一种IGBT晶圆的接触孔成形工艺

摘要

本发明公开一种IGBT晶圆的接触孔成形工艺，包括以下步骤：S1、通过LPCVD在做好深沟槽闸极的IGBT晶圆正面面沉积Si3N4层，再以异向性干蚀刻Si3N4层形成深沟槽闸极侧壁的Si3N4垫片；S2、然后在晶圆正面沉积ILD层；S3、干蚀刻ILD层进行开孔，形成自上而下逐渐变窄的缓坡状接触孔；S4、通过溅镀厚膜Al，Al在接触孔中完整的填充，形成IGBT的Emittor结构。本发明利用Si3N4侧壁垫片在深沟槽闸级结构边缘形成完美的绝缘保护，触孔蚀刻时可自动对准形成缓坡状接触孔，使接触孔与深沟槽闸级之间的距离可缩到最小，同时配合Al厚膜溅镀温度控制，形成完美的Al厚膜填充的Emittor结构。