目的。
构成,但在此并不以此为限。另外,基板11的第一部分131与芯片等高而堆栈于其上的第二
部分132的厚度较佳在50与100毫米之间,或者,在不同实施例中,第一部分131与芯片等高
而堆栈于其上的第二部分132的厚度在150与200毫米之间,但在此并不以此为限。
于反射组件13上,且覆盖发光二极管芯片12的芯片上表面121的出光区122。详细来说,透光
组件15覆盖反射组件13位于第一区域111中的第一部分131、位于第二区域112中的第二部
分132,以及发光二极管芯片12的芯片上表面121的出光区122。
二部分132的第二表面134齐平。或者,在不同实施例中,透光组件15的上表面151可以与第
二部分132的第二表面134不齐平,在此并不以此为限。
个电极接点124的发光二极管芯片12而言,出光区122的一个侧边与打线区123的一个侧边
等长,以利提供足够的面积来容纳所有的电极接点124,并且以单个第二部分132还覆盖所
有的电极接点124及其等对应的金属线14。更佳地,为确保发光效率,打线区123需小于出光
区122。较佳地,打线区123与出光区122的面积比值介于小于20%,过大有浪费发光面积之
虞,过小则无法确保提供足够的面积以供电极接点124设置。
以包括一荧光粉(Phosphor)层16,设置在发光二极管芯片12上。例如请参阅图2C,荧光粉层
16设置在透光组件15及发光二极管芯片12上。或者,如图2D所示,荧光粉层16可设置在发光
二极管芯片12芯片上表面121的出光区122以及反射组件13上,在一些实施例中,荧光粉层
16可先覆盖在发光二极管芯片12芯片上表面121的出光区122以及反射组件13的第一部分
131与第二部分132上方,然后再于荧光粉层16上方设置透光组件15。然在部分未示出的实
施例中,荧光粉层16可仅覆盖于第一区域111上,或者甚至仅覆盖出光区122上,随后在第一
区域111上或者在第一区域111上及第二区域112上设置透光组件15。
更可以如图2F所示,荧光粉层16覆盖位于基板11第一区域111的透光组件15以及反射组件
13的第二部分132上,但在此并不以此为限。另外,在此需要说明的是,发光二极管大都可发
出红光、绿光或蓝光,若是要发光二极管发出白光,较佳是以发光二极管配合荧光粉的方式
呈现,举例来说,在蓝光发光二极管上涂抹黄色荧光粉层,黄色荧光粉层的材料举例可以是
钇铝石榴石荧光粉、硅酸盐荧光粉或氮化物荧光粉,进而使发光二极管封装结构10发出白
光。在不同实施例中,荧光粉层16更可以仅设置在位于第一区域111的透光组件15上,如图
2G所示,或者荧光粉层16芯片上表面可以仅形成在位于芯片上表面121的出光区122的透光
组件15上,如图2H所示,但在此并不以此为限。
样,而可具有不同形状与体积。
是梯形,如图3B所示,第二部分132也可以是不规则形状,如图3C所示,或者反射组件13的第
二部分132可以是多边形,如图3D所示。
反射组件13的第二部分132完全覆盖金属线14,都可以是本发明的反射组件13。
113,基板11较佳可以是铝基板、铜基板或陶瓷电路板,但在此并不以此为限。第一区域111
为发光二极管芯片12的发光区,第二区域112为发光二极管芯片12的发光牺牲区,也就是发
光二极管芯片12在第二区域112的发光会因其他层级结构的遮蔽而无法传递至发光二极管
封装结构10的表面上。
极管,且发光二极管芯片12与保护组件并联连接,以稳定电压避免突波电流导致发光二极
管芯片的损坏。
于基板11的第二区域112,以避免发光二极管芯片12过多区域位于第二区域112内,受到后
续设置的层级结构的遮蔽,导致发光二极管封装结构10的发光效率不佳。
一电极接点124,至少一电极接点124对应于基板11的至少一电极接垫113。
可以是本发明的金属线,在此并不以此为限。在步骤S404中,提供一反射组件13于基板11与
发光二极管芯片12上,以覆盖至少一金属线14。
并可以达到防止发光二极管芯片12的漏光,进一步缩小视角,使发光二极管芯片12的发光
集中。
模具在对应于第二部分132的位置具有凹穴,当上模具压合在发光二极管芯片12上时,该凹
穴可用来容置金属线14,随后当树脂材料填入时即会填满发光二极管芯片12的周边及凹
穴,形成第一部分131及第二部分132。
且,在完成设置发光二极管芯片12以及金属线14的制程步骤后,更可以包括一清洗步骤,例
如,利用电浆处理(plasma treatment)以去除在基板11或发光二极管芯片12上的污染物。
打线区123上。反射组件13的第一部分131具有第一表面133,第一部分131的第一表面133与
发光二极管12的芯片上表面121(出光区122)齐平,第二部分132具有第二表面134,反射组
件13的第二部分132高于金属线14的最高点,使第二部分132可以包覆金属线14。金属线14
可通过打线接合(wire bonding)的方式,将电极接点124与电极接垫113电连接。在一些实
施例中,当金属线14以反向打线的方式接合电极接点124与电极接垫113时,第一部分131与
芯片等高而堆栈于其上的第二部分132的厚度较佳可在50与100毫米之间。或者,在不同实
施例中,当金属线14以正向打线的方式接合电极接点124与电极接垫113时,第一部分131与
芯片等高而堆栈于其上的第二部分132的厚度在150与200毫米之间,但在此并不以此为限。
胶带黏贴于发光二极管芯片12上,然后再撕掉该胶带,可去除残余的胶料。
区122上方,然后再将荧光粉层16涂布在透光组件15上。
的第一部分与发光二极管芯片12之芯片上表面121的出光区122上方,然后再将荧光粉层16
涂布在透光组件15上。在一些较佳实施例中,涂布荧光粉层16的方式可包括以喷涂方式将
荧光粉层16设置在透光组件15上。或者,可以先涂布荧光粉层16在反射组件13与发光二极
管芯片12上,然后再将透光组件15设置在位于基板11第一区域111的荧光粉层16上,在此并
不以此为限。
行另一烘烤步骤以固化透光组件15。最后,更可以再进行一次电浆清洗程序,以去除在基板
11或发光二极管芯片12上的污染物,再将制作完成的多个发光二极管封装结构切割成一个
个发光二极管封装结构,完成发光二极管封装结构的制造方法。
63,而在本实施例中,基板61、发光二极管芯片62或反射组件63的结构或设置位置都与上述
的实施例相似,因此,相同之处在此不再赘述。其中,反射组件63同样包括第一部分631与第
二部分632,反射组件63的第一部分631环绕发光二极管芯片62,第二部分632对应于基板61
的第二区域612,且堆栈覆盖在第一部分631及发光二极管芯片62的打线区623上,反射组件
63的第二部分632高于金属线64的最高点,使第二部分632可以包覆金属线64。在本实施例
中,为了提高发光二极管封装结构的整体发光效率,更可以在反射组件63的第一部分631、
第二部分632以及发光二极管芯片62的出光区622上,进一步堆栈一透镜67,而该透镜67较
佳为一拱顶型(dome type)的透镜67,或者在不同实施例中,透镜67可以是一平面型的透镜
67,如图6B所示。其中,透镜67较佳是由高分子材料所构成,高分子材料可以是硅氧树脂
(Silicone)或环氧树脂(Epoxy),但在此并不以此为限。
分631的宽度加上发光二极管芯片62的宽度可以小于基板61的宽度,如图6C所示。换句话
说,反射组件63的第一部分631环绕发光二极管芯片62的周围,但是在此实施例中,反射组
件63的第一部分631并未填满在基板61上设置发光二极管芯片62以外的剩余表面,透镜67
是堆栈在反射组件63的第一部分631、第二部分632、发光二极管芯片62的出光区622以及部
分的基板61上,在此实施例中,透镜67的宽度同样与基板61的宽度相同。
第一部分631上设置透镜67,如图6D所示。或者,在不同实施例中,透光组件65除了覆盖在发
光二极管芯片62的第一发光区622以及反射组件63的第一部分631外,更覆盖在反射组件63
的第二部分632上,然后再于透光组件65上设置透镜67,如图6E所示。另外,在不同的实施例
中,也可以在发光二极管芯片62的第一发光区622以及反射组件63的第二部分632上先设置
荧光粉层66,直接在荧光粉层66上设置透镜67,如图6F所示,而无设置透光组件65。或者,在
又一实施例中,在设置荧光粉层66之后,可先设置透光组件65于荧光粉层66上,然后再于透
光组件65上设置透镜67,如图6G所示。透光组件65可以如图6G所示,覆盖在荧光粉层66的整
个表面上,或者透光组件65可以仅覆盖在对应发光二极管芯片62的第一发光区622以及反
射组件63的第二部分632的荧光粉层66上,如图6H所示,在此并不以此为限。
同,使荧光粉层66与反射组件63的第二部分632齐平,再于反射组件63的第二部分632与荧
光粉层66上设置透光组件65,最后将透光组件65上设置透镜67,如图6I所示。
可以其他形状的透镜67取代,在此并不以此为限。举例来说,如图6B所示的发光二极管封装
结构60的拱顶型的透镜67可以更改为平面型的透镜67,如图6J所示,其余如图6C至图6I的
实施例中,其拱顶型的透镜67同样也可以改为平面型透镜67或其他类型的透镜67,在此不
在一一赘述。进一步来说,如图6K所示,透镜67同样设置在反射组件63的第一部分631、第二
部分632以及发光二极管芯片62的出光区622上,透镜67具有类似于拱顶型的透镜67的外
型,其如同一圆帽状,同样可以达到提升发光二极管封装结构60的发光效率。另外,透镜67
也可以是菲涅耳透镜(Fresnel lens),其材质可以是玻璃或高分子材料(例如硅氧树脂
(Silicone)、环氧树脂(Epoxy)、聚碳酸酯(Polycarbonate,PC)、压克力(PMMA)或聚氯乙烯
(Polyvinyl Chloride,PVC))等。
相较于无安装透镜67的发光二极管封装结构,图6A所示的发光二极管封装结构60的中心照
度可以提升449.2%,或者,以图6K所示的具圆帽型的透镜67的发光二极管封装结构60,透
镜67的尺寸大约900um X 900um,其中心照度可以提升435.7%。或者,当发光透镜67的尺寸
大约是950um X 950um,发光二极管封装结构60的中心照度更可以略微提升至444.7%。因
此,通过本发明的发光二极管封装结构60,除了可以防止漏光,更可以达到提升中心照度的
效果。
线断裂,更透过反射组件达到缩小视角的目的。另外,在发光二极管封装结构上进一步安装
透镜,可以达到提升中心照度的效果。
本发明的权利要求书的保护范围内。