一种碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法

摘要

本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体公开了一种碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法；包括装置基座，装置基座的上表面开设有沉积内腔，沉积内腔中设置有加热盘体，加热盘体的内部设置有螺旋线形的电阻加热棒，加热盘体的上表面设置有覆盖盘，加热盘体的边缘侧面设置有边缘环，加热盘体上开设有若干顶针孔，每个顶针孔中均活动设置有一个顶针，装置基座的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体上升或下降的加热升降组件；本发明公开的碳化硅CVD工艺腔体装置其电阻加热棒在加热盘中呈螺旋线形设置，其能够使得保证加热盘受热均匀，其提高了工艺温度控制精度。同时，在加热盘体的上表面设置覆盖盘和边缘环，其延长了加热盘使用寿命。

权利要求

1.一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，包括装置基座(1)，所述装置基座(1)的上表面开设有沉积内腔(101)，所述沉积内腔(101)中设置有加热盘体(2)，所述加热盘体(2)的内部设置有螺旋线形的电阻加热棒(201)，所述电阻加热棒(201)两端通过导线与电源的正负极相连接，所述加热盘体(2)的上表面设置有覆盖盘(202)，所述加热盘体(2)的边缘侧面设置有边缘环(203)，所述加热盘体(2)上开设有若干顶针孔(204)，若干所述顶针孔(204)呈环形阵列设置，且顶针孔(204)贯穿加热盘体(2)和覆盖盘(202)设置，每个所述顶针孔(204)中均活动设置有一个顶针(205)，所述加热盘体(2)的下表面圆心处连接有立式转轴(3)，所述立式转轴(3)中套设有升降环(4)，所述升降环(4)包括下端的空心环体(401)和上端的倒锥形罩(402)，所述倒锥形罩(402)的上端面与若干个呈环形阵列设置的顶针(205)处于同一环形面上设置，所述装置基座(1)的下端设置有驱动加热盘体(2)和立式转轴(3)旋转的转动组件，所述装置基座(1)的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体(2)上升或下降的加热升降组件(5)；所述装置基座(1)的上表面设置有与沉积内腔(101)上端相配合的气盘(6)，位于所述气盘(6)外缘的装置基座(1)上设置有与气盘(6)相配合的密封盖板(7)，所述密封盖板(7)的一端部连接有L型压紧板(701)，所述L型压紧板(701)的朝向气盘(6)的上表面中心处设置，且所述L型压紧板(701)端部的下表面连接有压紧块(702)，所述压紧块(702)作用于气盘(6)的上表面中心处并将气盘(6)压紧，所述密封盖板(7)上表面的其他拐角设置有辅助压紧件(8)；其中，所述加热升降组件(5)包括一个竖向设置的丝杆(501)，所述丝杆(501)的下端设置用于驱动丝杆(501)转动的驱动电机，所述立式转轴(3)的下端固定连接有与丝杆(501)相配合的连接块(502)，所述连接块(502)中开设有与丝杆(501)相配合的螺纹孔(5021)，所述装置基座(1)的下端还连接有用于安装加热升降组件(5)的支撑架(503)，所述转动组件包括设置在立式转轴(3)下方的伺服电机和与立式转轴(3)固定连接有传动升降套(9)，所述传动升降套(9)的下表面开设有非圆形的传动滑动腔(901)，所述伺服电机的输出轴端部连接有与传动滑动腔(901)相配合的转柱；所述传动滑动腔(901)的截面形状为正六边形。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述沉积内腔(101)的内壁上设置有耐腐蚀的内衬层(102)，所述内衬层(102)有陶瓷材料制成。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述装置基座(1)的侧壁上端开设有机械手臂伸入口(103)。

4.根据权利要求3所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，位于所述机械手臂伸入口(103)对侧的装置基座(1)上连接有气体泵出接头(104)，所述气体泵出接头(104)与外界的耐腐蚀气泵相连接。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述加热盘体(2)的中开设的顶针孔(204)为3～6个。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述覆盖盘(202)和边缘环(203)均由氮化铝材料制成。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述L型压紧板(701)的上表面一端部连接有受压拉手(703)。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅CVD工艺腔体装置，其特征在于，所述辅助压紧件(8)包括一个固定设置在L型压紧板(701)的销轴，所述销轴上转动设置有一个转动套(801)，所述转动套(801)的侧面连接有旋转臂(802)，所述旋转臂(802)与气盘(6)的上表面相抵接。

9.一种权利要求2～8任一所述碳化硅CVD工艺腔体装置的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：使用外部的继续手臂将待处理的碳化硅基体从机械手臂伸入口(103)伸入沉积内腔(101)中，此时通过加热升降组件(5)将若干个顶针(205)同时顶起，从而将碳化硅基体放在若干个顶针(205)的上端；

S2：机械手臂从伸入口(103)中撤离时通过加热升降组件(5)使得顶针(205)下降，并将碳化硅基体置于加热盘体(2)的上表面；

S3：启动加热盘体(2)中的电阻加热棒(201)对加热盘体(2)进行加热，从而实现对碳化硅基体的升温，接着通过气盘(6)中的气孔向沉积内腔(101)中注入足够的反应气体，反应一段时间后，断开电阻加热棒(201)和停止注入反应气体；

S4：接着，启动外界的耐腐蚀气泵，从气体泵出接头(104)中将多余的反应气体抽走；

S5：最后，抽完反应气体后，通过加热升降组件驱动顶针(205)上升将反应后的碳化硅基体抬高，机械手臂再次从伸入机械手臂伸入口(103)中取走碳化硅基体，整个碳化硅基体的化学气相沉积过程结束。

说明书

一种碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法

技术领域

[0001] 本发明涉及化学气相沉积设备技术领域，具体公开了一种碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法。

背景技术

[0002] 化学气相沉积(CVD)是常用于将半导体的、电介质的、金属的以及其他薄膜沉积到一个基底的表面上的一种方法。其具体原理是将一种或多种前驱分子(各自以气相的形式)
引入到包括该基底的一个处理室中，再通过增加能量来启动或增强这些前驱气体在该基底
表面上的反应。而碳化硅的CVD技术顾名思义是在碳化硅基材的表面通过化学气相沉积一
层薄膜。

[0003] 申请号为2006800224078的发明公开了一种具有转动型加热器的化学气相沉积(CVD)装置；其包括反应室，其中设置有晶片的沉积空间；腔室支撑部分，用于支撑反应室；
喷头，用于将反应气体喷射到反应室中；加热器，其设置在反应室内，用于加热放置在其上
的晶片；加热器支撑部分，用于支撑加热器；其中，CVD装置还包括加热器转动部分，其包括
用于产生转动力以转动加热器的马达；转动轴，用于传递由马达产生的转动力；转动台架，
其安装在转动轴的顶端上，用于承受转动轴的转动力以转动加热器。该发明公开的化学气
相沉积(CVD)装置在实际使用过程中存在以下不足：其一，该发明公开的化学气相沉积
(CVD)装置中的承载座传动结构不稳定；其二，该化学气相沉积(CVD)装置中热盘加热为传
统的灯泡加热，温度控制精度欠佳；其三，化学气相沉积(CVD)装置中的原有晶片承载盘裸
露在工艺环境中，其在长时间的碳化硅CVD工艺过程中容易造成损坏，需要频繁的更换承载
盘。因此，针对上述现有具有转动型加热器的化学气相沉积(CVD)装置的三种不足，设计一
种承载座传动结构、热盘温度控制精度优异、且不会对因长时间运行对承载盘造成损坏的
碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法是一项有待解决的技术问题。

发明内容

[0004] 本发明所要解决的技术问题是针对上述现有具有转动型加热器的化学气相沉积(CVD)装置的三种不足，设计一种承载座传动结构、热盘温度控制精度优异、且不会对因长
时间运行对承载盘造成损坏的碳化硅CVD工艺腔体装置及使用方法。

[0005] 本发明是通过以下技术方案实现的：

[0006] 一种碳化硅CVD工艺腔体装置，包括装置基座，所述装置基座的上表面开设有沉积内腔，所述沉积内腔中设置有加热盘体，所述加热盘体的内部设置有螺旋线形的电阻加热
棒，所述电阻加热棒两端通过导线与电源的正负极相连接，所述加热盘体的上表面设置有
覆盖盘，所述加热盘体的边缘侧面设置有边缘环，所述加热盘体上开设有若干顶针孔，若干
所述顶针孔呈环形阵列设置，且顶针孔贯穿加热盘体和覆盖盘设置，每个所述顶针孔中均
活动设置有一个顶针，所述加热盘体的下表面圆心处连接有立式转轴，所述立式转轴中套
设有升降环，所述升降环包括下端的空心环体和上端的倒锥形罩，所述倒锥形罩的上端面
与若干个呈环形阵列设置的顶针处于同一环形面上设置，所述装置基座的下端设置有驱动
加热盘体和立式转轴旋转的转动组件，所述装置基座的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体
上升或下降的加热升降组件；

[0007] 所述装置基座的上表面设置有与沉积内腔上端相配合的气盘，位于所述气盘外缘的装置基座上设置有与气盘相配合的密封盖板，所述密封盖板的一端部连接有L型压紧板，
所述L型压紧板的朝向气盘的上表面中心处设置，且所述L型压紧板端部的下表面连接有压
紧块，所述压紧块作用于气盘的上表面中心处并将气盘压紧，所述密封盖板上表面的其他
拐角设置有辅助压紧件；

[0008] 其中，所述加热升降组件包括一个竖向设置的丝杆，所述丝杆的下端设置用于驱动丝杆转动的驱动电机，所述立式转轴的下端固定连接有与丝杆相配合的连接块，所述连
接块中开设有与丝杆相配合的螺纹孔，所述装置基座的下端还连接有用于用于安装加热升
降组件的支撑架。

[0009] 作为上述方案的进一步设置，所述转动组件包括设置在立式转轴下方的伺服电机和与立式转轴固定连接有传动升降套，所述传动升降套的下表面开设有非圆形的传动滑动
腔，所述伺服电机的输出轴端部连接有与传动滑动腔相配合的转柱。

[0010] 作为上述方案的进一步设置，所述传动滑动腔的截面形状为正六边形。

[0011] 作为上述方案的进一步设置，所述沉积内腔的内壁上设置有耐腐蚀的内衬层，所述内衬层有陶瓷材料制成。

[0012] 作为上述方案的进一步设置，所述装置基座的侧壁上端开设有机械手臂伸入口。

[0013] 作为上述方案的进一步设置，位于所述机械手臂伸入口对侧的装置基座上连接有气体泵出接头，所述气体泵出接头与外界的耐腐蚀气泵相连接。

[0014] 作为上述方案的进一步设置，所述加热盘体的中开设的顶针孔为3～6个。

[0015] 作为上述方案的进一步设置，所述覆盖盘和边缘环均由氮化铝材料制成。

[0016] 作为上述方案的进一步设置，所述L型压紧板的上表面一端部连接有受压拉手。

[0017] 作为上述方案的进一步设置，所述辅助压紧件包括一个固定设置在L型压紧板的销轴，所述销轴上转动设置有一个转动套，所述转动套的侧面连接有旋转臂，所述旋转臂与
气盘的上表面相抵接。

[0018] 一种上述碳化硅CVD工艺腔体装置的使用方法，包括如下步骤：

[0019] S1：使用外部的继续手臂将待处理的碳化硅基体从机械手臂伸入口伸入沉积内腔中，此时通过加热升降组件将若干个顶针同时顶起，从而将碳化硅基体放在若干个顶针的
上端；

[0020] S2：机械手臂从伸入口中撤离时通过加热升降组件使得顶针下降，并将碳化硅基体置于加热盘体的上表面；

[0021] S3：启动加热盘体中的电阻加热棒对加热盘体进行加热，从而实现对碳化硅基体的升温，接着通过气盘中的气孔向沉积内腔中注入足够的反应气体，反应一段时间后，断开
电阻加热棒和停止注入反应气体；

[0022] S4：接着，启动外界的耐腐蚀气泵，从气体泵出接头中将多余的反应气体抽走；

[0023] S5：最后，抽完反应气体后，通过加热升降组件驱动顶针上升将反应后的碳化硅基体抬高，机械手臂再次从伸入机械手臂伸入口中取走碳化硅基体，整个碳化硅基体的化学
气相沉积过程结束。

[0024] 与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

[0025] 1)本发明公开的碳化硅CVD工艺腔体装置其将传统的灯泡加热加热式加热盘改成电阻棒式加热盘，并且其电阻加热棒在加热盘中呈螺旋线形设置，其能够使得保证加热盘
受热均匀，其提高了工艺温度控制精度。

[0026] 2)本发明在加热盘体的上表面设置覆盖盘和边缘环，并且覆盖盘和边缘环均由氮化铝材质制成，其覆盖盘能够保护加热盘体表面免受工艺环境损伤，而边缘环安装在加热
盘体的外边缘，用于保护加热盘体边缘不被工艺反应损伤，其延长了加热盘使用寿命。

[0027] 3)本发明中的加热盘体与加热升降组件合二为一，通过加热升降组件能够实现加热盘体和顶针的升降，其极大提高了工艺温度稳定性与对碳化硅基体在传送过程中的精
度。

附图说明

[0028] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例描述所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领
域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。

[0029] 图1为本发明的第一角度立体结构示意图；

[0030] 图2为本发明的第二角度立体结构示意图；

[0031] 图3为本发明的俯视平面结构示意图；

[0032] 图4为本发明中主视内部平面结构示意图；

[0033] 图5为本发明中装置基座内部的立体结构示意图；

[0034] 图6为本发明中加热盘体、立式转轴等部件的立体结构示意图；

[0035] 图7为本发明中主视平面结构示意图；

[0036] 图8为本发明中加热盘体俯视的内部平面结构示意图。

[0037] 其中，1‑装置基座，101‑沉积内腔，102‑内衬层，103‑机械手臂伸入口，104‑气体泵出接头；

[0038] 2‑加热盘体，201‑电阻加热棒，202‑覆盖盘，203‑边缘环，204‑顶针孔，205‑顶针；

[0039] 3‑立式转轴；

[0040] 4‑升降环，401‑空心环体，402‑倒锥形罩；

[0041] 5‑加热升降组件，501‑驱动丝杆，502‑连接块，5021‑螺纹孔，503‑支撑架；

[0042] 6‑气盘；

[0043] 7‑密封盖板，701‑L型压紧板，702‑压紧块，703‑受压拉手；

[0044] 8‑辅助压紧件，801‑转动套，802‑旋转臂；

[0045] 9‑传动升降套，901‑传动滑动腔。

具体实施方式

[0046] 为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是
本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人
员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范
围。

[0047] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

[0048] 需要说明的是，在本发明的描述中，术语″第一″、″第二″仅用于方便描述不同的部件，而不能理解为指示或暗示顺序关系、相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数
量。由此，限定有″第一″、″第二″的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。

[0049] 下面结合附图1‑8对本发明公开的一种碳化硅CVD工艺腔体装置进一步说明。

[0050] 实施例1

[0051] 本实施例1公开了一种碳化硅CVD工艺腔体装置，参考附图1、附图2、附图4和附图5，其主体结构包括装置基座1，装置基座1的上表面开设有沉积内腔101，并且在沉积内腔
101的内壁上设置有耐腐蚀的内衬层102，该内衬层102有陶瓷材料制成，将其装在加热组件
周围，可用于将工艺区域将腔体隔离。

[0052] 参考附图4、附图5、附图6、附图7和附图8，在沉积内腔101中设置有加热盘体2，该加热盘体2的内部设置有螺旋线形的电阻加热棒201，并将螺旋线形的电阻加热棒201两端
通过导线与电源的正负极相连接。其螺旋线形的电阻加热棒201能够使得加热盘体2受热更
加均匀。同时，还在加热盘体2的上表面设置有覆盖盘202，加热盘体2的边缘侧面设置有边
缘环203，该覆盖盘202和边缘环203均由氮化铝材料制成，其覆盖版的材质为氮化铝，保护
热盘表面免受工艺环境损伤；同时其边缘环203安装在加热件外边缘，用于保护加热器边缘
不被工艺反应损伤。同时，还在装置基座1的侧壁上端开设有机械手臂伸入口103，并在位于
机械手臂伸入口103对侧的装置基座1上连接有气体泵出接头104，气体泵出接头104与外界
的耐腐蚀气泵(图中未画出)相连接。

[0053] 在加热盘体2上开设有若干顶针孔204，具体顶针孔204的数量可设置为3～6个，本实施例中将其设置成四个，并且四个顶针孔204呈环形阵列设置。顶针孔204贯穿加热盘体2
和覆盖盘202设置，在每个顶针孔204中均活动设置有一个顶针205。在加热盘体2的下表面
圆心处连接有立式转轴3，立式转轴3中套设有升降环4，具体地其升降环4包括下端的空心
环体401和上端的倒锥形罩402，倒锥形罩402的上端面与四个呈环形阵列设置的顶针205处
于同一环形面上设置。

[0054] 在装置基座1的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体2上升或下降的加热升降组件5。具体地，其加热升降组件5的结构可参考附图2和附图4，其包括一个竖向设置的丝杆501，
丝杆501的下端设置用于驱动丝杆501转动的驱动电机(图中未画出)，将立式转轴3的下端
固定连接有与丝杆501相配合的连接块502，连接块502中开设有与丝杆501相配合的螺纹孔
5021，装置基座1的下端还连接有用于用于安装加热升降组件5的支撑架503，通过驱动电机
驱动丝杆501转动，并通过其与螺纹孔5021的之间的作用能够使得立式转轴3上下移动，从
而实现加热盘体2、升降环4的上下移动。

[0055] 另外，还在装置基座1的上表面设置有与沉积内腔101上端相配合的气盘6，位于气盘6外缘的装置基座1上设置有与气盘6相配合的密封盖板7，密封盖板7的一端部连接有L型
压紧板701，L型压紧板701的朝向气盘6的上表面中心处设置，且L型压紧板701端部的下表
面连接有压紧块702，压紧块702作用于气盘6的上表面中心处并将气盘6压紧，并在，L型压
紧板701的上表面一端部还连接有受压拉手703。

[0056] 最后，还在密封盖板7上表面的其他拐角设置有辅助压紧件8；具体地其辅助压紧件8包括一个固定设置在L型压紧板701的销轴，销轴上转动设置有一个转动套801，转动套
801的侧面连接有旋转臂802，旋转臂802与气盘6的上表面相抵接。

[0057] 实施例2

[0058] 本实施例2公开了一种基于实施例1基础上改进后的可选择的碳化硅CVD工艺腔体装置，参考附图1、附图2、附图4和附图5，其主体结构包括装置基座1，装置基座1的上表面开
设有沉积内腔101，并且在沉积内腔101的内壁上设置有耐腐蚀的内衬层102，该内衬层102
有陶瓷材料制成，将其装在加热组件周围，可用于将工艺区域将腔体隔离。

[0059] 参考附图4、附图5、附图6、附图7和附图8，在沉积内腔101中设置有加热盘体2，该加热盘体2的内部设置有螺旋线形的电阻加热棒201，并将螺旋线形的电阻加热棒201两端
通过导线与电源的正负极相连接。其螺旋线形的电阻加热棒201能够使得加热盘体2受热更
加均匀。同时，还在加热盘体2的上表面设置有覆盖盘202，加热盘体2的边缘侧面设置有边
缘环203，该覆盖盘202和边缘环203均由氮化铝材料制成，其覆盖版的材质为氮化铝，保护
热盘表面免受工艺环境损伤；同时其边缘环203安装在加热件外边缘，用于保护加热器边缘
不被工艺反应损伤。同时，还在装置基座1的侧壁上端开设有机械手臂伸入口103，并在位于
机械手臂伸入口103对侧的装置基座1上连接有气体泵出接头104，气体泵出接头104与外界
的耐腐蚀气泵(图中未画出)相连接。

[0060] 在加热盘体2上开设有若干顶针孔204，具体顶针孔204的数量可设置为3～6个，本实施例中将其设置成四个，并且四个顶针孔204呈环形阵列设置。顶针孔204贯穿加热盘体2
和覆盖盘202设置，在每个顶针孔204中均活动设置有一个顶针205。在加热盘体2的下表面
圆心处连接有立式转轴3，立式转轴3中套设有升降环4，具体地其升降环4包括下端的空心
环体401和上端的倒锥形罩402，倒锥形罩402的上端面与四个呈环形阵列设置的顶针205处
于同一环形面上设置。

[0061] 在装置基座1的下端旁侧设置有用于驱动加热盘体2上升或下降的加热升降组件5。具体地，其加热升降组件5的结构可参考附图2和附图4，其包括一个竖向设置的丝杆501，
丝杆501的下端设置用于驱动丝杆501转动的驱动电机(图中未画出)，将立式转轴3的下端
固定连接有与丝杆501相配合的连接块502，连接块502中开设有与丝杆501相配合的螺纹孔
5021，装置基座1的下端还连接有用于用于安装加热升降组件5的支撑架503，通过驱动电机
驱动丝杆501转动，并通过其与螺纹孔5021的之间的作用能够使得立式转轴3上下移动，从
而实现加热盘体2、升降环4的上下移动。

[0062] 另外，还在装置基座1的上表面设置有与沉积内腔101上端相配合的气盘6，位于气盘6外缘的装置基座1上设置有与气盘6相配合的密封盖板7，密封盖板7的一端部连接有L型
压紧板701，L型压紧板701的朝向气盘6的上表面中心处设置，且L型压紧板701端部的下表
面连接有压紧块702，压紧块702作用于气盘6的上表面中心处并将气盘6压紧，并在，L型压
紧板701的上表面一端部还连接有受压拉手703。还在密封盖板7上表面的其他拐角设置有
辅助压紧件8；具体地其辅助压紧件8包括一个固定设置在L型压紧板701的销轴，销轴上转
动设置有一个转动套801，转动套801的侧面连接有旋转臂802，旋转臂802与气盘6的上表面
相抵接。

[0063] 本实施例2还在装置基座1的下端设置有驱动加热盘体2和立式转轴3旋转的转动组件。具体地，其转动组件包括设置在立式转轴3下方的伺服电机(图中未画出)和与立式转
轴3固定连接有传动升降套9，并在传动升降套9的下表面开设有非圆形的传动滑动腔901，
其传动滑动腔901的截面形状可设置成正六边形。在伺服电机的输出轴端部连接有与传动
滑动腔901相配合的转柱(图中未画出)；通过转柱与传动滑动腔901之间的作用，其立式转
轴3可以沿转柱上下移动，同时其伺服电机带动转柱转动时，其立式转轴3和上方的加热盘
体也能随之转动，从而实现旋转碳化硅CVD的工艺过程。

[0064] 使用本发明中实施例1公开的碳化硅CVD工艺腔体装置对碳化硅基体进行化学气相沉积的方法如下：

[0065] 步骤1：首先使用外部的继续手臂将待处理的碳化硅基体从机械手臂(图中未标出)伸入口103伸入沉积内腔101中，此时通过加热升降组件5将若干个顶针205同时顶起，从
而将碳化硅基体放在若干个顶针205的上端；

[0066] 步骤2：接着，当机械手臂从伸入口103中撤离时通过加热升降组件5使得顶针205下降，并将碳化硅基体置于加热盘体2的上表面；

[0067] 步骤3：随后，启动加热盘体2中的电阻加热棒201对加热盘体2进行加热，从而实现对碳化硅基体的升温，接着通过气盘6中的气孔向沉积内腔101中注入足够的反应气体，反
应一段时间后，断开电阻加热棒201和停止注入反应气体；

[0068] 步骤4：紧接着，启动外界的耐腐蚀气泵，从气体泵出接头104中将多余的反应气体抽走；

[0069] 步骤5：最后，抽完反应气体后，通过加热升降组件驱动顶针205上升将反应后的碳化硅基体抬高，机械手臂再次从伸入机械手臂伸入口103中取走碳化硅基体，整个碳化硅基
体的化学气相沉积过程结束。

[0070] 以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。