一种超导量子芯片串扰矩阵测量方法转让专利
申请号 : CN201910803885.1
文献号 : CN112444715B
文献日 : 2021-12-03
发明人 : 孔伟成 , 赵勇杰 , 朱美珍 , 杨夏
申请人 : 合肥本源量子计算科技有限责任公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种超导量子芯片串扰矩阵测量方法,所述超导量子芯片上设置有多个超导量子比特装置,任意两所述超导量子比特装置之间均会存在串扰;
其特征在于,所述方法包括:
给每一个所述超导量子比特装置均配置一个直流电压偏置信号,并记为第一信号组合;
针对任一选定的待测量所述超导量子比特装置,只更新所述第一信号组合中对应待测量所述超导量子比特装置的所述直流电压偏置信号的值为电压设定值,得到第一目标信号组合;其中:所述电压设定值使得待测量所述超导量子比特装置的频率处于串扰工作点频率;
在所述超导量子芯片上施加所述第一目标信号组合,给每一个所述超导量子比特装置均配置一个脉冲偏置调控信号,并记为第二信号组合;
针对选定所述相关超导量子比特装置,只更新所述第二信号组合中对应选定所述相关超导量子比特装置的所述脉冲偏置调控信号为脉冲偏置调控目标信号,得到第二目标信号组合;
在所述超导量子芯片上施加所述第二目标信号组合,并测量选定所述超导量子比特装置和待测量所述超导量子比特装置之间的第一子串扰系数;其中,所述相关超导量子比特装置为所述超导量子芯片上待测量以外的所述超导量子比特装置,所述第一子串扰系数为所述第一串扰系数的一部分,所述第一串扰系数为所述串扰矩阵的一部分。
2.根据权利要求1所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述第一信号组合中各所述直流电压偏置信号的大小为第一常数。
3.根据权利要求2所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述第一常数为0。
4.根据权利要求1所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述第二信号组合中的各所述脉冲偏置调控信号的幅度值为相同第二常数值。
5.根据权利要求4所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述第二常数值为0。
6.根据权利要求1所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述脉冲偏置调控目标信号包括至少两个子脉冲偏置调控信号,各所述子脉冲偏置调控信号的信号幅度不一样的,并记为子脉冲偏置调控信号幅度。
7.根据权利要求6所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述测量选定所述超导量子比特装置和待测量所述超导量子比特装置之间的第一串扰系数,具体包括:在所述超导量子芯片上施加任意一个所述子脉冲偏置调控信号时,均通过测量超导量子比特读取反馈信号随超导量子比特调控信号的频率变化获得第一超导量子比特装置特征能谱曲线;
根据所述第一超导量子比特装置特征能谱曲线确定所述子脉冲偏置调控信号幅度对应的频率值,并记为超导量子比特装置测量子频率;
基于超导量子比特装置频率与直流偏置电压信号之间的数学关系,确定各所述超导量子比特装置测量子频率对应的直流电压偏置信号值,并记为等效电压值;
对所述子脉冲偏置调控信号幅度及对应的所述等效电压值进行线性拟合,获得反映所述子脉冲偏置调控信号幅度与所述等效电压值之间线性关系的权重系数,并记为所述第一串扰系数。
8.根据权利要求7所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于:多个所述子脉冲偏置调控信号幅度的值依次步进设置。
9.根据权利要求1‑8任一项所述的超导量子芯片串扰矩阵测量方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据测量得到的串扰矩阵获得串扰补偿矩阵,及根据所述串扰补偿矩阵确定作用各所述超导量子比特装置上施加的理想磁通调制信号;其中:所述串扰补偿矩阵为串扰矩阵的逆,所述理想磁通调制信号是指处于串扰工作点频率的各所述超导量子比特装置上施加的不会对其它各所述超导量子比特装置产生磁通调制的磁通调制信号。
说明书 :
一种超导量子芯片串扰矩阵测量方法
技术领域
背景技术
或作为三维(3D)微波腔)以读出并促进量子位之间的相互作用。作为一个示例,每个超导量
子比特可以包括一个或多个约瑟夫森结,所述约瑟夫森结与所述结并联的电容器分流。量
子位电容耦合到2D或3D微波腔,与超导量子比特相关联的电磁能存储在约瑟夫森结中以及
形成超导量子比特的电容和电感元件中。
特的工作性能。
量子比特上耦合连接的磁通调制线提供的磁通调制信号的影响,前者可以称为自扰影响,
影响程度可以记为第一系数,后者称为串扰影响,影响程度可以记为第二系数。第一系数和
第二系数统称为串扰系数,串扰系数组成的矩阵称为串扰矩阵。对于包括N个超导量子比特
的超导量子芯片,其串扰矩阵为N*N的矩阵。串扰矩阵的测量,对超导量子芯片的测控操作
具有重要意义。目前并没有超导量子芯片的串扰矩阵的测量方法。
发明内容
信号组合;其中:所述电压设定值使得待测量所述超导量子比特装置的频率处于串扰工作
点频率;
比特装置为所述超导量子芯片上待测量以外的所述超导量子比特装置,所述第一串扰系数
为所述串扰矩阵的一部分。
信号组合;
数为所述第一串扰系数的一部分。
置特征能谱曲线;
第一子串扰系数。
阵的逆,所述理想磁通调制信号是指处于串扰工作点频率的各所述超导量子比特装置上施
加的不会对其它各所述超导量子比特装置产生磁通调制的磁通调制信号。
设定值,使得选定的待测量所述超导量子比特装置处于串扰工作点频率,而其它超导量子
比特装置不处于对应的串扰工作点频率。选定的待测量所述超导量子比特装置处于串扰工
作点频率的条件下,选定的待测量所述超导量子比特装置具有相关较长的退相干时间和相
对较大的操作保真度,在此条件下,测量待测量所述超导量子比特装置和所有的相关超导
量子比特装置之间的第一串扰系数;其中:所述相关超导量子比特装置为所述超导量子芯
片上的任一所述超导量子比特装置,所述第一串扰系数为所述串扰矩阵的一部分。进行实
现了超导量子芯片串扰矩阵测量。可以利用测得的串扰矩阵为超导量子芯片的测控操作提
供支撑。
附图说明
具体实施方式
图1所示,所述超导量子比特包括相互耦合的超导量子比特探测器和超导量子比特装置;所
述超导量子比特探测器远离对应所述超导量子比特装置的一端均连接至集成设置在所述
超导量子芯片上的一数据传输总线,所述数据传输总线用于接收超导量子比特读取信号和
发射超导量子比特读取反馈信号;所述超导量子比特装置上连接有第一控制信号传输线和
第二控制信号传输线,所述第一控制信号传输线提供的第一控制信号包括磁通调制信号,
所述第二控制信号传输线提供的第二控制信号包括超导量子比特调控信号;其中,所述磁
通调制信号用于控制所述超导量子比特装置的工作频率变化;所述超导量子比特调控信号
用于控制所述超导量子比特装置量子态变化。
控。
工作点频率附近;再通过第一控制信号传输线施加所述脉冲偏置调控信号对所述超导量子
比特装置的工作频率进行小范围调控,使得所述超导量子比特装置的工作频率精准的达到
串扰工作点频率;通过所述直流电压偏置信号的粗调和所述脉冲偏置调控信号的精调,使
得对所述超导量子比特装置的工作频率的调控更精准。
构,或者是由至少两个并联的约瑟夫森结所构成的闭环结构。其中,由至少两个并联的约瑟
夫森结所构成的闭环结构又被称之为超导量子干涉仪(SQUID)。
所述SQUID与所述其他超导量子比特装置的第一控制信号传输线之间具有互感耦合效果。
感耦合,所述闭环结构内的磁通量随着与所述磁通调制信号的变化而变化,进而实现通过
磁通调制信号对所述超导量子比特的频率的控制。可以参考以下公式:
制信号传输线施加所述直流电压偏置信号对所述超导量子比特装置的工作频率进行大范
围调控,通过第一控制信号传输线施加所述脉冲偏置调控信号对所述超导量子比特装置的
工作频率进行小范围调控,通过所述直流电压偏置信号的粗调和所述脉冲偏置调控信号的
精调,使得对所述超导量子比特装置的工作频率的调控更精准。
自感耦合,对所述超导量子比特装置的频率产生影响,以达到对所述超导量子比特装置的
频率调控的效果。因此,自扰是在对所述超导量子芯片进行测量时,也是需要精准控制的。
量子比特装置上施加的所述磁通调制信号对所述超导量子比特装置的频率的调控精度,这
个即任意两个所述超导量子比特之间的串扰。
导量子比特装置的频率不能达到预定目标值,影响所述超导量子芯片的整体性能。因此在
所述超导量子芯片的性能测试时,需要测量出所述超导量子比特装置之间的串扰具体值,
以便在对所述超导量子比特装置的频率进行调控时,进行适当的补偿操作,使得所述磁通
调制信号对相连接的所述超导量子比特装置的频率的调控达到预期值。
超导量子芯片上其他的所述超导量子比特装置上施加的所述直流电压偏置信号;VAWG1、VAWGn
是所述超导量子芯片上其他的所述超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号;
M11…Mn1是所述超导量子芯片上的所述超导量子比特装置上施加的所述直流电压偏置信号
对选定的所述超导量子比特装置的串扰系数;M'11…M'n1是所述超导量子芯片上的所述超
导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号对选定的所述超导量子比特装置的串扰
系数;Voffset是一个补偿值,是一个常数。
偏置信号的值都是固定的,使得各所述超导量子比特装置的频率工作在串扰工作点频率附
近,因此所述直流电压偏置信号对于其他所述超导量子比特装置的串扰系数也是固定的,
即M11VDC2…Mn1VDCn也可以汇总到Voffset中。因此,上述公式可以进一步精简为:
的串扰系数即可。
别测量归纳,并用串扰矩阵进行表征。
应的所述超导量子比特装置的频率。将各个所述超导量子比特装置对应的所述直流电压偏
置信号的组合,记为第一信号组合。
现对应超导量子比特装置在工作在串扰工作点频率之外对应的任何一个电压值。在各个直
流电压偏置信号的大小为除串扰工作点电压值以外的值,优选为固定常数值,以保证任一
所述超导量子比特装置上施加的所述直流电压偏置信号对其他的所述超导量子比特装置
的串扰影响是固定的,只需要测量对应的串扰系数即可。
信号的大小设定为所述串扰工作点电压,使得所述串扰工作点频率处于所述超导量子比特
装置工作频率的预设值以外。
超导量子比特装置上施加的所述直流电压偏置信号对其他的所述超导量子比特装置的串
扰影响是固定的,只需要测量对应的串扰系数即可。
电压偏置信号而产生串扰影响,当选定其中一个所述超导量子比特装置作为待测目标时,
只需要将第一信号组合中待测量的所述超导量子比特装置对应的所述直流电压偏置信号
的值进行调整,调整为该超导量子比特装置对应的串扰工作点电压即可,其他所述的所述
超导量子比特装置对应的所述直流电压偏置信号仍然设置为0V。此时,其它超导量子比特
装置上施加的直流电压偏置信号对待测量的所述超导量子比特装置的串扰影响几乎为0,
可以忽略不计。能够方便所述脉冲偏置调控信号对所述超导量子比特装置的频率的串扰系
数的测量,使得测量的所述脉冲偏置调控信号对所述超导量子比特装置的频率的串扰系数
更为精确。
到第一目标信号组合;其中:所述电压设定值使得待测量所述超导量子比特装置的频率处
于串扰工作点频率。
串扰工作点电压,使得待测量的所述超导量子比特装置工作在串扰工作点频率上。以待测
量的所述超导量子比特装置的工作频率作为测量基准点,然后改变其他的所述超导量子比
特装置上施加的所述磁通调制信号,再测量待测量的所述超导量子比特装置的频率变化
量,即可测量出其他的所述超导量子比特装置上施加的所述磁通调制信号对于待测量的所
述超导量子比特装置的频率的影响,得到对应的串扰系数。
流电压偏置信号依然设置为0。这样可以有效的避免其他所述超导量子比特装置对应的所
述直流电压偏置信号对选定的所述超导量子比特装置的频率产生影响。
关超导量子比特装置为所述超导量子芯片上的任一所述超导量子比特装置,所述第一串扰
系数为所述串扰矩阵的一部分。
述超导量子比特装置频率处于串扰工作点频率。可以测量待测量以外的所述超导量子比特
装置与待测量的所述超导量子比特装置之间的第一串扰系数。具体的,测量所述第一串扰
系数的方法包括:
作点频率附近,并不能精准的达到所述串扰工作点频率。因此还需要在各所述超导量子比
特装置上施加所述脉冲偏置调控信号,对所述超导量子比特装置的频率进行微调。其中,所
有的所述超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号的组合,记为第二信号组合。
超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号对其他的所述超导量子比特装置的串
扰影响是固定的,只需要测量对应的串扰系数即可。
施加的所述脉冲偏置调控信号的幅度均为0,此时,各所述超导量子比特装置之间不会因为
施加所述脉冲偏置调控信号而产生串扰影响。当选定其中一个所述超导量子比特装置作为
待测目标时,只需要将第二信号组合中待测量的所述超导量子比特装置对应的所述脉冲偏
置调控信号的幅度进行调整即可,其他所述的所述超导量子比特装置对应的所述脉冲偏置
调控信号对待测量的所述超导量子比特装置的串扰影响几乎为0,可以忽略不计。能够使得
测量选定的所述超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号对待测量的所述超导
量子比特装置的频率的串扰系数更为精确。
得到第二目标信号组合。
施加的所述脉冲偏置调控信号设定为脉冲偏置调控目标信号,其余所述超导量子比特装置
对应的所述脉冲偏置调控信号设置为0。这样可以有效的避免其他所述超导量子比特装置
对应的所述脉冲偏置调控信号对选定的所述超导量子比特装置的频率产生影响,使得测量
选定的所述超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号对被待测量的所述超导量
子比特装置的频串扰系数更为准确。
脉冲偏置调控信号幅度,且各所述子脉冲偏置调控信号幅度的值依次步进设置。
偏置调控目标信号设置为至少两个子脉冲偏置调控信号,而且各所述子脉冲偏置调控信号
的信号幅度不一样的。作为一个实施例,设置两个子脉冲偏置调控信号,分别为第一子脉冲
偏置调控信号和第二子脉冲偏置调控信号;所述第一子脉冲偏置调控信号的幅度设定为‑
1V;所述第二子脉冲偏置调控信号的幅度设定为+1V。
量子比特装置的频率处于所述串扰工作点频率,进而在此步骤S103中,只更新所述第二信
号组合中对应选定所述相关超导量子比特装置的所述脉冲偏置调控信号,即第二目标信号
组合,使得所述超导量子比特装置的频率在所述串扰工作点频率附近变化,在本发明实施
过程中,为了使得所述脉冲偏置调控信号对所述超导量子比特装置的频率的影响更明显,
测量结果更精确,所述串扰工作点频率选择超导量子比特装置频率的能谱曲线中斜率最大
的位置附近。
第一子串扰系数为所述第一串扰系数的一部分。
信号组合中待测量的所述超导量子比特装置对应的所述直流电压偏置信号设定为所述串
扰工作点电压,所述使得被测量的所述超导量子比特装置的频率处于串扰工作点频率附
近。
偏置调控目标信号。其中所述脉冲偏置调控目标信号具体包括第一子脉冲偏置调控信号和
第二子脉冲偏置调控信号。
系数时,除了需要在待测量的所述超导量子比特装置的第一控制信号传输线上施加所述第
一子脉冲偏置调控信号或所述第二子脉冲偏置调控信号,还需要通过所述超导量子芯片的
所述数据传输总线上施加所述超导量子比特读取信号、通过待测量的所述超导量子比特装
置的第二控制信号传输线施加超导量子比特调控信号、通过待测量的所述超导量子比特装
置的第一控制信号传输线施加所述第一目标信号组合,通过所述数据传输总线上接收到的
所述超导量子比特读取反馈信号,测量出在所述第一子脉冲偏置调控信号或所述第二子脉
冲偏置调控信号作用待测量的所述超导量子比特装置的频率随着超导量子比特调控信号
的频率的变化曲线,根据该曲线确定所述第一子脉冲偏置调控信号或所述第二子脉冲偏置
调控信号作用时对应的超导量子比特装置的频率。
率,在此不做具体论述;而所述超导量子比特读取信号的频率设置为待测量的所述超导量
子比特装置相连接的所述超导量子比特探测器的相干工作频率。
段。
第一超导量子比特装置特征能谱曲线。
的所述数据传输总线施加所述超导量子比特读取信号、通过待测量的所述超导量子比特的
所述第二控制信号传输线施加所述超导量子比特调控信号、通过所述超导量子比特的所述
第一控制信号传输线施加所述第一目标信号组合;均通过所述超导量子芯片上的所述数据
传输总线接收所述超导量子比特装置读取反馈信号,得到在所述第一子脉冲偏置调控信号
或所述第二子脉冲偏置调控信号作用时所述超导量子比特装置读取反馈信号随所述超导
量子比特调控信号的第一预设频率范围的变化曲线,记为第一超导量子比特装置特征能谱
曲线。
所述超导量子比特装置的频率信息,通过所述超导量子比特装置上所述第二控制信号传输
线施加的所述超导量子比特调控信号可以调整所述超导量子比特装置的量子态信息,所述
超导量子比特装置的频率信息和量子态信息在有效耦合工作模式下,可以传递到所述超导
量子比特探测器,所述超导量子比特探测器感应到所述超导量子比特装置的频率信息和量
子态信息变化,所述超导量子比特探测器的频率发生变化,并通过所述超导量子比特装置
读取反馈信号测量出所述超导量子比特探测器的频率变化,进而出所述超导量子比特装置
的频率信息。
述第二子脉冲偏置调控信号时,所述超导量子比特装置的频率随着所述第一频率范围的变
化曲线,并将曲线记为第一超导量子比特装置特征能谱曲线。
量子比特装置特征能谱曲线,可以通过所述第一超导量子比特装置特征能谱曲线读取所述
第一子脉冲偏置调控信号的幅度和所述第二子脉冲偏置调控信号的幅度分别对应的所述
超导量子比特装置的频率值,并记为第一超导量子比特装置测量子频率和第二超导量子比
特装置测量子频率。
点频率;在能谱曲线的波峰位置,即所述超导量子比特装置处于单比特工作点时,所述超导
量子比特装置的频率对所述脉冲偏置调控信号的响应并不明显,即所述脉冲偏置调控信号
的幅度值发生变化时,所述超导量子比特装置的频率变化并不明显,因此选取所述能谱曲
线波峰位置的频率进行所述串扰系数测量,测量的结果是不精确的。除了所述单比特工作
点以外,选取所述能谱曲线中其他任意一个位置,均可以测量到所述超导量子比特装置的
频率对所述脉冲偏置调控信号的明显响应。
更精确。
压值。
公式,得到第一超导量子比特装置测量子电压和第二超导量子比特装置测量子电压。其中,
所述第一超导量子比特装置测量子电压和第二超导量子比特装置测量子电压均是等效电
压值。
数,并记为所述第一子串扰系数。
第二超导量子比特装置测量子频率;并通过步骤S103‑3‑3将所述第一超导量子比特装置测
量子频率和所述第二超导量子比特装置测量子频率分别转换成所述第一超导量子比特装
置测量子电压和所述第二超导量子比特装置测量子电压。
子比特装置测量子电压的比值进行线性拟合,获得反应所述子脉冲偏置调控信号的幅度和
所述超导量子比特装置测量子电压关系的权重系数,并将所述权重系数记为所述第一子串
扰系数。
言,所述超导量子芯片上设置有多个所述超导量子比特装置,需要针对任意两个所述超导
量子比特装置进行所述第一子串扰系数的测试,并将所述第一子串扰系数归纳到一个串扰
矩阵中。
施加的所述脉冲偏置调控信号进行修正,使得各所述超导量子比特装置上施加所述脉冲偏
置调控信号时,不会对其他的所述超导量子比特装置的频率产生串扰影响。
超导量子比特读取信号的信号源输出‑30dBm左右功率的时候,通过量子芯片测试线路达到
量子芯片中的数据传输总线并输送到超导量子比特探测器时,超导量子比特装置和超导量
子比特探测器之间达到有效耦合的工作状,通过超导量子比特装置的第一控制信号传输线
施加磁通调制信号,控制超导量子比特装置的频率,所述磁通调制信号包括直流电压偏置
信号和脉冲偏置调控信号。通过超导量子比特装置的第二控制信号传输线施加超导量子比
特调控信号,并通过数据传输总线上施加的超导量子比特读取信号以及接收的超导量子比
特读取反馈信号测量所述超导量子比特装置的频率信息。
DC2、DC3、DC4、DC5、DC6都设定为同一个值,更为精简的,可以将所述DC值均设置为0。即所述
第一信号组合设置为[0;0;0;0;0;0]。
第一目标信号组合;其中:所述电压设定值使得待测量所述超导量子比特装置的频率处于
串扰工作点频率。
他所述超导量子比特装置对应的所述直流电压偏置信号值不变;即所述第一目标信号组合
为[DC1';0;0;0;0;0]。
0]....[0;0;0;0;0;DC6']。
超导量子比特装置为所述超导量子芯片上的任一所述超导量子比特装置,所述第一串扰系
数为所述串扰矩阵的一部分。具体的测量所述第一串扰系数的方法包括:
AWG5;AWG6]。
将AWG1、AWG2、AWG3、AWG4、AWG5、AWG6都设定为同一个值,更为精简的,可以将所述AWG值均
设置为0。即所述第二信号组合设置为[0;0;0;0;0;0]。
到第二目标信号组合。
AWG1',其他所述超导量子比特装置对应的所述脉冲偏置调控信号值不变;即所述第二目标
信号组合为[AWG1';0;0;0;0;0]。
0;0]....[0;0;0;0;0;AWG6']。
第二子脉冲偏置调控信号;因此本发明实施例中选用的所述第一子脉冲偏置调控信号的幅
值设定为‑1V、所述第二子脉冲偏置调控信号的幅值设定为+1V。
一子串扰系数为所述第一串扰系数的一部分。
特装置,测量所述第二超导量子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控目标信号对所述第一
超导量子比特装置的串扰系数,所述脉冲偏置调控目标信号设定为‑1V和+1V;具体步骤为:
一超导量子比特装置特征能谱曲线。
加所述超导量子比特读取信号、通过待测量的所述超导量子比特的所述第二控制信号传输
线施加所述超导量子比特调控信号;均通过所述超导量子芯片上的所述数据传输总线接收
所述超导量子比特装置读取反馈信号,得到所述超导量子比特装置读取反馈信号随所述超
导量子比特调控信号的第一频率范围的变化曲线,记为第一超导量子比特装置特征能谱曲
线。
测试得到第一超导量子比特装置特征能谱曲线之后,还需要在所述第二超导量子比特装置
上施加所述第二子脉冲偏置调控信号,即所述第二目标信号组合为[0;+1V;0;0;0;0]、同时
对所述超导量子芯片施加所述第一目标信号组合[DC1';0;0;0;0;0]、通过所述超导量子芯
片上的所述数据传输总线施加所述超导量子比特读取信号、通过待测量的所述超导量子比
特的所述第二控制信号传输线施加所述超导量子比特调控信号,再测得一个所述超导量子
比特装置读取反馈信号随所述超导量子比特调控信号的第一频率范围的变化曲线。
1V两个幅度值,分别需要针对两个幅度值均进行串扰系数测试即做了2次测试。
如:
号对所述第一超导量子比特装置的串扰系数M'21。以此类推,当需要测量其他所述超导量
子比特装置上施加的所述脉冲偏置调控信号对所述第一超导量子比特装置的串扰系数,只
需要对应的修改所述第二目标信号组合中对应的AWG'的值即可。例如:
号对所述第二超导量子比特装置的串扰系数M'12。
信号组合中对应的AWG'的值即可。
比特装置特征能谱曲线读取所述第一子脉冲偏置调控信号的幅度即‑1V和所述第二子脉冲
偏置调控信号的幅度即+1V分别对应的所述超导量子比特装置的频率值,并记为第一超导
量子比特装置测量子频率fq1和第二超导量子比特装置测量子频率fq1'。
值。
数,并记为所述第一子串扰系数。
Vflux1'的比值进行线性拟合,得到所述第一子串扰系数M'21。
依次修改所述第二目标信号组合中AWG'的值为‑1V和+1V,并测量所述第一子串扰系数。
想磁通调制信号;其中:所述串扰补偿矩阵为串扰矩阵的逆,所述理想磁通调制信号是指处
于串扰工作点频率的各所述超导量子比特装置上施加的不会对其它各所述超导量子比特
装置产生磁通调制的磁通调制信号。
比特装置的频率不能达到串扰工作点频率,通过测量所得的串扰矩阵,计算出在所述串扰
矩阵影响下,各所述超导量子比特装置的频率偏差,并对所述串扰矩阵进行优化,得到一个
串扰补偿矩阵。所述串扰补偿矩阵,可以补偿所述串扰矩阵的影响的各所述超导量子比特
装置的频率偏差,使得通过所述超导量子比特装置的第一控制信号传输线施加磁通调制信
号,能够使得所述超导量子芯片上各超导量子比特装置的频率均能达到串扰工作点频率,
且不会影响其他的所述超导量子比特装置的频率。
设定值,使得选定的待测量所述超导量子比特装置处于串扰工作点频率,而其它超导量子
比特装置不处于对应的串扰工作点频率。选定的待测量所述超导量子比特装置处于串扰工
作点频率的条件下,选定的待测量所述超导量子比特装置具有相关较长的退相干时间和相
对较大的操作保真度,在此条件下,测量待测量所述超导量子比特装置和所有的相关超导
量子比特装置之间的第一串扰系数;其中:所述相关超导量子比特装置为所述超导量子芯
片上的任一所述超导量子比特装置,所述第一串扰系数为所述串扰矩阵的一部分。进行实
现了超导量子芯片串扰矩阵测量。可以利用测得的串扰矩阵为量子芯片的测控操作提供支
撑。
想所作的改变,或修改为等同变化的等效实施例,仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时,
均应在本发明的保护范围内。