用于填充单壁碳纳米管同轴硅通孔的建模方法

摘要

本发明涉及一种填充单壁碳纳米管同轴硅通孔的建模方法，包括如下步骤：计算填充单壁碳纳米管的同轴硅通孔内耗尽层外径和硅介质外径；根据碳纳米管的物理属性计算碳纳米管的电阻、电容以及电感参数；计算同轴硅通孔等效电路电容、电导和电感参数；建立填充单壁碳纳米管同轴硅通孔等效电路模型。本发明提出一种填充单壁碳纳米管的同轴硅通孔，在高频信号情况下具有更小的损耗，所建立的等效电路模型更加精确，同时计算简单。