ESD器件和包含其的集成电路

摘要

本申请公开了一种ESD器件和包含其的集成电路，该器件包括：衬底，其中形成有环绕设置的STI结构，STI结构环绕的区域为ESD器件的有源区；栅氧，其形成于有源区的衬底上；栅极，其形成于栅氧上；其中，有源区的衬底中形成有阱掺杂区，栅氧两侧的衬底中形成有源区和漏区，源区和漏区形成于阱掺杂区内，源区内形成有源区金属硅化物层，漏区内形成有漏区金属硅化物层，源区金属硅化物层与栅氧不接触，漏区金属硅化物层和栅氧之间形成有STI阻挡层。本申请通过在ESD器件的漏区中设置位于漏区金属硅化物层和栅氧之间STI阻挡层，降低了衬底表面的掺杂离子的浓度，增加了表面电阻，增加了电流路径长度，从而增加了总电阻，进而增强了ESD器件的均匀导通性及鲁棒性。