摄像装置、激光加工装置和摄像方法

摘要

本发明提供一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物(11)的改性区域(12)和/或从所述改性区域延伸的裂纹(14)，其包括：利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元(4)；和控制所述第1摄像单元的第1控制部，所述第1控制部，在切换沿着第1线(15a)形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线(15b)形成所述改性区域的时机，执行控制所述第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域。

权利要求

1.一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从所述改性区域延伸的裂纹，所述摄像装置的特征在于，包括：利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元；和控制所述第1摄像单元的第1控制部，

所述第1控制部，在切换沿着第1线形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线形成所述改性区域的时机，执行控制所述第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域，所述第1摄像单元在所述摄像处理中，在与所述对象物的所述激光的入射面交叉的Z方向的各部位上进行拍摄。

2.一种激光加工装置，其特征在于，包括：

权利要求1所述的摄像装置；

用于对所述对象物照射所述激光的激光照射单元；和

驱动单元，其安装所述激光照射单元，在与所述对象物上的所述激光的入射面交叉的方向上驱动所述激光照射单元，所述第1摄像单元与所述激光照射单元均安装于所述驱动单元。

3.如权利要求2所述的激光加工装置，其特征在于，包括：利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第2摄像单元；和控制所述激光照射单元和所述第2摄像单元的第2控制部，所述第1摄像单元具有使从所述对象物透射了的光透射的第1透镜和检测从所述第1透镜透射的该光的第1光检测部，所述第2摄像单元具有使从所述对象物透射了的光透射的第2透镜和检测从所述第2透镜透射的该光的第2光检测部，所述第2控制部，基于所述第2光检测部的检测结果来执行控制所述激光照射单元和所述第2摄像单元的对准处理，来进行所述激光的照射位置的对准。

4.一种激光加工装置，其特征在于：

包括：

用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从所述改性区域延伸的裂纹且包括利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第1摄像单元和控制所述第1摄像单元的第1控制部的摄像装置；

用于对所述对象物照射所述激光的激光照射单元；

驱动单元，其安装所述激光照射单元，在与所述对象物上的所述激光的入射面交叉的方向上驱动所述激光照射单元，利用透射所述对象物的光来拍摄所述对象物的第2摄像单元；和控制所述激光照射单元和所述第2摄像单元的第2控制部，所述第1控制部，在切换沿着第1线形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线形成所述改性区域的时机，执行控制所述第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域，所述第1摄像单元与所述激光照射单元均安装于所述驱动单元，所述第1摄像单元具有使从所述对象物透射了的光透射的第1透镜和检测从所述第1透镜透射的该光的第1光检测部，所述第2摄像单元具有使从所述对象物透射了的光透射的第2透镜和检测从所述第2透镜透射的该光的第2光检测部，所述第2控制部，基于所述第2光检测部的检测结果来执行控制所述激光照射单元和所述第2摄像单元的对准处理，来进行所述激光的照射位置的对准，所述第1透镜的数值孔径大于所述第2透镜的数值孔径。

5.一种摄像方法，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从所述改性区域延伸的裂纹，所述摄像方法的特征在于：包括摄像步骤，在切换沿着第1线形成所述改性区域与沿着交叉于所述第1线的第2线形成所述改性区域的时机，通过透射所述对象物的光来拍摄沿着所述第1线形成的所述改性区域和/或包含从该改性区域延伸的所述裂纹的区域，在所述摄像步骤中，在与所述对象物的所述激光的入射面交叉的Z方向的各部位上进行拍摄。

说明书

摄像装置、激光加工装置和摄像方法

技术领域

[0001] 本发明涉及摄像装置、激光加工装置和摄像方法。

背景技术

[0002] 已知有一种激光加工装置，其为了将包括半导体衬底和形成于半导体衬底的正面上的功能元件层的晶片分别沿着多条线切断，而从半导体衬底的背面侧对晶片照射激光，来分别沿着多条线在半导体衬底的内部形成多排改性区域。专利文献1所记载的激光加工装置包括红外线摄像机，能够从半导体衬底的背面侧观察形成于半导体衬底的内部的改性区域和形成于功能元件层的加工损伤等。

[0003] 现有技术文献

[0004] 专利文献

[0005] 专利文献1：日本特开2017‑64746号公报。

发明内容

[0006] 发明要解决的课题

[0007] 如上述专利文献1中记载的激光加工装置所述，有以非破坏的方式确认形成于晶片的内部的改性区域等的需求。对此，在专利文献1所记载的激光加工装置中，红外线摄像机所拍摄的晶片的摄像位置，在相对于加工光学系统对晶片进行加工的加工位置为晶片移动方向的下游侧配置在一直条线上。

[0008] 因此，红外线摄像机在与加工光学系统对晶片进行加工的加工位置相同的切断预定线上拍摄晶片，由此能够实时确认、测定形成于晶片内部的改性区域的形成位置和加工损伤等。然而，使用红外线摄像机等确认、测定改性区域等须要花费一定的时间。因此，若如专利文献1所记载的激光加工装置那样，要同时形成改性区域和确认改性区域等，则会对形成改性区域的速度造成限制，有可能使加工效率降低。

[0009] 因此，本发明的一个侧面的目的是提供一种能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认的摄像装置、激光加工装置和摄像方法。

[0010] 用于解决课题的技术方案

[0011] 本发明的一个方式为一种摄像装置，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹，摄像装置的特征在于，包括：利用透射对象物的光来拍摄对象物的第1摄像单元；和控制第1摄像单元的第1控制部，第1控制部，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，执行控制第1摄像单元的摄像处理，来拍摄沿着第1线形成的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。

[0012] 在该装置中，第1控制部通过控制第1摄像单元来执行第1摄像处理，来利用透射对象物的光来拍摄对象物的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。因此，不需破坏对象物就能够取得改性区域等(改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹(以下相同))的图像，并能够进行确认。特别是，在该装置中，第1控制部在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，执行上述摄像处理。因此，不会对形成改性区域的速度造成影响，就能够确认改性区域等。即，依据该装置，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。

[0013] 本发明的一个方式的激光加工装置包括：上述摄像装置；用于对对象物照射激光的激光照射单元；和驱动单元，其安装激光照射单元，在与对象物上的激光的入射面交叉的方向上驱动激光照射单元，第1摄像单元与激光照射单元均安装于驱动单元。

[0014] 该装置具有上述摄像装置。因此，依据该装置，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。并且，该装置具有使激光照射单元在交叉于对象物的激光的入射面的方向(入射方向)上驱动的驱动单元。并且，第1摄像单元与激光照射单元均安装于该驱动单元。因此，在通过照射激光形成改性区域以及摄像处理中，能够轻易共享入射方向的位置信息。

[0015] 本发明的一个方式的激光加工装置包括：利用透射对象物的光来拍摄对象物的第2摄像单元；和控制激光照射单元和第2摄像单元的第2控制部，第1摄像单元具有使从对象物透射了的光透射的第1透镜和检测从第1透镜透射的该光的第1光检测部，第2摄像单元具有使从对象物透射了的光透射的第2透镜和检测从第2透镜透射的该光的第2光检测部，第2控制部，基于第2光检测部的检测结果来执行控制激光照射单元和第2摄像单元的对准处理，来进行激光的照射位置的对准。这样，除了用于拍摄改性区域等的第1摄像单元以外，另外使用用于对准激光的照射位置的第2摄像单元，由此能够使用各自合适的光学系统。

[0016] 本发明的一个方式的激光加工装置中，第1透镜的数值孔径大于第2透镜的数值孔径。此时，能够通过相对小的数值孔径下的观察更为可靠地进行对准，并且能够通过相对大的数值孔径拍摄改性区域等。

[0017] 本发明的一个方式的摄像方法，用于拍摄通过照射激光而形成于对象物的改性区域和/或从改性区域延伸的裂纹，其包括摄像步骤，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机，通过透射对象物的光来拍摄沿着第1线形成的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域。

[0018] 在该方法中，将对象物的改性区域和/或包含从该改性区域延伸的裂纹的区域，通过透射对象物的光进行摄像。因此，不需破坏对象物就能够取得改性区域等的图像，并能够进行确认。特别是，在该方法中，在切换沿着第1线形成改性区域与沿着交叉于第1线的第2线形成改性区域的时机进行上述摄像。因此，不会对形成改性区域的速度造成影响，就能够确认改性区域等。即，依据该方法，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。

[0019] 发明效果

[0020] 依据本发明的一个侧面，提供一种能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认的摄像装置、激光加工装置和摄像方法。

附图说明

[0021] 图1是包括一个实施方式的检查装置的激光加工装置的构成图。

[0022] 图2是一个实施方式的晶片的平面图。

[0023] 图3是图2所示的晶片的一部分的剖面图。

[0024] 图4是图1所示的激光照射单元的构成图。

[0025] 图5是图1所示的检查用摄像单元的构成图。

[0026] 图6是图1所示的对准校正用摄像单元的构成图。

[0027] 图7是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶片的剖面图，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。

[0028] 图8是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的晶片的剖面图，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。

[0029] 图9是形成于半导体衬底的内部的改性区域和裂纹的SEM图像。

[0030] 图10是形成于半导体衬底的内部的改性区域和裂纹的SEM图像。

[0031] 图11是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的光路图，以及表示该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。

[0032] 图12是用于说明图5所示的检查用摄像单元的摄像原理的光路图，以及表示该检查用摄像单元的焦点处的图像的示意图。

[0033] 图13是用于说明图5所示的检查用摄像单元的检查原理的晶片的剖面图、晶片的切断面的图像，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。

[0034] 图14是用于说明图5所示的检查用摄像单元的检查原理的晶片的剖面图、晶片的切断面的图像，以及该检查用摄像单元所获得的各部位处的图像。

[0035] 图15是一个实施方式的半导体器件制造方法的流程图。

[0036] 图16是图15所示的半导体器件制造方法的研磨和切断步骤中的晶片的一部分的剖面图。

[0037] 图17是图15所示的半导体器件制造方法的研磨和切断步骤中的晶片的一部分的剖面图。

[0038] 图18是表示一个实施方式的激光加工方法和摄像方法的流程图。

[0039] 图19是为包括变形例的检查装置的激光加工系统的构成图。

具体实施方式

[0040] 以下，参照附图详细说明一个实施方式。其中，在各图中，对于相同的要素或相当的要素存在赋予相同的附图标记并省略重复的说明的情况。并且，在附图中，存在表示由X轴、Y轴和Z轴所规定的直角坐标系的情况。

[0041] 如图1所示，激光加工装置1包括：载置台2、激光照射单元3、多个摄像单元4、5、6、驱动单元7、以及控制部8。激光加工装置1是通过对对象物11照射激光L而在对象物11形成改性区域12的装置。

[0042] 载置台2例如通过吸附粘贴于对象物11的薄膜来支承对象物11。载置台2能够分别沿着X方向和Y方向移动，且能够以平行于Z方向的轴线作为中心线进行旋转。其中，X方向和Y方向是彼此垂直的第1水平方向和第2水平方向，Z方向为垂直方向。

[0043] 激光照射单元3将对于对象物11具有透射性的激光L聚光而照射于对象物11。当激光L聚光至被载置台2支承的对象物11的内部，特别会在对应于激光L的聚光点C的部分吸收激光L，而在对象物11的内部形成改性区域12。

[0044] 改性区域12是密度、折射率、机械强度或其他物理特性与周围的非改性区域不同的区域。作为改性区域12，例如有熔融处理区域、裂隙区域、绝缘破坏区域、折射率变化区域等。改性区域12具有裂纹容易从改性区域12向激光L的入射侧及其相反侧延伸的特性。这样的改性区域12的特性被用于切断对象物11。

[0045] 作为一例，使载置台2沿着X方向移动，而使聚光点C相对于对象物11沿着X方向相对移动，以沿着X方向排成1排的方式形成多个改性点12s。1个改性点12s由1脉冲的激光L的照射来形成。1排改性区域12是排成1排的多个改性点12s的集合。相邻的改性点12s因聚光点C相对于对象物11的相对移动速度和激光L的反复频率而有彼此连接的情况，也有彼此分开的情况。

[0046] 摄像单元(第1摄像单元)4按照控制部(第1控制部)8的控制，利用透射对象物11的光来对被载置台2支承的对象物11进行拍摄。更具体而言，摄像单元4对形成于对象物11的改性区域12以及从改性区域12延伸的裂纹的前端进行拍摄。在本实施方式中，摄像单元4和控制摄像单元4的控制部8用作摄像装置10。

[0047] 摄像单元(第2摄像单元)5和摄像单元6按照根据控制部(第2控制部)8的控制，利用透射对象物11的光对被载置台2支承的对象物11进行拍摄。摄像单元5、6进行摄像而获得的图像，作为一例，用于进行激光L的照射位置的对准。

[0048] 驱动单元7支承激光照射单元3和多个摄像单元4、5、6。换言之，在驱动单元7上安装有激光照射单元3。并且，摄像单元4、5、6与激光照射单元3一起安装于驱动单元7。驱动单元7使激光照射单元3和多个摄像单元4、5、6沿着Z方向移动。在此，Z方向是交叉于对象物11上的激光L的入射面(例如后述的背面21b)的方向。

[0049] 控制部8控制载置台2、激光照射单元3、多个摄像单元4、5、6和驱动单元7的动作。控制部8构成为包括处理器、内存、存储器和通讯装置等的计算机装置。在控制部8中，处理器执行读取到内存等的软件(程序)，读出或写入内存和存储器的数据，并且控制通讯装置进行的通讯。

[0050] [对象物的构成]

[0051] 本实施方式的对象物11如图2及图3所示为晶片20。晶片20包括半导体衬底21和功能元件层22。半导体衬底21具有正面21a和背面21b。半导体衬底21例如为硅衬底。功能元件层22形成于半导体衬底21的正面21a。功能元件层22包含沿着正面21a二维排列的多个功能元件22a。功能元件22a是例如发光二极管等的受光元件、激光二极管等的发光元件、内存等的电路元件等。功能元件22a也存在堆叠多个层而三维地构成的情况。另外，在半导体衬底21，虽然设有表示结晶方位的缺口21c，但是也可以取代缺口21c而设置定向平面。

[0052] 晶片20分别沿着多条线15按每个功能元件22a被切断。多条线15从晶片20的厚度方向观察时，通过多个功能元件22a各自之间。更具体而言，线15从晶片20的厚度方向观察时，通过网格线区域23的中心(宽度方向的中心)。网格线区域23在功能元件层22以通过相邻的功能元件22a之间的方式延伸。在本实施方式中，多个功能元件22a沿着正面21a以矩阵状排列，多条线15设定为格子状。另外，线15虽是虚拟线，但也可是实际上划出的线。

[0053] 线15包含多条第1线15a，以及交叉(正交)于第1线15a的多条第2线15b。在此，各第1线15a彼此平行，各第2线15b彼此平行。此此，彼此相邻的一对第1线15a和彼此相邻的一对第2线15b，界定出长方体状的1个功能元件22a。换言之，晶片20(对象物11)从Z方向观察，包括由第1线15a和第2线15b界定出的多个功能元件22a。第1线15a与第2线15b的交叉点系界定出功能元件22a的角，第1线15a和第2线15b各自界定出功能元件22a的边。

[0054] [激光照射单元的构成]

[0055] 如图4所示，激光照射单元3具有光源31、空间光调制器32和聚光透镜33。光源31例如通过脉冲振荡方式来输出激光L。空间光调制器32调制从光源31输出的激光L。空间光调制器32例如是反射型液晶(LCOS：Liquid Crystal on Silicon)的空间光调制器(SLM：Spatial Light Modulator)。聚光透镜33将通过空间光调制器32调制的激光L聚光。

[0056] 在本实施方式中，激光照射单元3分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L，由此分别沿着多条线15在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b。改性区域(第1改性区域)12a是2排改性区域12a、12b中的最靠近正面21a的改性区域。
改性区域(第2改性区域)12b是2排改性区域12a、12b中的最靠近改性区域12a的改性区域，且是最靠近背面21b的改性区域。

[0057] 2排改性区域12a、12b在晶片20的厚度方向(Z方向)相邻。2排改性区域12a、12b是通过使2个聚光点C1、C2相对于半导体衬底21沿着线15相对移动而形成的。通过空间光调制器32调制激光L，使得例如聚光点C2相对于聚光点C1位于行进方向的后侧且位于激光L的入射侧。

[0058] 激光照射单元3以使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的条件，分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L。作为一例，对于作为厚度775μm的单晶硅衬底的半导体衬底21，使2个聚光点C1、C2分别对焦到与正面21a相距54μm的位置和128μm的位置，分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L。此时，激光L的波长是1099nm，脉冲宽度是700n秒，反复频率是120kHz。并且，聚光点C1处的激光L的输出是2.7W，聚光点C2处的激光L的输出是2.7W，2个聚光点C1、C2相对于半导体衬底21的相对移动速度是800mm/秒。

[0059] 这样的2排改性区域12a、12b和裂纹14的形成是在如下那样的情况下实施的。即，在之后的步骤中，通过研磨半导体衬底21的背面21b而使半导体衬底21薄化，并且使裂纹14露出到背面21b，分别沿着多条线15将晶片20切断为多个半导体器件的情况。

[0060] [检查用摄像单元的构成]

[0061] 如图5所示，摄像单元4具有光源41、反射镜42、物镜(第1透镜)43、光检测部(第1光检测部)44。光源41输出对于半导体衬底21具有透射性的光I1。光源41例如由卤素灯和滤光片构成，输出近红外线区域的光I1。从光源41输出的光I1被反射镜42反射而通过物镜43，而从半导体衬底21的背面21b侧照射至晶片20。此时，载置台2如上所述支承形成有2排改性区域12a、12b和晶片20。

[0062] 物镜43使被半导体衬底21的正面21a反射的光I1通过。即，物镜43使在半导体衬底21传播(透射)的光I1通过。物镜43的数值孔径(NA)在0.45以上。物镜43具有校正环43a。校正环43a例如由调整构成物镜43的多个透镜的彼此之间的距离，来校正半导体衬底21内的光I1所产生之像差。光检测部44检测通过了物镜43和反射镜42的光I1。光检测部44例如由InGaAs摄像机构成，检测近红外线区域的光I1。

[0063] 摄像单元4能够拍摄出2排改性区域12a、12b各自，以及多个裂纹14a、14b、14c、14d各自的前端(详情后述)。裂纹14a是从改性区域12a向正面21a侧延伸的裂纹。裂纹14b是从改性区域12a向背面21b侧延伸的裂纹。裂纹14c是从改性区域12b向正面21a侧延伸的裂纹。裂纹14d是从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹。控制部8虽然以使跨2排改性区域12a、
12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的条件，使激光照射单元3照射激光L(参照图4)，但是当由于某些异常等而使得裂纹14未到达正面21a时，会形成这样的多个裂纹14a、14b、
14c、14d。

[0064] [对准校正用摄像单元的构成]

[0065] 如图6所示，摄像单元5具有光源51、反射镜52、透镜(第2透镜)53、光检测部(第2光检测部)54。光源51输出对于半导体衬底21具有透射性的光I2。光源51例如由卤素灯和滤光片构成，输出近红外线区域的光I2。光源51也可与摄像单元4的光源41共用化。从光源51输出的光I2被反射镜52反射而通过透镜53，从半导体衬底21的背面21b侧照射至晶片20。

[0066] 透镜53使被半导体衬底21的正面21a反射的光I2通过。即，透镜53使透射半导体衬底21的光I2通过。透镜53的数值孔径在0.3以下。即，摄像单元4的物镜43的数值孔径比透镜53的数值孔径大。光检测部54检测通过透镜53和反射镜52的光I2。光检测部55例如由InGaAs摄像机构成，检测近红外线区域的光I2。

[0067] 摄像单元5按照控制部8(第2控制部)的控制，从背面21b侧将光I2照射至晶片20，并且检测出从正面21a(功能元件层22)返回的光I2，由此对功能元件层22进行拍摄。并且，摄像单元5同样地按照控制部8的控制，从背面21b侧将光照射至晶片20，并且检测从半导体衬底21的改性区域12a、12b的形成位置返回的光I2，由此取得包含改性区域12a、12b的区域的图像。这些图像用于进行激光L的照射位置的对准。摄像单元6除了相较于透镜53为低倍率(例如在摄像单元5中为6倍，在摄像单元6中为1.5倍)以外，具有与摄像单元5相同的构成，并与摄像单元5同样地用于对准。

[0068] [检查用摄像单元的摄像原理]

[0069] 使用图5所示的摄像单元4，如图7所示，对于跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达了正面21a的半导体衬底21，使焦点F(物镜43的焦点)从背面21b侧向正面21a侧移动。在该情况下，如果使焦点从背面21b侧F对焦到从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端14e，则能够确认到该前端14e(图7的右侧的图像)。然而，即便使焦点从背面21b侧F对焦到裂纹14本身和到达了正面21a的裂纹14的前端14e，也无法进行确认(图7的左侧的图像)。另外，如果使焦点F从背面21b侧对焦到半导体衬底21的正面21a，则能够确认到功能元件层
22。

[0070] 并且，使用图5所示的摄像单元4，如图8所示，对于跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达正面21a的半导体衬底21，使焦点F从背面21b侧向正面21a侧移动。在该情况下，即便使焦点F从背面21b侧对焦到从改性区域12a向正面21a侧延伸的裂纹14的前端14e，也无法确认到该前端14e(图8的左侧的图像)。然而，如果使焦点F从背面21b侧对焦到相对于正面21a位于与背面21b相反侧的区域(即，相对于正面21a位于功能元件层22侧的区域)，使与焦点F关于正面21a对称的虚拟焦点Fv位于该前端14e，则能够确认到该前端14e(图8的右侧的图像)。另外，虚拟焦点Fv，是考虑了半导体衬底21的折射率的与焦点F关于正面21a对称的点。

[0071] 以上那样无法确认到裂纹14，推测是因为裂纹14的宽度比作为照明光的光I1的波长小。图9和图10是形成于作为硅衬底的半导体衬底21的内部的改性区域12及裂纹14的SEM(Scanning Electron Microscope)图像。图9的(b)是图9的(a)所示的区域A1的放大图像，图10的(a)是图9的(b)所示的区域A2的放大图像，图10的(b)是图10的(a)所示的区域A3的放大图像。如此，裂纹14的宽度是120nm左右，比近红外线区域的光I1的波长(例如，1.1～1.2μm)小。

[0072] 根据以上事项所设想的摄像原理如下所述。如图11的(a)所示，如果使焦点F位于空气中，则光I1不会返回，因此会获得漆黑的图像(图11的(a)的右侧的图像)。如图11的(b)所示，如果使焦点F位于半导体衬底21的内部，则被正面21a反射的光I1会返回，故会获得白净的图像(图11的(b)的右侧的图像)。如图11的(c)所示，如果使焦点F从背面21b侧对焦到改性区域12，则会因改性区域12使被正面21a反射而返回的光I1的一部分产生吸收、散射等，所以会获得在白净的背景中显示出漆黑的改性区域12的图像(图11的(c)的右侧的图像)。

[0073] 如图12的(a)和(b)所示，如果使焦点F从背面21b侧对焦到裂纹14的前端14e，则例如会因产生于前端14e附近的光学特异性(应力集中、歪曲、原子密度的不连续性等)使光被局限在前端14e附近，由此使被正面21a反射而返回的光I1的一部分产生散射、反射、干涉、吸收等，所以会获得在白净的背景中显示出漆黑的前端14e的图像(图12的(a)和(b)的右侧的图像)。如图12的(c)所示，如果使焦点F从背面21b侧对焦到裂纹14的前端14e附近以外的部分，则被正面21a反射的光I1有至少一部分会返回，故会获得白净的图像(图12的(c)的右侧的图像)。

[0074] [检查用摄像单元的检查原理]

[0075] 控制部8以使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的条件，使激光照射单元3照射激光L，其结果，按照预定，跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达正面21a时，裂纹14的前端14e的状态如下所述。即，如图13所示，在改性区域12a与正面21a之间的区域，以及改性区域12a与改性区域12b之间的区域，不会出现裂纹14的前端14e。从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端14e的位置(以下仅称为「前端位置」)，是相对于改性区域12b与背面21b之间的基准位置P位于背面21b侧。

[0076] 对此，控制部8以使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的条件，使激光照射单元3照射激光L，其结果，不如预期地因发生不良状况而导致跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达正面21a时，裂纹14的前端14e的状态如下所述。即，如图14所示，在改性区域12a与正面21a之间的区域，会出现从改性区域12a向正面21a侧延伸的裂纹14a的前端14e。在改性区域12a与改性区域12b之间的区域，会出现从改性区域12a向背面21b侧延伸的裂纹14b的前端14e，以及从改性区域12b向正面21a侧延伸的裂纹14c的前端
14e。从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端位置，是相对于改性区域12b与背面
21b之间的基准位置P位于正面21a。

[0077] 如上所述，如果使控制部8实施接下来的第1检查、第2检查、第3检查和第4检查中的至少1个检查，则能够评价跨2排改性区域12a、12b的裂纹14是否到达半导体衬底21的正面21a。第1检查是以改性区域12a与正面21a之间的区域为检查区域R1，并判断检查区域R1中是否存在有从改性区域12a向正面21a侧延伸的裂纹14a的前端14e的检查。第2检查是以改性区域12a与改性区域12b之间的区域为检查区域R2，并判断检查区域R2中是否存在有从改性区域12a向背面21b侧延伸的裂纹14b的前端14e的检查。第3检查是判断检查区域R2中是否存在有从改性区域12b向正面21a侧延伸的裂纹14c的前端14e的检查。第4检查是以从基准位置P向背面21b侧延伸且未到达背面21b的区域为检查区域R3，并判断从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端位置是否位于检查区域R3的检查。

[0078] 检查区域R1、检查区域R2和检查区域R3分别能够在形成2排改性区域12a、12b之前，基于使2个聚光点C1、C2对焦到半导体衬底21的位置来设定。在跨2排改性领域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的情况下，因从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端位置稳定，所以基准位置P及检查区域R3能够基于测试加工的结果来进行设定。另外，摄像单元4如图13及图14所示，能够拍摄2个改性区域12a、12b中的各者，因此也可以在形成2排改性区域12a、12b之后，基于2个改性区域12a、12b各自的位置，来设定检查区域R1、检查区域R2及检查区域R3中的各者。

[0079] [激光加工方法以及半导体器件制造方法]

[0080] 对于本实施方式的半导体器件制造方法，参照图15进行说明。另外，本实施方式的半导体器件制造方法包含激光加工装置1所实施的激光加工方法。

[0081] 首先，准备晶片20，并将其载置于激光加工装置1的载置台2。接着，激光加工装置1分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L，由此分别沿着多条线15在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b(S01，第1步骤)。在该步骤中，激光加工装置1以使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的条件，分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L。

[0082] 接着，激光加工装置1检查在改性区域12a与改性区域12b之间的检查区域R2是否存在从改性区域12a向背面21b侧延伸的裂纹14b的前端14e(S02，第2步骤)。在该步骤中，激光加工装置1从背面21b侧使焦点F对焦至检查区域R2内，并检测出从正面21a侧往背面21b侧在半导体衬底21中传播(透射)的光I1，由此检查检查区域R2中是否存在裂纹14b的前端14e。这样，在本实施方式中，激光加工装置1实施第2检查。

[0083] 更具体而言，摄像单元4的物镜43从背面21b侧使焦点F对焦至检查区域R2内，摄像单元4的光检测部44检测出从正面21a侧往背面21b侧在半导体衬底21中传播(透射)的光I1。此时，驱动单元7使摄像单元4沿着Z方向移动，而使焦点F在检查区域R2内沿着Z方向相对移动。由此，光检测部44取得Z方向的各部位的图像数据。因此，控制部8根据从光检测部44输出的信号(即，Z方向的各部位的图像数据)，检查在检查区域R2是否存在裂纹14b的前端14e。

[0084] 接着，控制部8根据步骤S02的检查结果，评价步骤S01的加工结果(S03，第3步骤)。在该步骤中，在检查区域R2不存在裂纹14b的前端14e的情况下，控制部8评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a。另一方面，在检查区域R2存在裂纹14b的前端14e的情况下，控制部8评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面21a。

[0085] 接着，在评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达了半导体衬底21的正面21a的情况下，控制部8实施合格处理(S04)。在该步骤中，作为合格处理，控制部8实施使激光加工装置1所包括的显示器显示合格的情况、使该显示器显示图像数据、使激光加工装置1所包括的存储部存储合格的情况的记录(存储作为日志)、使该存储部存储图像数据等。如此，激光加工装置1所包括的显示器作为对操作者通知合格的情况的通知部起作用。

[0086] 另一方面，在评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面21a的情况下，控制部8实施不合格处理(S05)。在该步骤中，作为不合格处理，控制部8实施使激光加工装置1所包括的灯亮起以表示不合格、使激光加工装置1所包括的显示器显示不合格的情况、使激光加工装置1所包括的存储部存储不合格的情况的记录(存储作为日志)等。如此，激光加工装置1所包括的灯和显示器的至少1者作为对操作者通知不合格的情况的通知部起作用。

[0087] 以上步骤S01至步骤S05是激光加工装置1所实施的激光加工方法。

[0088] 在实施步骤S04的合格处理的情况(即，在步骤S03中，评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达了半导体衬底21的正面21a的情况)下，研磨装置研磨半导体衬底21的背面21b，而使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14露出到背面21b，分别沿着多条线15将晶片20切断为多个半导体器件(S06，第4步骤)。

[0089] 以上的步骤S01至步骤S06是包含激光加工装置1所实施的激光加工方法的半导体器件制造方法。另外，在实施步骤S05的不合格处理的情况(即，在步骤S03中，评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面21a的情况)下，实施激光加工装置1的检查及调节、对晶片20再次进行激光加工(回复加工)等。

[0090] 在此，对于步骤S06的晶片20的研磨和切断，更具体地进行说明。如图16所示，研磨装置200研磨(研削)半导体衬底21的背面21b使半导体衬底21薄化，并且使裂纹14露出到背面21b，分别沿着多条线15将晶片20切断为多个半导体器件20a。在该步骤中，研磨装置200将半导体衬底21的背面21b研磨至第4检查用的基准位置P。

[0091] 如上所述，在跨2排改性领域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a的情况下，从改性区域12b向背面21b侧延伸的裂纹14的前端位置相对于基准位置P位于背面21b侧。因此，通过将半导体衬底21的背面21b研磨至基准位置P，能够使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14露出到背面21b。换言之，以研磨结束预定位置为基准位置P，并以使跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a和基准位置P的条件，分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L。

[0092] 接着，如图17所示，扩展装置300使粘贴于半导体衬底21的背面21b的扩展胶带201扩展，由此使多个半导体器件20a各自彼此分离。扩展胶带201是例如由基材201a及粘接层201b构成的DAF(Die Attach Film)。在该情况下，通过扩展胶带201的扩展，配置在半导体衬底21的背面21b与基材201a之间的粘接层201b按每个半导体器件20a被切断。被切断的粘接层201b与半导体器件20a一起被拾取。

[0093] 在此，如上所述，检查在预定的区域是否存在裂纹14b的前端14e时进行晶片20的摄像。晶片20的摄像通过由摄像单元4和控制部8构成的摄像装置10进行。在上述例子中，分别沿着所有的线15在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b之后，伴随第2检查的实施而进行晶片20的摄像。然而，第2检查(晶片20的摄像)的时机不限于此。

[0094] 例如，实施第2检查的时机也可以是切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b和沿着第2线15b形成改性区域12a、12b的时机。以下，针对该情况进行详细说明。

[0095] 图18所示的激光加工方法包含摄像方法。如图18所示，在此，首先在激光加工装置1的载置台2上载置有晶片20的状态下，进行加工开始位置的对准(S11)。在该步骤中，例如，摄像单元5按照控制部8的控制拍摄晶片20来进行对准。更具体而言，在该步骤中，控制部8控制摄像单元5来拍摄功能元件层22。

[0096] 另一方面，在激光加工装置1(例如控制部8)中，预先登记有包含功能元件22a的尺寸(芯片尺寸)、晶片20的工件尺寸(加工范围的尺寸)以及功能元件层22的基准图像的初始信息。接着，控制部8根据摄像单元5所获得的图像和初期信息，进行激光L的照射位置(X方向和Y方向的激光照射单元3的位置)的对准。

[0097] 在接下来的步骤中，控制部8控制驱动单元7，由此对激光照射单元3的加工高度(Z方向的位置)进行设定(S12)。接着，控制部8开始改性区域12a、12b的形成(S13)。在此，作为一例，进行沿着第1线15a的加工。即，在该步骤中，激光加工装置1沿着1条第1线15a从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L，由此沿着该第1线15a在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b。

[0098] 接着，控制部8在1条第1线15a处的加工完成之后，判断该第1线15a的位置是否位于预先设定的对准位置(S14)。此处的对准，是用于对在步骤S11中进行的对准所产生的位移进行修正的再对准。该再对准可以在每完成1条第1线15a的加工后进行，但在完成多个第1线15a之后进行更有效率。即，对准位置可以对每条第1线15a个别进行设定，但对多条第1线15a设定1个更有效率。

[0099] 在该步骤的结果是在步骤S13中加工完成了的第1线15a的位置并非对准位置时，回到步骤S13，继续沿着其他的第1线15a形成改性区域12a、12b。另一方面，在该步骤的结果是在步骤S13中加工完成了的第1线15a的位置为对准位置时，接着进行再度对准。即，在该情况下，暂时停止改性区域12a、12b的形成而作为进行对准的时机。

[0100] 在接下来的步骤中，如上所述进行再度对准(控制部8执行对准处理)(S15)。此处的对准的一例如下所述。即，控制部8控制摄像单元5，由此在对准校正位置拍摄功能元件层22。并且，控制部8控制摄像单元5，由此在相同位置拍摄包含改性区域12a、12b的区域。接着，控制部8根据2个图像，检测改性区域12a、12b相对于网格线区域23的规定位置(例如中心位置)的偏移量。控制部8根据所检测出的偏移量进行激光L的照射位置的再度对准。

[0101] 或者，此处的对准的另一例如下所述。即，控制部8控制摄像单元5，由此在对准校正位置拍摄功能元件层22。接着，控制部8将加工之前预先取得的对准校正位置的功能元件层22的图像与在该步骤中取得的功能元件层22的图像进行图案匹配，由此检测对准标记等的特征点彼此之间的偏移量。控制部8根据所检测出的偏移量调整激光L的照射位置。

[0102] 在接下来的步骤中，控制部8判断是否沿着所有的第1线15a完成改性区域12a、12b的形成(S16)。若该判断的结果是未沿着所有的第1线15a完成改性区域12a、12b的形成时，则回到步骤S13，继续沿着剩下的第1线15a形成改性区域12a、12b。另一方面，若该判断的结果是沿着所有的第1线15a完成了改性区域12a、12b的形成时，则开始沿着第2线15b形成改性区域12a、12b。即，在该情况下，作为暂时停止改性区域12a、12b的形成，而切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着第2线15b形成改性区域12a、12b的时机。

[0103] 第2检查在该时机实施。即，在接下来的步骤中，控制部8通过控制摄像单元4来拍摄晶片20(S17，摄像步骤)。在此，控制部8通过使摄像单元4沿着Z方向移动，而使焦点F在晶片20内沿着Z方向相对移动。由此，摄像单元4能够在Z方向的各部位进行摄像而取得图像。因此，在所获得的图像中，有仅包含改性区域12a、12b的情况，有包含改性区域12a、12b和裂纹14的情况，也有仅包含裂纹14的情况。

[0104] 即，此处，控制部8在切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着第2线15b形成改性区域12a、12b的时机，执行控制摄像单元4的摄像处理(摄像步骤)，以拍摄沿着第1线15a形成的改性区域12a、12b和/或包含从该改性区域12a、12b延伸的裂纹14的区域。在该步骤中所获得的图像被提供给控制部8。因此，控制部8能够基于所供给的图像数据，利用前述方法、原理来执行第2检查。

[0105] 在接下来的步骤中，激光加工装置1沿着1条第2线15b从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L，由此沿着该第2线15b在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b(S18)。

[0106] 接着，控制部8在1条第2线15b的加工完成之后，判断该第2线15b的位置是否位于预先设定的对准位置(S19)。此处的对准，是用以对在步骤S16中进行的对准所产生的位移进行修正的再对准。该再对准可以在每完成1条第2线15b的加工后进行，但在完成多条第2线15b之后进行更有效率。即，此处的对准位置可对于每条第2线15b个别进行设定，但对于多条第2线15b设定1个更有效率。

[0107] 该步骤的结果是在步骤S18中加工完成了的第2线15b的位置并非对准位置时，回到步骤S18，继续沿着其他第2线15b形成改性区域12a、12b。另一方面，该步骤的结果是在步骤S18中加工完成了的第2线15b的位置是对准位置时，接着进行再对准。即，在该情况下，暂时停止改性区域12a、12b的形成而作为进行对准的时机。

[0108] 在接下来的步骤中，如上所述进行再度对准(S20)。此处的对准的方式与步骤S15相同。

[0109] 在接下来的步骤中，控制部8判断是否沿着所有的第2线15b完成了改性区域12a、12b的形成(S21)。当该判断的结果是未沿着所有的第2线15b完成改性区域12a、12b的形成时，回到步骤S18，继续沿着剩下的第2线15b形成改性区域12a、12b。另一方面，在该判断的结果是沿着所有的第2线15b完成了改性区域12a、12b的形成时，结束处理。

[0110] 其中，第2检查的实施部位(即从Z方向观察时的摄像区域)设定为格子状的多条线15中的至少1个部位即可，然而作为一例，能够为功能元件22a的边。如上所述，功能元件22a从Z方向观察由第1线15a和第2线15b界定。因此，第2检查的实施部位能够为从Z方向观察时功能元件22a的对应于第1线15a和/或第2线15b的边的区域。换言之，第2检查的实施部位能够为除了从Z方向观察时功能元件22a的作为第1线15a与第2线15b的交点之角的区域之外的部位。

[0111] 并且，在使用图18所说明的激光加工方法、摄像方法中，例示第2检查作为裂纹14的检查，蛤不限于第2检查，也可为第1检查、第3检查或第4检查。

[0112] [激光加工方法、半导体装置制造方法的作用和效果]

[0113] 在上述激光加工方法中，从半导体衬底21的背面21b侧使焦点F对焦至改性区域12a与改性区域12b之间的检查区域R2内，并检测从正面21a侧往背面21b侧在半导体衬底21中传播的光I1。通过这样检测出光I1，在检查区域R2存在从改性区域12a往背面21b侧延伸的裂纹14b的前端14e的情况下，能够确认裂纹14b的前端14e。并且，在检查区域R2存在裂纹
14b的前端14e的情况下，设想跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面
21a。因此，依据上述激光加工方法，能够确认跨2排改性区域12a、12b的裂纹14是否到达半导体衬底21的正面21a。

[0114] 并且，在上述激光加工方法中，在检查区域R2不存在裂纹14b的前端14e的情况下，评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14到达半导体衬底21的正面21a，在检查区域R2存在裂纹14b的前端14e的情况下，评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面21a。由此，根据评价结果能够决定之后的步骤的实施方式。

[0115] 并且，在上述激光加工方法中，作为多排改性区域12形成2排改性区域12a、12b。由此，能够效率良好地实施多排改性区域12的形成以及跨多排改性区域12的裂纹14的检查。

[0116] 并且，依据上述半导体装置制造方法，在评价为跨2排改性区域12a、12b的裂纹14未到达半导体衬底21的正面21a的情况下，不实施半导体衬底21的背面21b的研磨，所以能够防止在研磨步骤之后无法将晶片20分别沿着多条线15可靠地切断的情况。

[0117] [摄像装置、摄像方法、激光加工装置的作用和效果]

[0118] 上述摄像装置10拍摄通过照射激光L而在对象物11(晶片20的半导体衬底21)形成的改性区域12a、12b和/或从改性区域12a、12b延伸的裂纹14。摄像装置10具有：通过透射晶片20的至少半导体衬底21的光I1来拍摄晶片20的摄像单元4，以及控制摄像单元4的控制部8。控制部8在切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着第2线15b形成改性区域12a、
12b的时机，执行控制摄像单元4的摄像处理，以拍摄沿着第1线15a形成的改性区域12a、12b和/或包含从该改性区域12a、12b延伸的裂纹14的区域。

[0119] 在摄像装置10中，控制部8通过控制摄像单元4来执行摄像处理，以由透射半导体衬底21的光I1来拍摄半导体衬底21的改性区域12a、12b和/或包含从该改性区域12a、12b延伸的裂纹14的区域。因此，不需破坏晶片20就能够取得改性区域12a、12b等(改性区域12a、12b和/或从改性区域12a、12b延伸的裂纹14(以下相同))的图像，并能够进行确认。特别是，在摄像装置10中，控制部8在切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着交叉于第1线
15a的第2线15b形成改性区域12a、12b的时机，执行上述摄像处理。因此，不会对形成改性区域12a、12b的速度造成影响，就能够确认改性区域12a、12b等。即，依据摄像装置10，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。

[0120] 上述激光加工装置1具有：上述摄像装置10；激光照射单元3，用以对晶片20照射激光L；以及驱动单元7，安装有激光照射单元3，将激光照射单元3往Z方向驱动。摄像单元4与激光照射单元3一起安装于驱动单元7。

[0121] 激光加工装置1具有上述摄像装置10装置。因此，依据激光加工装置1，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。并且，激光加工装置1具有将激光照射单元3往Z方向驱动的驱动单元7。并且，摄像单元4与激光照射单元3一起安装于该驱动单元7。因此，在通过照射激光L形成改性区域12a、12b以及摄像处理中，能够轻易共享入射方向的位置信息。

[0122] 并且，激光加工装置1具有：通过透射半导体衬底21的光I2来摄像晶片20的摄像单元5，以及控制激光照射单元3和摄像单元5的控制部8。摄像单元具有：物镜43，使透射半导体衬底21的光通过；以及光检测部54，检测出通过了物镜43的该光I1。摄像单元5具有：透镜53，使透射半导体衬底21的光I2通过；以及光检测部54，检测通过了透镜53的该光I2。控制部8执行对准处理，该对准处理以根据光检测部54的检测结果对准激光L的照射位置的方式控制激光照射单元3和摄像单元5。因此，除了用以摄像改性区域12a、12b等的摄像单元4以外，另外使用用以对准激光L的照射位置的摄像单元5，由此能够使用各自合适的光学系统。

[0123] 并且，在激光加工装置1中，物镜43的数值孔径比透镜53的数值孔径大。因此，能够通过相对小的数值孔径的观察更为可靠地进行对准，并且能够藉由相对大的数值孔径拍摄改性区域12a、12b等。

[0124] 上述摄像方法拍摄通过照射激光L而在半导体衬底21形成的改性区域12a、12b和/或从改性区域12a、12b延伸的裂纹14。摄像方法包括：摄像步骤，在切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着第2线15b形成改性区域12a、12b的时机，通过透射半导体衬底21的光拍摄沿着第1线15a形成的改性区域12a、12b和/或包含从该改性区域12a、12b延伸的裂纹14的区域。

[0125] 在该方法中，通过透射半导体衬底21的光I1来拍摄半导体衬底21的改性区域12a、12b和/或包含从该改性区域12a、12b延伸的裂纹14的区域。因此，不需破坏晶片20就能够取得改性区域12a、12b等的图像，并能够进行确认。特别是，在该方法中，在切换沿着第1线15a形成改性区域12a、12b与沿着交叉于第1线15a的第2线15b形成改性区域12a、12b的时机进行上述摄像。因此，不会对形成改性区域12a、12b的速度造成影响，就能够确认改性区域
12a、12b等。即，依据该方法，能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认。

[0126] [变形例]

[0127] 本发明的一个方面不限于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，激光加工装置1分别沿着多条线15在半导体衬底21的内部形成2排改性区域12a、12b，然而激光加工装置1也可分别沿着多条线15在半导体衬底21的内部形成1排或3排以上的改性区域12。对于1条线15形成的改性区域12的排数、位置等，能够考虑晶片20中的半导体衬底21的厚度、半导体装置20a的半导体衬底21的厚度等而适当设定。其中，多排改性区域12也可通过使激光L的聚光点C的相对移动来对1条线15实施多次而形成。

[0128] 此外，该图15所示的步骤S06的研磨及切断步骤中，研磨装置200也可以将半导体衬底21的背面21b研磨超过基准位置P。研磨结束预定位置能够根据是否使改性区域12残留于半导体器件20a的侧面(切断面)来适当设定。另外，在半导体器件20a为例如DRAM(Dynamic Random Access Memory)的情况下，也可以使改性区域12残留于半导体器件20a的侧面。

[0129] 并且，如图19所示，摄像装置10也可构成为与激光加工装置1为不同个体。图19所示的摄像装置10，除了摄像单元4还具有载置台101、驱动单元102、控制部(第1控制部)103。载置台101构成为与上述载置台2相同，支承形成有多排改性区域12的晶片20。驱动单元102支承摄像单元4，使摄像单元4沿着Z方向移动。控制部103构成为与上述控制部8相同。在图
19所示的激光加工系统中，在激光加工装置1与摄像装置10之间由机械臂等搬运装置搬运晶片20。

[0130] 此外，分别沿着多条线15从半导体衬底21的背面21b侧对晶片20照射激光L时的激光L的照射条件，并不限于上述条件。例如，激光L的照射条件如上所述，也可以为使跨多排改性区域12(例如，2排改性区域12a、12b)的裂纹14到达半导体衬底21与功能元件层22的界面的条件。或者，激光L的照射条件也可以为使跨多排改性区域12的裂纹14到达功能元件层22的与半导体衬底21相反侧的正面的条件。或者，激光L的照射条件也可以为使跨多排改性区域12的裂纹14到达半导体衬底21内的正面21a的附近的条件。如此，激光L的照射条件为能够形成跨多排改性区域12的裂纹14的条件即可。无论哪种情况均能够确认跨多排改性区域12的裂纹14是否充分延伸至半导体衬底21的正面21a侧。

[0131] 此外，上述实施方式中的各构成不限于上述的材料及形状，能够应用各种材料及形状。此外，上述的一实施方式或变形例中的各构成能够任意应用于其他实施方式或变形例中的各构成。

[0132] [产业上的可利用性]

[0133] 提供一种能够抑制加工效率降低并且能够以非破坏的方式进行确认的摄像装置、激光加工装置和摄像方法。

[0134] 符号说明

[0135] 1…激光加工装置、3…激光照射单元、4…摄像单元(第1摄像单元)、5…摄像单元(第2摄像单元)、7…驱动单元、8…控制部(第1控制部、第2控制部)、10…摄像装置、12,12a,12b…改性区域、11…对象物、14…裂纹、15a…第1线、15b…第2线。