一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备转让专利

申请号 : CN201910745478.X

文献号 : CN112444516A

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发明人 : 郭力李侨徐战军

摘要 :

本发明实提供了一种硅棒的晶线生长状态检测方法、装置及设备,涉及单晶硅技术领域,包括:在硅棒处于等径生长的过程中,获取硅棒的样本图像;在样本图像上设置检测区域,检测区域与所述硅棒的晶线生长线重叠;生成检测区域的灰度值曲线;根据检测区域的灰度值曲线,确定晶线生长线上,硅棒的晶线的生长状态。本发明中,通过实时采集硅棒在生长过程中的样本图像,并在样本图像上设置检测区域,根据所述检测区域的灰度值曲线,就可以确定硅棒的晶线的生长状态,从而判断硅棒是否是单晶硅棒,采用该方法降低了硅棒直径大小的波动及晶线特征不明显对晶线的检测过程的影响,从而提高了晶线的检测精度和检测效率,且操作简单。