用于处理基板的装置和方法

摘要

一种用于处理基板的装置包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；支撑单元，其在该处理空间中支撑所述基板；气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；以及等离子体生成单元，其从处理气体生成等离子体。支撑单元包括：支撑板，其上放置基板；第一环，其围绕放置在支撑板上的基板；第二环，其布置在第一环下方并且围绕支撑板；以及气体供应构件，其在第一环上方供应气体，并且气体供应构件包括穿过在第一环和第二环而垂直形成的气体管线。

权利要求

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：腔室，在其中具有处理空间；

支撑单元，其被构造为在所述处理空间中支撑所述基板；

气体供应单元，其被构造为将处理气体供应到所述处理空间中；和等离子体生成单元，其被构造为从所述处理气体生成等离子体，其中，所述支撑单元包括：

支撑板，在其上放置所述基板；

第一环，其被构造为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；

第二环，其被设置在所述第一环的下方，并被构造为围绕所述支撑板；和气体供应构件，其被构造为在所述第一环上方供应气体，以及其中，所述气体供应构件包括穿过所述第一环和所述第二环而竖直形成的气体管线。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应构件还包括：气体供应部件，其被构造为将气体供应到所述气体管线中；和气体调节器，其被构造为调节供应到所述气体管线中的所述气体的量。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，当执行清洁所述腔室的工艺时，所述气体供应部件供应氦气以保护所述第一环的表面不受等离子体的影响。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，当执行清洁所述腔室的工艺时，所述气体供应部分供应四氯化硅(SiCl4)气体以覆盖所述第一环的表面。

5.根据权利要求2所述的装置，其中，当在所述腔室中执行基板处理工艺时，所述气体供应部件供应氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种，以提高所述基板的边缘区域中的处理效率。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二环在其上表面上具有台阶部，该台阶部从设置有所述气体管线的区域向上突出。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，在设置有所述气体管线的区域中，在所述第一环和所述第二环之间设置有联接构件。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述联接构件是O型环。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，在所述第一环和所述第二环的外表面上设置有螺栓环，所述螺栓环被构造为固定所述第一环和所述第二环并按压所述O型环。

10.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：腔室，在其中具有处理空间；和

支撑单元，其被构造为在所述处理空间中支撑所述基板；

其中，所述支撑单元包括：

支撑板，在其上放置所述基板；

聚焦环，其被构造为围绕放置在所述支撑板上的所述基板；

插入环，其设置在所述聚焦环下方并被构造为围绕所述支撑板；

绝缘环，其被构造为使所述聚焦环和所述插入环绝缘；和气体管线，其穿过所述聚焦环、所述插入环和所述绝缘环而形成。

11.根据权利要求10所述的装置，还包括：气体供应构件，其被构造为通过所述气体管线在所述聚焦环上方供应气体。

12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述气体是氦气、四氯化硅(SiCl4)气体、氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种。

13.一种使用权利要求1的装置处理基板的方法，所述方法包括：在通过在所述处理空间中使用等离子体状态的气体来执行处理工艺的同时，通过所述气体管线在所述第一环上方供应气体。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述处理工艺包括在从所述腔室卸载所述基板之后清洁所述腔室的清洁工艺。

15.根据权利要求14所述的方法，其中当执行所述清洁工艺时，将氦气(He)气体供应到所述气体管线中以保护所述第一环的表面不受等离子体的影响。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，当执行所述清洁工艺时，将四氯化硅(SiCl4)气体供应到所述气体管线中以覆盖所述第一环的表面。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，所述处理工艺是通过使用等离子体在所述处理空间中处理所述基板的工艺。

18.根据权利要求17所述的方法，其中将氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种供应到所述气体管线中以提高所述基板的边缘区域中的处理效率。

说明书

用于处理基板的装置和方法

技术领域

[0001] 本文描述的发明构思的实施例涉及一种用于处理基板的装置和方法，并且更具体地，涉及一种使用等离子体来处理基板的基板处理装置和方法。

背景技术

[0002] 半导体制造工艺可以包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体制造工艺中，蚀刻工艺可以使用等离子体去除基板上的薄膜。

[0003] 在通过使用等离子体处理位于腔室内的基板之后，必须执行清洁腔室的工艺以去除腔室内的杂质。然而，当执行清洁腔室的工艺时，聚焦环的表面可能被处理气体侵蚀。

发明内容

[0004] 本发明构思的实施例提供一种用于在执行清洁腔室的工艺时防止聚焦环的表面被侵蚀的基板处理装置和方法。

[0005] 根据示例性实施例，一种用于处理基板的装置包括：腔室，在其中具有处理空间；支撑单元，其在处理空间中支撑基板；气体供应单元，其将处理气体供应到处理空间中；等离子体生成单元，其从处理气体生成等离子体。支撑单元包括：支撑板，在其上放置基板；第一环，其围绕放置在支撑板上的基板；第二环，其设置在第一环下方并围绕支撑板；以及气体供应构件，其在第一环上方供应气体，并且供应构件包括穿过第一环和第二环而竖直形成的气体管线。

[0006] 气体供应构件还可包括：气体供应部，其将气体供应到气体管线中；以及气体调节器，其调节被供应到气体管线中的气体的量。

[0007] 当执行清洁腔室的工艺时，气体供应部分可以供应氦气(He)气体以保护第一环的表面不受等离子体的影响。

[0008] 当执行清洁腔室的工艺时，气体供应部件可以供应四氯化硅(SiCl4)气体以覆盖第一环的表面。

[0009] 在腔室中执行处理工艺时，气体供应部件可以供应氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种，以提高基板的边缘区域中的处理效率。

[0010] 第二环可在其上表面上具有从设置有气体管线的区域向上突出的台阶部。

[0011] 在其中设置有气体管线的区域中，可以在第一环和第二环之间设置联接构件。

[0012] 联接构件可以是O型环。

[0013] 可以在第一环和第二环的外表面上设置固定第一环和第二环并压紧O型环的螺栓环。

[0014] 根据示例性实施例，一种使用本发明构思的装置处理基板的方法包括：在通过使用等离子体状态下的等离子体状态的气体来执行处理工艺的同时，通过气体管线在第一环上方供应气体。

[0015] 处理工艺可以包括在从腔室卸载基板之后清洁腔室的清洁工艺。

[0016] 当执行清洁工艺时，可以将氦气(He)气体供应到气体管线中以保护第一环的表面不受等离子体的影响。

[0017] 当执行清洁工艺时，可以将四氯化硅(SiCl4)气体供应到气体管线中以覆盖第一环的表面。

[0018] 处理工艺可以是通过使用等离子体在处理空间中处理基板的工艺。

[0019] 氧气(O2)、六氟环丁烯(C4F6)和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种可以被供应到气体管线中以提高基板的边缘区域中的处理效率。

附图说明

[0020] 通过以下参考附图的描述，上述及其它目的和特征将变得显而易见，其中，除非另外指明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记表示相同的部分，并且其中：

[0021] 图1是示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的截面图；

[0022] 图2是示出根据本发明构思的实施例的支撑单元的截面图；

[0023] 图3是示出根据本发明构思的实施例的第一环的平面图；

[0024] 图4和图5是示出根据本发明构思的各种实施例的支撑单元的截面图；和[0025] 图6是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。

具体实施方式

[0026] 本发明构思的其它优点和特征以及其实现方法将通过以下参照附图进行详细描述的实施例来阐明。然而，本发明构思可以以不同的形式体现，并且不应被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例是为了使发明构思彻底和完整，并将发明构思的范围充分传达给本发明构思所属领域的技术人员。此外，本发明构思仅由所附权利要求书限定。

[0027] 虽然没有定义，但是本文中使用的所有术语(包括技术或科学术语)具有与发明构思所属的相关领域的一般技术通常接受的含义相同的含义。通用词典中定义的术语可以被解释为具有与相关技术和/或本申请的文本中所使用的含义相同的含义，并且即使未明确定义某些术语，也不应将其解释为概念性或过度形式性。

[0028] 这里使用的术语仅用于描述实施例，而无意于限制发明构思。如本文所使用的，单数形式也意图包括复数形式，除非上下文另外明确指出。还将理解的是，本文中使用的术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)”指定存在所述特征或组件，但是不排除存在或添加一个或多个其它特征或组件。在说明书中，术语“和/或”表示所列组件中的每一个或其各种组合。

[0029] 图1是示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的截面图。

[0030] 参照图1，基板处理装置10使用等离子体处理基板W。例如，基板处理装置10可以在基板W上执行蚀刻工艺。基板处理装置10可以包括腔室620、基板支撑组件200、喷头300、气体供应单元400、排气挡板500和等离子体生成单元600。

[0031] 腔室620可以在其中具有处理空间，在该处理空间中执行基板处理工艺。腔室620可以在其中具有处理空间并且可以以封闭的形状设置。腔室620可以由金属材料形成。腔室620可以由铝材料形成。腔室620可以接地。腔室620可具有在其底部中形成的排气孔102。排气孔102可以与排气管线151连接。在基板处理工艺中产生的反应副产物和留在腔室620的内部空间中的气体可以通过排气管线151释放到外部。腔室620中的压力可以通过排气工艺被降低到预定压力。

[0032] 根据一个实施例，可以在腔室620中提供衬垫130。衬垫130可以具有在顶部和底部敞开的圆柱形状。衬垫130可以与腔室620的内表面接触。衬垫130可以保护腔室620的内壁，以防止电弧放电损坏腔室620的内壁。此外，衬垫130可以防止在基板处理工艺过程中产生的杂质沉积在腔室620的内壁上。选择性地，可以不提供衬垫130。

[0033] 基板支撑组件200可以位于腔室620中。基板支撑组件200可以支撑基板W。基板支撑组件200可以包括利用静电力夹持基板W的静电卡盘210。可替代地，基板支撑组件200可以以诸如机械夹紧的各种方式支撑基板W。在下文中，将描述包括静电卡盘210的基板支撑组件200。

[0034] 基板支撑组件200可以包括静电卡盘210、下盖250和板270。在腔室620中，基板支撑组件200可以被定位成从腔室620的底部向上隔开。

[0035] 静电卡盘210可以包括介电板220、主体230和边缘环240。静电卡盘210可以支撑基板W。介电板220可以位于静电卡盘210的顶部。介电板220可以由呈圆板状的介电物质形成。基板W可以放置在介电板220的上表面上。介电板220的上表面可以具有比基板W小的半径。
因此，基板W的边缘区域可以位于介电板220的外部。

[0036] 介电板220可以包括第一电极223、加热单元225和在内部的第一供应通道221。第一供应通道221可以从介电板210的上表面延伸到其下表面。多个第一供应通道221可以形成为彼此间隔开，并且可以用作供热传递介质供应到基板W的底表面的通道。

[0037] 第一电极223可以与第一电源223a电连接。第一电源223a可以包括直流(DC)电源。开关223b可以安装在第一电极223和第一电源223a之间。第一电极223可以通过接通/断开开关223b而与第一电源223a电连接。当开关223b接通时，DC电流可以施加到第一电极223。
静电力可以通过施加到第一电极223的电流在第一电极223和基板W之间起作用，并且基板W可以被夹持以通过静电力作用在介电板220上。

[0038] 加热单元225可以位于第一电极223下方。加热单元225可以与第二电源225a电连接。加热单元225可以通过抵抗由第二电源225a施加的电流来产生热。产生的热可以通过介电板220传递到基板W。基板W可以通过从加热单元225产生的热而保持在预定温度。加热单元225可以包括螺旋线圈。

[0039] 主体230可以位于介电板220下方。介电板220的下表面和主体230的上表面可以通过粘合剂236粘合在一起。主体230可以由铝材料形成。主体230的上表面的中央区域可以位于比主体230的上表面的边缘区域高的位置。主体230的上表面的中央区域可以具有与介电板220的下表面对应的面积并且可以粘结到介电板220的下表面。主体230可具有形成在其中的第一循环通道231、第二循环通道232和第二供应通道233。

[0040] 第一循环通道231可以用作供传热介质循环通过的通道。第一循环通道231可形成为在主体230内部的螺旋形状。可替代地，第一循环通道231可利用具有不同半径且彼此同心的环形通道来实施。第一循环通道231可以连接在一起。第一循环通道231可以形成在相同的高度处。

[0041] 第二循环通道232可以用作供冷却流体循环通过的通道。第二循环通道232可以在主体230中形成为螺旋形状。可替代地，第二循环通道232可以利用具有不同半径并且彼此同心的环形通道来实施。第二循环通道232可以连接在一起。第二循环通道232可具有比第一循环通道231更大的横截面积。第二循环通道232可形成在相同的高度处。第二循环通道232可以位于第一循环通道231下方。

[0042] 第二供应通道233可以从第一循环通道231向上延伸到主体230的上表面。可以提供与第一供应通道221一样多的第二供应通道233，并且第二供应通道233可以连接第一循环通道231和第一供应通道221。

[0043] 第一循环通道231可以通过传热介质供应管线231b与传热介质储存器231a连接。传热介质可以存储在传热介质储存器231a中。传热介质可以包括惰性气体。根据一个实施例，传热介质可以包括氦气(He)气体。氦气气体可以通过传热介质供应管线231b供应到第一循环通道231中，并且可以经由第二供应通道233和第一供应通道221供应到基板W的底表面。氦气可以用作介质，从等离子体传递到基板W的热通过该介质传递到静电卡盘210。

[0044] 第二循环通道232可以通过冷却流体供应管线232c与冷却流体储存器232a连接。冷却流体可以被存储在冷却流体储存器232a中。冷却流体储存器232a可在其中包括冷却器
232b。冷却器232b可将冷却流体冷却至预定温度。可替代地，冷却器232b可以设置在冷却流体供应管线232c上。通过冷却流体供应管线232c供应到第二循环通道232中的冷却流体可以在沿着第二循环通道232循环的同时冷却主体230。主体230在被冷却的同时可以一起冷却介电板220和基板W以将基板W保持在预定温度。

[0045] 主体230可以包括金属板。根据一个实施例，整个主体230可以用金属板实施。

[0046] 边缘环240可以设置在静电卡盘210的边缘区域上。边缘环240可以具有环形形状并且可以设置在介电板220周围。边缘环240的上表面的外部240a可以位于比边缘环240的上表面的内部240b高的位置。边缘环240的上表面的内部240b可以位于比介电板220的上表面低的位置。边缘环240的上表面的内部240b可以支撑基板W的位于介电板220外部的边缘区域。边缘环240的外部240a可以围绕基板W的边缘区域。边缘环240可以控制电磁场，使得等离子体密度均匀地分布在基板W的整个区域中。因此，等离子体可以均匀地形成在基板W的整个区域上，并且因此可以均匀地蚀刻基板W的每个区域。

[0047] 下盖250可以位于基板支撑组件200的底部。下盖250可以被定位成从腔室620的底部向上隔开。下盖250可以具有形成在其中的空间255，该空间在顶部敞开。下盖250的外半径可以等于主体230的外半径。将被转移的基板W从外部转移构件移动到静电卡盘210的升降销模块(未示出)可以位于下盖250的内部空间255中。升降销模块(未示出)可被定位成与下盖250以预定间隔间隔开。下盖250的底部可以由金属材料形成。下盖250可在其内部空间255中具有空气。空气可以用来减小基板支撑组件200中的电磁场，因为空气的介电常数比绝缘体的介电常数低。

[0048] 下盖250可以具有连接构件253。连接构件253可以将下盖250的外表面与腔室620的内壁连接。多个连接构件253可以以预定的间隔设置在下盖250的外表面上。连接构件253可将基板支撑组件200支撑在腔室620中。此外，连接构件253可与腔室620的内壁连接，以使下盖250电气接地。与第一电源223a连接的第一电源线223c、与第二电源225a连接的第二电源线225c、与传热介质储存器231a连接的传热介质供应管线231b以及与冷却流体储存器232a连接的冷却流体供应管线232c可以通过连接构件253的内部空间延伸到下盖250中。

[0049] 板270可以位于静电卡盘210和下盖250之间。板270可以覆盖下盖250的敞开的顶侧。板270可以具有对应于主体230的横截面积。板270可以包括绝缘体。根据一个实施例，可以提供一个或多个板270。板270可用于增加主体230与下盖250之间的电气距离。

[0050] 喷头300可以位于腔室620中的基板支撑组件200上方。喷头300可以定位成面对基板支撑组件200。

[0051] 喷头300可以包括气体分配板310和支撑部件330。气体分配板310可以被定位成从腔室620的顶部向下隔开预定距离。可以在气体分配板310和腔室620的顶部之间形成预定空间。气体分配板310可以以具有恒定厚度的板状设置。气体分配板310的底表面可以被阳极氧化以防止由等离子体引起的电弧。气体分配板310的截面可以具有与基板支撑组件200相同的形状和横截面积。气体分配板310可以包括多个注入孔311。注入孔311可以在竖直方向上穿过气体分配板310而形成。气体分配板310可以包含金属材料。

[0052] 支撑部件330可以支撑气体分配板310的侧向部分。支撑部件330可以在其上端与腔室620的顶部连接，并且可以在其下端与气体分配板310的侧向部分连接。支撑部件330可以包含非金属材料。

[0053] 气体供应单元400可以将处理气体供应到腔室620中。气体供应单元400可以包括气体供应喷嘴410、气体供应管线420和气体储存器430。气体供应喷嘴410可以安装在腔室620的顶部的中央部分中。气体供应喷嘴410可具有形成在其底表面中的注入孔。注入孔可以将处理气体供应到腔室620中。气体供应管线420可以将气体供应喷嘴410和气体储存器
430连接。气体供应管线420可以将存储在气体储存器430中的处理气体供应给气体供应喷嘴410。阀421可以设置在气体供应管线420中。阀421可以打开或关闭气体供应管线420，并且可以调节通过气体供应管线420供应的处理气体的流量。

[0054] 排气挡板500可以位于腔室620的内壁与基板支撑组件200之间。排气挡板500可以具有环孔形状。排气挡板500可具有在其中形成的多个通孔。供应到腔室620中的处理气体可以穿过排气挡板500的通孔并且可以通过排气孔102释放。可以根据排气挡板500的形状和通孔的形状来控制处理气体的流动。

[0055] 等离子体生成单元600可以将腔室620中的处理气体激发成等离子体状态。根据本发明构思的实施例，等离子体生成单元600可以以电感耦合等离子体(ICP)类型实施。在这种情况下，如图1所示，等离子体生成单元600可以包括：RF电源610，其提供RF功率；以及第一线圈621和第二线圈622，第一线圈621和第二线圈622电连接至RF电源610，并且从RF电源610接收RF功率。

[0056] 在本说明书中，已经描述了等离子体生成单元600是感应耦合等离子体(ICP)类型。然而，不限于此，等离子体生成单元600可以以电容耦合等离子体(CCP)类型实施。

[0057] 在使用CCP型等离子体源的情况下，腔室620中可以包括上电极和下电极，即，主体。上电极和下电极可以彼此平行地竖直地设置，并且两者之间具有处理空间。通过由RF电源供给RF信号，不仅下部电极而且上部电极也可以接收用于生成等离子体的能量，并且施加到每个电极的RF信号的数量不限于图示的一个。可以在两个电极之间的空间中形成电场，并且可以将供应到该空间中的处理气体激发成等离子体状态。通过使用等离子体来执行基板处理工艺。

[0058] 再次参考图1，第一线圈621和第二线圈622可以设置在面对基板W的位置。例如，第一线圈621和第二线圈622可以设置在腔室620的顶部。第一线圈621的直径可以小于第二线圈622的直径并且可以位于腔室620的顶部的内部，并且第二线圈622可以位于腔室620的顶部的外部。第一线圈621和第二线圈622可以从RF电源610接收RF功率，并且可以在腔室620中感应出随时间变化的磁场。因此，供应到腔室620中的处理气体可以被激发成等离子体。

[0059] 在下文中，将描述使用上述基板处理装置10处理基板的工艺。

[0060] 当将基板W放置在基板支撑组件200上时，DC电流可以从第一电源233a施加到第一电极223。静电力可以通过施加至第一电极223的DC电流作用在第一电极223和基板W之间，并且基板W可以通过静电力被夹持到静电卡盘210。

[0061] 当将基板W夹在静电卡盘210上时，处理气体可以通过气体供应喷嘴410供应到腔室620中。处理气体可以通过喷头300的注入孔311均匀地注入到腔室620中。由RF功率源610产生的RF功率可以被施加到等离子体源。因此，可以在腔室620中产生电磁力。电磁力可以将基板支撑组件200和喷头300之间的处理气体激发成等离子体。可以将等离子体供应到基板W以处理基板W。等离子体可以用于执行蚀刻工艺。

[0062] 图2是示出根据本发明构思的实施例的支撑单元的截面图。

[0063] 参照图2，支撑单元可以包括介电板220、主体230、第一环241、第二环243、绝缘环245和气体供应构件700。第一环241围绕放置在介电板220上的基板。例如，第一环241可以被称为聚焦环。第一环241可以由金属材料形成。在第一环241之下，第二环243围绕介电板
220。例如，第二环243可以被称为插入环。第二环243可以由金属材料形成。绝缘环245可以由绝缘材料形成，并且可以使第一环241和第二环243与静电卡盘210下方的模块电绝缘。气体供应构件700可以在第一环241上方供应气体。气体供应构件700可以包括气体管线710、气体供应部件720和气体调节器730。气体管线710可以竖直地穿过第一环241、第二环243和绝缘环245。参照图3，气体管线710可以设置在第一环241的多个区域中。当从第一环241的上方观察时，孔可以形成在第一环241的多个区域中，并且气体管线710可以设置在每个孔中。气体供应部件720可以将气体供应到气体管线710中，并且气体调节器730可以调节供应到气体管线710中的气体的量。当执行清洁腔室620的工艺时，气体供应部件720可以供应氦气(He)气体以保护第一环241的表面不受等离子体影响。也就是说，当执行清洁腔室620的工艺时，可以将氦气供应到第一环241的表面，以防止等离子体状态的清洁气体侵蚀第一环
241的表面。此外，在执行清洁腔室620的工艺时，气体供应部件720可以供应四氯化硅(SiCl4)气体以覆盖第一环241的表面。因此，当执行清洁腔室620的工艺时，可以防止第一环241的表面被侵蚀，并且在清洁腔室620的工艺之后的基板处理工艺中，可以防止第一环
241的表面被侵蚀。当在腔室620中执行基板处理工艺时，气体供应部件720可以供应氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种，以提高基板的边缘区域中的处理效率。具体地，在基板处理工艺中，该工艺所需的气体可能会不均匀地供应到基板的边缘区域，因此，处理效率可能会下降。然而，本发明构思可以通过将工艺所需的气体通过气体管线710额外地供应到第一环241的表面来提高处理效率。

[0064] 参照图4，第二环243可在其上表面上具有台阶部，该台阶部从设置有气体管线710的区域向上突出。因此，第一环241和第二环243可以被牢固地固定，并且可以防止气体泄漏。

[0065] 参照图5，在设置有气体管线710的区域中，可以在第一环241和第二环243之间设置联接构件810。例如，联接构件810可以是O型环。螺栓环820可以设置在第一环241和第二环243的外表面上。螺栓环820可以固定第一环241和第二环243并且可以按压O型环。因此，第一环241和第二环243可以更牢固地联接在一起，并且可以防止气体从气体管线710泄漏。

[0066] 图6是示出根据本发明构思的实施例的基板处理方法的流程图。

[0067] 参照图6，虽然在腔室620的处理空间中通过使用等离子体状态的气体来执行处理工艺，但是可以通过穿过第一环241和第二环243而竖直形成的气体管线710将气体供应到第一环241上方(S610)。因此，可以保护第一环241的表面不受等离子体影响(S620)。这里，处理工艺可以包括在从腔室620中卸载基板之后清洁腔室620的清洁工艺。此外，当执行清洁工艺时，可以将氦气(He)气体供应到气体管线710中以保护第一环241的表面免受等离子体的影响，或四氯化硅(SiCl4)气体可以供应到气体管线710中以覆盖第一环241的表面。此外，当通过使用等离子体处理基板时，至少氧气(O2)气体、六氟环丁烯(C4F6)气体和八氟环丁烷(C4F8)气体中的至少一种可被供应到气体管线710中以提高基板边缘区域中的处理效率。

[0068] 根据本发明构思的各个实施例，当清洁腔室620时，可以防止聚焦环的表面被侵蚀，并且当通过使用等离子体处理基板时，可以改善在基板的边缘区域中的处理效率。

[0069] 如上所述，根据本发明构思的各个实施例，当清洁腔室时，基板处理装置和方法可以防止聚焦环的表面被侵蚀。

[0070] 另外，当通过使用等离子体处理基板时，本发明构思可以提高基板的边缘区域中的处理效率。

[0071] 尽管以上已经描述了本发明构思的实施例，但是应当理解，提供这些实施例以帮助理解本发明构思，并且这些实施例不旨在限制本发明构思的范围，并且各种修改和等同实施例可以在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下进行。例如，本发明构思的实施例中示出的组件可以以分布式方式实施。同样，描述为待分配的组件可以以组合方式实施。因此，本发明构思的精神和范围应该由权利要求的技术思想来确定，并且应该理解，本发明构思的精神和范围不限于权利要求的字面描述，而是实际上扩展到技术价值的等价物类别。

[0072] 尽管已经参考示例性实施例描述了本发明构思，但是对本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施例不是限制性的，而是说明性的。