非易失型闪存上电参数检查方法、装置、存储介质和终端转让专利
申请号 : CN202011614386.7
文献号 : CN112542200B
文献日 : 2021-09-21
发明人 : 张宇 , 唐维强 , 张新展 , 陈胜源 , 朱雨萌
申请人 : 芯天下技术股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种非易失型闪存上电参数检查方法,其特征在于,具体包括以下步骤:在芯片和测试用例中定义上电参数的关键字,并根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;
具体为:
利用脚本文件提取并对比芯片和测试用例中对上电参数定义的关键字;
根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;
在进行仿真运行过程中判断测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字是否存在逻辑互斥,
若测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字存在逻辑互斥,根据芯片和测试用例中的上电参数关键字对比结果使测试用例中的上电参数经过对应的逻辑互斥分支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;
若测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;
在仿真结束后判断仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径是否存在逻辑互斥分支路径,
若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数配置错误的结果;
若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径不存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电参数不存在逻辑互斥的结果。
2.根据权利要求1所述的非易失型闪存上电参数检查方法,其特征在于,所述脚本文件采用Perl语言实现。
3.根据权利要求1所述的非易失型闪存上电参数检查方法,其特征在于,所述判断测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字是否存在逻辑互斥,具体过程如下:在脚本逻辑代码中,分别对测试用例的关键字和芯片默认配置的上电参数关键字进行逻辑范围的判断。
4.根据权利要求1所述的非易失型闪存上电参数检查方法,其特征在于,所述测试用例中的上电参数即用户需求的上电参数。
5.一种非易失型闪存上电参数检查装置,其特征在于,包括:定义模块,在芯片和测试用例中定义上电参数的关键字,并根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;具体为:利用脚本文件提取并对比芯片和测试用例中对上电参数定义的关键字;根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;
第一判断模块,在进行仿真运行过程中判断测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字是否存在逻辑互斥;
仿真报告文件形成模块,若测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字存在逻辑互斥,根据芯片和测试用例中的上电参数关键字使测试用例中的上电参数经过对应的逻辑互斥分支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径;若测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径;
第二判断模块,在仿真结束后判断仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径是否存在逻辑互斥分支路径;
检查结果输出模块,若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数出错的结果;若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径不存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电参数不存在逻辑互斥的结果。
6.根据权利要求5所述的非易失型闪存上电参数检查装置,其特征在于,所述第一判断模块在脚本逻辑代码中,分别对测试用例的关键字和芯片默认配置的上电参数关键字进行逻辑范围的判断。
7.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质中存储有计算机程序,当所述计算机程序在计算机上运行时,使得所述计算机执行权利要求1至4任一项所述的方法。
8.一种终端设备,其特征在于,包括处理器和存储器,所述存储器中存储有计算机程序,所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序,用于执行权利要求1至4任一项所述的方法。
说明书 :
非易失型闪存上电参数检查方法、装置、存储介质和终端
技术领域
背景技术
认上电参数,而我们在写测试用例模拟实际的用户需求的时候,通过用例配置的上电参数
在发送给芯片的时候,可能会存在用例配置上电参数与芯片中原本设置的默认上电参数存
在逻辑互斥关系。当测试用例发送的Config参数与芯片的默认参数存在逻辑互斥的时候,
必然会导致上电失败,传统的检查上电失败的方法一般采用检查仿真波形的方式去追踪上
电配置的各个默认信号参数,由于用户需求较多,在上电过程中会有不同的上电参数配置
需求,测试用例在发送Config参数的时候情况更加复杂,导致上电失败的几率增大。而每次
人为的去检查仿真波形判断NorFlash上电情况,会导致验证效率极其低下并且追踪波形信
号的情况很复杂,无疑增加了验证工作的效率难度。
发明内容
题。
的逻辑互斥分支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;
结果。
骤:
代码中,分别对测试用例的关键字和芯片默认配置的上电参数关键字进行逻辑范围的判
断。
参数经过对应的逻辑互斥分支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径;若测试
用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测试用
例中的上电参数经过的逻辑分支路径;
文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径不存在逻辑互斥分支路径,则输
出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电参数不存在逻辑互斥的结果。
的方法。
中默认配置的上电参数进行对比,判断测试用例与芯片是否存在逻辑互斥导致上电失败情
况,以代替原来通过仿真波形判断上电参数是否存在逻辑互斥导致上电失败的情况,在芯
片实际上电之前检查排除测试用例发送上电参数不符合实际芯片的情况,若脚本文件处理
的对比结果存在逻辑互斥,则需要在测试用例中重新定义上电参数,直到上电参数对比结
果不经过逻辑互斥分支路径时芯片才进行正常上电工作,以解决芯片在上电过程中上电参
数的配置错误导致上电失败,人为检查仿真波形查看上电参数时导致的验证效率低下、验
证难度大等问题,极大提高验证效率,保证芯片上电成功。
附图说明
具体实施方式
此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因
此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的
范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做
出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
望的那种情况运行并且达到程序所设计的执行结果,假如程序在该请况下不能正常运行,
则这种问题会重复发生。简而言之测试用例就是用程序语言编写的输入到芯片中的激励。)
中定义上电参数的关键字,并根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支。
言)。通过在脚本文件中定义上电参数的关键字,以表明在上电过程中根据不同的用户需求
配置的不同的上电参数。
默认配置的上电参数关键字存在逻辑互斥,则跳转至S4,若测试用例中的上电参数关键字
和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,则跳转至S5;
有两种可能:1、上电参数对比结果相同,则对比通过,此处为逻辑互斥分之1;2、上电参数对
比结果不相同,对比不通过,此处为逻辑互斥分支2;因此只需要判断对比结果经过逻辑互
斥分支1还是2即可判断测试用例上电参数是否合法。),记录测试用例中的上电参数经过的
逻辑分支路径,形成仿真报告文件。
数是否存在逻辑互斥关系,从而再对实际芯片进行上电参数配置使其正常上电。
电失败的情况,以此代替原来通过仿真波形判断上电参数是否存在逻辑互斥的时候导致上
电失败的情况,在芯片实际上电之前检查排除测试用例发送上电参数不符合实际芯片的情
况,若脚本文件处理的对比结果存在逻辑互斥,则需要在测试用例中重新定义上电参数,直
到上电参数对比结果不经过逻辑互斥分支路径时芯片才进行正常上电工作。
斥的过程,有效的避免测试用例发送的上电参数与芯片默认设置参数存在逻辑互斥的时候
导致的上电失败的情况,极大的提高了验证效率。
上电参数经过对应的逻辑互斥分支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径;若
测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测
试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径;
报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径不存在逻辑互斥分支路径,
则输出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电参数不存在逻辑互斥的结果。
接口和线路连接整个终端的各个部分,通过运行或调用存储在存储器302内的计算机程序,
以及调用存储在存储器302内的数据,执行终端的各种功能和处理数据,从而对终端300进
行整体监控。
302中的计算机程序,从而实现各种功能:在芯片和测试用例中定义上电参数的关键字,并
根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;在进行仿真运行过程中判断测试用例
中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字是否存在逻辑互斥,若测试用例中
的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字存在逻辑互斥,根据芯片和测试用例
中的上电参数关键字使测试用例中的上电参数经过对应的逻辑互斥分支,记录测试用例中
的上电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;若测试用例中的上电参数关键字和
芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑
分支路径,形成仿真报告文件;在仿真结束后判断仿真报告文件中记录的测试用例中的上
电参数经过的逻辑分支路径是否存在逻辑互斥分支路径,若仿真报告文件中记录的测试用
例中的上电参数经过的逻辑分支路径存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参
数出错的结果;若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径不存
在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电参数不存在逻辑互
斥的结果。
存储器302的计算机程序,从而执行各种功能应用以及数据处理。
数的关键字,并根据上电参数的关键字定义上电参数逻辑互斥分支;在进行仿真运行过程
中判断测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字是否存在逻辑互
斥,若测试用例中的上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字存在逻辑互斥,根
据芯片和测试用例中的上电参数关键字使测试用例中的上电参数经过对应的逻辑互斥分
支,记录测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;若测试用例中的
上电参数关键字和芯片默认配置的上电参数关键字不存在逻辑互斥,记录测试用例中的上
电参数经过的逻辑分支路径,形成仿真报告文件;在仿真结束后判断仿真报告文件中记录
的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径是否存在逻辑互斥分支路径,若仿真报告文
件中记录的测试用例中的上电参数经过的逻辑分支路径存在逻辑互斥分支路径,则输出测
试用例中的上电参数出错的结果;若仿真报告文件中记录的测试用例中的上电参数经过的
逻辑分支路径不存在逻辑互斥分支路径,则输出测试用例中的上电参数和芯片默认的上电
参数不存在逻辑互斥的结果。其中,存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设
备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, 简称
SRAM),电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read‑Only
Memory, 简称EEPROM),可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only
Memory, 简称EPROM),可编程只读存储器(Programmable Red‑Only Memory, 简称PROM),
只读存储器(Read‑Only Memory, 简称ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。
辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可
以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间
的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连
接,可以是电性,机械或其它的形式。
个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的
目的。
的关系或者顺序。
任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。