一种显示面板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了显示面板及其制备方法、显示装置，制备方法包括制备发光二极管的外延结构，外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层；在外延结构中制备光线阻隔结构、第一电极和第二电极；光线阻隔结构限定发光二极管的至少一个设置边界；第一电极与第一类型半导体层电连接；第二电极与第二类型半导体层电连接；提供驱动背板，驱动背板包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；电连接第一电极与第一电极连接端子，电连接第二电极与第二电极连接端子，得到显示面板。如此可以降低发光二极管的外延结构与驱动背板对位难度；同时降低相邻发光二极管之间的串扰，提升显示效果。

权利要求

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层；

在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，在所述第二类型半导体层远离所述衬底一侧的表面制备第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少一个设置边界；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接；所述第二电极与所述第二类型半导体层电连接；

提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；

电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，包括：

在所述外延结构中制备多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一凹槽至少限定所述发光二极管的第一设置边界和第二设置边界，所述第一设置边界和所述第二设置边界相互连接；所述第一凹槽贯穿所述第二类型半导体层、所述发光材料层和所述第一类型半导体层，所述第二凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层；

在所述第一凹槽内制备光线阻隔结构，在所述第二凹槽内制备第一电极；所述光线阻隔结构与所述第二类型半导体层、所述发光材料层和所述第一类型半导体层绝缘；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接，与所述第二类型半导体层和所述发光材料层绝缘。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽限定所述发光二极管的每个设置边界，且所述第一凹槽在所述第二类型半导体层上的正投影为环形。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述第一凹槽内制备光线阻隔结构，在所述第二凹槽内制备第一电极，包括：采用同种工艺，在所述第一凹槽和所述第二凹槽内填充绝缘材料；

采用同种工艺，刻蚀所述第一凹槽内的所述绝缘材料和所述第二凹槽内的所述绝缘材料；在所述第一凹槽内得到第一绝缘结构，所述第一绝缘结构覆盖所述第一凹槽的侧壁；在所述第二凹槽内得到第二绝缘结构，所述第二绝缘结构覆盖所述第二凹槽中与所述发光材料层以及所述第二类型半导体层对应部分的侧壁；

在所述第一绝缘结构限定的空间内制备光线阻隔结构，在所述第二绝缘结构限定的空间内制备第一电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，在所述第一绝缘结构限定的空间内制备光线阻隔结构，包括：

采用滴入方式，在所述第一绝缘结构限定的空间内滴入散射金属粒子，所述散射金属粒子包括纳米银粒子以及纳米铝粒子中的至少一种；

在所述第二绝缘结构内限定的空间内制备第一电极，包括：采用滴入方式，在所述第二绝缘结构内限定的空间内滴入导电金属粒子，所述导电金属粒子包括金粒子以及锡粒子中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，包括：

在所述外延结构中制备多个第三凹槽，所述第三凹槽限定所述发光二极管的至少一个设置边界；所述第三凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层；

在所述第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，所述第一金属分部与所述第一类型半导体层电连接，所述第二金属分部与所述发光材料层和所述第二类型半导体层绝缘；所述第一金属分部和所述第二金属分部同时作为所述光线阻隔结构和所述第一电极。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，包括：在所述第三凹槽靠近所述衬底的一侧制备所述第一金属分部；

在所述第一金属分部远离所述衬底的一侧制备所述第二金属分部；所述第二金属分部与所述第一金属分部材料不同。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属分部和所述第二金属分部材料相同且一体制备。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，包括：在所述第三凹槽内填充绝缘材料；

刻蚀所述第三凹槽内的所述绝缘材料，得到第三绝缘结构；所述第三绝缘结构暴露所述第一类型半导体层，且覆盖所述第三凹槽中与所述发光材料层以及所述第二类型半导体层对应部分的侧壁；

在所述第三绝缘结构限定的空间内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第三凹槽限定所述发光二极管的每个设置边界；且所述第三凹槽在所述第二类型半导体层上的正投影为环形。

11.根据权利要求1‑10任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在所述外延结构远离所述驱动背板的一侧制备色转换层。

12.一种显示面板，采用权利要求1‑11任一项所述的制备方法制备得到；其特征在于，包括：

驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；

位于所述驱动背板一侧的发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层；

位于所述外延结构中的光线阻隔结构和第一电极，位于所述第二类型半导体层朝向所述驱动背板一侧表面的第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少一个设置边界；所述第一电极的一端与所述第一类型半导体层电连接，所述第一电极的另一端与所述第一电极连接端子电连接；所述第二电极的一端与所述第二类型半导体层电连接，所述第二电极的另一端与所述第二电极连接端子电连接；

所述显示面板还包括：

多个第三凹槽，所述第三凹槽限定所述发光二极管的至少一个设置边界；所述第三凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层；

位于所述第三凹槽内的第三绝缘结构，所述第三绝缘结构暴露所述第一类型半导体层，且覆盖所述第三凹槽中与所述发光材料层以及所述第二类型半导体层对应部分的侧壁；

位于所述第三绝缘结构限定的空间内，且电连接的第一金属分部和第二金属分部，所述第一金属分部与所述第一类型半导体层电连接，所述第二金属分部与所述发光材料层和所述第二类型半导体层绝缘；所述第一金属分部和所述第二金属分部同时作为所述光线阻隔结构和所述第一电极。

13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括：多个第一凹槽和多个第二凹槽；所述第一凹槽至少限定所述发光二极管的第一设置边界和第二设置边界，所述第一设置边界和所述第二设置边界相互连接；所述第一凹槽贯穿所述第二类型半导体层、所述发光材料层和所述第一类型半导体层，所述第二凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层；

位于所述第一凹槽内的第一绝缘结构，所述第一绝缘结构覆盖所述第一凹槽的侧壁；

位于所述第二凹槽内的第二绝缘结构，所述第二绝缘结构覆盖所述第二凹槽中与所述发光材料层以及所述第二类型半导体层对应部分的侧壁；

位于所述第一绝缘结构限定空间内的光线阻隔结构，位于所述第二绝缘结构限定空间内的第一电极。

14.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括色转换层，所述色转换层位于所述外延结构远离所述驱动背板的一侧。

15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12‑14任一项所述的显示面板。

说明书

一种显示面板及其制备方法、显示装置

技术领域

[0001] 本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。

背景技术

[0002] Micro‑LED(微发光二极管)是新型显示技术，和现有的OLED(有机发光二极管)显示相比，亮度更高、发光效率更好，并且Micro‑LED体积较小，可以采用Micro‑LED实现透明
显示。

[0003] 对于现有设计，单个Micro‑LED与驱动背板独立绑定，相对应的要多次进行电极对位，工艺难度高，工作效率低。另外，由于发光颜色不同的Micro‑LED之间的光容易出现串
扰，影响显示效果。

发明内容

[0004] 本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，采用整面外延结构的制备工艺，整面外延结构与驱动背板只需一次绑定，降低绑定难度；同时在整面外延结构中制备光
线阻隔结构，提高光利用率的同时降低相邻两个发光二极管之间的串扰。

[0005] 第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：

[0006] 制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层；

[0007] 在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，在所述第二类型半导体层远离所述衬底一侧的表面制备第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少一个设
置边界；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接；所述第二电极与所述第二类型半
导体层电连接；

[0008] 提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；

[0009] 电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

[0010] 第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，该显示面板采用第一方面提供的制备方法制备得到；

[0011] 显示面板包括：

[0012] 驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；

[0013] 位于所述驱动背板一侧的发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层；

[0014] 位于所述外延结构中的光线阻隔结构和第一电极，位于所述第二类型半导体层朝向所述驱动背板一侧表面的第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少一个
设置边界；所述第一电极的一端与所述第一类型半导体层电连接，所述第一电极的另一端
与所述第一电极连接端子电连接；所述第二电极的一端与所述第二类型半导体层电连接，
所述第二电极的另一端与所述第二电极连接端子电连接。

[0015] 第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括第二方面提供的显示面板。

[0016] 本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过制备整面的发光二极管的外延结构，整面设置的外延结构中设置有多个第一电极和第二电极，第一电极与驱动背板中的第
一电极连接端子对应，第二电极与驱动背板中的第二电极连接端子对应，如此通过一次绑
定连接即可实现多个发光二极管与驱动背板之间的绑定连接，降低绑定工艺难度，提升制
备效率。进一步的，整面设置的外延结构中设置有光线阻隔结构，光线阻隔结构限定发光二
极管的至少一个设置边界，通过光线阻隔结合可以阻隔至少部分光线，降低相邻两个发光
二极管之间的光串扰，提升显示效果。

附图说明

[0017] 图1是相关技术中一种显示面板的结构示意图；

[0018] 图2是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；

[0019] 图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；

[0020] 图4‑图9是图3提供的制备方法对应的工艺流程示意图；

[0021] 图10是本发明实施例提供的一种外延结构的俯视结构示意图；

[0022] 图11是本发明实施例提供的另一种外延结构的俯视结构示意图；

[0023] 图12是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；

[0024] 图13‑图21是图12提供的制备方法对应的工艺流程示意图；

[0025] 图22是本发明实施例提供的另一种外延结构的俯视结构示意图；

[0026] 图23是本发明实施例提供的另一种外延结构的俯视结构示意图；

[0027] 图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图；

[0028] 图25是本发明实施例提供的制备色转换层的示意图；

[0029] 图26是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。

具体实施方式

[0030] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便
于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

[0031] 图1是相关技术中一种显示面板的结构示意图，如图1所示，显示面板10包括驱动背板11和多个发光二极管12，驱动背板11上设置有电极连接端子，发光二极管12上设置有
电极，在将发光二极管12与驱动背板11绑定时，需要每个发光二极管12中电极和与其对应
的电极连接端子对位绑定，绑定工艺复杂工艺难度高，工作效率低。另外，由于发光颜色不
同的发光二极管之间的光容易出现串扰，影响显示效果

[0032] 基于上述技术问题，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括：制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材
料层和第二类型半导体层；在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，在所述第二
类型半导体层远离所述衬底一侧的表面制备第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二
极管的至少一个设置边界；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接；所述第二电极
与所述第二类型半导体层电连接；提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动
电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子；电连接所述第一电极与所述第一电极
连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。采用上述技术方
案，通过制备整面的发光二极管的外延结构，整面设置的外延结构中设置有多个第一电极
和第二电极，第一电极与驱动背板中的第一电极连接端子对应，第二电极与驱动背板中的
第二电极连接端子对应，如此通过一次绑定连接即可实现多个发光二极管与驱动背板之间
的绑定连接，降低绑定工艺难度，提升制备效率。进一步的，整面设置的外延结构中设置有
光线阻隔结构，光线阻隔结构限定发光二极管的至少一个设置边界，通过光线阻隔结合可
以阻隔至少部分光线，降低相邻两个发光二极管之间的光串扰，提升显示效果。

[0033] 以上是发明实施例的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在
没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

[0034] 图2是本发明实施例提供的一种显示面的制备方法的流程示意图，如图2所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

[0035] S110、制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层。

[0036] 示例性的，外延结构保证整层设置且依次叠层的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层，其中，第一类型半导体层可以为P型半导体层，第二类型半导体
层可以为N型半导体层；或者，第一类型半导体层可以为N型半导体层，第二类型半导体层可
以为P型半导体层，本发明实施例对此不进行限定。

[0037] S120、在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，在所述第二类型半导体层远离所述衬底一侧的表面制备第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少
一个设置边界；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接；所述第二电极与所述第二
类型半导体层电连接。

[0038] 示例性的，光线阻隔结构贯穿外延结构，且光线阻隔结构限定发光二极管的至少一侧设置边界，用于至少部分阻隔相邻两个发光二极管发出的光。

[0039] 第一电极与P型半导体层电连接，作为发光二级管的阳极；第二电极与N型半导体层电连接，作为发光二极管的阴极。

[0040] 并且，由于光线阻隔结构贯穿外延结构，因此在实际制备光线阻隔结构的时候，需要首先在外延结构中制备贯穿外延结构的凹槽，之后在凹槽中制备光线阻隔结构。并且，由
于第一电极需要与第一类型半导体层电连接，因此在实际制备第一电极的时候，需要首先
在外延结构中制备至少贯穿第二类型半导体层和发光材料层的凹槽，之后在凹槽中制备第
一电极。并且，光线阻隔结构的凹槽与制备第一电极的凹槽可以在同一工艺制备。

[0041] S130、提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子。

[0042] 示例性的，驱动电路层可以包括驱动电路以及与驱动电路电连接的第一电极连接端子和第二电极连接端子，驱动电路可以通过第一电极连接端子与第一电极电连接，通过
第二电极连接端子与第二电极电连接。

[0043] 进一步的，驱动电路可以为常规的2T1C电路或者7T1C电路，这里的“T”指的是薄膜晶体管，“C”指的是电容，本发明实施例对驱动电路的具体结构不进行限定。第一电极连接
端子和第二电极连接电子可以同层设置，例如共同设置在共晶层中。

[0044] S140、电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

[0045] 示例性的，绑定连接第一电极和第一电极连接端子，绑定连接第二电极和第二电极连接端子，保证驱动电路提供的驱动信号可以分别经第一电极连接端子和第二电极连接
电子传输至发光二极管，保证发光二极管正常发光。

[0046] 综上，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过制备整面的发光二极管的外延结构，整面设置的外延结构中设置有多个第一电极和第二电极，第一电极与驱动背板
中的第一电极连接端子对应，第二电极与驱动背板中的第二电极连接端子对应，如此通过
一次绑定连接即可实现多个发光二极管与驱动背板之间的绑定连接，降低绑定工艺难度，
提升制备效率。进一步的，整面设置的外延结构中设置有光线阻隔结构，光线阻隔结构限定
发光二极管的至少一个设置边界，通过光线阻隔结合可以阻隔至少部分光线，降低相邻两
个发光二极管之间的光串扰，提升显示效果。

[0047] 在上述实施例的基础上，下面以两种具体的实施方式，详细说明本发明实施例提供的显示面板的制备方法。

[0048] 首先以光线阻隔结构和第一电极独立设置为例进行说明。

[0049] 作为一种可行的实施方式，图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图4‑图9是图3提供的制备方法对应的工艺流程示意图，结合图3‑图9所
示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

[0050] S210、制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层。

[0051] 如图4所示，发光二极管的外延结构21包括整层设置且依次叠层设置的衬底211、第一类型半导体层212、发光材料层213和第二类型半导体层214，第一类型半导体层212可
以为P型半导体层，第二类型半导体层214可以为N型半导体层；或者，第一类型半导体层212
可以为N型半导体层，第二类型半导体层214可以为P型半导体层，本发明实施例对此不进行
限定。

[0052] S220、在所述外延结构中制备多个第一凹槽和多个第二凹槽，所述第一凹槽至少限定所述发光二级管的第一设置边界和第二设置边界，所述第一设置边界和所述第二设置
边界相互连接；所述第一凹槽贯穿所述第二类型半导体层、所述发光材料层和所述第一类
型半导体层，所述第二凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层。

[0053] 如图5所示，在外延结构21中制备多个第一凹槽215和多个第二凹槽216，第一凹槽215和第二凹槽216的设置位置与显示面板的像素分布相关，这里不进行具体限定。其中，第
一凹槽215贯穿第二类型半导体层214、发光材料层213和第一类型半导体层212，第一凹槽
215的底部截止在衬底211与第一类型半导体层212的交界面或者截止在衬底211内，本发明
实施例对此不进行限定。第二凹槽216至少贯穿第二类型半导体层214和发光材料层213，第
二凹槽216的底部截止在第一类型半导体层212与发光材料层213的交界面或者截止在第一
类型半导体层212内，本发明实施例对此不进行限定。

[0054] 进一步的，第一凹槽215至少限定发光二级管217的两个相互连接的边界，例如限定发光二极管217的第一设置边界和第二设置边界，且第一设置边界和第二设置边界相互
连接，如此当在第一凹槽215中设置光线阻隔结构之后，光线阻隔结构可以阻隔相邻两个发
光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示效果。

[0055] S230、在所述第一凹槽内制备光线阻隔结构，在所述第二凹槽内制备第一电极；所述光线阻隔结构与所述第二类型半导体层、所述发光材料层和所述第一类型半导体层绝
缘；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接，与所述第二类型半导体层和所述发光
材料层绝缘。

[0056] 具体的，在第一凹槽内制备光线阻隔结构，在第二凹槽内制备第一电极，可以包括：

[0057] 采用同种工艺，在第一凹槽和第二凹槽内填充绝缘材料；

[0058] 采用同种工艺，刻蚀第一凹槽内的绝缘材料和第二凹槽内的绝缘材料；在第一凹槽内得到第一绝缘结构，第一绝缘结构覆盖第一凹槽的侧壁；在第二凹槽内得到第二绝缘
结构，第二绝缘结构覆盖第二凹槽中与发光材料层以及第二类型半导体层对应部分的侧
壁；

[0059] 在第一绝缘结构限定的空间内制备光线阻隔结构，在第二绝缘结构限定的空间内制备第一电极。

[0060] 示例性的，如图6所示，采用同种工艺，例如化学气象沉积或者物理气象沉积工艺，在第一凹槽215和第二凹槽216中沉积绝缘材料218，绝缘材料218可以为无机绝缘材料。

[0061] 如图7所示，采用同种工艺，例如电子束曝光的方式，刻蚀第一凹槽内215的绝缘材料218和第二凹槽216内的绝缘材料218；在第一凹槽215内得到第一绝缘结构219，第一绝缘
结构219覆盖第一凹槽215的侧壁；在第二凹槽216内得到第二绝缘结构220，第二绝缘结构
220覆盖第二凹槽216中与发光材料层213以及第二类型半导体层214对应部分的侧壁。

[0062] 如图8所示，在第一绝缘结构219限定的空间内制备光线阻隔结构221，光线阻隔结构221分别与第二类型半导体层214、发光材料层213和第一类型半导体层212绝缘设置；在
第二绝缘结构220内限定的空间内制备第一电极222，第一电极分别与第二类型半导体层
214的发光材料层213绝缘，与第一类型半导体层212电连接。

[0063] 进一步的，在第一绝缘结构219限定的空间内制备光线阻隔结构221，可以包括：

[0064] 采用滴入方式，在第一绝缘结构219限定的空间内滴入散射金属粒子，散射金属粒子包括纳米银粒子以及纳米铝粒子中的至少一种。

[0065] 散射金属粒子作为光线阻隔结构，不仅可以阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示效果；同时由于散射金属粒子可以反射发光二极管217发出的光至
发光二极管的出光面，因此可以进一步提升发光二极管的出光效率，提高光利用率，节省显
示面板功耗。

[0066] 进一步的，在第二绝缘结构220内限定的空间内制备第一电极222，可以包括：

[0067] 采用滴入方式，在第二绝缘结构220内限定的空间内滴入导电金属粒子，导电金属粒子包括金粒子以及锡粒子中的至少一种。

[0068] 由于金粒子以及锡粒子的导电率高，导热率高，设置金粒子以及锡粒子中的至少一种作为第一电极222的制备材料，可以保证显示信号在第一电极上的损耗小，保证发光二
极管的发光效果良好。

[0069] 继续参考图8所示，所述制备方法还包括：

[0070] 在第二类型半导体层214远离衬底211一侧的表面制备第二电极223，其中第二电极223与第一电极222可以采用同种工艺、同种材料、同时制备，即第二电极223可以包括金
粒子以及锡粒子中的至少一种，由于金粒子以及锡粒子的导电率高，导热率高，设置金粒子
以及锡粒子中的至少一种作为第二电极223的制备材料，可以保证显示信号在第二电极223
上的损耗小，保证发光二极管的发光效果良好。

[0071] S240、提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子。

[0072] S250、电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

[0073] 如图9所示，提供驱动背板22，驱动背板22包括驱动电路以及与驱动电路电连接的第一电极连接端子和第二电极连接端子(图中未示出)，驱动电路可以通过第一电极连接端
子与第一电极电连接，通过第二电极连接端子与第二电极电连接，保证驱动电路提供的驱
动信号可以分别经第一电极连接端子和第二电极连接电子传输至发光二极管，保证发光二
极管正常发光。

[0074] 进一步的，电连接第一电极与第一电极连接端子，电连接第二电极与第二电极连接端子之后，所述制备方法还包括：

[0075] 如图9所示，去除衬底。

[0076] 由于最终得到的显示面板中不包括位于出光一侧的衬底，在完成绑定之后还需要出去衬底，保证显示面板正常出光。

[0077] 进一步的，图10是本发明实施例提供的一种外延结构的俯视结构示意图，图11是本发明实施例提供的另一种外延结构的俯视结构示意图，如图10和图11所示，第一凹槽215
至少限定发光二级管217的两个相互连接的边界，且第一凹槽215在第二类型半导体层214
上的正投影为环形，发光二极管217位于环形区域内，如此第一凹槽215可以完全包围发光
二极管217，当在第一凹槽215中设置光线阻隔结构之后，光线阻隔结构可以完全阻隔相邻
两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示效果。举例来说，第一凹槽215的形状
可以为“L”型，第一凹槽215限定发光二级管217相互连接的第一设置边界和第二设置边界；
又例如第一凹槽215的形状为“U”型，第一凹槽215限定发光二级管217的三个设置边界；又
例如第一凹槽215的形状为“口”型，第一凹槽215限定发光二极管217的每个设置边界，本发
明实施例对此不进行限定。图10和图11仅以第一凹槽215限定发光二级管217的每个设置边
界，且第一凹槽215在衬底211上的正投影为环形为例进行说明，如此不仅可以完全阻隔相
邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示效果，还可以避免相邻两个发光二
极管之间的半导体层相互连接造成的短路问题，保证不同发光二极管独立工作，独立显示。

[0078] 需要说明的是，图10和图11仅以两种可能的设置方式说明了光学阻隔结构的具体形状，本发明实施例对光线阻隔结构的具体形状不进行限定。

[0079] 综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过在整层设置的外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，且光线阻隔结构与第一电极独立设置，独立制备，在保
证对位绑定工艺简单、发光二极管相互光串扰小之外，保证光线阻隔结构和第一电极独立
性高，无论制备阶段还是工作阶段，不会相互影响，保证显示面板稳定性良好；同时由于光
线阻隔结构和第一电极的作用不同，光线阻隔结构和第一电极采用不同的材料独立制备，
保证可以兼顾光线阻隔结构具备良好的光线阻隔效果以及第一电极具备良好导电导热效
果，保证光线阻隔结构和第一电极均具备良好性能。在此基础上，进一步限定第一凹槽和第
二凹槽同工艺制备，在同一掩模工序下即可完成，保证第一凹槽和第二凹槽制备工艺简单，
制备效率高。进一步的，第一凹槽以及第一凹槽内的光线阻隔结构在第二类型半导体层上
的正投影为环形，如此可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提升显示面板的
显示效果，还可以避免相邻两个发光二极管之间的半导体层相互连接造成的短路问题，保
证不同发光二极管独立工作，独立显示。

[0080] 接下来以光线阻隔结构和第一电极相互复用为例进行说明。

[0081] 作为一种可行的实施方式，图12是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，图13‑图18是图12提供的制备方法对应的工艺流程示意图，结合图12‑图
18所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

[0082] S310、制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层。

[0083] 继续参考图4所示，发光二极管的外延结构21包括整层设置且依次叠层设置的衬底211、第一类型半导体层212、发光材料层213和第二类型半导体层214，第一类型半导体层
212可以为P型半导体层，第二类型半导体层214可以为N型半导体层；或者，第一类型半导体
层212可以为N型半导体层，第二类型半导体层214可以为P型半导体层，本发明实施例对此
不进行限定。

[0084] S320、在所述外延结构中制备多个第三凹槽，所述第三凹槽限定所述发光二极管的至少一个设置边界；所述第三凹槽至少贯穿所述第二类型半导体层和所述发光材料层。

[0085] 如图13所示，在外延结构21中制备多个第三凹槽224，第三凹槽224的设置位置与显示面板的像素分布相关，这里不进行具体限定。由于外延结构21中的主要发光层为发光
材料层213，因此，第三凹槽224至少需要贯穿第二类型半导体层214和发光材料层213，图13
一第三凹槽224贯穿第二类型半导体层214、发光材料层213以及第一类型半导体层212为例
进行说明。

[0086] 进一步的，第三凹槽224至少限定发光二级管217的至少一个设置边界，如此当在第三凹槽224中设置光线阻隔结构之后，光线阻隔结构可以阻隔相邻两个发光二极管之间
的光串扰，提供显示面板的显示效果。

[0087] S330、在所述第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，所述第一金属分部与所述第一类型半导体层电连接，所述第二金属分部与所述发光材料层和所
述第二类型半导体层绝缘；所述第一金属分部和所述第二金属分部同时作为所述光线阻隔
结构和所述第一电极。

[0088] 具体的，在所述第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，可以包括：

[0089] 在第三凹槽内填充绝缘材料；

[0090] 刻蚀第三凹槽内的绝缘材料，得到第三绝缘结构；第三绝缘结构暴露第一类型半导体层，且覆盖第三凹槽中与发光材料层以及第二类型半导体层对应部分的侧壁；

[0091] 在第三绝缘结构限定的空间内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部。

[0092] 示例性的，如图14所示，在第三凹槽224填充绝缘材料218，绝缘材料218可以为无机绝缘材料。

[0093] 如图15所示，可以采用电子束曝光的方式，刻蚀第三凹槽224内的绝缘材料，得到第三绝缘结构225；第三绝缘结构225暴露第一类型半导体层212，且覆盖第三凹槽224中与
发光材料层213以及第二类型半导体层214对应部分的侧壁。

[0094] 如图16所示，在第三绝缘结构225限定的空间内制备相互电连接的第一金属分部226和第二金属分部227，其中第一金属分部226与第一类型半导体层212电连接，第二金属
分部227与发光材料层213以及第二类型半导体层214绝缘，第一金属分部226和第二金属分
部227同时作为光线阻隔结构221和第一电极222，如此可以节省开槽面积，显示面板中更多
的区域可以用来设置发光二极管，有利于提升显示面板的像素分辨率。

[0095] 继续参考图16所示，所述制备方法还包括：

[0096] 在第二类型半导体层214远离衬底211一侧的表面制备第二电极223，第二电极223作为发光二极管217的阴极，保证发光二极管217正常发光。

[0097] 需要说明的是，在第三凹槽呢制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，第一金属分部和第二金属分部的材料可以相同，也可以不同，下面将分别对该两种情况进
行说明。

[0098] 首先对第一金属分部和第二金属分部的材料不同为例进行说明。

[0099] 在第三凹槽内制备相互电连接的第一金属分部和第二金属分部，可以包括：

[0100] 在第三凹槽224靠近衬底21的一侧制备第一金属分部226；

[0101] 在第一金属分部226远离衬底21的一侧制备第二金属分部227；第二金属分部227与第一金属分部226材料不同。

[0102] 作为一种可行的实施方式，继续参考图16所示，第一金属分部226例如可以包括导电金属粒子包括金粒子以及锡粒子中的至少一种，由于金粒子以及锡粒子的导电率高，导
热率高，设置金粒子以及锡粒子中的至少一种作为第一金属分部226，与第一类型半导体层
212电连接，保证电连接效果好，可以保证显示信号第一金属分部226上的损耗小，保证发光
二极管的发光效果良好。

[0103] 第二金属分部227由于仅起到传输驱动信号以及防止光串扰的目的，第二金属分部227例如可以包括散射金属粒子，例如包括纳米银粒子以及纳米铝粒子中的至少一种。散
射金属粒子作为光线阻隔结构，不仅可以阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显
示面板的显示效果；同时由于散射金属粒子可以反射发光二极管217发出的光至发光二极
管的出光面，因此可以进一步提升发光二极管的出光效率，提供光利用率，节省显示面板功
耗；并且纳米银粒子或者纳米铝粒子相比金粒子来说成本较低，可以降低显示面板的成本。

[0104] 作为另一种可行的实施方式，参考图17所示，第一金属分部226例如可以包括纳米银粒子以及纳米铝粒子中的至少一种，第二金属分部227例如可以包括导电金属粒子包括
金粒子以及锡粒子中的至少一种，此时第一金属分部226结合第二金属分部227，同样可以
起到传输驱动信号以及防止光串扰的目的。并且，继续参考图17所示，由于制备方法还包括
在第二类型半导体层214远离衬底211一侧的表面制备第二电极223，当第二金属分部227包
括导电金属粒子，例如包括金粒子以及锡粒子中的至少一种时，第二金属分部227与第二电
极223可以采用相同的材料在同一工艺中同时制备，保证第二电极223的制备工艺简单；并
且第二电极223可以包括金粒子以及锡粒子中的至少一种，由于金粒子以及锡粒子的导电
率高，导热率高，设置金粒子以及锡粒子中的至少一种作为第二电极223的制备材料，可以
保证显示信号在第二电极223上的损耗小，保证发光二极管的发光效果良好。

[0105] 接下来对第一金属分部和第二金属分部的材料相同为例进行说明。

[0106] 具体的，如图18所示，第一金属分部226和第二金属分部227材料相同且一体制备，例如第一金属分部226和第二金属分部227均包括导电金属粒子，例如包括金粒子以及锡粒
子中的至少一种时，如此不仅保证第一金属分部226和第二金属分部227制备工艺简单，并
且由于金粒子以及锡粒子的导电率高，导热率高，设置第一金属分部226和第二金属分部
227均包括金粒子以及锡粒子中的至少一种时，保证第一金属分部226与第一类型半导体层
212的电连接效果好，可以保证显示信号第一金属分部226上的损耗小，保证发光二极管的
发光效果良好；同时还可以阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示
效果。并且，继续参考图18所示，由于制备方法还包括在第二类型半导体层214远离衬底211
一侧的表面制备第二电极223，当第一金属分部226和第二金属分部227材料相同且一体制
备，例如第一金属分部226和第二金属分部227均包括导电金属粒子，例如包括金粒子以及
锡粒子中的至少一种时，第二金属分部227与第二电极223可以采用相同的材料在同一工艺
中同时制备，保证第二电极223的制备工艺简单；并且第二电极223可以包括金粒子以及锡
粒子中的至少一种，由于金粒子以及锡粒子的导电率高，导热率高，设置金粒子以及锡粒子
中的至少一种作为第二电极223的制备材料，可以保证显示信号在第二电极223上的损耗
小，保证发光二极管的发光效果良好。

[0107] S340、提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子。

[0108] S350、电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

[0109] 如图19、图20和图21所示，提供驱动背板22，驱动背板22包括驱动电路以及与驱动电路电连接的第一电极连接端子和第二电极连接端子(图中未示出)，驱动电路可以通过第
一电极连接端子与第一电极电连接，通过第二电极连接端子与第二电极电连接，保证驱动
电路提供的驱动信号可以分别经第一电极连接端子和第二电极连接电子传输至发光二极
管，保证发光二极管正常发光。

[0110] 进一步的，电连接第一电极与第一电极连接端子，电连接第二电极与第二电极连接端子之后，所述制备方法还包括：

[0111] 如图19、图20和图21所示，去除衬底。

[0112] 由于最终得到的显示面板中不包括位于出光一侧的衬底，在完成绑定之后还需要除去衬底，保证显示面板正常出光。

[0113] 进一步的，图22是本发明实施例提供的一种外延结构的俯视结构示意图，图22所示的俯视结构示意图例如可以对应图17或者图18所示的俯视示意图，如图22所示，第三凹
槽224至少限定发光二级管217的两个相互连接的边界，且第三凹槽224在第二类型半导体
层214上的正投影为环形，发光二极管217位于环形区域内，如此第三凹槽224可以完全包围
发光二极管217，当在第三凹槽224中设置第一金属分部和第二金属分部之后，第一金属分
部和第二金属分部可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示
效果。举例来说，第三凹槽224的形状可以为“L”型，第三凹槽224限定发光二级管217相互连
接的第一设置边界和第二设置边界；又例如第三凹槽224的形状为“U”型，第三凹槽224限定
发光二级管217的三个设置边界；又例如第三凹槽224的形状为“口”型，第三凹槽224限定发
光二极管217的每个设置边界，本发明实施例对此不进行限定。图22仅以第三凹槽224限定
发光二级管217的每个设置边界，且第三凹槽224在衬底211上的正投影为环形为例进行说
明，如此不仅可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面板的显示效果，
还可以避免相邻两个发光二极管之间的半导体层相互连接造成的短路问题，保证不同发光
二极管独立工作，独立显示。

[0114] 进一步的，图23是本发明实施例提供的另一种外延结构的俯视结构示意图，如图23所示，第三凹槽224可以仅限定发光二极管217的一个设置边界，如图23所示，设置于第三
凹槽224内的第一金属分部和第二金属分部可以阻隔相邻两列发光二极管之间的光串扰，
同时同一列发光二极管的发光颜色可以相同，不会相互串扰，如此设置同样可以保证显示
面板正常显示。

[0115] 综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制备方法，通过在整层设置的外延结构中制备第三凹槽，同时在第三凹槽中制备第一金属分部和第二金属分部，第一金属分部
和第二金属分部同时作为光线阻隔结构和第一电极，在保证对位绑定工艺简单、发光二极
管相互光串扰小之外，减少开槽数量，减小开槽面积，增加发光二极管的设置区域，有利于
提升显示面板的像素分辨率；同时根据不同的需求，可以设置第一金属分部和第二金属分
部采用相同或者不同的材料，保证第一金属分部和第二金属分部工艺灵活。进一步的，第三
凹槽在第二类型半导体层上的正投影为环形，如此可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间
的光串扰，提升显示面板的显示效果，还可以避免相邻两个发光二极管之间的半导体层相
互连接造成的短路问题，保证不同发光二极管独立工作，独立显示；或者，可以根据特殊显
示需求，设置第三凹槽仅限定发光二极管的一个设置边界，即满足相邻发光二极管光串扰
的问题，同时又与特殊显示需求结合，保证第三凹槽设置方式简单。

[0116] 在上述实施例的基础上，图24是本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法的流程示意图，如图24所示，本发明实施例提供的显示面板的制备方法包括：

[0117] S410、制备发光二极管的外延结构，所述外延结构包括依次叠层设置的衬底、第一类型半导体层、发光材料层和第二类型半导体层。

[0118] S420、在所述外延结构中制备光线阻隔结构和第一电极，在所述第二类型半导体层远离所述衬底一侧的表面制备第二电极；所述光线阻隔结构限定所述发光二极管的至少
一个设置边界；所述第一电极与所述第一类型半导体层电连接；所述第二电极与所述第二
类型半导体层电连接。

[0119] S430、提供驱动背板，所述驱动背板包括驱动电路层，所述驱动电路层包括第一电极连接端子和第二电极连接端子。

[0120] S440、电连接所述第一电极与所述第一电极连接端子，电连接所述第二电极与所述第二电极连接端子，得到显示面板。

[0121] S450、在所述外延结构远离所述驱动背板的一侧制备色转换层。

[0122] 示例性的，图25是本发明实施例提供的制备色转换层的示意图，如图25所示，由于外延结构21包括整层设置的第一类型半导体层212、发光材料层213以及第二类型半导体层
214，发光材料层213可以为发出同种颜色光的发光材料层，为了实现正常显示，还需要在外
延结构21远离驱动背板22的一侧制备色转换层23，保证发光材料层213发处光经过色转换
层23之后可以实现正常显示。

[0123] 可选的，色转换层23可以为常规的彩膜层，也以为量子点彩膜，本发明实施例对此不进行限定。

[0124] 需要说明的是，可以如图24所示，在电连接第一电极与第一电极连接端子，电连接第二电极与第二电极连接端子之后，在外延结构远离驱动背板的一侧制备色转换层，也可
以在提供驱动背板之前，在外延结构远离驱动背板的一侧制备色转换层，本发明实施例对
此不进行限定。

[0125] 基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，采用上述实施例所述的显示面板的制备方法制备得到，如图9、图19、图20和图21所示，本发明实施例提供的显
示面板包括其特征在于，包括：驱动背板22，驱动背板22包括驱动电路层，驱动电路层包括
第一电极连接端子和第二电极连接端子(图中未示出)；位于驱动背板22一侧的发光二极管
的外延结构21，外延结构21包括依次叠层设置的第一类型半导体层212、发光材料层213和
第二类型半导体层214；位于外延结构21中的光线阻隔结构221和第一电极222，位于第二类
型半导体层214朝向驱动背板一侧表面的第二电极223；光线阻隔结构221限定发光二极管
的至少一个设置边界；第一电极222的一端与第一类型半导体层212电连接，第一电极222的
另一端与第一电极连接端子电连接；第二电极223的一端与第二类型半导体层214电连接，
第二电极223的另一端与第二电极连接端子电连接。

[0126] 本发明实施例提供的显示面板，发光二极管的外延结构整面设置，整面设置的外延结构中设置有多个第一电极和第二电极，第一电极与驱动背板中的第一电极连接端子对
应，第二电极与驱动背板中的第二电极连接端子对应，如此通过一次绑定连接即可实现多
个发光二极管与驱动背板之间的绑定连接，降低绑定工艺难度，提升制备效率。进一步的，
整面设置的外延结构中设置有光线阻隔结构，光线阻隔结构限定发光二极管的至少一个设
置边界，通过光线阻隔结合可以阻隔至少部分光线，降低相邻两个发光二极管之间的光串
扰，提升显示效果。

[0127] 在上述实施例的基础上，继续参考图9所示，本发明实施例提供的显示面板还包括多个第一215和多个第二凹槽216；第一凹槽215至少限定发光二级管217的第一设置边界和
第二设置边界，第一设置边界和第二设置边界相互连接；第一凹槽215贯穿第二类型半导体
层214、发光材料层213和第一类型半导体层212，第二凹槽216至少贯穿第二类型半导体层
214和发光材料层213；位于第一凹槽215内的第一绝缘结构219，第一绝缘结构219覆盖第一
凹槽215的侧壁；位于第二凹槽216内的第二绝缘结构220，第二绝缘结构220覆盖第二凹槽
216中与发光材料层213以及第二类型半导体层214对应部分的侧壁；位于第一绝缘结构219
限定空间内的光线阻隔结构221，位于第二绝缘结构220限定空间内的第一电极222。

[0128] 示例性的，第一凹槽215和第二凹槽216的设置位置与显示面板的像素分布相关，这里不进行具体限定。其中，第一凹槽215贯穿第二类型半导体层214、发光材料层213和第
一类型半导体层212，第一凹槽215的底部截止在衬底211与第一类型半导体层212的交界面
或者截止在衬底211内，本发明实施例对此不进行限定。第二凹槽216至少贯穿第二类型半
导体层214和发光材料层213，第二凹槽216的底部截止在第一类型半导体层212与发光材料
层213的交界面或者截止在第一类型半导体层212内，本发明实施例对此不进行限定。

[0129] 继续参考图10和图11所示，第一凹槽215至少限定发光二级管217的两个相互连接的边界，且第一凹槽215在第二类型半导体层214上的正投影为环形，发光二极管217位于环
形区域内，如此第一凹槽215可以完全包围发光二极管217，当在第一凹槽215中设置光线阻
隔结构之后，光线阻隔结构可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示面
板的显示效果。举例来说，第一凹槽215的形状可以为“L”型，第一凹槽215限定发光二级管
217相互连接的第一设置边界和第二设置边界；又例如第一凹槽215的形状为“U”型，第一凹
槽215限定发光二级管217的三个设置边界；又例如第一凹槽215的形状为“口”型，第一凹槽
215限定发光二极管217的每个设置边界，本发明实施例对此不进行限定。图10和图11仅以
第一凹槽215限定发光二级管217的每个设置边界，且第一凹槽215在衬底211上的正投影为
环形为例进行说明，如此不仅可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间的光串扰，提供显示
面板的显示效果，还可以避免相邻两个发光二极管之间的半导体层相互连接造成的短路问
题，保证不同发光二极管独立工作，独立显示。

[0130] 在上述实施例的基础上，继续参考图19、图20和图21所示，本发明实施例提供的显示面板还包括多个第三凹槽224，第三凹槽224限定发光二极管217的至少一个设置边界；第
三凹槽224至少贯穿第二类型半导体层214和发光材料层213；位于第三凹槽224内的第三绝
缘结构225，第三绝缘结构225暴露第一类型半导体层212，且覆盖第三凹槽224中与发光材
料层213以及第二类型半导体层214对应部分的侧壁；位于第三绝缘结构225限定的空间内，
且电连接的第一金属分部226和第二金属分部224，第一金属分部226与第一类型半导体层
212电连接，第二金属分部227与发光材料层213和第二类型半导体层214绝缘；第一金属分
部226和第二金属分部227同时作为光线阻隔结构221和第一电极222。

[0131] 示例性的，第三凹槽224的设置位置与显示面板的像素分布相关，这里不进行具体限定。由于外延结构21中的主要发光层为发光材料层213，因此，第三凹槽224至少需要贯穿
第二类型半导体层214和发光材料层213，图13一第三凹槽224贯穿第二类型半导体层214、
发光材料层213以及第一类型半导体层212为例进行说明。

[0132] 继续参考图22所示，第三凹槽224至少限定发光二级管217的两个相互连接的边界，且第三凹槽224在第二类型半导体层214上的正投影为环形，发光二极管217位于环形区
域内，如此第三凹槽224可以完全包围发光二极管217，当在第三凹槽224中设置第一金属分
部和第二金属分部之后，第一金属分部和第二金属分部可以完全阻隔相邻两个发光二极管
之间的光串扰，提供显示面板的显示效果。举例来说，第三凹槽224的形状可以为“L”型，第
三凹槽224限定发光二级管217相互连接的第一设置边界和第二设置边界；又例如第三凹槽
224的形状为“U”型，第三凹槽224限定发光二级管217的三个设置边界；又例如第三凹槽224
的形状为“口”型，第三凹槽224限定发光二极管217的每个设置边界，本发明实施例对此不
进行限定。图22仅以第三凹槽224限定发光二级管217的每个设置边界，且第三凹槽224在衬
底211上的正投影为环形为例进行说明，如此不仅可以完全阻隔相邻两个发光二极管之间
的光串扰，提供显示面板的显示效果，还可以避免相邻两个发光二极管之间的半导体层相
互连接造成的短路问题，保证不同发光二极管独立工作，独立显示。

[0133] 继续参考图23所示，第三凹槽224可以仅限定发光二极管217的一个设置边界，如图23所示，设置于第三凹槽224内的第一金属分部和第二金属分部可以阻隔相邻两列发光
二极管之间的光串扰，同时同一列发光二极管的发光颜色可以相同，不会相互串扰，如此设
置同样可以保证显示面板正常显示。

[0134] 在上述实施例的基础上，继续参考图25所示，本发明实施例提供的显示面板还包括色转换层23，色转换层位于外延结构21远离所述驱动背板22的一侧。

[0135] 示例性的，如图25所示，由于外延结构21包括整层设置的第一类型半导体层212、发光材料层213以及第二类型半导体层层214，发光材料层213可以为发出同种颜色光的发
光材料层，为了实现正常显示，还需要在外延结构21远离驱动背板22的一侧制备色转换层
23，保证发光材料层213发处光经过色转换层23之后可以实现正常显示。

[0136] 可选的，色转换层23可以为常规的彩膜层，也以为量子点彩膜，本发明实施例对此不进行限定。

[0137] 基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，参照图26，该显示装置100包括显示面板20。
因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板所具有的有益效果，相同之处可参照
上文对显示面板的解释说明进行理解，下文不再赘述。

[0138] 本发明实施例提供的显示装置100可以为图26所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电
脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，
本发明实施例对此不作特殊限定。

[0139] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、
重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行
了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还
可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。