本发明涉及一种套合精度的测量方法及测量装置。所述套合精度的测量方法包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔；采用检测光照射所述衬底；获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。本发明缩短了套合精度的测量时间，提高了所述第一沟道孔和所述第二沟道孔套合精度的测量效率。
1.一种套合精度的测量方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一堆叠结构的多个第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠结构的多个第二沟道孔，多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔一一对应；
获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；
根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔和与其对应的所述第二沟道孔的套合精度，所述套合精度是指所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在均沿平行于所述衬底的第一方向和第二方向上的对准精度，所述第一方向与所述第二方向垂直。
2.根据权利要求1所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述检测光为单色光或者复合光。
3.根据权利要求1所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述检测光为白光。
4.根据权利要求1所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述干涉三阶信号包括沿所述第一方向分布的第一干涉三阶信号；根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
5.根据权利要求4所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述干涉三阶信号还包括沿所述第二方向分布的第二干涉三阶信号；根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤还包括：根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
6.根据权利要求1所述的套合精度的测量方法，其特征在于，根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合精度图中具有多个坐标以及与多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所述位置一一对应、多个所述标识与多个所述光强一一对应。
7.根据权利要求6所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述标识为颜色标识。
8.根据权利要求1所述的套合精度的测量方法，其特征在于，所述套合精度的测量方法还包括如下步骤：
获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
9.根据权利要求8所述的套合精度的测量方法，其特征在于，根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度之后，还包括如下步骤：
判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范围的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
10.一种套合精度的测量装置，其特征在于，包括：光源，用于向一衬底照射检测光，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一堆叠结构的多个第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠结构的多个第二沟道孔，多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔一一对应；
获取模块，用于获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；
表征模块，连接所述获取模块，用于根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔和与其对应的所述第二沟道孔的套合精度，所述套合精度是指所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在沿均平行于所述衬底的第一方向和第二方向上的对准精度，所述第一方向与所述第二方向垂直。
11.根据权利要求10所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述光源为单色光光源或者复合光光源。
12.根据权利要求10所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述光源为白光光源。
13.根据权利要求10所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述干涉三阶信号包括沿所述第一方向分布的第一干涉三阶信号；
所述表征模块用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
14.根据权利要求13所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述干涉三阶信号还包括沿所述第二方向分布的第二干涉三阶信号；
所述表征模块还用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
15.根据权利要求10所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述表征模块用于形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合精度图中具有多个坐标以及与多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所述位置一一对应、多个所述标识与多个所述光强一一对应。
16.根据权利要求15所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述标识为颜色标识。
17.根据权利要求10所述的套合精度的测量装置，其特征在于，所述光源用于向整个所述衬底照射检测光；
所述获取模块用于获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
所述表征模块用于根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
18.根据权利要求17所述的套合精度的测量装置，其特征在于，还包括：处理模块，判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范围的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
套合精度的测量方法及测量装置
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套合精度的测量方法及测量装置。
背景技术
[0002] 随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度
极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成
本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND
(3D与非)闪存。
[0003] 3D NAND存储器是一种从二维到三维通过堆叠技术而形成的存储器。随着集成电路生成工艺的成熟化，3D NAND存储器对各层生成工艺的成本和工艺性能要求越来越高。随
着对3D NAND存储器更高的存储功能的需求，其堆叠的层数在不断的增加。
[0004] 随着内存需求的不断增加，大容量内存的需求日益突出。不断增加3D NAND存储器的堆叠层数，会增大刻蚀沟道孔等结构时的刻蚀难度，而双堆叠(dual‑deck)工艺可以很好
的解决堆叠层数无法无限增加的问题。然而，在双层堆叠工艺的制程过程中，实现上下两层
之间套合精度的对准至关重要。但是，当前的方法在测量整个晶圆中上下两层之间的套合
精度方面，不仅费时费力，而且极易造成对晶圆功能区的损伤。
[0005] 因此，如何提高测量整个晶圆内部上下两堆叠层之间套合精度的效率，以提高产能，同时避免对晶圆功能区的损伤，确保晶圆产品的质量，是当前亟待解决的技术问题。
发明内容
[0006] 本发明提供一种套合精度的测量方法及测量装置，用于解决现有的套合精度测量方法测量效率低的问题，以提高机台产能，同时避免测量过程中对晶圆功能区的损伤。
[0007] 为了解决上述问题，本发明提供了一种套合精度的测量方法，包括如下步骤：
[0008] 提供一衬底，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一堆叠结
构的第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二堆叠结
构的第二沟道孔；
[0009] 采用检测光照射所述衬底；
[0010] 获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；
[0011] 根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0012] 可选的，所述检测光为单色光或者复合光。
[0013] 可选的，所述检测光为白光。
[0014] 可选的，所述干涉三阶信号包括沿第一方向分布的第一干涉三阶信号，所述第一方向为平行于所述衬底的方向；根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述
第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0015] 根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
[0016] 可选的，所述干涉三阶信号还包括沿第二方向分布的第二干涉三阶信号，所述第二方向为平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的方向；根据获取的所述干涉三阶信号表
征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤还包括：
[0017] 根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
[0018] 可选的，根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0019] 根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0020] 可选的，根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0021] 形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合精度图中具有多个坐标以及与
多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所述位置一一对应、多个所述标
识与多个所述光强一一对应。
[0022] 可选的，所述标识为颜色标识。
[0023] 可选的，所述第一堆叠结构中具有多个所述第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有与多个所述第一沟道孔一一对应的多个所述第二沟道孔；所述套合精度的测量方法还包
括如下步骤：
[0024] 采用检测光照射整个所述衬底；
[0025] 获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
[0026] 根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
[0027] 可选的，根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度之后，还包括如下步骤：
[0028] 判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范围的所述第
一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
[0029] 为了解决上述问题，本发明还提供了一种套合精度的测量装置，包括：
[0030] 光源，用于向一衬底照射检测光，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯
穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯
穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔；
[0031] 获取模块，用于获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；
[0032] 表征模块，连接所述获取模块，用于根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0033] 可选的，所述光源为单色光光源或者复合光光源。
[0034] 可选的，所述光源为白光光源。
[0035] 可选的，所述干涉三阶信号包括沿第一方向分布的第一干涉三阶信号，所述第一方向为平行于所述衬底的方向；
[0036] 所述表征模块用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
[0037] 可选的，所述干涉三阶信号还包括沿第二方向分布的第二干涉三阶信号，所述第二方向为平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的方向；
[0038] 所述表征模块还用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
[0039] 可选的，所述表征模块用于根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0040] 可选的，所述表征模块用于形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合
精度图中具有多个坐标以及与多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所
述位置一一对应、多个所述标识与多个所述光强一一对应。
[0041] 可选的，所述标识为颜色标识。
[0042] 可选的，所述第一堆叠结构中具有多个所述第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有与多个所述第一沟道孔一一对应的多个所述第二沟道孔；
[0043] 所述光源用于向整个所述衬底照射检测光；
[0044] 所述获取模块用于获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
[0045] 所述表征模块用于根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
[0046] 可选的，还包括：
[0047] 处理模块，判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范围
的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
[0048] 本发明提供的套合精度的测量方法及测量装置，通过采用检测光照射具有第一沟道孔和第二沟道孔的衬底，利用所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成
的干涉三阶信号表征所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度，不仅缩短了套合精度
的测量时间，提高了所述第一沟道孔和所述第二沟道孔套合精度的测量效率，而且避免了
高压扫描过程中对晶圆的损伤，确保了晶圆功能区的电学性能。
附图说明
[0049] 附图1是本发明具体实施方式中套合精度的测量方法流程图；
[0050] 附图2A是本发明具体实施方式中在第一方向上白光的干涉三阶信号与套合精度之间的关系图；
[0051] 附图2B是本发明具体实施方式中在第一方向上白光的干涉三阶信号与套合精度之间的关系图；
[0052] 附图3A是本发明具体实施方式中沿第一方向分布的第一干涉三阶信号；
[0053] 附图3B是本发明具体实施方式中第一沟道孔和第二沟道孔在第一方向上的套合精度图；
[0054] 附图4A是本发明具体实施方式中沿第二方向分布的第二干涉三阶信号；
[0055] 附图4B是本发明具体实施方式中第一沟道孔和第二沟道孔在第二方向上的套合精度图；
[0056] 附图5是本发明具体实施方式中套合精度的测量装置的结构框图。
具体实施方式
[0057] 下面结合附图对本发明提供的套合精度的测量方法及测量装置的具体实施方式做详细说明。
[0058] 在对具有双层沟道孔结构的3D NAND存储器来说，套合对准工艺可以采用光罩对局部无法补偿进行修正，而在进行光罩修正之前，需要进行评估当前制程是否稳定。目前评
估制程是否稳定的方法是采用HV‑SEM(高压‑扫描电子显微镜)拍摄晶圆上芯片内部的图
片，然后对拍摄的图片进行套合精度测量。然而，采用HV‑SEM拍摄图片之后再测量套合精度
的整个过程时间较长，测量一个晶圆上所有芯片套合精度的时间更长，大概需要20个小时，
无法满足实际研发的需求。而且，高压扫描的位置会导致晶圆的损伤，造成晶圆上大面积功
能区失效，影响晶圆产品的性能。
[0059] 为了提高晶圆上芯片内部套合精度的测量效率，提高机台产能，同时避免对芯片的功能区造成损伤，本具体实施方式提供了一种套合精度的测量方法，附图1是本发明具体
实施方式中套合精度的测量方法流程图。如图1所示，本具体实施方式提供的套合精度的测
量方法，包括如下步骤：
[0060] 步骤S11，提供一衬底，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第
一堆叠结构的第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第
二堆叠结构的第二沟道孔。
[0061] 具体来说，所述衬底可以是但不限于硅衬底，所述衬底用于支撑在其上的器件结构。在于所述衬底表面形成第一堆叠结构之后，通过刻蚀工艺形成沿垂直于所述衬底的方
向贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔。接着，于所述第一堆叠结构背离所述衬底的表面
形成所述第二堆叠结构，并通过刻蚀工艺形成贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔。所述
第一堆叠结构中可以具有多个所述第一沟道孔，所述第二堆叠结构中相应具有与多个所述
第一沟道孔一一对应的多个第二沟道孔。本具体实施方式中所述的多个是指两个及两个以
上。
[0062] 步骤S12，采用检测光照射所述衬底。
[0063] 所述检测光的具体波长，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。可选的，所述检测光为单色光或者复合光。
[0064] 可选的，所述检测光为白光。
[0065] 套合精度是指在光刻工艺中当前层的图案与前层图案的对准精度。在本具体实施方式中的套合精度是指，所述第一沟道孔与所述第二沟道孔之间的对准精度。为了使得后
续得到的干涉三阶信号具有较高的强度，从而能更准确的表征所述第一沟道孔与所述第二
沟道孔之间的对准精度，本具体实施方式选用具有全波段的白光作为检测光。所述检测光
可以沿垂直于所述衬底的方向照射整个所述衬底，以便能够同时对所述衬底中的每个所述
第一沟道孔和与其对应的所述第二沟道孔之间的套合精度同时进行表征，提高表征效率。
[0066] 步骤S13，获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号。
[0067] 具体来说，通过向所述衬底照射所述检测光，经所述第一沟道孔反射的光与经所述第二沟道孔反射的光发生干涉，从而获取所述干涉三阶信号。
[0068] 步骤S14，根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0069] 可选的，所述干涉三阶信号包括沿第一方向分布的第一干涉三阶信号，所述第一方向为平行于所述衬底的方向；根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述
第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0070] 根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
[0071] 可选的，所述干涉三阶信号还包括沿第二方向分布的第二干涉三阶信号，所述第二方向为平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的方向；根据获取的所述干涉三阶信号表
征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤还包括：
[0072] 根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
[0073] 附图2A是本发明具体实施方式中在第一方向上白光的干涉三阶信号与套合精度之间的关系图，附图2B是本发明具体实施方式中在第一方向上白光的干涉三阶信号与套合
精度之间的关系图。在沿X轴方向上，通过预先获取的第一沟道孔和第二沟道孔之间的套合
精度与第一沟道孔和第二沟道孔处获取的白光干涉三阶信号进行线性拟合，如图2A所示，
得到的可决系数为0.93，即证明在沿X轴方向上，白光干涉三阶信号与套合精度存在强相关
性。在沿Y轴方向上，通过预先获取的第一沟道孔和第二沟道孔之间的套合精度与第一沟道
孔和第二沟道孔处获取的白光干涉三阶信号进行线性拟合，如图2B所示，得到的可决系数
为0.95，即证明在沿Y轴方向上，白光干涉三阶信号与套合精度也存在强相关性。
[0074] 以所述衬底指向所述第一堆叠结构的方向为Z轴方向，所述第一方向为X轴方向，所述第二方向为Y轴方向为例。对所述第一沟道孔与所述第二沟道孔套合精度的表征，可以
是对所述第一沟道孔和所述第二沟道孔沿X轴方向的套合精度进行表征，也可以是对所述
第一沟道孔和所述第二沟道孔沿Y轴方向的套合精度进行表征，还可以是同时对所述第一
沟道孔和所述第二沟道孔沿X轴方向和Y轴方向的套合精度同时进行表征。
[0075] 可选的，根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0076] 根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0077] 可选的，根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度的具体步骤包括：
[0078] 形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合精度图中具有多个坐标以及与
多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所述位置一一对应、多个所述标
识与多个所述光强一一对应。
[0079] 可选的，所述标识为颜色标识。或者，所述标识为灰度。
[0080] 具体来说，可以预先定义与多个套合精度一一对应的多个光强，并定义与多个套合精度一一对应的多个标识。在得到所述干涉三阶信号之后，根据所述干涉三阶信号中光
强与位置之间的对应关系、预绘制的所述套合精度图中的坐标与所述干涉三阶信号中位置
之间的对应关系、以及所述干涉三阶信号中的光强与预设的标识之间的对应关系，得到所
述套合精度图。
[0081] 附图3A是本发明具体实施方式中沿第一方向分布的第一干涉三阶信号，附图3B是本发明具体实施方式中第一沟道孔和第二沟道孔在第一方向上的套合精度图，附图4A是本
发明具体实施方式中沿第二方向分布的第二干涉三阶信号，附图4B是本发明具体实施方式
中第一沟道孔和第二沟道孔在第二方向上的套合精度图。沿X轴方向的白光干涉三阶信号
为如图3A所示的干涉条纹信号，通过采用不同的颜色或者灰度表征所述干涉条纹中不同位
置的干涉光强度，从而可以得到如图3B所示的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔在X轴方
向的套合精度。沿Y轴方向的白光干涉三阶信号为如图4A所示的干涉条纹信号，通过采用不
同的颜色或者灰度表征所述干涉条纹中不同位置的干涉光强度，从而可以得到如图4B所示
的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔在X轴方向的套合精度。
[0082] 本具体实施方式得到的套合精度图中的套合精度是通过对比所述第一沟道孔和所述第二沟道孔不同位置的干涉光强得到的相对套合精度。在其他具体实施方式中，本领
域技术人员也可以根据实际需要，设置一参照标准，从而得到具有绝对套合精度的套合精
度图。
[0083] 可选的，所述第一堆叠结构中具有多个所述第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有与多个所述第一沟道孔一一对应的多个所述第二沟道孔；所述套合精度的测量方法还包
括如下步骤：
[0084] 采用检测光照射整个所述衬底；
[0085] 获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
[0086] 根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
[0087] 可选的，根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度之后，还包括如下步骤：
[0088] 判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范围的所述第
一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
[0089] 具体来说，在实际产线上，为了提高机台产能，可以先采用干涉三阶信号对所述衬底上所有所述第一沟道孔和与其对应的所述第二沟道孔之间的套合精度进行表征，实现数
据的快速反馈。当存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一
预设范围时(例如所述套合精度图中了异常标识)，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度
超出所述预设范围的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量，以便于后续
对出现异常的部位进行光罩修正。通过干涉三阶信号表征与高压扫描电子显微镜相结合，
可以在提高套合精度测量效率的同时，不影响套合精度测量的准确率。由于仅对所述衬底
上特定位置进行高压扫描电子显微镜扫描，从而不会对衬底中其他区域的损伤。
[0090] 不仅如此，本具体实施方式还提供了一种套合精度的测量装置，附图5是本发明具体实施方式中套合精度的测量装置的结构框图。本具体实施方式提供的套合精度的测量装
置可以采用如图1、图2A、图2B、图3A、图3B、图4A和图4B所示的方法测量衬底上第一沟道孔
和第二沟道孔的套合精度。如图5所示，本具体实施方式提供的套合精度的测量装置，包括：
[0091] 光源50，用于向一衬底照射检测光，所述衬底上具有第一堆叠结构、以及叠置于所述第一堆叠结构表面的第二堆叠结构，所述第一堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向
贯穿所述第一堆叠结构的第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有沿垂直于所述衬底的方向
贯穿所述第二堆叠结构的第二沟道孔；
[0092] 获取模块51，用于获取经所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射的光形成的干涉三阶信号；
[0093] 表征模块52，连接所述获取模块51，用于根据获取的所述干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0094] 可选的，所述光源50为单色光光源或者复合光光源。
[0095] 可选的，所述光源50为白光光源。
[0096] 可选的，所述干涉三阶信号包括沿第一方向分布的第一干涉三阶信号，所述第一方向为平行于所述衬底的方向；
[0097] 所述表征模块52用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第一方向上的套合精度。
[0098] 可选的，所述干涉三阶信号还包括沿第二方向分布的第二干涉三阶信号，所述第二方向为平行于所述衬底且垂直于所述第一方向的方向；
[0099] 所述表征模块52还用于根据获取的所述第一干涉三阶信号表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔在所述第二方向上的套合精度。
[0100] 可选的，所述表征模块52用于根据所述干涉三阶信号的光强和位置表征所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度。
[0101] 可选的，所述表征模块52用于形成所述第一沟道孔与所述第二沟道孔的套合精度图，所述干涉三阶信号包括多个位置以及与多个所述位置一一对应的多个光强，所述套合
精度图中具有多个坐标以及与多个所述坐标一一对应的多个标识，所述多个坐标与多个所
述位置一一对应、多个所述标识与多个所述光强一一对应。
[0102] 可选的，所述标识为颜色标识。
[0103] 可选的，所述第一堆叠结构中具有多个所述第一沟道孔，所述第二堆叠结构中具有与多个所述第一沟道孔一一对应的多个所述第二沟道孔；
[0104] 所述光源50用于向整个所述衬底照射检测光；
[0105] 所述获取模块51用于获取经多个所述第一沟道孔反射的光和多个所述第二沟道孔反射的光形成的多个干涉三阶信号；
[0106] 所述表征模块52用于根据获取的多个所述干涉三阶信号表征多个所述第一沟道孔与多个所述第二沟道孔的套合精度。
[0107] 可选的，所述套合精度的测量装置还包括：
[0108] 处理模块53，判断是否存在一个所述第一沟道孔与其对应的所述第二沟道孔的套合精度超出一预设范围内，若是，则采用高压扫描电子显微镜对套合精度超出所述预设范
围的所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度进行测量。
[0109] 本具体实施方式提供的套合精度的测量方法及测量装置，通过采用检测光照射具有第一沟道孔和第二沟道孔的衬底，利用所述第一沟道孔反射的光和所述第二沟道孔反射
的光形成的干涉三阶信号表征所述第一沟道孔和所述第二沟道孔的套合精度，不仅缩短了
套合精度的测量时间，提高了所述第一沟道孔和所述第二沟道孔套合精度的测量效率，而
且避免了高压扫描过程中对晶圆的损伤，确保了晶圆功能区的电学性能。
[0110] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为
本发明的保护范围。
