晶圆检测方法及晶圆检测装置

摘要

本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶圆检测方法及晶圆检测装置。所述晶圆检测方法包括如下步骤：提供多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同；设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。本发明避免了采用固定检测配方易导致产品产出时间较长的问题，提高了半导体制程效率。

权利要求

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方；

设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；

根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；

当所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息，根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测；

判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

2.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，还包括如下步骤：判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方对下一批次晶圆进行检测。

3.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第偶数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；若否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

4.根据权利要求1所述的晶圆检测方法，其特征在于，所述采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测；判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后还包括在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一检测配方、所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

5.一种晶圆检测装置，其特征在于，包括：存储模块，用于存储多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方；

设置模块，用于设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；

检测模块，用于根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；

当所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息，根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测；

判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

6.根据权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，所述检测模块还用于判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方对下一批次晶圆进行检测。

7.根据权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；

所述检测模块还用于根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第奇数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；若否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

8.根据权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述检测模块采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后还用于并在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一检测配方、所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

说明书

晶圆检测方法及晶圆检测装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体检测技术领域，尤其涉及一种晶圆检测方法及晶圆检测装置。

背景技术

[0002] 动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述
晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压
能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者
将数据信息写入到电容器中。

[0003] DRAM等半导体器件的制造过程中，晶圆要经过多个检测流程。当前，主要采用两种方式对不同批次的晶圆进行检测：一种方式是，在同一检测站点中，针对不同批次的晶圆，
均采用相同的检测配方进行检测，例如，在晶圆的光刻工艺中，均采用相同的检测配方对不
同批次的晶圆进行对准检测或者线宽检测；另一种方式是，针对每一批次晶圆设置一个检
测配方的方式，即在每一批次晶圆进行检测前，由工程师根据该批次晶圆的相关参数，人工
设定一与其匹配的检测配方，以提高检测的准确度。但是，在实际的产品制造过程中，这种
固定不变的检测配方会导致产品产出时间的延长，不利于生产效率的提高；而针对每一批
次晶圆分别人工设置检测配方的方式，费时费力，极大的增加了工程师的工作量。

[0004] 因此，如何缩短产品的制程时间，提高产品的生产效率，同时不影响产品检测的准确度，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

[0005] 本发明提供一种晶圆检测方法及晶圆检测装置，用于解决现有的半导体产品制程时间较长、生产效率较低的问题。

[0006] 为了解决上述问题，本发明提供了一种晶圆检测方法，包括如下步骤：

[0007] 提供多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同；

[0008] 设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；

[0009] 根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0010] 可选的，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶
圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

[0011] 所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方。

[0012] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0013] 采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测；

[0014] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0015] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0016] 交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测；

[0017] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0018] 可选的，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，还包括如下步骤：

[0019] 判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方对下一批次晶圆进行检测。

[0020] 可选的，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0021] 根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第奇数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；若
否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0022] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0023] 采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测；

[0024] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测，并在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一
检测配方、所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

[0025] 为了解决上述问题，本发明还提供了一种晶圆检测装置，包括：

[0026] 存储模块，用于存储多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同；

[0027] 设置模块，用于设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；

[0028] 检测模块，用于根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0029] 可选的，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶
圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

[0030] 所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方。

[0031] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0032] 所述检测模块用于采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批
次晶圆进行检测。

[0033] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0034] 所述检测模块用于交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述
第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0035] 可选的，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，所述检测模块还用于判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方对
下一批次晶圆进行检测。

[0036] 可选的，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；

[0037] 所述检测模块还用于根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第奇数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测；若否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测。

[0038] 可选的，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息和前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0039] 所述检测模块还用于采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测，并在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一检测配方、
所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

[0040] 本发明提供的晶圆检测方法及晶圆检测装置，通过设置多个检测配方以及自定义的预设规则，使得在对当前批次晶圆进行检测时，能够根据所述预设规则自动选择相应的
检测配方来进行检测，从而：一方面，避免了采用固定检测配方易导致产品产出时间较长的
问题，提高了半导体制程效率；另一方面，由于无需工程师人工一一配置检测配方，从而减
轻了工程师的负担，也相应缩短了制程时间，提高了制程效率。

附图说明

[0041] 附图1是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法的流程图；

[0042] 附图2是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图；

[0043] 附图3是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的另一示意图；

[0044] 附图4是本发明第一具体实施方式中晶圆检测装置的结构框图；

[0045] 附图5是本发明第二具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图；

[0046] 附图6是本发明第三具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图。

具体实施方式

[0047] 下面结合附图对本发明提供的晶圆检测方法及晶圆检测装置的具体实施方式做详细说明。

[0048] 第一具体实施方式

[0049] 本具体实施方式提供了一种晶圆检测方法，附图1是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法的流程图。如图1所示，本具体实施方式提供的晶圆检测方法，包括如下步骤：

[0050] 步骤S11，提供多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同。

[0051] 本具体实施方式中所述的“多个”是指两个以上。本具体实施方式中的多个所述检测配方是应用于同一检测站点，例如光刻工艺中的线宽检测站点或者对准检测站点。本领
域技术人员可以根据实际需要设置所述检测配方的数量，例如根据检测的具体内容或者对
检测结果的要求等，本具体实施方式对此不作限定。检测精度越高的检测配方耗时越长，相
应的检测结果的准确度越可靠；检测精度越低的检测配方耗时越短，相应的检测效率越高。

[0052] 步骤S12，设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合。

[0053] 其中，所述当前批次晶圆的批次信息至少包括所述当前批次晶圆的批次编号。所述当前批次晶圆的批次信息还可以包括所述当前批次晶圆前序制程信息。所述前若干批次
晶圆的检测结果信息是指，当前检测站点在检测当前批次晶圆之前，连续检测的前若干批
次晶圆的检测结果。本领域技术人员可以根据实际需要选择所述前若干批次晶圆的具体批
次数量，例如前3批次晶圆或者前5批次晶圆，本具体实施方式对此不作限定。为了提高对当
前批次晶圆检测结果的准确度，前若干批次是指前3批次以上。

[0054] 可选的，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶
圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

[0055] 所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方。

[0056] 举例来说，所述第一检测配方为从一批次晶圆中随机抽取4片晶圆，并在每一片晶圆上选取300个检测点进行检测；所述第二检测配方为从一批次晶圆中随机抽取4片晶圆，
并在每一片晶圆上选取100个检测点进行检测。由于所述第一检测配方与所述第二检测配
方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，而所述第一检测配方在一片晶圆上选取的检测点
数目远大于所述第二检测配方在一片晶圆上选取的检测点数目，因此，所述第一检测配方
的检测精度大于所述第二检测配方，且所述第二检测配方的检测时间小于所述第一检测配
方。

[0057] 步骤S13，根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0058] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0059] 采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测；

[0060] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0061] 附图2是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图。以下以所述前若干批次晶圆为前5批次晶圆为例进行说明。图2中的每一圆圈表示一个批次的晶
圆，圆圈中的数字表示该批次晶圆的批次编号。在一检测站点按照批次编号的顺序依次对
多个批次的晶圆进行检测。举例来说：如图2所示，在所述检测站点，采用检测精度较高的所
述第一检测配方连续对前5个批次晶圆(即第1批次晶圆、第2批次晶圆、第3批次晶圆、第4批
次晶圆和第5批次晶圆)进行检测。若前5批次晶圆的检测结果均正常(即均在检测阈值范围
内)，则在该检测站点，采用检测时长较短、检测效率较高的所述第二检测配方对第6批次的
晶圆及后续批次的晶圆进行检测，以缩短整个半导体制程的时间。若在前5批次晶圆的检测
过程中，出现某1批次晶圆的检测结果异常(例如第3批次晶圆检测结果异常)，则自与结果
异常批次相邻的下一批次晶圆(例如第4批次晶圆)开始重新统计前5批次晶圆的检测结果。

[0062] 可选的，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，还包括如下步骤：

[0063] 判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方对下一批次晶圆进行检测。

[0064] 举例来说，若在所述检测站点，切换所述第二检测配方检测第6批晶圆，发现第6批晶圆的检测结果异常(即检测结果超出所述检测阈值范围)，则切换检测精度较高的所述第
一检测配方对第7批次晶圆进行检测。之后，自所述第7批次晶圆开始，若连续5批次晶圆的
检测结果均正常，则再将所述检测站点的检测配方切换为所述第二检测配方。即将所述检
测站点的检测配方切换为所述第二检测配方之后，若后续出现一批次晶圆的检测结果异
常，则再将所述检测站点的检测配方切换回所述第一检测配方。

[0065] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包括：

[0066] 采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测；

[0067] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测，并在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一
检测配方、所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

[0068] 附图3是本发明第一具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的另一示意图。图3中的每一圆圈表示一个批次的晶圆，圆圈中的数字表示该批次晶圆的批次编号。在一检测
站点按照批次编号的顺序依次对多个批次的晶圆进行检测。举例来说：如图3所示，在所述
检测站点，采用检测精度较高的所述第一检测配方连续对前5个批次晶圆(即第1批次晶圆、
第2批次晶圆、第3批次晶圆、第4批次晶圆和第5批次晶圆)进行检测。若前5批次晶圆的检测
结果均正常，则采用所述第二检测配方对第6批次晶圆进行检测，并在第6批次晶圆检测结
果正常的情况下，交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方对后续批次晶圆(例如
第7批次晶圆、第8批次晶圆、第9批次晶圆)进行检测。即在前5批次晶圆检测结果均正常的
情况下，自所述当前批次晶圆开始，切换为交替采用所述第二检测配方和所述第一检测配
方对后续批次晶进行检测。若在后续交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方进行
检测的过程中，出现某一批次晶圆检测结果异常，则自与结果异常批次相邻的下一批次晶
圆开始，重新采用所述第一检测配方对5个批次晶圆进行检测，并重新统计5批次晶圆的检
测结果。

[0069] 不仅如此，本具体实施方式还提供了一种晶圆检测装置，附图4是本发明第一具体实施方式中晶圆检测装置的结构框图。本具体实施方式提供的晶圆检测装置可以采用如图
1‑图3所示的方法对晶圆进行检测。如图1‑图4所示，本具体实施方式提供的晶圆检测装置，
包括：

[0070] 存储模块40，用于存储多个检测配方，且多个所述检测配方的检测精度互不相同；

[0071] 设置模块41，用于设定一预设规则，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息、前若干批次晶圆的检测结果信息中的一种或两种的组合；

[0072] 检测模块42，用于根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0073] 可选的，多个检测配方包括第一检测配方和检测精度低于所述第一检测配方的第二检测配方，所述第一检测配方和所述第二检测配方均是从一批次晶圆中抽取若干片晶
圆，并在每一片晶圆上选取多个检测点进行检测；

[0074] 所述第一检测配方和所述第二检测配方从一批次晶圆中抽取的晶圆片数相同，且所述第一检测配方在每一片晶圆上选取的检测点数量大于所述第二检测配方。

[0075] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0076] 所述检测模块42用于采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测。

[0077] 可选的，采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测之后，所述检测模块42还用于判断所述当前批次晶圆的检测结果是否正常，若否，则采用所述第一检测配方
对下一批次晶圆进行检测。

[0078] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0079] 所述检测模块42还用于采用所述第一检测配方对前若干批次晶圆进行连续检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当
前批次晶圆进行检测，并在所述当前批次晶圆检测结果正常时，交替采用所述第一检测配
方、所述第二检测配方对后续批次晶圆进行检测。

[0080] 本具体实施方式提供的晶圆检测方法及晶圆检测装置，通过设置多个检测配方以及自定义的预设规则，使得在对当前批次晶圆进行检测时，能够根据所述预设规则自动选
择相应的检测配方来进行检测，从而：一方面，避免了采用固定检测配方易导致产品产出时
间较长的问题，提高了半导体制程效率；另一方面，由于无需工程师人工一一配置检测配
方，从而减轻了工程师的负担，也相应缩短了制程时间，提高了制程效率。

[0081] 第二具体实施方式

[0082] 本具体实施方式提供了一种晶圆检测方法。对于与第一具体实施方式相同之处，本具体实施方式不再赘述，以下主要叙述与第一具体实施方式的不同之处。

[0083] 本具体实施方式中的所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具体步骤包
括：

[0084] 根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第奇数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测；若
否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0085] 附图5是本发明第二具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图。图5中的每一圆圈表示一个批次的晶圆，圆圈中的数字表示该批次晶圆的批次编号。在一检测站
点按照批次编号的顺序依次对多个批次的晶圆进行检测。举例来说：如图5所示，在所述检
测站点，对于批次编号为奇数的晶圆(例如第1批次晶圆、第3批次晶圆、第5批次晶圆、第7批
次晶圆和第9批次晶圆)采用所述第一检测配方进行检测，对于批次编号为偶数的晶圆(例
如第2批次晶圆、第4批次晶圆、第6批次晶圆和第8批次晶圆)采用所述第二检测配方进行检
测。即通过在所述检测站点交替使用所述第一检测配方和所述第二检测配方对多个批次晶
圆分别进行检测(每批次晶圆仅采用一种检测配方检测)，操作简单、快捷，无需考虑前若干
次晶圆的检测结果，有助于半导体制程效率的进一步提高。

[0086] 在其他具体实施方式中，本领域技术人员还可以根据实际需要设置第三检测配方，且所述第三检测配方的检测精度高于所述第一检测配方或所述第三检测配方的检测精
度低于所述第二检测配方。在所述检测站点对多个批次晶圆进行连续检测的过程中，对于
第3N批次晶圆，采用第一检测配方进行检测；对于第3N+1批次晶圆，采用第二检测配方进行
检测；对于第3N+2批次晶圆，采用第三检测配方进行检测，其中，N为大于或等于0的整数。

[0087] 本具体实施方式还提供了一种晶圆检测装置。对于与第一具体实施方式相同之处，本具体实施方式不再赘述，以下主要叙述与第一具体实施方式的不同之处。

[0088] 可选的，所述预设规则包括当前批次晶圆的批次信息；

[0089] 所述检测模块还用于根据所述当前批次晶圆的批次信息判断所述当前批次晶圆是否为第奇数批次晶圆，若是，则采用所述第一检测配方或所述第二检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测；若否，则相应采用所述第二检测配方或所述第一检测配方对所述当前
批次晶圆进行检测。

[0090] 第三具体实施方式

[0091] 本具体实施方式提供了一种晶圆检测方法。对于与第一具体实施方式及第二具体实施方式的相同之处，本具体实施方式不再赘述，以下主要叙述与第一具体实施方式及第
二具体实施方式的不同之处。

[0092] 本年具体实施方式中的所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；根据所述预设规则从多个所述检测配方中选择一检测配方对所述当前批次晶圆进行检测的具
体步骤包括：

[0093] 交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测；

[0094] 判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0095] 附图6是本发明第三具体实施方式中晶圆检测方法实施过程中的一示意图。图6中的每一圆圈表示一个批次的晶圆，圆圈中的数字表示该批次晶圆的批次编号。在一检测站
点按照批次编号的顺序依次对多个批次的晶圆进行检测。举例来说：如图6所示，在所述检
测站点，交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方对前5批次晶圆进行检测，即采用
第一检测配方对第1批次晶圆、第3批次晶圆和第5批次晶圆进行检测，并采用第二检测配方
对第2批次晶圆和第4批次晶圆进行检测。若前5批次晶圆的检测结果均正常，则自第6批次
开始，对后续批次晶圆均采用所述第二检测配方进行检测。若在前5批次晶圆的检测过程
中，出现某1批次晶圆的检测结果异常(例如第3批次晶圆检测结果异常)，则自与结果异常
批次相邻的下一批次晶圆(例如第4批次晶圆)开始重新交替采用所述第一检测配方和所述
第二检测配方对5批次晶圆进行检测，并重新统计5批次晶圆的检测结果。

[0096] 本具体实施方式还提供了一种晶圆检测装置。对于与第一具体实施方式及第二具体实施方式的相同之处，本具体实施方式不再赘述，以下主要叙述与第一具体实施方式及
第二具体实施方式的不同之处。

[0097] 可选的，所述预设规则包括前若干批次晶圆的检测结果信息；

[0098] 所述检测模块用于交替采用所述第一检测配方和所述第二检测配方依次对前若干批次的晶圆进行检测，并判断前若干批次晶圆的检测结果是否均正常，若是，则采用所述
第二检测配方对所述当前批次晶圆进行检测。

[0099] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为
本发明的保护范围。