一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置

摘要

本发明涉及一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，该方法将镀膜后的巴条在140‑150℃温度范围内预热处理2‑5min，然后在200‑400℃任一恒定温度下保温处理10‑15min，最后在140‑150℃温度范围内降温处理2‑5min；并重复预热、保温和降温过程3‑5次，完成对巴条的处理过程。本发明填充了光学薄膜中激光器腔面镀高反膜后的处理技术空白，开创了一条镀膜后膜层反射率和质量提升新工艺手段。本发明在提高高反膜的反射率同时，处理的过程中会是的薄膜与腔面的应力得到释放，从而提升LD芯片的性能。

权利要求

1.一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，半导体激光器芯片包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、N限制层、有源层、P限制层、绝缘介质层和P面电极，其特征在于，包括以下步骤：（1）将半导体激光器芯片解理成巴条；

（2）将巴条放置在镀膜设备中，在巴条的前腔面蒸镀增透膜；

（3）在巴条的后腔面蒸镀高反膜：交替蒸镀低折射率膜和高折射率膜；

（4）将镀膜后的巴条在140‑150℃温度范围内预热处理2min，然后在245‑255℃任一恒定温度下保温处理15min，最后在140‑150℃温度范围内降温处理2min；

（5）重复所述步骤（4）4次，完成对巴条的处理过程；

上述方法的实现装置，包括退火炉、石英舟和移动机构，所述退火炉包括炉墙、保温层、石英炉管、热电偶和衬套；

所述炉墙的外侧设置有保温层，所述炉墙的两端设置有衬套，所述炉墙和衬套围设成炉膛；所述炉墙中设置有若干个热电偶，所述石英炉管贯穿设置在所述炉膛中，所述石英炉管包括恒温区和两个过渡区，所述过渡区分布在恒温区的两侧，过渡区的温度范围为140‑

150℃，所述恒温区的温度为200‑400℃；所述石英舟放置在石英炉管中，石英舟的一端与移动机构相连接；

所述移动机构包括金属杆、滑块和滑轨，所述滑块设置在所述滑轨上，所述滑块上设置有固定环，所述石英舟上设置有石英舟拉环，所述金属杆的一端与固定环相连接，所述金属杆的另一端与石英舟拉环相连接；

在进行测定预热处理时，先设定退火炉的温度，再使用热电偶测定石英炉管中的温度分布，中间温度恒定的区域为恒温区，两侧温度渐变的区域为过渡区，并记录恒温区和过渡区的位置；

按照设计的预热、保温和降温的时间、温度、石英炉管中恒温区和过渡区的位置以及石英舟在退火炉中的移动速度，通过控制程序控制滑块在滑轨上的运动；

镀膜后的巴条在该实现装置中的处理过程为：将镀膜后的巴条放置在石英舟上，将石英舟放置在退火炉的石英炉管中，设定好控制程序，程序是按照处理工艺对应的，开始先向左移动到过渡区做预热处理，处理完毕推到恒温区保温，保温完成后，金属杆带动石英舟移动到过渡区降温，降温完成后在推进恒温区，如此四次，完成后滑块回到初始状态，本次处理完成设备自动停止；

所述低折射率膜的膜料为氧化铝，所述高折射率膜的膜料为氧化钛。

2.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，其特征在于，所‑6述步骤（3）中，镀膜设备的真空度为3×10 Torr，镀膜温度为100℃；低折射率膜的生长速率为4‑6Å/s；高折射率膜的生长速率为4‑6Å/s，氧气流量30sccm。

3.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，其特征在于，低折射率膜的生长速率为6Å/s，高折射率膜的生长速率为6Å/s。

4.根据权利要求1所述的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，其特征在于，步骤（3）中，所述巴条的后腔面交替蒸镀3‑6对低折射率膜和高折射率膜的膜系。

说明书

一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，属于薄膜材料处理的技术领域。

背景技术

[0002] 半导体激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管(Laser diode,LD)等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器(激光笔)，是目前生产量最大的激光器。

[0003] 激光二极体的优点有：效率高、体积小、重量轻且价格低。它的连续输出波长涵盖了红外线到可见光范围，而光脉冲输出达50W(脉宽100ns)等级的产品也已商业化，作为激光雷达或激发光源可说是非常容易使用的激光的例子。

[0004] 边发射半导体激光二级管(LD)腔面镀膜是一项重要的工艺；其直接影响LD的出光功率和使用寿命等。在保持前腔面增透膜反射率不变的情况下，通过提升后腔面高反膜的反射率可有效提高LD的输出功率。

[0005] 目前腔面镀膜工艺，先对巴条的腔面进行镀膜，再对巴条进行烘烤；在镀膜过程中，受设备本身的限制，烘烤后巴条腔面上蒸镀的高反膜的反射率低，未达到设计的折射率，且烘烤后高反膜的折射率无法改变；为了更加提高高反膜的折射率往往通过提高镀膜的层数，但是会造成膜料用量增加。镀膜厚度增加，随之带来薄膜层数增加，薄膜与基底的应力也会增加,对巴条的性能会产生不良的影响。

[0006] 中国专利文献CN106300010A报道了一种提高半导体激光器可靠性方法，提出了一种镀制激光高反膜的方法，其主要技术方案是按一定比例混合几种常用高折射率单质薄膜材料，采用混合膜料镀制激光反射膜，使激光反射膜的抗损伤阀值和反射率大大提高；但是该专利的缺点是膜料是混合物，不易控制比例和混合均匀性，并且成膜以后反射率无法进行改变。

发明内容

[0007] 针对现有技术的不足，本发明提供一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，镀膜后的巴条经过预热、保温及降温处理，减少膜料之间的应力，提高半导体激光器的性能。

[0008] 本发明还提供了一种提高半导体激光器高反膜反射率的实现装置，该装置利用移动机构带动高反膜在石英炉管中做内部做往复运动，实现对高反膜的预热、保温和降温处理，从而提高高反膜的反射率。

[0009] 术语说明：

[0010] 1、反射率：物体反射的能量占总辐射能量的百分比；

[0011] 2、LD：激光二极管；

[0012] 3、巴条：LD芯片未解理之前，条形芯片。

[0013] 本发明的技术方案为：

[0014] 一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，半导体激光器芯片包括自下到上依次设置的N面电极、衬底、N限制层、有源层、P限制层、绝缘介质层和P面电极，包括以下步骤：

[0015] (1)将半导体激光器芯片解理成巴条；

[0016] (2)将巴条放置在镀膜设备中，在巴条的前腔面蒸镀增透膜；

[0017] (3)在巴条的后腔面蒸镀高反膜：交替蒸镀低折射率膜和高折射率膜；

[0018] (4)将镀膜后的巴条在140‑150℃温度范围内预热处理2‑5min，然后在200‑400℃任一恒定温度下保温处理10‑15min，最后在140‑150℃温度范围内降温处理2‑5min；

[0019] (5)重复所述步骤(4)3‑5次，完成对巴条的处理过程。

[0020] 巴条后腔面的高反膜由多层膜组成，传统的方法对巴条镀膜处理后不再进行其他处理，会造成各膜层之间由于材料不同工艺不同会存在应力。通过将镀膜后的巴条进行“升温‑保温‑降温”的退火处理，该方法通过控制温度的变化可有效消除部分应力提高高反膜的性能。镀膜后退火处理可以减少镀膜时间、膜料使用，对激光器无损伤。本发明没有采用传统的“升温‑保温‑降温”过程，而是将多个“升温‑保温‑降温”过程重复循环进行，即采用将保温时间分散的方法，其优点在于可以很好地控制薄膜的结晶度；防止高折射率膜的结晶太多，晶体生长过大，造成表面粗糙度增加，影响薄膜的光学性能。

[0021] 根据本发明优选的，所述步骤(4)中，在245‑255℃任一恒定温度下保温处理。

[0022] 通过控制退火温度调节高折射率膜层的结晶度，可有效提高高折射率膜的折射率从而起到提高高反膜层的整体反射率；提高LD出光功率和斜率效率的目的。

[0023] 根据本发明优选的，所述步骤(4)中，保温处理的时间为15min。

[0024] 根据本发明优选的，所述步骤(4)中，预热处理的时间为2min。预热的作用是给巴条和夹具一个缓冲时间，以免热胀冷缩等带来不必要的损伤。

[0025] 根据本发明优选的，所述步骤(4)中，降温处理的时间为2min。降温是为了让高折射率膜的结晶停止，以免过度结晶。

[0026] 根据本发明优选的，重复所述步骤(4)4次。

[0027] 根据本发明优选的，所述步骤(3)中，镀膜设备的真空度为3×10‑6Torr，镀膜温度为100℃；低折射率膜的生长速率为 高折射率膜的生长速率为 氧气流量30sccm；优选的，低折射率膜的生长速率为 高折射率膜的生长速率为

[0028] 根据本发明优选的，所述低折射率膜的膜料为氧化铝或者氧化硅，所述高折射率膜的膜料为氧化钛、氧化锆、硅中的任一种；优选的，所述低折射率膜的膜料为氧化铝，所述高折射率膜的膜料为氧化钛。

[0029] 根据本发明优选的，步骤(3)中，所述巴条的后腔面交替蒸镀3‑6对低折射率膜和高折射率膜的膜系。根据不同的产品要求镀不同的膜，不同的层数。

[0030] 上述提高半导体激光器高反膜反射率的方法的实现装置，包括退火炉、石英舟和移动机构，所述退火炉包括炉墙、保温层、石英炉管、热电偶和衬套；

[0031] 所述炉墙的外侧设置有保温层，所述炉墙的两端设置有衬套，所述炉墙和衬套围设成炉膛；所述炉墙中设置有若干个热电偶，所述石英炉管贯穿设置在所述炉膛中，所述石英炉管包括恒温区和两个过渡区，所述过渡区分布在恒温区的两侧，过渡区的温度范围为140‑150℃，所述恒温区的温度为200‑400℃；所述石英舟放置在石英炉管中，石英舟的一端与移动机构相连接。

[0032] 该装置中石英舟用于放置待进行退火处理的巴条，通过移动机构带动石英舟在石英炉管中做往复运动，使得巴条在恒温区和过渡区来回运动，实现对半导体激光器高反膜的预热、保温和降温过程的循环进行，从而达到对高反膜的退火处理，减少膜料之间的应力，提高半导体激光器的性能，热电偶用于测定石英炉管中的温度分布，将石英炉管中温度恒定的恒温区和过渡区区分开来。

[0033] 根据本发明优选的，所述移动机构包括金属杆、滑块和滑轨，所述滑块设置在所述滑轨上，所述滑块上设置有固定环，所述石英舟上设置有石英舟拉环，所述金属杆的一端与固定环相连接，所述金属杆的另一端与石英舟拉环相连接。

[0034] 根据本发明优选的，移动机构带动所述巴条在退火炉中匀速移动的大小为0.8‑1.2m/min；进一优选的，匀速移动的大小为1m/min。缓慢的在恒温区和过渡区移动不会使得样品温度变化过快对高反膜的性能造成不必要的影响。

[0035] 本发明的有益效果为:

[0036] 1、由于镀膜形成后与LD腔面存在应力作用，应力的存在会影响LD的性能；本发明提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法能起到减少膜料之间应力的作用。

[0037] 2、不同于常规的增加镀膜的层数来增加反射率，本发明通过镀膜后退火处理的方法可以减少镀膜时间、膜料使用，对激光器无损伤。

[0038] 3、本发明提供的方法可以显著提高高反膜的反射率，在波长800nm处反射率由89.74％提升为96.2％，提升比例7.2％，增加出光功率；针对不同的膜系和层数不同的会有不同的影响效果。

[0039] 4、本发明的处理方法简单，易操作，可重复性高；弥补了蒸发镀膜膜系反射率偏低的不足；开创了一种巴条镀膜后处理的方法。

[0040] 5、本发明提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，实用性强，可适用于多种激光器腔面镀膜，可应用于所有LD腔面镀膜。

[0041] 6、本发明提供的方法对高反膜系的高反射率区域有明显的展宽作用。

[0042] 7、本发明提供的提高半导体激光器高反膜反射率的方法的实现装置，结构简单，易于实现，投入成本低，适用性强。

附图说明

[0043] 图1为边发射半导体激光器腔面的结构示意图。

[0044] 图2为氧化铝膜层的折射率随波长变化的示意图

[0045] 图3为氧化钛膜层的折射率随波长变化的示意图。

[0046] 图4为本发明提供的提高半导体激光器高反膜反射率的实现装置的结构示意图。

[0047] 图5为镀膜后巴条在退火炉中温度随时间变化的曲线示意图。

[0048] 图6为退火炉处理前、后LD巴条后腔面的反射率曲线的对比。

[0049] 1、P面金电极，2、绝缘介质层，3、P限制层，4、有源层，5、N限制层，6、衬底，7、N面金电极，8、热电偶，9、保温层，10、衬套，11、炉丝，12、炉墙，13、石英炉管，14、滑块，15、滑轨，16、石英舟，17、石英舟拉环，18、金属杆，19、固定环。

具体实施方式

[0050] 下面结合说明书附图和实施例对本发明作进行一步限定，但不限于此。

[0051] 实施例1

[0052] 一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法，包括以下步骤：

[0053] (1)本实例中半导体激光器芯片为边发射半导体激光器芯片，对半导体激光器的芯片进行解理沿着垂直于光刻脊方向将芯片解理成巴条，巴条的宽度即为每个激光器芯片的腔长，新解理出的两个腔面，一个前腔面，蒸镀增透膜；另一个为后腔面，蒸镀高反膜。

[0054] 边发射半导体激光器芯片腔面的结构示意图如图1所示，芯片自下到上依次设置有N面金电极7、衬底6、N限制层5、有源层4、P限制层3、绝缘介质层2和P面金电极1；腔面为需要镀膜的位置。

[0055] (2)将巴条摆放在镀膜夹具上，使所有巴条的腔面形成一个平面。

[0056] (3)将摆好巴条的夹具装在镀膜设备的工件盘上，在巴条的前腔面蒸镀增透膜；

[0057] (4)翻转摆好巴条的夹具，在另一面即后腔面蒸镀高反膜，交替蒸镀低折射率膜和高折射率膜，低折射率膜的膜料选用为氧化铝，高折射率膜的膜料选用为氧化钛。镀膜设备‑6的真空度为3×10 Torr，镀膜温度为100℃；低折射率膜的生长速率为 高折射率膜的生长速率为 氧气流量30sccm。巴条的后腔面交替蒸镀6对低折射率膜和高折射率膜的膜系。

[0058] 如图2和图3所示，氧化铝的折射率变化较小在常规生产中折射率几乎不变，氧化钛折射率常规生产在2.4以下达不到理论值；要获得高反射率的薄膜需要氧化钛的折射率越高越好。随着氧化钛的结晶度增加其膜层折射率也会相应的增加，但随之氧化钛膜层的表面粗糙度会增加，影响光学薄膜的性能。所以只能相应的稍微提高折射率但不能一味地使氧化钛薄膜结晶。取一个既能提高折射率又不影响薄膜的整体性能的折中工艺。

[0059] (5)镀膜完成后取出装有巴条的镀膜夹具，待用。

[0060] (6)将镀膜后的巴条在140‑150℃温度范围内预热处理2min，然后在245‑255℃任一恒定温度下保温处理15min，最后在140‑150℃温度范围内降温处理2min。

[0061] (7)重复步骤(6)4次，即进行四次“预热‑保温‑降温”的过程，保温总时间为60min,完成加热，将巴条从退火装置中取出。

[0062] 实施例2

[0063] 实施例1提供的提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，如图4所示，包括退火炉、石英舟16和移动机构，退火炉包括炉墙12、保温层9、石英炉管13、热电偶8和衬套10；

[0064] 炉墙12的外侧设置有保温层9，炉墙12的两端设置有衬套10，炉墙12和衬套10围设成炉膛；炉墙12中设置有加热的炉丝11，同时炉墙12中设置有若干个热电偶8，石英炉管13贯穿设置在炉膛中，石英炉管13包括恒温区和两个过渡区，过渡区分布在恒温区的两侧，过渡区的平均温度为145℃，恒温区的温度为245℃；石英舟16放置在石英炉管13中，石英舟16的一端与移动机构相连接。

[0065] 该装置中石英舟16用于放置半导体激光器高反膜，通过移动机构带动石英舟16在石英炉管13中做往复运动，使得高反膜的在恒温区和过渡区来回运动，实现半导体激光器高反膜的预热、保温和降温过程的循环进行，从而达到对高反膜的退火处理，减少膜料之间的应力，提高半导体激光器的性能。

[0066] 移动机构包括金属杆18、滑块14、滑轨15，滑块14设置在滑轨15上，滑块14上设置有固定环19，固定环19用于固定金属杆18，固定环19的下端通过螺栓固定在滑块14上。石英舟16上设置有石英舟拉环17，金属杆18的一端与固定环19固定连接，且金属杆18的另一端与石英舟拉环17相连接。移动机构带动巴条该装置中匀速移动的大小为1m/min。缓慢的在恒温区和过渡区移动不会使得样品温度变化过快对高反膜的性能造成不必要的影响。

[0067] 在进行测定预热处理时，先设定退火炉的温度，再使用热电偶8测定石英炉管13中的温度分布，中间温度恒定的区域为恒温区，两侧温度渐变的区域为过渡区，并记录恒温区和过渡区的位置。

[0068] 按照设计的预热、保温和降温的时间、温度、石英炉管13中恒温区和过渡区的位置以及石英舟16在退火炉中的移动速度，通过控制程序控制滑块14在滑轨15上的运动，控制程序为现有的技术。

[0069] 镀膜后的巴条在该实现装置中的处理过程为：将镀膜后的巴条放置在石英舟16上，将石英舟16放置在退火炉的石英炉管13中，设定好控制程序，程序是按照处理工艺对应的，开始先向左移动到过渡区做预热处理，处理完毕推到恒温区保温，保温完成后，金属杆18带动石英舟16移动到过渡区降温，降温完成后在推进恒温区……如此四次；完成后滑块
14回到初始状态，本次处理完成设备自动停止。具体的过程为：在平均温度为145℃过渡区预热处理2min；再以速度1m/min匀速移动到的245℃恒温区中进行恒温处理15min。巴条由恒温区以速度1m/min匀速移动到平均温度为145℃过渡区，巴条在过渡区进行降温处理，降温的时间为2min。巴条在退火装置的加热曲线如图5所示。按开始按钮启动控制程序，开始进行“预热‑保温‑降温”循环运动，完成退火过程后，冷却后将样品取下进行测试。

[0070] 通过控制退火温度调节膜层的结晶度，可有效提高高折射率膜的折射率从而起到提高膜层的整体反射率；提高LD出光功率和斜率效率的目的。

[0071] 巴条的后腔面的高反膜由多层膜组成，各膜层之间由于材料不同工艺不同会存在应力；通过在管式合金炉退火，控制温度的变化可有效消除部分应力提高高反膜的性能。镀膜后退火处理可以减少镀膜时间、膜料使用，对激光器无损伤。

[0072] 对经过退火处理后的巴条在分光光度计中进行测试，测试结果如表1所示，为了测试巴条的反射率，将巴条和硅片一起进行镀膜，然后再进行测试。

[0073] 表1为795‑810nm之间经过本实施例2提供的实现装置处理前、处理后的反射率的变化，

[0074] 表1

[0075]

[0076] 由表1可知，经过实施例2提供的实现装置处理之前和处理之后的在795‑810nm范围内的反射率，进行退火处理前在800nm处的反射率为89.74％；经过本方法处理后的巴条的在800nm处反射率为96.02％，在800nm附近处的最高反射率可高达96.35％。可以看出经过退火炉进行“预热‑保温‑降温”多个循环处理后，巴条高反膜的反射率大幅增加，有明显展宽的现象。

[0077] 展宽是指高反射率的波长区域，比如反射率大于90％的波段明显的增大，如图6所示，经过退火处理前和处理后的曲线可以看出对高反膜系的高反射率区域有明显的展宽作用。

[0078] 反射光谱展宽使得其可应用在多动波长使用；使得适用范围变宽，适用于波长反射率大于95％的情况，像上表中处理前是不能使用的，处理后可使用波长，从795‑810nm均可以使用。

[0079] 实施例3

[0080] 根据实施例2提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，区别之处在于：

[0081] 步骤(6)中，巴条预热处理5min，预热温度在140‑150℃范围内；再以速度1m/min匀速移动到恒温区中进行保温处理10min；巴条以速度1m/min匀速移动到140‑150℃范围内进行降温处理，降温的时间为5min。

[0082] 本实施例中制备的巴条进行测试，未进行退火经过该方法处理前和经过退火处理后的巴条在波长800nm附近的最高反射率均为90％。

[0083] 实施例4

[0084] 根据实施例2提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，区别之处在于：

[0085] 步骤(6)中，保温处理的温度设定在200℃这一恒温条件下，保温处理的时间为10min。

[0086] 对本实施例中制备的巴条进行测试，未进行退火处理前巴条在波长800nm附近的最高反射率为89％，经过该方法处理后的巴条在波长800nm附近的最高反射率为91％。

[0087] 实施例5

[0088] 根据实施例2提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，区别之处在于：

[0089] 重复步骤(6)3次，保温总时间为45min。

[0090] 本实施例中制备的巴条进行测试，未进行退火处理前巴条在波长800nm附近的最高反射率为90％，经过该方法处理后的巴条在波长800nm附近的最高反射率为94.4％。

[0091] 对比例1

[0092] (1)本实例中半导体激光器芯片为边发射半导体激光器芯片，截面结构示意图如图1所示，半导体激光器芯片自下到上依次设置有N面金电极7、衬底6、N限制层5、有源层4、P限制层3、绝缘介质层2和P面金电极1；截面为需要镀膜的位置。

[0093] 对半导体激光器的晶片进行解理沿着垂直于光刻脊方向将芯片解理成巴条，巴条的宽度即为每个激光器芯片的腔长，新解理出的两个腔面，一个前腔面，蒸镀增透膜；另一个为后腔面，蒸镀高反膜。

[0094] (2)将巴条摆放在镀膜夹具上，使所有巴条的腔面形成一个平面。

[0095] (3)将摆好巴条的夹具装在镀膜设备的工件盘上，在巴条的前腔面蒸镀增透膜；

[0096] (4)翻转摆好巴条的夹具，在另一面即后腔面蒸镀高反膜，交替蒸镀低折射率膜和高折射率膜，低折射率膜的膜料选用为氧化铝，高折射率膜的膜料选用为氧化钛。镀膜设备‑6的真空度为3×10 Torr，镀膜温度为100℃；低折射率膜的生长速率为 高折射率膜的生长速率为 氧气流量30sccm。巴条的后腔面交替蒸镀6对低折射率膜和高折射率膜层膜系。

[0097] 在巴条在后腔面蒸镀高反膜后，完成镀膜后从镀膜设备中取出。

[0098] 对镀膜处理后的陪片(随同巴条一起镀膜一起处理的硅片，用于测试镀膜后反射率)进行测试，测试结果如图6所示，由试验结果可知，经过该方法处理后的巴条在波长800nm处的反射率为89.74％。

[0099] 对比例2

[0100] 根据实施例2提供的一种提高半导体激光器高反膜反射率的方法及其实现装置，区别之处在于：

[0101] 在巴条在后腔面蒸镀高反膜后，完成镀膜后从镀膜设备中取出，在140‑150℃范围内预热2min,巴条然后在245‑255℃任一恒定温度下保温处理60min,最后在140‑150℃范围内降温2min,完成对巴条的退火处理。

[0102] 针对对比例2中制备的陪片进行测试，未经过退火处理前的巴条在800nm处的反射率为89.74％，经过退火处理后的巴条在808nm处的反射率为96.02％。与实施例2的测试数据相比较可知，实施例2提供的“预热‑保温‑降温”多个循环对巴条进行处理的效果优于对比例2提供的“预热‑保温‑降温”一次完成的处理效果。