清洁制造OLED使用的真空系统的方法及制造OLED的方法和设备

摘要

本公开内容提供用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法(100)。此方法(100)包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，和使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

权利要求

1.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分，所述预清洁是湿式化学清洁工艺；以及使用远程等离子体源执行等离子体清洁，

其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体，其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，并且其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行，并且其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括真空腔室的清洁。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空系统的真空腔室内的多个元件的清洁。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述元件从由以下元件所组成的群组中选择：机械元件、可移动元件、驱动器、阀、及上述的任何组合。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁包括在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述方法是在所述真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后执行的。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述等离子体清洁是在所述真空系统的一个或多个腔室中进行的，所述一个或多个腔室是从由以下腔室所组成的群组中选择的：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由模块及上述的任何组合。

10.根据权利要求2所述的方法，其中作为所述最终清洁程序的所述等离子体清洁提供‑9在小于10 克/平方厘米的范围内的清洁水平。

‑2

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述腔室的所述压力被降低至10 毫巴或更低以执行所述等离子体清洁。

‑5

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述腔室的所述压力被降低至介于10 毫巴和‑8

10 毫巴之间的压力以执行所述等离子体清洁。

13.根据权利要求1或2所述的方法，进一步包括：在所述等离子体清洁之后在基板上沉积一层或多层的有机材料。

14.一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分，所述预清洁是湿式化学清洁工艺；以及使用远程等离子体源执行等离子体清洁，

其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体，其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，其中所述预清洁和所述等离子体清洁包括在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁，其中所述一个或多个掩模装置的所述预清洁是在腔室外执行的，其中所述一个或多个掩模装置的所述等离子体清洁是在所述一个或多个掩模装置被移动到所述腔室中后执行的，并且其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。

15.一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法，包括：执行预清洁，以清洁真空系统的至少一部分，所述预清洁是湿式化学清洁工艺；

使用远程等离子体源执行等离子体清洁，以清洁所述真空系统的所述至少一部分；以及在基板上沉积一层或多层的有机材料，

其中所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体，其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同腔室中执行，并且其中所述预清洁是在降低所述腔室中的压力以执行所述等离子体清洁之前被执行的。

16.一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备，包括：真空腔室；

远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；

控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行预清洁并接着执行等离子体清洁来作为最终清洁程序，其中所述预清洁是湿式化学清洁工艺并且所述等离子体清洁使用含氩的氧混合物的等离子体；以及真空泵，所述真空泵连接至所述真空腔室，

其中预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的，其中所述控制器被构造为控制所述真空泵以在执行所述等离子体清洁之前降低所述真空腔室中的压力，并且其中所述预清洁在执行所述等离子体清洁的相同真空腔室中执行。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述控制器经构造以实施根据权利要求1或2所述的方法。

说明书

清洁制造OLED使用的真空系统的方法及制造OLED的方法和

设备

[0001] 本申请是申请日为2017年4月28日、申请号为201780008895.5、发明名称为“用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

[0002] 本公开内容的实施方式涉及一种用于清洁真空系统的方法、用于在基板上真空沉积的方法、用于在基板上真空沉积的设备。本公开内容的实施方式特别涉及一种在有机发光二极管装置(organic light‑emitting diode,OLED)的制造中使用的方法与设备。

背景技术

[0003] 用于在基板上层沉积的技术包括(例如)热蒸发、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)和化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)。经涂布的基板可用于多种应用和多种技术领域。例如，经涂布的基板可以用于有机发光二极管(OLED)装置的领域。OLED可以用于制造电视屏幕、计算机监视器、移动电话、其它手持装置、及用于显示信息的类似装置。例如OLED 显示器的OLED装置可以包括一层或多层有机材料位于都沉积在基板上的两个电极之间。

[0004] OLED装置可以包括多个有机材料的堆叠，所述堆叠例如在工艺设备的真空腔室中蒸发。有机材料使用蒸发源通过荫罩掩模(shadow mask)以顺序的方式被沉积在基板上。真空腔室内部的真空条件对于沉积材料层和使用这些材料层制造的OLED装置的质量是相当重要的。

[0005] 因此，需要一种方法和设备，所述方法和设备能够改善真空腔室内的真空条件。本公开内容特别旨在改善真空条件，以使沉积在基板上的有机材料层的质量可获得改善。

发明内容

[0006] 鉴于上文，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法、用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法、以及用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备。本公开内容的其它方面、益处和特征从权利要求书、说明书和所附附图是显而易见的。

[0007] 根据本公开内容的一个方面，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，及使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

[0008] 根据本公开内容的另一方面，提供一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法。此方法包括使用远程等离子体源来执行真空系统的至少一部分的等离子体清洁以作为最终清洁程序。

[0009] 根据本公开内容的又一方面，提供一种用于在基板上真空沉积来制造 OLED装置的方法。此方法包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分、使用远程等离子体源执行等离子体清洁以清洁真空系统的所述至少一部分、以及在基板上沉积一层或多层有机材料。

[0010] 根据本公开内容的另一方面，提供一种用于在基板上真空沉积来制造 OLED装置的设备。此设备包括真空腔室、连接到真空腔室的远程等离子体源、以及连接到远程等离子体源的控制器，以执行等离子体清洁作为最终清洁程序。

[0011] 实施方式还涉及用于执行所公开的方法的设备，并且包括用于进行每个方法方面的设备部件。这些方法方面可以通过硬件元件、由适当软件编程的计算机、上述两者的任何组合、或以任何其它方式来执行。再者，根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所描述设备的方法。用于操作所描述设备的方法包括用于执行设备的每个功能的多个方法方面。

附图说明

[0012] 以可以详细理解本公开内容的上述特征的方式，可以通过参考实施方式来获得上文简要总结的本公开内容的更具体的描述。所附附图涉及本公开内容的实施方式并且说明于下：

[0013] 图1绘示依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法的流程图。

[0014] 图2绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积来制造OLED 装置的方法的流程图。

[0015] 图3绘示依照本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积的设备来制造 OLED装置的示意图。

[0016] 图4绘示依照本文所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统的示意图。

具体实施方式

[0017] 现在将参考本公开内容的各种实施方式进行详细说明，这些实施方式中的一个或多个示例在附图中示出。在以下对附图的描述中，相同的附图标记指示相同的元件。通常，仅描述关于各个实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式而被提供，而不意味着对本公开内容的限制。再者，作为一个实施方式的一部分所示出或所描述的特征，可以用在其它实施方式上或与其它实施方式结合使用，以产生又一个实施方式。本说明书旨在包括这样的修改和变化。

[0018] 真空腔室内的真空条件对于沉积在基板上的材料层的质量可能是很重要的。特别地，就OLED的大规模生产而言，所有真空元件的清洁是很重要的。即使是电子抛光表面对于OLED装置制造来说可能仍然是太脏的。本公开内容在预清洁程序之后使用远程等离子体源，例如作为真空系统的最终清洁程序。等离子体清洁可用于处置真空腔室及/或真空系统的部件或元件。作为示例，等离子体清洁可以在工艺开始或开始生产之前在真空中执行，以改善清洁水平。处置可以使用例如纯氧或含氮或氩的氧混合物的远程等离子体来执行一定时间。清洁水平可以显著提高，并且可以改善沉积在基板上的层的质量。

[0019] 图1绘示出依照本文所述实施方式的用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法100的流程图。

[0020] 方法100包括执行预清洁以用于清洁真空系统的至少一部分(方块110)，及使用远程等离子体源执行等离子体清洁(方块120)。等离子体清洁可以是在操作真空系统之前的最终清洁程序，所述操作真空系统例如是在基板上沉积一种或多种有机材料的层。术语“最终”应理解为在等离子体清洁之后不再执行进一步的清洁程序。

[0021] 在远程等离子体源中，气体通常在远程腔室内被激发，此远程腔室远离将要在其中执行清洁工艺的真空腔室。这种激发可以例如在远程等离子体源之中进行。在本公开内容实施方式中所使用的远程等离子体的示例，包括但不限于纯氧或具有氮或氩的氧混合物的远程等离子体。

[0022] 作为最终清洁程序的等离子体清洁可以显著改善真空系统的清洁水平。发明人已经发现，当使用标准气相色谱质谱联用(gas chromatography‑mass spectrometry,GCMS)‑9程序测量时，作为最终清洁程序的等离子体清洁可以提供在小于10 克/平方厘米的范围内的清洁物品的清洁水平。如此，真空条件以及由此的沉积在基板上的有机材料层的质量可以得到改善。

[0023] 根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，等离子体清洁可执行长‑8达预定的一段时间。预定的一段时间可以经选择以使得10 克/平方厘米或更小、具体地10‑9 ‑10
克/平方厘米或更小、及更具体地10 克/平方厘米或更小的清洁水平(使用标准GCMS程序)可被提供。清洁水平可以被定义为待被清洁的真空系统的部分的表面区域(例如真空系统的真空腔室的内部腔室壁的表面)每平方厘米中的一个或多个选定污染物的克数。

[0024] 用于清洁真空系统的至少此部分的预清洁、和使用远程等离子体源以清洁真空系统的至少此部分的等离子体清洁，可用于真空系统的各种元件。在一些实施方式中，预清洁和等离子体清洁分别包括真空腔室的清洁。作为示例，预清洁和等离子体清洁分别包括真空腔室的一个或多个内壁的清洁。一个或多个内壁可以使用例如湿式化学清洁工艺进行预清洁，并且然后可以进行等离子体清洁以改善清洁水平。

[0025] 另外地或替代地，预清洁和等离子体清洁分别包括真空系统的真空腔室内的一个或多个元件的清洁。一个或多个元件可从由以下元件所组成的群组中选择：机械元件、可移动元件、驱动器、阀及上述的任何组合。作为示例，机械元件可以是提供在真空腔室内的任何元件，例如用于操作真空系统的可移动元件。示例性可移动元件包括但不限于阀(例如闸阀)。驱动器可以包括用于传送真空系统中的基板及/或载体的驱动器、用于基板及/或掩模对准的驱动器或致动器、用于分离相邻的真空区域或腔室的阀(例如闸阀)的驱动器、及类似驱动器。

[0026] 根据可与本文所述的其它实施方式组合的一些实施方式，预清洁和等离子体清洁分别包括在沉积工艺期间所使用的一个或多个掩模装置(例如荫罩掩模) 的清洁。特别是，掩模可以在掩模被用于生产工艺之前使用远程等离子体进行处置。在一些实施方式中，一个或多个掩模装置可以在负载锁定腔室或专用于等离子体清洁目的的腔室(例如清洁腔室)中被等离子体清洁一段时间。预清洁和等离子体清洁可以在一个或多个掩模装置处于相同位置的情况下执行，例如负载锁定腔室或清洁腔室。在另一个例子中，预清洁和等离子体清洁可以在不同的位置执行。作为示例，预清洁可以在真空系统之外执行。在预清洁之后，一个或多个掩模装置可被移动到例如负载锁定腔室或清洁腔室中，并且使用远程等离子体源的等离子体清洁可被执行。

[0027] 根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，方法100在真空系统或真空系统的一部分的维护程序之后被执行。特别地，维护后的湿式清洁可能不足以实现用于OLED大规模生产的合适洁净水平。在第一清洁程序(即预清洁)之后，第二清洁程序(即等离子体清洁)可以确保清洁水平，该清洁水平可以改善在沉积工艺(例如热蒸发工艺)期间所沉积的有机材料层的质量。

[0028] 术语“维护程序”可以理解为，真空系统未被操作为能够执行各种任务，例如真空系统或真空系统的部分的保养及/或初始安装。维护程序可以在例如是预定的保养区间内循环执行。方法100可以是在完成维护程序之后，用于真空系统或真空系统的部分的基本清洁的方法。

[0029] 在一些实施方式中，等离子体清洁在真空系统的一个或多个(真空)腔室中进行，所述一个或多个(真空)腔室是从由以下腔室所组成的群组中选择的：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由 (routing)模块、及上述的任何组合。预清洁可以在执行等离子体清洁的相同腔室中执行。替代地，预清洁可以在不同的位置进行，例如不同的腔室或真空系统外部。根据一些实施方式，预清洁在大气下执行，而等离子体清洁在真空下执行。

[0030] 根据可与本文描述的其它实施方式组合的一些实施方式，真空腔室中的压力可被‑1 ‑2降低至10毫巴(bar)或更低、具体地降至10 毫巴或更低、且更具体地降至10 毫巴或更低，以用于等离子体清洁工艺。压力可预清洁之后被降低以建立技术真空。作为示例，真空腔室‑2 ‑1
中的压力可以在10 毫巴和10毫巴之间的范围内、具体地在10 毫巴和2毫巴之间的范围‑1
内、且更具体地在10 毫巴和1.5毫巴之间的范围内。可提供连接到真空腔室的一个或多个真空泵(例如涡轮泵和/或低温(cryo)泵)，以用于在真空腔室内部产生技术真空。

[0031] 方法100包括预清洁，预清洁可以包括一个或多个预清洁程序。预清洁可以在真空腔室中的压力被降低以执行等离子体清洁之前被执行。一个或多个预清洁程序可以包括例如湿化学清洁工艺。

[0032] 在下文中，将说明根据本公开内容使用远程等离子体源的方法。首先，真空系统或真空系统的(多个)部分可以使用例如湿式化学清洁进行预清洁。然后，通过泵在真空腔室内建立例如约0.1至约5毫巴的真空压力。之后，启动远程等离子体源并执行等离子体清洁以提供改善的清洁水平。

[0033] 图2绘示出用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法200的流程图。方法200可以包括根据本公开内容用于清洁在OLED设备的制造中所使用的真空系统的方法的方面。

[0034] 方法200包括执行用于清洁真空系统的至少一部分的预清洁(方块110)、使用远程等离子体源执行等离子体清洁以清洁真空系统的至少此部分(方块 120)、以及在基板上沉积一层或多层有机材料(方块230)。

[0035] 作为最终清洁程序的等离子体清洁可以显著改善真空系统的清洁水平。当使用标‑9准GCMS程序测量时，作为最终清洁程序的等离子体清洁可以提供在小于10 克/平方厘米的范围内的清洁物品的清洁水平。因此，真空条件以及由此的沉积在基板上的有机材料层的质量可以得到改善。

[0036] 图3绘示出根据本文所述实施方式的用于在基板上真空沉积来制造OLED 装置的设备300。

[0037] 设备300包括真空腔室310、连接到真空腔室310的远程等离子体源320、以及连接到远程等离子体源320以执行等离子体清洁来作为最终清洁程序的控制器330。特别地，控制器330可以经构造为实施本公开内容的用于清洁 OLED装置的制造中所使用的真空系统的方法。

[0038] 真空腔室310可以从由以下腔室所组成的群组中选择：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由模块、及上述的任何组合。作为示例，真空腔室310可以是用于在基板上沉积有机材料的真空处理腔室。

[0039] 一个或多个真空泵340(例如涡轮泵及/或低温泵)可(例如经由一个或多个管(例如波纹管))而被连接到真空腔室310，以在真空腔室310内产生技术真空。控制器330还可以经构造以例如在等离子体清洁程序之前控制一个或多个真空泵340以降低真空腔室310内的压力。

[0040] 本公开内容通篇所使用的术语“真空”可被理解为具有小于例如10毫巴的真空压‑5 ‑8 ‑5力的技术真空。真空腔室内的压力可以在10 毫巴与约10 毫巴之间、具体地在10 毫巴与‑7 ‑6 ‑7
10 毫巴之间、且更具体地在约10 毫巴与约10 毫巴之间。

[0041] 远程等离子体源320在气体注入点322处连接到真空腔室310。作为示例，远程等离子体源320可以使用例如凸缘(flange)而真空紧密地连接到真空腔室310。在一些实施方式中，气体入口歧管(manifold)(例如喷淋头)可被提供在气体注入点322处，例如真空腔室310内部。气体入口歧管可以经构造以将气体(反应性气体)均匀分布在真空腔室310内。气体入口歧管可以在真空腔室310内提供均匀的清洁工艺。

[0042] 根据一些实施方式，设备300可被包括在真空处理系统中，所述真空处理系统用于在真空处理系统中的具有有机材料的装置(例如OLED装置)的制造。作为示例，设备300可以包括在真空腔室中的一个或多个材料沉积源，例如蒸发源，真空腔室经构造以用于在基板上沉积一种或多种有机材料。

[0043] 真空处理系统，且特别是此设备，可以包括传送布置350，传送布置350 经构造以在真空腔室310中进行载体(例如基板载体及/或掩模载体360)的非接触式传送。作为示例，掩模20的等离子体清洁可以在掩模20在真空腔室 310中被承载在掩模载体360的情况下被执行，真空腔室310可以是真空处理腔室或单独的清洁腔室。

[0044] 在一些实施方式中，真空处理系统包括真空腔室310中的一个或多个材料沉积源(未示出)，例如一个或多个蒸发源。真空处理系统可以经构造以用于 (例如用于制造OLED装置的有机材料的)蒸发。在一些实施方式中，所述一个或多个材料沉积源可以是蒸发源，且特别是用于在基板上沉积一种或多种有机材料以形成OLED装置的层的蒸发源。可以被进一步构造以用于(例如在层沉积工艺期间)支撑基板10的掩模载体360可以沿着传送路径(例如线性传送路径)被传送进入并通过真空腔室310，且具体地是通过沉积区域。

[0045] 如图3所示，另外的腔室可被提供在真空腔室310附近。真空腔室310 可以通过阀而与相邻的腔室分离，所述阀具有阀壳体304和阀单元306。如箭头所示，当具有掩模20及/或基板于其上的载体被插入真空腔室310内之后，阀单元306可被关闭。例如在等离子体清洁之前，真空腔室310中的大气可通过例如利用连接到真空腔室310的真空泵产生技术真空而被单独控制。

[0046] 在一些实施方式中，真空处理系统可以包括延伸通过真空腔室310的一个或多个传送路径。载体可以经构造以用于沿着一个或多个传送路径(例如经过一个或多个材料沉积源)进行传送。尽管一个传送路径示例性地由箭头表示，但是应该理解，本公开内容不限于此，并且可以提供两个或更多个传送路径。作为示例，至少两个输送路径可被实质上彼此平行地布置，以用于对应的载体的传送。一个或多个材料沉积源可以布置在两个传送路径之间。

[0047] 传送布置350可经构造以用于例如沿着传送方向上的一个或多个传送路径的在真空腔室310中的载体(例如掩模载体360)的非接触式悬浮及/或非接触式传送。载体的非接触悬浮及/或传送是有益的，因为在传送期间不会例如因与导轨的机械接触而产生颗粒。可提供沉积在基板上的层的改善的纯度和均匀性，因为当使用非接触式悬浮和/或传送时，粒子产生被最小化。

[0048] 图4绘示出根据本文所述实施方式的用于具有有机材料的装置的制造的系统400的示意图。系统400可以使用根据本文所述实施方式的方法和设备而被清洁。

[0049] 系统400包括两个或更多个处理区域和传送布置460，传送布置460经构造以用于将支撑基板10和选择性地支撑掩模的载体401依序地传送到两个或更多个处理区域。作为示例，传送布置460可以经构造以用于沿着传送方向2 传送载体401通过两个或更多个处理区域以用于基板处理。换句话说，相同的载体被用于传送基板10通过多个处理区域。特别地，在处理区域中的基板处理和后续处理区域中的基板处理之间，基板10不从载体410移除，即，基板停留在相同载体上以用于两个或更多基板处理程序。

[0050] 如在图4中示例性地示出，两个或更多个处理区域可以包括第一沉积区域 408和第二沉积区域412。选择性地，可以在第一沉积区域408和第二沉积区域412之间提供传送区域410。多个区域，例如两个或多个处理区域及传送区域，可被提供在一个真空腔室中。替代地，可以将多个区域提供在彼此连接的不同真空腔室中。作为示例，每个真空腔室可以提供一个区域。具体地，第一真空腔室可以提供第一沉积区域408，第二真空腔室可以提供传送区域410，第三真空腔室可以提供第二沉积区域412。在一些实施方式中，第一真空腔室和第三真空腔室可以被称为“沉积腔室”。第二真空腔室可以被称为“处理腔室”。另外的真空腔室或区域可以被提供在图4的示例中所示的区域附近。

[0051] 真空腔室或区域可以通过具有阀壳体404和阀单元405的阀而与相邻区域分开。在具有基板10于其上的载体401被插入到区域内(例如第二沉积区域 412)之后，阀单元405可被关闭。区域中的大气，可通过例如利用连接到区域的真空泵产生技术真空、及/通过将一种或多种工艺气体导入例如第一沉积区域408及/或第二沉积区域412内，而被单独控制。传送路径(例如线性传送路径)可被提供，以便将具有基板10于其上的载体401传送到区域中、传送通过区域、和传送离开区域。传送路径可以至少部分地延伸通过两个或更多个处理区域，例如第一沉积区域408和第二沉积区域412，并且选择性地通过传送区域410。

[0052] 系统400可以包括传送区域410。在一些实施方式中，传送区域410可以被省略。传送区域410可以由旋转模块、传送模块、或上述组合而被提供。图 4示出旋转模块和传送模块的组合。在旋转模块中，轨道布置及设置在轨道布置上的(多个)载体可以围绕旋转轴线(例如垂直旋转轴线)进行旋转。作为示例，(多个)载体可以从系统400的左侧传送到系统400的右侧，反之亦然。传送模块可以包括交叉轨道，使得(多个)载体可以沿不同的方向(例如彼此垂直的方向)而被传送通过传送模块。

[0053] 在沉积区域内，例如第一沉积区域408和第二沉积区域412内，可以提供一个或多个沉积源。作为示例，可以在第一沉积区域408中提供第一沉积源 430。可以在第二沉积区域412中提供第二沉积源450。所述一个或多个沉积源可以是蒸发源，经构造以在基板10上沉积一层或多层有积层，以形成用于 OLED装置的有机层堆叠。

[0054] 本文所述的系统可用于大面积基板上的蒸发，例如用于OLED显示器制造。具体而言，根据本文所述实施方式的系统所提供的基板是大面积基板。例如，大面积基板或载体可2 2
以是4.5代，其对应于约0.67m (0.73×0.92m)的表面面积；5代，其对应于约1.4m (1.1m×
2
1.3m)的表面面积；7.5代，其对应于约4.29m (1.95m×2.2m)的表面面积；8.5代，其对应于
2 2
约5.7m (2.2m ×2.5m)的表面面积；或甚至10代，其对应于约8.7m (2.85m×3.05m)的表面面积。甚至更大的一代，例如11代和12代以及相应的表面面积可以被类似地实施。各代的一半尺寸也可以被提供在OLED显示器制造中。

[0055] 本公开内容在预清洁程序之后使用远程等离子体源，例如作为真空系统的最终清洁程序。等离子体清洁可用于处置真空腔室及/或真空系统的部件或元件。作为示例，等离子体清洁可以在工艺开始或开始生产之前在真空中执行，以改善清洁水平。处置可以利用例如纯氧或含氮或氩的氧混合物的远程等离子体执行一段时间。清洁水平可被显著提高，并且可以改善沉积在基板上的层的质量。

[0056] 应当注意，本公开内容还可以为以下实施方式。

[0057] (1)一种用于清洁在制造OLED装置中使用的真空系统的方法，包括：

[0058] 执行预清洁，以清洁所述真空系统的至少一部分；以及

[0059] 使用远程等离子体源执行等离子体清洁。(

[0060] (2)根据(1)所述的方法，其中所述等离子体清洁是在操作所述真空系统之前的最终清洁程序。

[0061] (3)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述等离子体清洁包括真空腔室的清洁。

[0062] (4)根据(3)所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空腔室的一个或多个内壁的清洁。

[0063] (5)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述等离子体清洁包括所述真空系统的真空腔室内的多个元件的清洁。

[0064] (6)根据(5)所述的方法，其中所述元件从由以下元件所组成的群组中选择：机械元件、可移动元件、驱动器、阀、及上述的任何组合。

[0065] (7)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述等离子体清洁包括在沉积工艺期间使用的一个或多个掩模装置的清洁。

[0066] (8)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述方法是在所述真空系统或所述真空系统的部分的维护程序之后执行的。

[0067] (9)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述等离子体清洁是在所述真空系统的一个或多个腔室中进行的，所述一个或多个腔室是从由以下腔室所组成的群组中选择的：负载锁定腔室、清洁腔室、真空沉积腔室、真空处理腔室、传送腔室、路由模块及上述的任何组合。

[0068] (10)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述等离子体清洁使用纯氧或含有氮或氩的氧混合物的等离子体。

[0069] (11)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述预清洁包含湿式化学清洁工艺。

[0070] (12)根据(1)或(2)所述的方法，其中所述预清洁是在大气下执行的，且所述等离子体清洁是在真空下执行的。

[0071] (13)一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的方法，包括：

[0072] 执行预清洁，以清洁真空系统的至少一部分；

[0073] 使用远程等离子体源执行等离子体清洁，以清洁所述真空系统的所述至少一部分；以及

[0074] 在基板上沉积一层或多层的有机材料。

[0075] (14)一种用于在基板上真空沉积来制造OLED装置的设备，包括：

[0076] 真空腔室；

[0077] 远程等离子体源，所述远程等离子体源连接至所述真空腔室；以及[0078] 控制器，所述控制器连接至所述远程等离子体源以执行等离子体清洁来作为最终清洁程序。

[0079] (15)根据(14)所述的设备，其中所述控制器经构造以实施根据(1) 或(2)所述的方法。

[0080] 虽然上述内容针对本公开内容的实施方式，但在不脱离本公开内容的基本保护范围的情况下，可设计其它或进一步的实施方式，且本公开内容的保护范围由所附的权利要求书所确定。