晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法

摘要

本发明提供一种晶闪干粒，其原料包括按重量份数计的如下组分：锆英石0.3~8份、石英55~68份、硼酸18~45份、刚玉0~5份、碱金属氧化物4~10份、碳酸锂0.2~6份，锆英石为侵入岩的副产物。本发明通过以侵入岩的副矿物锆英石为原料制备晶闪干粒，由于该锆英石的晶体呈四方双锥、柱状或板状，其在颗粒之间会形成三叉晶界，而通过晶闪干粒晶界上的漫反射和三叉晶界上的反射协同，增强了反射特性，实现了不同角度的晶闪效果。本发明还提供一种晶闪陶瓷砖及其制备方法，该晶闪陶瓷砖由上述晶闪干粒制成，通过本发明制得的晶闪陶瓷砖在光照下具有良好的闪光效果，防污性能达到A级、耐磨性能好、断裂模数大，且吸水率合格。

权利要求

1.一种晶闪干粒，其特征在于，该晶闪干粒的原料包括按重量份数计的如下组分：锆英石0.3 8份、石英55 68份、硼酸18 45份、刚玉0 5份、碱金属氧化物4 10份、碳酸锂0.2 6份，~ ~ ~ ~ ~ ~

所述锆英石为侵入岩的副产物。

2.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述侵入岩包括辉长岩、闪长岩和花岗岩中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述晶闪干粒的粒径为80 150目。

~

4.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述晶闪干粒的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：ZrO2：0.3~8%、SiO2：65～80%、Al2O3：0～6%、B2O3：10～25%、碱金属氧化物：5~12%、Li2O：0.1~3%，烧失：小于0.6%。

5.如权利要求1所述的晶闪干粒，其特征在于，所述碱金属氧化物包括氧化钾和氧化钠，所述氧化钾和氧化钠的重量比为2 6：3 8。

~ ~

6.一种制备权利要求1 5任一项所述的晶闪干粒的方法，其特征在于，按重量份数称取~

除锆英石以外的所述原料并进行混合，经过熔制、水淬后得到透明玻璃体；将所述透明玻璃体破碎，得到基础干粒，将所述基础干粒与锆英石混合，即得到所述晶闪干粒。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述熔制的温度为1300 1500℃。

~

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述透明玻璃体破碎后，再将所述基础干粒与所述锆英石的混合物筛分成所需要的颗粒级配，即得到所述晶闪干粒。

9.一种晶闪陶瓷砖，其特征在于，包括权利要求1 5任一项所述的晶闪干粒。

~

10.一种权利要求9所述的晶闪陶瓷砖的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a1.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

b1.提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在所述砖坯的表面根据图案设计施所述晶闪保护釉浆；

c1.在步骤b1得到的砖坯的表面布一次烧干粒；

d1.在步骤c1得到的砖坯表面施胶水；

e1.将步骤d1得到的砖坯入窑烧成，即得到所述晶闪陶瓷砖。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤b1中，所述晶闪保护釉浆的比重为1.52

1.6，施量为360 460g/m ，所述晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组分：晶闪干粒5~ ~

15%，悬浮剂60 70%，保护釉20 30%，所述保护釉的比重为1.8 1.9，所述保护釉包括按重量~ ~ ~ ~

百分比计的如下组分：石英30 35%、钾长石22 28%、高岭土8 15%、钠长石16 25%、氧化锌6~ ~ ~ ~ ~

16%。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述保护釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4

12%。

~

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤c1中，所述一次烧干粒的粒径为60~

2

200目，施量为300 500g/m ，所述一次烧干粒包括按重量百分比计的如下组分：石英2 8%、~ ~

钠长石30 50%、钾长石20 30%、白云石12 18%、方解石16 26%、碳酸钡6 12%、氧化锌6 12%。

~ ~ ~ ~ ~ ~

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述一次烧干粒的化学成分包括以重量百分比计的如下组分：SiO2：56~64%、Al2O3：8~15%、CaO：10~15%、MgO：0~6%、ZnO：2~8%、BaO：0~

6%、K2O：1~4%、Na2O：3~5%。

2

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤d1中，所述胶水的施量为200 300g/m。

~

16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，步骤e1中，所述烧成温度为1170 1220℃，~

烧成周期为50 90分钟，所述砖坯烧成后，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到所述晶闪~

陶瓷砖。

17.一种权利要求9所述的晶闪陶瓷砖的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a2.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

b2.提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括所述晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在所述砖坯的表面根据图案设计施所述晶闪保护釉浆；

c2.在步骤b2得到的砖坯的表面施抛釉；

d2.将步骤c2得到的砖坯入窑烧成，即得到所述晶闪陶瓷砖。

18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，步骤b2中，所述晶闪保护釉浆的比重为1.52

1.6，施量为360 460g/m ，所述晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组份：晶闪干粒5~ ~

15%，悬浮剂60 70%，保护釉20 30%，所述保护釉的比重为1.8 1.9，所述保护釉包括按重量~ ~ ~ ~

百分比计的如下组分：石英30 35%、钾长石22 28%、高岭土8 15%、钠长石16 25%、氧化锌6~ ~ ~ ~ ~

16%。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述保护釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4

12%。

~

20.如权利要求17所述的方法，其特征在于，步骤c2中，所述抛釉的比重为1.8 1.9，所~

2

述抛釉的施量为360 460g/m ，所述抛釉包括按重量百分比计的如下组分：高岭土8 12%、煅~ ~

烧高岭土8 12%、钠长石8 12%、钾长石30 40%、白云石18 25%、方解石16 22%、碳酸钡6 15%、~ ~ ~ ~ ~ ~

煅烧氧化锌0 6%。

~

21.如权利要求20所述的方法，其特征在于，所述抛釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：45~50%、Al2O3：14~16%、CaO：12~16%、MgO：2~6%、K2O：3~5%、Na2O：1~4%、BaO：

7 10%、ZnO：2 6%。

~ ~

22.如权利要求17所述的方法，其特征在于，步骤d2中，所述烧成温度为1170 1220℃，~

烧成周期为50 90分钟，所述砖坯烧成后，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到所述晶闪~

陶瓷砖。

说明书

晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及陶瓷砖生产制造技术领域，尤其涉及一种晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法。

背景技术

[0002] 随着人们生活水平的日益提高，对瓷砖装饰材料的色系图案、纹理细节、触感质感等个性化装饰需求越来越高。瓷砖除了是传统装饰材料，也需要是个性化的艺术品。钻石闪
光效果釉属于结晶釉中的一种，在光线照射下呈现星光闪烁、璀璨夺目的效果。

[0003] 高温（≥1180℃）瓷质砖的砖面在灯光下闪光的常见闪光成分有云母片、亮光釉或者低温透明干粒及锆英石。其中，以云母片作为闪光成分，由于云母片产生的闪点自身带有
颜色较深的黑色，对浅色系或鲜艳色系的产品会影响陶瓷砖表面图案的装饰效果。云母片
是通过对光线的镜面反射差异来达到的闪光效果，只能应用在亚光砖或半抛砖上，无法使
用在市场需求量最大的抛光产品（光泽度≥75°）表面上。而以亮光釉或者低温透明干粒作
为闪光成分，其烧成后光泽度不强，目视光泽反差不明显。实现的釉面闪光效果的陶瓷砖始
终不够真实，无法达到类似石材的晶粒在光线下钻石般的闪光效果。而以锆英石作为闪光
成分，由于锆英石中含有杂质，会造成白砖落脏较多，且陶瓷砖放射性超标等问题。此外，并
不是所有的锆英砂都适合于作为闪光干粒。

[0004] 此外，在陶瓷砖的制造中，各种产品的光泽度有不同的表现形式，如无光、哑光、缎光、高光、亮光等不同的光泽效果。现有瓷质砖釉面闪光工艺较多，但有些闪光工艺为釉上
工艺，用于无光、哑光的产品上，不能进行全抛光加工，不适用于全抛光类产品上。还有一部
分闪光干粒材料，在釉料中高温烧成后不太稳定，易与釉料相互反应，造成闪光效果减弱装
饰效果不佳。

发明内容

[0005] 本发明的目的在于提供一种晶闪干粒、晶闪陶瓷砖及其制备方法，解决现有技术中闪光陶瓷砖闪光效果差的问题。

[0006] 为实现以上目的，本发明提供一种晶闪干粒，该晶闪干粒的原料包括按重量份数计的如下组分：锆英石0.3 8份、石英55 68份、硼酸18 45份、刚玉0 5份、碱金属氧化物4 10
~ ~ ~ ~ ~
份、碳酸锂0.2 6份，所述锆英石为侵入岩的副产物。
~

[0007] 优选的，所述侵入岩包括辉长岩、闪长岩和花岗岩中的一种或几种。

[0008] 优选的，所述晶闪干粒的粒径为80 150目。~

[0009] 优选的，所述晶闪干粒的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：ZrO2：0.3~8%、SiO2：65～80%、Al2O3：0～6%、B2O3：10～25%、碱金属氧化物：5~12%、Li2O：0.1~3%，烧失：小
于0.6%。

[0010] 优选的，所述碱金属氧化物包括氧化钾和氧化钠，所述氧化钾和氧化钠的重量比为2 6：3 8。
~ ~

[0011] 本发明还提供了一种制备所述的晶闪干粒的方法，按重量份数称取除锆英石以外的所述原料并进行混合，经过熔制、水淬后得到透明玻璃体；将所述透明玻璃体破碎，得到
基础干粒，将所述基础干粒与锆英石混合，即得到所述晶闪干粒。

[0012] 进一步地，所述熔制温度为1300 1500℃。~

[0013] 优选的，将所述透明玻璃体破碎后，再将所述基础干粒与所述锆英石的混合物筛分成所需要的颗粒级配，即得到所述晶闪干粒。

[0014] 本发明还提供一种晶闪陶瓷砖，包括上述的晶闪干粒。

[0015] 本发明还提供了一种晶闪陶瓷砖的制备方法，该方法包括如下步骤：

[0016] a1.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0017] b1. 提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在所述砖坯的表面根据图案设计施所述晶闪保护釉浆；

[0018] c1.在步骤b1得到的砖坯的表面布一次烧干粒；

[0019] d1.在步骤c1得到的砖坯表面施胶水；

[0020] e1.将步骤d1得到的砖坯入窑烧成，即得到所述晶闪陶瓷砖。

[0021] 优选的，步骤b1中，所述晶闪保护釉浆的比重为1.5 1.6，施量为360 460g/m2，所~ ~
述晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组分：晶闪干粒5 15%，悬浮剂60 70%，保护釉
~ ~
20 30%，所述保护釉包括按重量百分比计的如下组分：石英30 35%、钾长石22 28%、高岭土8
~ ~ ~
15%、钠长石16 25%、氧化锌6 16%；优选的，所述保护釉的化学成分包括按重量百分比计的
~ ~ ~
如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4~
12%。

[0022] 优选的，步骤c1中，所述一次烧干粒的粒径为60 200目，施量为300 500g/m2，所述~ ~
一次烧干粒包括按重量百分比计的如下组分：石英2 8%、钠长石30 50%、钾长石20 30%、白
~ ~ ~
云石12 18%、方解石16 26%、碳酸钡6 12%、氧化锌6 12%；优选的，所述一次烧干粒的化学成
~ ~ ~ ~
分包括以重量百分比计的如下组分：SiO2：56~64%、Al2O3：8~15%、CaO：10~15%、MgO：0~6%、
ZnO：2~8%、BaO：0~6%、K2O：1~4%、Na2O：3~5%。

[0023] 优选的，步骤d1中，所述胶水的施量为200 300g/m2。~

[0024] 优选的，步骤e1中，所述烧成温度为1170 1220℃，烧成周期为50 90分钟，所述砖~ ~
坯烧成后，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到所述晶闪陶瓷砖。

[0025] 本发明还提供了另一种晶闪陶瓷砖的制备方法，该方法包括如下步骤：

[0026] a2.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0027] b2.提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括所述晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在所述砖坯的表面根据图案设计施所述晶闪保护釉浆；

[0028] c2.在步骤b2得到的砖坯的表面施抛釉；

[0029] d2.将步骤c2得到的砖坯入窑烧成，即得到所述晶闪陶瓷砖。

[0030] 优选的，步骤b2中，所述晶闪保护釉浆的比重为1.5 1.6，施量为360 460g/m2，所~ ~
述晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组份：晶闪干粒5 15%，悬浮剂60 70%，保护釉
~ ~
20 30%，所述保护釉的比重为1.8 1.9，所述保护釉包括按重量百分比计的如下组分：石英
~ ~
30 35%、钾长石22 28%、高岭土8 15%、钠长石16 25%、氧化锌6 16%；优选的，所述保护釉的
~ ~ ~ ~ ~
化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~
1%、K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4~12%。

[0031] 优选的，步骤c2中，所述抛釉的比重为1.8 1.9，所述抛釉的施量为360 460g/m2，~ ~
所述抛釉包括按重量百分比计的如下组分：高岭土8 12%、煅烧高岭土8 12%、钠长石8 12%、
~ ~ ~
钾长石30 40%、白云石18 25%、方解石16 22%、碳酸钡6 15%、煅烧氧化锌0 6%；优选的，所述
~ ~ ~ ~ ~
抛釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：45~50%、Al2O3：14~16%、CaO：12~
16%、MgO：2~6%、K2O：3~5%、Na2O：1~4%、BaO：7~10%、ZnO：2~6%。

[0032] 优选的，步骤d2中，所述烧成温度为1170 1220℃，烧成周期为50 90分钟，所述砖~ ~
坯烧成后，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到所述晶闪陶瓷砖。

[0033] 本发明的有益效果：

[0034] 本发明通过以侵入岩的副矿物锆英石为原料制备晶闪干粒，由于该锆英石的晶体呈四方双锥、柱状或板状，其在颗粒之间会形成三叉晶界，而通过晶闪干粒晶界上的漫反射
和三叉晶界上的反射协同，增强了反射特性，实现了不同角度的晶闪效果，从而提高陶瓷砖
的闪光效果。另一方面，通过加入18 45重量份的硼酸，使在制备晶闪干粒时，氧化硼参与二
~
氧化硅形成的玻璃结构，形成低膨胀系数的高硼硅体系，使晶闪干粒具有很低的膨胀系数。
当晶闪干粒与砖坯表面的釉层材料混合时，出现较大的膨胀系数梯度差，从而在晶闪干粒
四周产生可控的晶界，当光线照射时，在界面产生反射和折射。此外，通过加入含量为0.2 6
~
重量份的碳酸锂，使晶闪颗粒形成高亮度玻璃体，从而提高晶闪干粒的亮度。

[0035] 在一些实施例中，筛选晶闪干粒的粒径为80 150目，使其具有较佳的晶闪效果。这~
是因为粒径过大，会产生不利的界面效果；而粒径过小，晶闪干粒易被混合的透明釉料或透
明干粒溶解，失去晶闪作用。

附图说明

[0036] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对
本发明范围的限定。

[0037] 图1为本发明实施例1 3制得的晶闪陶瓷砖的闪光效果原理示意图。~

[0038] 图2为本发明实施例1 3的锆英石阴极发光图像特征图，其中，a为本发明实施例3~
的锆英石阴极发光图像特征图，b为本发明实施例1的锆英石阴极发光图像特征图，c为本发
明对比例1的锆英石阴极发光图像特征图。

[0039] 图3为本发明实施例1制得的晶闪陶瓷砖在灯光照射下的图片。

[0040] 图4为本发明实施例1制得的晶闪陶瓷砖的光学显微镜图片。

具体实施方式

[0041] 如本文所用之术语：

[0042] “由……制备”与“包含”同义。本文中所用的术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”或其任何其它变形，意在覆盖非排它性的包括。例如，包含所列要素的组合物、步骤、方法、
制品或装置不必仅限于那些要素，而是可以包括未明确列出的其它要素或此种组合物、步
骤、方法、制品或装置所固有的要素。

[0043] 连接词“由……组成”排除任何未指出的要素、步骤或组分。如果用于权利要求中，此短语将使权利要求为封闭式，使其不包含除那些描述的材料以外的材料，但与其相关的
常规杂质除外。当短语“由……组成”出现在权利要求主体的子句中而不是紧接在主题之后
时，其仅限定在该子句中描述的要素；其它要素并不被排除在作为整体的所述权利要求之
外。

[0044] 当量、浓度、或者其它值或参数以范围、优选范围、或一系列上限优选值和下限优选值限定的范围表示时，这应当被理解为具体公开了由任何范围上限或优选值与任何范围
下限或优选值的任一配对所形成的所有范围，而不论该范围是否单独公开了。例如，当公开
了范围“1～5”时，所描述的范围应被解释为包括范围“1～4”、“1～3”、“1～2”、“1～2和4～
5”、“1～3和5”等。当数值范围在本文中被描述时，除非另外说明，否则该范围意图包括其端
值和在该范围内的所有整数和分数。

[0045] 在这些实施例中，除非另有指明，所述的份和百分比均按质量计。

[0046] “重量份”指表示多个组分的质量比例关系的基本计量单位，1份可表示任意的单位质量，如可以表示为1g，也可表示2.689g等。假如我们说A组分的重量份为a份，B组分的重
量份为b份，则表示A组分的质量和B组分的质量之比a：b。或者，表示A组分的质量为aK，B组
分的质量为bK（K为任意数，表示倍数因子）。不可误解的是，与重量份数不同的是，所有组分
的重量份之和并不受限于100份之限制。

[0047] “和/或”用于表示所说明的情况的一者或两者均可能发生，例如，A和/或B包括(A和B)和(A或B)。术语“多个”指的是两个或两个以上。

[0048] 本发明提供一种晶闪干粒，其原料包括按重量份数计的如下组分：锆英石0.3 8~
份、石英55 68份、硼酸18 45份、刚玉0 5份、碱金属氧化物4 10份、碳酸锂0.2 6份，其中，锆
~ ~ ~ ~ ~
英石为侵入岩的副产物。

[0049] 如图1所示，本实施例中的锆英石的晶体呈四方双锥状、柱状或板状，其作为晶闪晶粒时，在颗粒之间会形成三叉晶界，通过晶闪晶粒晶界面上的漫反射和三叉晶界面上的
反射协同，增强了反射特性，实现了不同角度闪光效果。具体地，锆英石选用辉长岩、闪长岩
和花岗岩中的一种或几种。如图2中a所示，花岗岩锆英石中发育的四方双锥及震荡环带，使
其具有良好闪光效果。如图2中b所示，辉长岩中锆英石呈长柱状及发育板面环带，也使其具
有良好的闪光效果。而如图2中c所示，碎屑岩中的锆英石长宽基本差不多，有一定的磨圆，
呈现出浑圆状，颗粒较小，基本不具备闪光效果。

[0050] 进一步地，上述原料中，石英作为玻璃生成体氧化物，其可提高晶闪干粒的许多性能，比如提高熔融温度、提高釉的粘度、增加晶闪干粒对水溶性和化学侵蚀的抵抗能力、增
加晶闪干粒的机械强度和硬度、降低晶闪干粒的膨胀系数等。硼酸作为强助熔剂，加入适量
的硼酸，能显著降低晶闪干粒的熔融温度，降低晶闪干粒的膨胀系数，增大晶闪干粒对陶瓷
的折射率，提高光泽度，提高釉面硬度和弹性，而加入18 45%的硼酸，硼酸可以参与硅氧结
~
构，形成硼硅玻璃网络，从而使晶闪干粒具有很低的膨胀系数。当晶闪干粒与砖坯表面的釉
层材料混合时，出现较大的膨胀系数梯度差，从而在晶闪干粒四周产生可控的晶界，当光线
照射时，在界面产生反射和折射，且可提高晶闪陶瓷砖的防污性能及断裂模数。刚玉作为网
络中间体氧化物，在晶闪干粒熔融过程中，通常能夺取游离氧形成四配位而进入硅氧网络，
加强玻璃网络结构，从而提高釉的硬度机械强度、提高釉的耐化学侵蚀能力、降低晶闪干粒
的膨胀系数、提高玻化能力等。碱金属氧化物作为网络外体氧化物，在晶闪干粒熔融过程
中，其具有极强的“断网”作用，能显著降低晶闪干粒在熔融温度和粘度，化学稳定性和机械
强度。其中，碱金属氧化物包括氧化钾和氧化钠。碳酸锂作为强助熔剂，可提高晶闪干粒的
光泽度，化学稳定性和弹性，从而使晶闪陶瓷砖具有良好的光泽度。

[0051] 在一个实施中，制得的晶闪干粒的粒径为80 150目，使晶闪干粒具有良好的闪光~
效果。当干粒粒径大于150目时，会产生不利的界面效果；而当干粒粒径小于80目时，晶闪干
粒易被混合的透明釉料或透明干粒溶解，失去闪光作用。

[0052] 其中，晶闪干粒的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：ZrO2：0.3~8%、SiO2：65～80%、Al2O3：0～6%、B2O3：10～25%、碱金属氧化物5~12%、Li2O：0.1~3%，烧失：小于0.6%。其
中，碱金属氧化物中，氧化钾和氧化钠的重量比为2 6：3 8。
~ ~

[0053] 本发明还提供一种晶闪干粒的制备方法，按重量份数称取除锆英石以外的所述原料并进行混合，经过熔制、水淬后得到透明玻璃体；将所述透明玻璃体破碎，得到基础干粒，
将基础干粒与锆英石混合，即得到所述晶闪干粒。其中，熔制温度为1300 1500℃。优选的，
~
当透明玻璃体破碎后，再筛分成所需要的颗粒级配，即得到所述的晶闪干粒。

[0054] 本发明还提供一种晶闪陶瓷砖，该晶闪陶瓷砖包括上述晶闪干粒。

[0055] 本发明还提供上述晶闪陶瓷砖的制备方法，该方法包括如下步骤：

[0056] S11.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0057] 该步骤中，坯体可由普通陶瓷基料经压机成型而得，然后将坯体干燥，使坯体水分控制在0.3 0.5%以内。再在坯体上施底釉，底釉可选用公知的底釉釉料，比如，底釉的化学
~
组成可包括：以重量百分比计，SiO2：55~60%、Al2O3：21~24%、Fe2O3：0.16~0.46%、TiO2：0.15~
0.25%、CaO：0.1~0.3%、MgO：0.1~0.3%、K2O：4.0~5.0%、Na2O：2.0~3.0%、ZrO2：6.0~10%。烧2失：
3.0 4.0%。施底釉的方式可为喷釉等。底釉比重可为1.40 1.45，施釉量为400 550g/m。在
~ ~ ~
底釉层上可通过打印喷墨形成图案，可用数码喷墨机打印，使用的陶瓷墨水可为蓝色、棕
色、桔黄色、黑色、红色等。

[0058] S12.提供晶闪保护釉浆，所述晶闪保护釉浆包括晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂，在上述砖坯的表面根据图案设计施晶闪保护釉浆；

[0059] 该步骤中，晶闪保护釉浆由晶闪干粒、保护釉以及悬浮剂混合而成，其中，晶闪保护釉浆包括按重量百分比计的如下组分：晶闪干粒5 15%，悬浮剂60 70%，保护釉20 30%，该
~ ~ ~
2
晶闪保护釉浆的比重为1.5 1.6，施量为360 460g/m。悬浮剂的比重为1.01 1.03，粘度为
~ ~ ~
450 600Pa·s，保护釉的比重为1.8 1.9，该保护釉包括按重量百分比计的如下组分：石英
~ ~
30 35%、钾长石22 28%、高岭土8 15、钠长石16 25%、氧化锌6 16%。进一步地，该保护釉的化
~ ~ ~ ~ ~
学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~1%、MgO：0~1%、
K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4~12%。

[0060] S13.在步骤S12得到的砖坯的表面布一次烧干粒；

[0061] 该步骤中，一次烧干粒的施量为300 500g/m2，其中，一次烧干粒的粒径为60 200~ ~
目，该一次烧干粒包括按重量百分比计的如下组分：石英2 8%、钠长石30 50%、钾长石20
~ ~ ~
30%、白云石12 18%、方解石16 26%、碳酸钡6 12%、氧化锌6 12%。优选的，一次烧干粒的化学
~ ~ ~ ~
成分包括以重量百分比计的如下组分：SiO2：56~64%、Al2O3：8~15%、CaO：10~15%、MgO：0~6%、
ZnO：2~8%、BaO：0~6%、K2O：1~4%、Na2O：3~5%。

[0062] S14.在步骤S13得到的砖坯表面施胶水；

[0063] 该步骤中，胶水的施量为200 300g/m2。~

[0064] S15.将步骤S14得到的砖坯入窑烧成，即得到晶闪陶瓷砖。

[0065] 该步骤中，烧成温度为1170 1220℃，烧成周期为50 90分钟。为了使制得的晶闪陶~ ~
瓷砖外观及性能更好，当砖坯烧成后，再经抛光、打蜡、磨边、分选处理后，即得到晶闪陶瓷
砖。

[0066] 该方法为干法工艺制备晶闪陶瓷砖，在传统干法工艺的基础上，先施晶闪保护釉浆，然后再布一次烧干粒，最后用胶水固定，由于晶闪干粒与保护釉及悬浮剂混合，再通过
胶水固定一次烧干粒，从而使晶闪干粒在砖坯表面分布均匀，使得到的晶闪陶瓷砖的晶闪
效果好。

[0067] 本发明还提供上述晶闪陶瓷砖的另一种制备方法，该方法包括如下步骤：

[0068] S21.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0069] 该步骤中，坯体可由普通陶瓷基料经压机成型而得，然后将坯体干燥，使坯体水分控制在0.3 0.5%以内。再在坯体上施底釉，底釉可选用公知的底釉釉料，比如，底釉的化学
~
组成可包括：以重量百分比计，SiO2：55~60%、Al2O3：21~24%、Fe2O3：0.16~0.46%、TiO2：0.15~
0.25%、CaO：0.1~0.3%、MgO：0.1~0.3%、K2O：4.0~5.0%、Na2O：2.0~3.0%、ZrO2：6.0~10%。烧失：
2
3.0 4.0%。施底釉的方式可为喷釉等。底釉比重可为1.40 1.45，施釉量为400 550g/m。在
~ ~ ~
底釉层上可通过打印喷墨形成图案，可用数码喷墨机打印，使用的陶瓷墨水可为蓝色、棕
色、桔黄色、黑色、红色等。

[0070] S22.提供晶闪保护釉浆，该晶闪保护釉浆包括晶闪干粒、保护釉及悬浮剂，在砖坯的表面根据图案设计施晶闪保护釉浆；

[0071] 该步骤中，晶闪保护釉浆的比重为1.5 1.6，施量为360 460g/m2，该晶闪保护釉浆~ ~
包括按重量百分比计的如下组份：晶闪干粒5 15%，悬浮剂60 70%，保护釉20 30%。悬浮剂的
~ ~ ~
比重为1.01 1.03，粘度为450 600Pa·s，保护釉的比重为1.8 1.9，保护釉包括按重量百分
~ ~ ~
比计的如下组分：石英30 35%、钾长石22 28%、高岭土8 15%、钠长石16 25%、氧化锌6 16%。
~ ~ ~ ~ ~
该保护釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：60~65%、Al2O3：8~12%、CaO：0~
1%、MgO：0~1%、K2O：2~4%、Na2O：3~5%、ZnO：4~12%。

[0072] S23.在步骤S22得到的砖坯的表面施抛釉；

[0073] 该步骤中，抛釉的比重为1.8 1.9，抛釉的施量为360 460g/m2。其中，抛釉包括按~ ~
重量百分比计的如下组分：高岭土8 12%、煅烧高岭土8 12%、钠长石8 12%、钾长石30 40%、
~ ~ ~ ~
白云石18 25%、方解石16 22%、碳酸钡6 15%、煅烧氧化锌0 6%。该抛釉的化学成分包括按重
~ ~ ~ ~
量百分比计的如下组分：SiO2：45~50%、Al2O3：14~16%、CaO：12~16%、MgO：2~6%、K2O：3~5%、
Na2O：1~4%、BaO：7~10%、ZnO：2~6%。

[0074] S24.将步骤S23得到的砖坯入窑烧成，即得到晶闪陶瓷砖。

[0075] 该步骤中，烧成温度为：1170 1220℃，烧成周期为50 90分钟。为了使制得的晶闪~ ~
陶瓷砖外观及性能更好，当砖坯烧成后，再经抛光、打蜡、磨边、分选处理后，即得到晶闪陶
瓷砖。

[0076] 该方法为湿法工艺制备晶闪陶瓷砖，在传统湿法工艺的基础上，将晶闪干粒、保护釉及悬浮剂进行混合，然后再施抛釉，从而使晶闪干粒在砖坯表面分布均匀，使得到的晶闪
陶瓷砖的晶闪效果好。

[0077] 下面将结合具体实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明
具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，
均为可以通过市售购买获得的常规产品。

[0078] 实施例1

[0079] （1）晶闪干粒的制备：

[0080] 分别称取重量份数的以下组分：石英61份、硼酸23份、刚玉3份、氧化钠5份及碳酸锂3份，将上述原料混合均匀，在温度为1450℃条件下熔制、水淬后得到透明玻璃体，然后将
该透明玻璃体破碎，得到基础干粒。将辉长岩副矿物的锆英石5份与基础干粒混合，筛分成
110目的颗粒，即得到晶闪干粒。该晶闪干粒的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：
SiO2：66%、Al2O3：3%、B2O3：14%、Na2O：10%、Li2O：2%、ZrO2：5%，烧失：0.45%。

[0081] （2）晶闪陶瓷砖的制备：

[0082] 本实施例的晶闪陶瓷砖的制备方法包括如下步骤：

[0083] S11.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0084] S12.将晶闪干粒、保护釉及悬浮剂混合，得到晶闪保护釉浆，在上述砖坯的表面根据图案设计施晶闪保护釉浆；

[0085] 该步骤中，首先分别称取重量份数的以下组分：石英34份、钾长石27份、高岭土13份、钠长石20份、氧化锌6份，将上述原料混合均匀后得到比重为1.8的保护釉，其中，该保护
釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：65%、Al2O3：12%、CaO：1%、MgO：1%、K2O：
4%、Na2O：5%、ZnO：12%。然后再将保护釉与晶闪干粒、悬浮剂混合均匀得到保护釉浆，其中，
悬浮剂的比重为1.02，粘度为500Pa·s，晶闪保护釉浆中晶闪干粒的含量为10wt%，悬浮剂
2
为65wt%，保护釉为25wt%。该晶闪保护釉浆的比重为1.55，施量为400 g/m。

[0086] S13. 在步骤S12得到的砖坯的表面布一次烧干粒；

[0087] 该步骤中，首先分别称取重量份数的以下组分：石英：2份、钠长石：35份、钾长石：22份、白云石：12份、方解石：17份、碳酸钡：6份、氧化锌：6份，将上述原料混合均匀后球磨成
粒径为85目的颗粒，即得到一次烧干粒，其中，一次烧干粒的化学成分包括以重量百分比计
的如下组分：SiO2：60%、Al2O3：12%、CaO：12%、MgO：3%、ZnO：4%、BaO：2%、K2O：3%、Na2O：4%。然后
2
在步骤S12得到的砖坯的表面布一次烧干粒，该一次烧干粒的施量为370g/m。

[0088] S14.在步骤S13得到的砖坯表面施胶水；

[0089] 该步骤中，胶水的施量为270g/m2。

[0090] S15.将步骤S14得到的砖坯入窑烧成，烧成温度为：1210℃，烧成周期为60分钟，然后经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到的本实施例的晶闪陶瓷砖，对得到的晶闪陶瓷砖
进行拍照，结果如图3、图4所示，由图3、图4可知，本实施例制得的晶闪陶瓷砖在光照下具有
良好的闪光效果。

[0091] 实施例2

[0092] （1）晶闪干粒的制备：

[0093] 分别称取重量份数的以下组分：石英63份、硼酸21份、刚玉3份、氧化钠3份、氧化钾2份、及碳酸锂3份，将上述原料混合均匀，在温度为1470℃条件下熔制、水淬后得到透明玻
璃体，然后将该透明玻璃体破碎，得到基础干粒，将闪长岩副矿物的锆英石5份与基础干粒
混合，筛分成120目的颗粒，即得到晶闪干粒，其中，该晶闪干粒的化学成分包括：SiO2：68%、
Al2O3：1%、B2O3：16%、Na2O：5%、K2O：3%、Li2O：2%、ZrO2：5%，烧失：0.57%。

[0094] （2）晶闪陶瓷砖的制备：

[0095] 本实施例的晶闪陶瓷砖的制备方法包括如下步骤：

[0096] S21.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0097] S22.将晶闪干粒与保护釉、悬浮剂混合，得到晶闪保护釉浆，在砖坯的表面根据图案设计施晶闪保护釉浆；

[0098] 该步骤中，首先分别称取重量份数的以下组分：石英35份、钾长石28份、高岭土11份、钠长石18份、氧化锌8份，将上述原料混合均匀球磨成保护釉，该保护釉浆的比重为
1.86。该保护釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：65%、Al2O3：12%、CaO：1%、
MgO：1%、K2O：4%、Na2O：5%、ZnO：12%。然后再将保护釉与晶闪干粒、悬浮剂混合均匀得到保护
釉浆，其中，悬浮剂的比重为1.03，粘度为600Pa·s，晶闪保护釉浆中晶闪干粒的含量为
12wt%，保护釉的含量为24wt%，悬浮剂的含量为64wt%。该步骤中，晶闪保护釉浆的比重为
2
1.58，施量为380g/m。

[0099] S23.在步骤S22得到的砖坯的表面施抛釉；

[0100] 该步骤中，首先分别称取重量份数的以下组分：高岭土8份、煅烧高岭土8份、钠长石8份、钾长石31份、白云石19份、方解石17份、碳酸钡7份、煅烧氧化锌2份，将上述原料混合
均匀后得到抛釉，该抛釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：48%、Al2O3：
15%、CaO：14%、MgO：4%、K2O：4%、Na2O：2%、BaO：8%、ZnO：5%。该抛釉的比重为1.82，抛釉的施量
2
为420g/m。

[0101] S24.将步骤S23得到的砖坯入窑烧成，烧成温度为1220℃，烧成时间为70分钟，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到本实施例的晶闪陶瓷砖。

[0102] 实施例3

[0103] 该实施例中的晶闪干粒及晶闪陶瓷砖的制备方法同实施例1，所不同的是，本实施例中的锆英石选用花岗岩副矿物的锆英石替换实施例1中的辉长岩副矿物的锆英石，得到
本实施例的晶闪陶瓷砖。

[0104] 对比例1

[0105] 该对比例中的晶闪干粒及晶闪陶瓷砖的制备方法同实施例1，所不同的是，本对比例中的锆英石选用碎屑岩副矿物的锆英石替换实施例1中的辉长岩副矿物的锆英石，得到
本对比例的陶瓷砖。

[0106] 对比例2

[0107] （1）该对比例中的晶闪干粒的制备方法同实施例2。

[0108] （2）晶闪陶瓷砖的制备：

[0109] 本对比例的晶闪陶瓷砖的制备方法包括如下步骤：

[0110] S31.在坯体上施底釉、形成图案，得到砖坯；

[0111] S32.在上述砖坯的表面根据图案设计施晶闪干粒及抛釉；

[0112] 该步骤中，首先分别称取重量份数的以下组分：高岭土8份、煅烧高岭土8份、钠长石8份、钾长石31份、白云石19份、方解石17份、碳酸钡7份、煅烧氧化锌2份，将上述原料混合
均匀后得到抛釉，该抛釉的化学成分包括按重量百分比计的如下组分：SiO2：48%、Al2O3：
15%、CaO：14%、MgO：4%、K2O：4%、Na2O：2%、BaO：8%、ZnO：5%。该抛釉的比重为1.82，然后将抛釉
2
与12份晶闪干粒混合，得到混合物，混合物的施量为420g/m。

[0113] S35.将步骤S34得到的砖坯入窑烧成，烧成温度为1220℃，烧成时间为70分钟，经抛光、打蜡、磨边、分选处理后即得到本对比例的晶闪陶瓷砖。

[0114] 对实施例1 3及对比例1 2制备得到的晶闪陶瓷砖进行性能测试，测试方法及所用~ ~
仪器为：

[0115] 防污性能：按照GB/T3810.14‑2015陶瓷砖试验方法中的防污性能测定方法，采用上黑、红、蓝三种油性墨水在砖面涂抹进行检测。

[0116] 耐磨性：按照GB/T3810.7‑2015陶瓷砖试验方法中的有釉砖耐磨性测定方法，采用深圳欧普瑞检测设备有限公司生产的瓷砖耐磨度检测仪检测。

[0117] 断裂模数：按照GB/T3810.4‑2015陶瓷砖试验方法中的断裂模数测定方法，采用上海乐傲试验仪器有限公司生产的DM‑10000陶瓷砖断裂模数测定仪检测。

[0118] 吸水率：按照GB/T3810.3‑2015陶瓷砖试验方法中的吸水率测定方法，采用天津优工试验设备有限公司生产的TZY‑3数显式吸水率测定仪检测。

[0119] 测试结果如表1所示：

[0120]

[0121] 由实施例1 3、对比例1、图3、图4及表1可知，本发明的侵入岩副矿物的锆英石作为~
晶闪干粒的原料使陶瓷砖具有闪光效果，而对比例1的碎屑岩副矿物的锆英石作为晶闪干
粒的原料无闪光效果，这说明，侵入岩副矿物的锆英石作为晶闪干粒的原料才具有闪光效
果，而其它种类的锆英石不具备闪光效果，这与图1中的晶闪陶瓷砖的闪光效果原理相吻
合。且由本发明制备的陶瓷砖具有良好闪光效果，防污性能达到A级、耐磨性能好、断裂模数
大，且吸水率合格。

[0122] 而由实施例2、对比例2及表1可知，本发明实施例2的晶闪陶瓷砖通过在形成图案的砖坯表面施晶闪保护釉浆、然后淋抛釉，得到的晶闪陶瓷砖的闪光效果优于对比例2的闪
光效果，且本发明实施例2的晶闪陶瓷砖的抗污性能、耐磨性能及断裂模数等性能也比对比
例2的相关性能更佳。

[0123] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。

[0124] 此外，本领域的技术人员能够理解，尽管在此的一些实施例包括其它实施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同实施例的特征的组合意味着处于本发明的范围
之内并且形成不同的实施例。例如，在上面的权利要求书中，所要求保护的实施例的任意之
一都可以以任意的组合方式来使用。公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在加深对本发明
的总体背景技术的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域技
术人员所公知的现有技术。