馈电结构、微波射频器件及天线转让专利

申请号 : CN201911065017.4

文献号 : CN112768851B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 贾皓程丁天伦王瑛武杰李亮唐粹伟李强强车春城

申请人 : 京东方科技集团股份有限公司北京京东方传感技术有限公司

摘要 :

本发明提供一种馈电结构、微波射频器件及天线,属于通信技术领域。本发明的馈电结构包括:馈电单元;馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在第一基板和第二基板之间的介质层;第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;第一电极包括:第一主干,以及连接在第一主干长度方向上的多个第一分支;第一主干的两端分别为输入端和直通端;第二基板包括:第二基底,位于第二基底上的第二电极;第二电极包括:第二主干,以及连接在第二主干长度方向上且与第一分支一一对应第二分支;其中,第二分支和与之对应的第一分支在第一基底上的正投影部分重叠;第二主干的两端分别为耦合端和隔离端,且隔离端连接有匹配阻抗。

权利要求 :

1.一种馈电结构,其特征在于,包括:馈电单元;所述馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之间的介质层;其中,所述第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;所述第一电极包括:第一主干,以及连接在所述第一主干长度方向上的多个第一分支;其中,所述第一主干的两端分别为输入端和直通端;

所述第二基板包括:第二基底,位于所述第二基底靠近所述第一基底一侧上的第二电极;所述第二电极包括:第二主干,以及连接在所述第二主干长度方向上且与所述第一分支一一对应第二分支;其中,所述第二分支和与之对应的第一分支在所述第一基底上的正投影部分重叠;所述第二主干的两端分别为耦合端和隔离端,且所述隔离端连接有匹配阻抗;

所述第一主干的输入端用于将微波信号中的部分经由直通端输出,另一部分经由第一分支耦合至第二分支;所述匹配阻抗用以控制耦合至所述第二分支上的至少部分微波信号经由耦合端输出;

所述参考电极分别与所述第一电极和所述第二电极形成电流回路;

所述馈电单元划分为支路交叠区和无耦合双线区;其中,所述第一分支和所述第二分支均位于所述支路交叠区;

所述第一主干和第二主干均贯穿所述支路交叠区和所述无耦合双线区,且位于所述支路交叠区中的第一主干的线长与位于无耦合双线区的第一主干的线长相等;位于所述支路交叠区中的第二主干的线长与位于无耦合双线区的第二主干的线长相等;

位于无耦合双线区的第二主干的阻抗与所述匹配阻抗的阻抗值相等。

2.根据权利要求1所述的馈电结构,其特征在于,沿所述输入端指向所述直通端方向,所述第一分支和与之交叠所述第二分支所构成的支路阻抗依次减小。

3.根据权利要求2所述的馈电结构,其特征在于,各个所述第一分支和各个第二分支的宽度相同;

沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的交叠面积依次增大。

4.根据权利要求2所述的馈电结构,其特征在于,所述第一分支和与之对应的所述第二分支的宽度相同;

沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的宽度均依次增大,且二者的交叠长度相同。

5.根据权利要求2所述的馈电结构,其特征在于,各个所述第一分支和各个所述第二分支的宽度相同;

沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距依次减小,且所述第一分支和所述第二分支的交叠长度相同。

6.根据权利要求1所述的馈电结构,其特征在于,所述馈电结构包括两个级联的所述馈电单元;其中,

第一级所述馈电单元的第一主干的直通端与第二级所述馈电单元的第一主干的输入端连接;

第一级所述馈电单元的第二主干的耦合端与第二级所述馈电单元的第一主干的隔离端连接。

7.根据权利要求6所述的馈电结构,其特征在于,第一级所述馈电单元的第一主干的直通端通过第一信号线,与第二级所述馈电单元的第一主干的输入端连接;

第一级所述馈电单元的第二主干的耦合端通过第二信号线,与第二级所述馈电单元的第一主干的隔离端连接;其中,

第一级所述馈电单元的第一主干、第二级所述馈电单元的第一主干,以及第一信号线同层设置且材料相同;

第一级所述馈电单元的第二主干、第二级所述馈电单元的第二主干,以及第二信号线同层设置且材料相同。

8.根据权利要求7所述的馈电结构,其特征在于,第二级所述馈电单元的第一主干在与所述第二信号线交叠的位置断开设置,在所述第一基底上具有过孔,第三信号线通过过孔将第二级所述馈电单元的第一主干对应所述第二信号线断开的位置连接。

9.根据权利要求8所述的馈电结构,其特征在于,还包括与所述第一基底背离所述第二基底一侧相对设置的第三基底;其中,所述参考电极位于所述第三基底背离所述第一基底的一侧。

10.根据权利要求1‑9中任一项所述的馈电结构,其特征在于,所述第一电极、所述第二电极、所述参考电极构成微带线传输结构、带状线传输结构、共表面波导传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种。

11.根据权利要求1‑9中任一项所述的馈电结构,其特征在于,所述馈电结构还包括位于所述第一基板和所述第二基板之间的支撑组件,用于维持所述第一基板和所述第二基板之间的盒厚。

12.根据权利要求1‑9中任一项所述的馈电结构,其特征在于,所述介质层包括空气。

13.一种微波射频器件,其特征在于,包括权利要求1‑12中任一项所述的馈电结构。

14.根据权利要求13所述的微波射频器件,其特征在于,所述微波射频器件包括移相器或滤波器。

15.一种天线,其特征在于,包括权利要求13或14所述的微波射频器件。

说明书 :

馈电结构、微波射频器件及天线

技术领域

[0001] 本发明属于通信技术领域,具体涉及一种馈电结构、微波射频器件及天线。

背景技术

[0002] 移相器是一种调控电磁波相位的器件,广泛应用于各种通信系统中,如卫星通信,相控阵雷达,遥感遥测等。介质可调移相器是一种利用控制介质层的介电常数来实现相移
效果的器件。传统的介质可调移相器使用单线传输的结构,通过调节信号相速度实现移相
效果,但这种设计方法的问题是损耗偏大,单位损耗内的移相度偏低。

发明内容

[0003] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种馈电结构、微波射频器件及天线。
[0004] 第一方面,本发明实施例提供一种馈电结构,包括:馈电单元;所述馈电单元包括:参考电极、相对设置的第一基板和第二基板,以及设置在所述第一基板和所述第二基板之
间的介质层;其中,
[0005] 所述第一基板包括:第一基底,位于第一基底上的第一电极;所述第一电极包括:第一主干,以及连接在所述第一主干长度方向上的多个第一分支;其中,所述第一主干的两
端分别为输入端和直通端;
[0006] 所述第二基板包括:第二基底,位于所述第二基底靠近所述第一基底一侧上的第二电极;所述第二电极包括:第二主干,以及连接在所述第二主干长度方向上且与所述第一
分支一一对应第二分支;其中,所述第二分支和与之对应的第一分支在所述第一基底上的
正投影部分重叠;所述第二主干的两端分别为耦合端和隔离端,且所述隔离端连接有匹配
阻抗;
[0007] 所述第一主干的输入端用于将微波信号中的部分经由直通端输出,另一部分经由第一分支耦合至第二分支;所述匹配阻抗用以控制耦合至所述第二分支上的至少部分微波
信号经由耦合端输出;
[0008] 所述参考电极分别与所述第一电极和所述第二电极形成电流回路。
[0009] 可选地,所述馈电单元划分为支路交叠区和无耦合双线区;其中,
[0010] 所述第一分支和所述第二分支均位于所述所述支路交叠区;
[0011] 所述第一主干和第二主干均贯穿所述支路交叠区和所述无耦合双线区,且位于所述支路交叠区中的第一主干的线长与位于无耦合双线区的第一主干的线长相等;位于所述
支路交叠区中的第二主干的线长与位于无耦合双线区的第二主干的线长相等;
[0012] 位于无耦合双线区的第二主干的阻抗与所述匹配阻抗的阻抗值相等。
[0013] 可选地,沿所述输入端指向所述直通端方向,所述第一分支和与之交叠所述第二分支所构成的支路阻抗依次减小。
[0014] 可选地,各个所述第一分支和各个第二分支的宽度相同;
[0015] 沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的交叠面积依次增大。
[0016] 可选地,所述第一分支和与之对应的所述第二分支的宽度相同;
[0017] 沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距相同,且第一分支和第二分支的宽度均依次增大,且二者的交叠长度相同。
[0018] 可选地,各个所述第一分支和各个所述第二分支的宽度相同;
[0019] 沿所述输入端指向所述直通端方向,任意两相邻所述第一分支之间的间距依次减小,且所述第一分支和所述第二分支的交叠长度相同。
[0020] 可选地,所述馈电结构包括两个级联的所述馈电单元;其中,
[0021] 第一级所述馈电单元的第一主干的直通端与第二级所述馈电单元的第一主干的输入端连接;
[0022] 第一级所述馈电单元的第二主干的耦合端与第二级所述馈电单元的第一主干的隔离端连接。
[0023] 可选地,第一级所述第一馈电单元的第一主干的直通端通过第一信号线,与第二级所述馈电单元的第一主干的输入端连接;
[0024] 第一级所述馈电单元的第二主干的耦合端通过第二信号线,与第二级所述馈电单元的第一主干的隔离端连接;其中,
[0025] 第一级所述馈电单元的第一主干、第二级所述馈电单元的第一主干,以及第一信号线同层设置且材料相同;
[0026] 第一级所述馈电单元的第二主干、第二级所述馈电单元的第二主干,以及第二信号线同层设置且材料相同。
[0027] 可选地,第二级所述馈电单元的第一主干在与所述第二信号线交叠的位置断开设置,在所述第一基底上具有过孔,第三信号线通过过孔将第二级所述馈电单元的第一主干
对应所述第二信号线断开的位置连接。
[0028] 可选的,所述馈电结构还包括与所述第一基底背离所述第二基底一侧相对设置的第三基底;其中,所述参考电极位于所述第三基底背离所述第一基底的一侧。
[0029] 可选地,所述第一电极、所述第二电极、所述参考电极构成微带线传输结构、带状线传输结构、共表面波导传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种。
[0030] 可选地,所述馈电结构还包括位于所述第一基板和所述第二基板之间的支撑组件,用于维持所述第一基板和所述第二基板之间的盒厚。
[0031] 可选地,所述介质层包括空气。
[0032] 第二方面,本发明实施例提供一种微波射频器件,其包括上述任一的馈电结构。
[0033] 可选地,所述微波射频器件包括移相器或滤波器。
[0034] 第三方面,本发明实施例提供一种天线,其包括上述的微波射频器件。

附图说明

[0035] 图1为本发明实例的馈电结构的电路示意图;
[0036] 图2为本发明实施例的第一种示例的具有单个馈电单元的馈电结构的示意图;
[0037] 图3为本发明实施例的第二种示例的具有单个馈电单元的馈电结构的示意图;
[0038] 图4为本发明实施例的第三种示例的具有单个馈电单元的馈电结构的示意图;
[0039] 图5为本发明实施例的具有单个馈电单元的馈电结构的侧视图;
[0040] 图6为本发明的实施例的移相结构的示意图;
[0041] 图7为本发明实施例的一种的具有两个馈电单元的馈电结构的示意图;
[0042] 图8为图7的馈电结构的侧视图;
[0043] 图9为本发明实施例的另一种的具有两个馈电单元的馈电结构的示意图;
[0044] 图10为图9的馈电结构的一种侧视图;
[0045] 图11为图9的馈电结构的另一种侧视图。
[0046] 其中附图标记为:10、第一基底;1、第一电极;11、第一主干;12、第一分支;20、第二基底;2、第二电极;21、第二主干;22、第二分支;3、第一传输线;4、第二传输线;30、参考电
极;40、介质层;50、支撑组件;60、接地电极;70、液晶层;80、第三信号线;90、第三基底;Q1、
支路交叠区;Q2、无耦合双线区;①、输入端;②、直通端;③、耦合端;④、隔离端。

具体实施方式

[0047] 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
[0048] 除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并
不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或
者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似
的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其
等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或
者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、
“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也
可能相应地改变。
[0049] 在此需要说明的是,本发明的下述实施例中所提供的馈电结构可广泛用于双基板内侧两层传输线的差模馈电,具体可以用于微波射频器件中,而微波射频器件可以是差模
信号线、滤波器和移相器。在下述实施例中,以微波射频器件为移相器进行说明。
[0050] 具体的,移相器不仅包括馈电结构,而且还包括移相结构,如图6所示,该移相结构包括设置在第一基底10上的第一传输线3,设置在第二基底20靠近第一传输线3一侧的第二
传输线4,设置在第一传输线3和第二传输线4所在层之间的介质层,以及接地电极60;该介
质层包括但不限于液晶层70,在下述实施例中以该介质层40为液晶层70为例进行说明。
[0051] 其中,第一传输线3和第二传输线4均可以是微带线,且此时接地电极60则是设置在第一基底10背离第一传输线3的一侧,第一传输线3和第二传输线4可以采用梳状电极,接
地电极60则可以采用面状电极,也即第一传输线3、第二传输线4和接地电极60构成微带线
传输结构;当然第一传输线3、第二传输线4和接地电极也构成带状线传输结构、共表面波导
传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种,在此不一一列举。
[0052] 第一方面,结合图1‑5所示,本发明实施例提供一种馈电结构,其包括单个馈电单元;该馈电单元包括参考电极30,相对设置的第一基板和第二基板,以及位于第一基板和第
二基板之间的介质层40。其中,第一基板包括第一基底10,位于第一基底10上第一电极1;第
一电极1包括:第一主干11和多个第一分支12,多个第一分支12连接在第一主干11的长度方
向上,且各个第一分支12间隔设置;第一主干11的两端分别为输入端①和直通端②。第二电
极2包括:第二主干21和多个第二分支22,多个第二分支22连接在第二主干21的长度方向,
与第一分支12一一对应设置,且第二分支22与之对应的第一分支12在基底上的投影至少部
分重叠;第二主干21的两端分别为耦合端③和隔离端④,在隔离端④连接有匹配电阻。参考
电极30分别和第一电极1和第二电极2形成电流回路。
[0053] 特别的是,第一主干11的输入端①用于将微波信号中的部分经由直通端②输出,另一部分经由第一分支12耦合至第二分支22,匹配阻抗则用以控制耦合至第二分支22上的
至少部分微波信号能够经由耦合端③输出。
[0054] 应当理解的是,将本发明实施例中的馈电结构应用至移相器中时,第一主干11的直通端②连接移相结构的第一传输线3,第二主干21的耦合端③连接移相结构的第二传输
线4。
[0055] 由于在本发明实施例的馈电结构中,给第一主干11的输入端①输入微波信号,此时部分微波信号经由第一主干11的直通端②直接输入至移相结构的第一传输线3,而另一
部分微波信号则通过第一分支12耦合至第二分支22后再经由第二主干21的耦合端③输入
至移相结构的第二传输线4,这样一来,直通端②和耦合端③所输出的微波信号存在一定的
相位差,从而使得在给第一传输线3和第二传输线4加载不同电压时,位于二者之间的液晶
层70的液晶分子发生偏转,以改变液晶层70的介电常数,进而改变微波信号的移相度。
[0056] 在此需要说明的是,在本发明实施例中馈电单元中的介质层40包括但不限于空气,在本发明实施例中以介质层40为空气为例进行说明,当然该介质层40也可以是惰性气
体。
[0057] 其中,在本发明实施例中以参考电极30为接地电极为例,当然只要参考电极30与第一电极1和第二电极2之间存在一定的压差的任何电极均可。在本发明实施例中电流回路
是指,第一电极1和第二电极2与接地电极之间存在一定压差,第一电极1和第二电极2与接
地电极分别与接地电极形成电容、电导,同时第一电极1与接地电极与移相结构中的第一传
输线3连接,第二电极2与接地电极与第二传输线4连接,以对微波信号进行传输,最终回流
到接地电极,也即形成电流回路。
[0058] 在一个示例中,本发明实施例提供一种3dB馈电结构,如图2‑5所示,该馈电结构仅包括一个馈电单元,该馈电单元划分为支路交叠区Q1和无耦合双线区Q2;该馈电结构的第
一电极1的第一主干11和第二电极2的第二主干21均贯穿支路交叠区Q1和无耦合双线区Q2,
第一电极1的第一分支12和第二电极2的第二分支22均位于支路交叠区Q1。其中,第一主干
11在支路交叠区Q1的长度和无耦合双线区Q2的长度相同,也即均为L;第二主干21在支路交
叠区Q1的长度和无耦合双线区Q2的长度相同;而且,第一主干11和第二主干21在无耦合双
线区Q2的阻抗均为Z0,此时连接在第二主干21的隔离端④的匹配阻抗的同样为Z0,以保证隔
离端④无能量输出。位于支路交叠区Q1的第一分支12间隔设置连接在第一主干11上,第二
分支22间隔设置连接在第二主干21上,第一分支12和第二分支22一一对应设置,且沿第一
主干11的输入端①指向直通端②方向,第一分支12和与之交叠第二分支22所构成的支路阻
抗依次减小,以使各个支路阻抗所分得的微波信号的能量相等。
[0059] 由于第一主干11和第二主干21在支路交叠区Q1的长度和无耦合双线区Q2的长度相同均为L,这样一来,微波信号经由第一主干11的输入端①输入至第一主干11的第一分支
12耦合至第二主干21上连接的第二分支22,经过线长为L的紧耦合后(支路交叠区Q1),之后
再线长为L的松耦合(无耦合双线区Q2),第一电极1上的微波信号通过第一主干11的直通端
②直接输出给移相结构的第一传输线3,而由于第二支路的隔离端④的匹配阻抗为Z0,从而
使得第二电极2上的微波信号完全由耦合端③输出给移相结构的第二传输线4,进而使得输
入至第二传输线4的微波信号比输入至第一传输线3的微波信号的相位滞后180°,同时由于
沿第一主干11的输入端①指向直通端②方向,第一分支12和与之交叠第二分支22所构成的
支路阻抗依次减小,以使各个支路阻抗所分得的微波信号的能量相等,从而使线第一电极1
和第二电极2上的微波信号等功率分配。
[0060] 在此需要说明的是,第一主干11和第二主干21位于无耦合双线区Q2中的部分可以是平行设置的线性结构,也可以是非平行设置,亦或者是弯折结构,在本发明实施例中并不
对这部分结构的形状和设置方式做限定。在将上述馈电结构应用至移相器中时,在第一主
干11的直通端②和第二主干21的耦合端③实际上也连接匹配阻抗,该阻抗的值为Z0,阻抗
的形式可以是表贴阻抗也可以是线阻抗。
[0061] 在一些实施例中,可以通过调节第一分支12和第二分支22所构成的支路阻抗,以调节第一电极1和第二电极2上的微波信号的功率分配。
[0062] 对于实现上述的沿第一主干11的输入端①指向直通端②方向,第一分支12和与之交叠第二分支22所构成的支路阻抗依次减小的结构,本发明实施例提供以下三种具体示
例。
[0063] 第一种示例,如图2所示,各个第一分支12和第二分支22的宽度相同,任意两相邻的第一分支12间距相等,任意两相邻的第二分支22间距相等;在沿第一主干11的输入端①
指向直通端②的方向上,第一分支12和第二分支22的交叠面积依次增大,以使各个支路的
交叠电容依次增大,阻抗依次减小,以使得各支路能量等分。
[0064] 第二种示例,如图3所示,各个第一分支12的宽度不同,每个分支与之对应的第二分支22的宽度相同,任意两相邻的第一分支12间距相等,任意两相邻的第二分支22间距相
等;在沿第一主干11的输入端①指向直通端②的方向上,第一分支12和第二分支22的交叠
长度相同,交叠面积依次增大,以使各个支路的交叠电容依次增大,阻抗依次减小,以使得
各支路能量等分。
[0065] 第三种示例,如图4所示,各个第一分支12和各个第二分支22的宽度相同;沿输入端①指向所述直通端②方向,任意两相邻第一分支12之间的间距依次减小,且第一分支12
和第二分支22的交叠长度相同,以使阻抗值逐渐减小,以使得各支路能量等分。
[0066] 在一些实施例中,第一电极1、第二电极2、参考电极30构成微带线传输结构、带状线传输结构、共表面波导传输结构、基片集成波导传输结构中任意一种。
[0067] 在一些实施例中,在馈电单元的第一基板和第二基板之间还设置有支撑组件50,用以维持第一基板和第二基板之间的盒厚。
[0068] 在一些实施例中,第一基底10和第二基底20可以采用厚度为100‑1000μm的玻璃基板,也可采用蓝宝石衬底,还可以使用厚度为10‑500μm的聚对苯二甲酸乙二酯基板、三聚氰
酸三烯丙酯基板和聚酰亚胺透明柔性基板。具体的,第一基底10和第二基底20可以采用介
电损耗极低的高纯度石英玻璃。相比于普通玻璃基板,第一基底10和第二基底20采用石英
玻璃可以有效减小对微波的损耗,使移相器具有低的功耗和高的信噪比。
[0069] 在一些实施例中,第一电极1、第二电极2、第一传输线3、第二传输线4的材料均可以采用铝、银、金、铬、钼、镍或铁等金属制成。而且第一传输线3、第二传输线4还可以采用透
明导电氧化物制成。
[0070] 在一些实施例中,馈电单元中的参考电极30也即接地电极可以设置在第一基底10背离第二基底20的一侧,或者设置在第二基底20背离第一基底10的一侧,当然还可以设置
第三基底90,该第三基底90可以与第一基底10和第二基底20中的任意一者相对设置,此时
可以将参考电极30设置在第三基底90上。
[0071] 在一些实施例中,液晶层70中的液晶分子为正性液晶分子或负性液晶分子,需要说明的是,当液晶分子为正性液晶分子时,本发明具体实施例液晶分子长轴方向与第二电
极2之间的夹角大于度小于等于45°。当液晶分子为负向液晶分子时,本发明具体实施例液
晶分子长轴方向与第二电极2之间的夹角大于度小于90°,保证了液晶分子发生偏转后,改
变液晶层70的介电常数,以达到移相的目的。
[0072] 第二方面,结合图7‑11所示,本发明实施例还提供一种馈电结构,该馈电结构包括两个级联的馈电单元,如图7‑8所示,对于每一个馈电单元可以采用上述的结构;其中,第一
级馈电单元的第一主干11的直通端②连接第二级馈电单元的第一主干11的输入端①;第一
馈电单元的第二主干21的耦合端③连接第二级馈电单元的第二主干21的隔离端④。
[0073] 在一些实施例中,第一级第一馈电单元的第一主干11的直通端②通过第一信号线,与第二级馈电单元的第一主干11的输入端①连接;第一级馈电单元的第二主干21的耦
合端③通过第二信号线,与第二级馈电单元的第一主干11的隔离端④连接;其中,第一级第
一馈电单元的第一主干11、第二级馈电单元的第一主干11,以及第一信号线同层设置且材
料相同;第一级第一馈电单元的第二主干21、第二级馈电单元的第二主干21,以及第二信号
线同层设置且材料相同。这样一来,可以将两级馈电单元的第一电极1和第一信号线采用一
次构图工艺制备,第二电极2和第二信号线采用一次构图工艺制备,从而可以提高生产效
率,降低成本。
[0074] 在该种结构中,应当注意的是,在设计线宽较窄、交叠电容尺寸较小的时候,可以通过设计尽量减小位移电容影响,以此避免有过孔方案两次换层带来的带宽减小的问题。
[0075] 在一些实施例中,两级馈电单元的结构与上述结构相似,如图9‑10所示,区别在于,第二级馈电单元的第一主干11在与所述第二信号线交叠的位置断开设置,在第一基底
10上具有过孔,第三信号线80通过过孔将第二级所述馈电单元的第一主干11对应所述第二
信号线断开的位置连接。这样一来,可以避免第二信号线和第二级馈电单元的第一主干11
交叉位置的距离太短,造成位移电流互扰的问题。
[0076] 在一些实施例中,如图11所示,该馈电结构还包括与所述第一基底10背离第二基底20一侧相对设置的第三基底90;其中,参考电极30位于第三基底90背离第一基底10的一
侧,以避免第一基底10背离第一电极1的一侧传输线阻抗不会过小。
[0077] 而对于本实施例中馈电单元中的均可以与上述实施例中设计成相类似结构。同时应当理解的是,本实施例中的馈电单元的数量也不局限于上述的2个,根据设计需求可以设
计多个级联的馈电单元。
[0078] 在本实施例的一种具体示例中,可以通过调节馈电单元中第一分支12和第二分支22的交叠面积,以使每个馈电单元可以实现8.34dB功分的180°馈电单元,通过两个级联的
8.34dB功分的180°馈电单元则可以实现3dB的180°馈电单元的功能。采用两个级联的
8.34dB功分的180°馈电单元实现一个3dB的180°馈电单元,其带宽远大于单个馈电单元的
3dB的180°馈电单元,而且无需单个馈电单元实现3dB功分水平的强耦合,设计自由度较高。
[0079] 第三方面,本发明实施例还提供一种微波射频器件,其包括上述的任一馈电结构,该微波射频器件可以包括但不限于滤波器或者移相器。
[0080] 第四方面,本发明实施例还提供一种液晶天线,该液晶天线包括上述的任意一种移相器。其中,在第二基底20的背离液晶介质层40的一侧还设置有至少两个贴片单元,其
中,每两个贴片单元之间的间隙与电极条之间的间隙对应设置。这样一来,可以使得经过上
述的任意一种移相器进行相位调整后的微波信号从贴片单元之间的间隙辐射出去。
[0081] 可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精
神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。