显示设备

摘要

显示设备包括：基板；扫描线，在第一方向上延伸，并且在基板上沿与第一方向交叉的第二方向布置；数据线，在第二方向上延伸，并且在基板上沿第一方向布置；显示区域，包括连接到扫描线和数据线的像素；以及非显示区域，在显示区域周围，并且包括连接到扫描线当中的一些扫描线的补偿电容器。扫描线当中的彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和在第二方向上增大，其中q为正整数。

权利要求

1.一种显示设备，包括：

基板；

扫描线，在第一方向上延伸，并且在所述基板上沿与所述第一方向交叉的第二方向布置；

数据线，在所述第二方向上延伸，并且在所述基板上沿所述第一方向布置；

显示区域，包括连接到所述扫描线和所述数据线的像素；以及非显示区域，在所述显示区域周围，并且包括连接到所述扫描线当中的一些扫描线的补偿电容器，

其中所述扫描线当中的彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和在所述第二方向上增大，其中q为正整数。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其中所述q条奇数扫描线或所述q条偶数扫描线的所述电容的所述和被定义为第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线的电容的和，其中p为正整数。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述q条奇数扫描线或所述q条偶数扫描线的所述电容的所述和随着所述p增大而增大。

4.根据权利要求2所述的显示设备，其中所述第p扫描线的所述电容、所述第p+2扫描线的所述电容和所述第p+4扫描线的所述电容的所述和小于所述第p+2扫描线的所述电容、所述第p+4扫描线的所述电容和第p+

6扫描线的电容的和。

5.根据权利要求2所述的显示设备，其中连接到所述第p扫描线的所述补偿电容器的数量大于连接到第p+1扫描线的所述补偿电容器的数量。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其中连接到所述第p+1扫描线的所述补偿电容器的所述数量小于连接到所述第p+2扫描线的所述补偿电容器的数量。

7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述补偿电容器中的每个包括：第一电极，连接到所述扫描线中的一条扫描线；以及第二电极，与所述第一电极重叠，并且电连接到施加有第一驱动电压的第一驱动电压线。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其中所述像素中的每个像素包括驱动晶体管，所述驱动晶体管包括在缓冲膜上的有源层以及在所述有源层上的第一电极、第二电极和栅电极，并且其中所述补偿电容器的所述第一电极在所述缓冲膜上。

9.根据权利要求8所述的显示设备，其中所述补偿电容器的所述第二电极在所述栅电极上的第一绝缘膜上。

10.根据权利要求9所述的显示设备，其中所述第一驱动电压线在所述补偿电容器的所述第二电极上的第二绝缘膜上。

11.根据权利要求10所述的显示设备，进一步包括：子驱动电压线，在所述缓冲膜上，并且连接到所述补偿电容器的所述第一电极，其中所述第一驱动电压线通过贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的连接接触孔而连接到所述子驱动电压线。

12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述显示区域包括：第一显示区域；

第二显示区域，在所述第二方向上从所述第一显示区域的第一侧突出；以及第三显示区域，在所述第二方向上从所述第一显示区域的所述第一侧突出，所述第三显示区域在所述第一方向上与所述第二显示区域隔开，其中所述非显示区域包括在所述第一方向上在所述第二显示区域与所述第三显示区域之间的凹口区域处的凹口非显示区域，并且其中所述补偿电容器位于所述凹口非显示区域处。

13.根据权利要求12所述的显示设备，其中所述第二显示区域的扫描线与所述第三显示区域的扫描线电分离。

14.根据权利要求13所述的显示设备，进一步包括：第一扫描驱动器，与所述第二显示区域邻近并且连接到所述第二显示区域的所述扫描线；以及

第二扫描驱动器，与所述第三显示区域邻近并且连接到所述第三显示区域的所述扫描线。

15.一种显示设备，包括：显示区域，包括在第一方向上延伸的扫描线、在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线以及连接到所述扫描线和所述数据线的像素；以及非显示区域，在所述显示区域周围，并且包括连接到所述扫描线中的一些扫描线的补偿电容器，

其中所述扫描线当中的连接到第p扫描线的所述补偿电容器的数量大于所述扫描线当中的连接到第p+1扫描线的所述补偿电容器的数量，其中p为正整数。

16.根据权利要求15所述的显示设备，其中连接到所述第p+1扫描线的所述补偿电容器的所述数量小于连接到第p+2扫描线的所述补偿电容器的数量。

17.根据权利要求15所述的显示设备，其中所述扫描线当中的彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和在所述第二方向上增大，其中q为正整数，并且所述q条奇数扫描线或所述q条偶数扫描线的所述电容的和被定义为所述第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线的电容的和。

18.一种显示设备，包括：基板；

驱动晶体管的有源层和补偿电容器的第一电极，所述有源层和所述第一电极被布置在所述基板上；

栅绝缘膜，在所述驱动晶体管的所述有源层上；

所述驱动晶体管的栅电极，在所述栅绝缘膜上，并且在所述基板的厚度方向上与所述驱动晶体管的所述有源层重叠；

第一绝缘膜，在所述栅电极上；以及所述补偿电容器的第二电极，在所述第一绝缘膜上，并且在所述基板的所述厚度方向上与所述补偿电容器的所述第一电极重叠。

19.根据权利要求18所述的显示设备，进一步包括：第二绝缘膜，在所述补偿电容器的所述第二电极上；以及第一驱动电压线，在所述第二绝缘膜上，所述第一驱动电压线被配置为接收第一驱动电压。

20.根据权利要求19所述的显示设备，其中所述第一驱动电压线通过贯穿所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的连接接触孔连接到所述补偿电容器的所述第一电极。

说明书

显示设备

技术领域

[0001] 本公开的一个或多个示例实施例的方面涉及显示设备。

背景技术

[0002] 随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示设备的需求已经以各种形式增长。例如，显示设备被应用于诸如智能电话、数码相机、笔记本计算机、导航仪和智能电视等的
各种电子电器。显示设备可以是例如诸如液晶显示设备、场发射显示设备和/或发光显示设
备等的平板显示设备。

[0003] 显示设备可以包括显示面板，该显示面板具有用于显示图像的显示区域、用于不显示图像的非显示区域以及感测光的光学传感器，例如诸如相机传感器、照度传感器和/或
红外传感器等。施加有扫描信号的扫描线、施加有数据电压的数据线以及连接到扫描线和
数据线的像素可以形成在显示面板的显示区域处(例如，在显示面板的显示区域中或在显
示面板的显示区域上)。在此情况下，显示面板的显示区域可以被形成以便与光学传感器不
重叠，并且因此，显示面板的显示区域可以被形成为具有在其中当在平面上(例如，在平面
图中)观察时显示面板的一部分凹陷的凹口形状。在此情况下，连接到每条扫描线的像素的
数量可以不同，并且每条扫描线的寄生电容可以是不同的。换句话说，由于每条扫描线的电
阻电容(RC)延迟是不同的，因此对于每条扫描线，可能发生由RC延迟导致的扫描信号的脉
冲宽度的差异。

[0004] 在该背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，该背景技术部分可以包含不构成现有技术的信息。

发明内容

[0005] 本公开的一个或多个示例实施例涉及能够减小或最小化对于每条扫描线由RC延迟导致的扫描信号的脉冲宽度的差异的显示设备。

[0006] 然而，本公开的方面和特征不限于此。因此，参考本公开的附图和详细描述，本公开的以上和其他方面和特征对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更显而易见。

[0007] 根据本公开的一个或多个示例实施例，显示设备包括：基板；扫描线，在第一方向上延伸，并且在基板上沿与第一方向交叉的第二方向布置；数据线，在第二方向上延伸，并
且在基板上沿第一方向布置；显示区域，包括连接到扫描线和数据线的像素；以及非显示区
域，在显示区域周围，并且包括连接到扫描线当中的一些扫描线的补偿电容器。扫描线当中
的彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和在第二方向上增大，其中q为正
整数。

[0008] 在示例实施例中，q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和可以被定义为第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线的电容的和，其中p为正整数。

[0009] 在示例实施例中，q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和可以随着p增大而增大。

[0010] 在示例实施例中，第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线的电容的和可以小于第p+2扫描线的电容、第p+4扫描线的电容和第p+6扫描线的电容的和。

[0011] 在示例实施例中，连接到第p扫描线的补偿电容器的数量可以大于连接到第p+1扫描线的补偿电容器的数量。

[0012] 在示例实施例中，连接到第p+1扫描线的补偿电容器的数量可以小于连接到第p+2扫描线的补偿电容器的数量。

[0013] 在示例实施例中，补偿电容器中的每个可以包括：第一电极，连接到扫描线中的一条；以及第二电极，与第一电极重叠，并且电连接到施加有第一驱动电压的第一驱动电压
线。

[0014] 在示例实施例中，像素中的每个像素可以包括驱动晶体管，驱动晶体管包括在缓冲膜上的有源层以及在有源层上的第一电极、第二电极和栅电极，并且补偿电容器的第一
电极可以在缓冲膜上。

[0015] 在示例实施例中，补偿电容器的第二电极可以在栅电极上的第一绝缘膜上。

[0016] 在示例实施例中，第一驱动电压线可以在补偿电容器的第二电极上的第二绝缘膜上。

[0017] 在示例实施例中，显示设备可以进一步包括：子驱动电压线，在缓冲膜上，并且连接到补偿电容器的第一电极，并且第一驱动电压线可以通过贯穿第一绝缘膜和第二绝缘膜
的连接接触孔而连接到子驱动电压线。

[0018] 在示例实施例中，显示区域可以包括：第一显示区域；第二显示区域，在第二方向上从第一显示区域的第一侧突出；以及第三显示区域，在第二方向上从第一显示区域的第
一侧突出，第三显示区域在第一方向上与第二显示区域隔开。非显示区域可以包括在第一
方向上在第二显示区域与第三显示区域之间的凹口区域处的凹口非显示区域，并且补偿电
容器可以位于凹口非显示区域处。

[0019] 在示例实施例中，第二显示区域的扫描线可以与第三显示区域的扫描线电分离。

[0020] 在示例实施例中，显示设备可以进一步包括：第一扫描驱动器，与第二显示区域邻近并且连接到第二显示区域的扫描线；以及与第三显示区域邻近并且连接到第三显示区域
的扫描线。

[0021] 根据本公开的一个或多个示例实施例，显示设备包括：显示区域，包括在第一方向上延伸的扫描线、在与第一方向交叉的第二方向上延伸的数据线以及连接到扫描线和数据
线的像素；以及非显示区域，在显示区域周围，并且包括连接到扫描线中的一些扫描线的补
偿电容器。扫描线当中的连接到第p扫描线的补偿电容器的数量大于扫描线当中的连接到
第p+1扫描线的补偿电容器的数量，其中p为正整数。

[0022] 在示例实施例中，连接到第p+1扫描线的补偿电容器的数量可以小于连接到第p+2扫描线的补偿电容器的数量。

[0023] 在示例实施例中，扫描线当中的彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容的和可以在第二方向上增大，其中q为正整数，并且q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电
容的和可以被定义为第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线的电容的和。

[0024] 根据本公开的一个或多个示例实施例，显示设备包括：基板；驱动晶体管的有源层和补偿电容器的第一电极，有源层和第一电极被布置在基板上；栅绝缘膜，在驱动晶体管的
有源层上；驱动晶体管的栅电极，在栅绝缘膜上，并且在基板的厚度方向上与驱动晶体管的
有源层重叠；第一绝缘膜，在栅电极上；以及补偿电容器的第二电极，在第一绝缘膜上，并且
在基板的厚度方向上与补偿电容器的第一电极重叠。

[0025] 在示例实施例中，显示设备可以进一步包括：第二绝缘膜，在补偿电容器的第二电极上；以及第一驱动电压线，在第二绝缘膜上，第一驱动电压线被配置为接收第一驱动电
压。

[0026] 在示例实施例中，第一驱动电压线可以通过贯穿第一绝缘膜和第二绝缘膜的连接接触孔连接到补偿电容器的第一电极。

附图说明

[0027] 从以下参考附图的示例实施例的详细描述，本公开的以上和其它方面以及特征对于本领域技术人员将变得更显而易见，在附图中：

[0028] 图1是根据实施例的显示设备的透视图；

[0029] 图2是根据实施例的显示设备的平面图；

[0030] 图3是根据实施例的显示设备的侧视图；

[0031] 图4是示出图3的显示面板的部件的平面图；

[0032] 图5是示出图3的触摸面板的部件的平面图；

[0033] 图6是图4的像素的详细的电路图；

[0034] 图7是示出施加到图6的第k-1扫描线、第k扫描线和第k发光线的信号的波形图；

[0035] 图8是示出图4的扫描驱动器的扫描级的图；

[0036] 图9是示出图4的第一显示区域、第二显示区域、第三显示区域和显示凹口区域的一部分的扫描线的平面图；

[0037] 图10是图9的区域A的详细的放大平面图；

[0038] 图11是示出由第一时钟信号和第二时钟信号输出的第p至第p+5扫描信号的波形图；

[0039] 图12是示出图10的区域A-1中的补偿电容器的示例的详细的放大平面图；

[0040] 图13是示出根据实施例的根据扫描线的位置连接到扫描线的补偿电容器的数量的曲线图；

[0041] 图14是示出根据实施例的根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线图；

[0042] 图15是示出图10的区域A-1中的补偿电容器的另一示例的详细的放大平面图；

[0043] 图16是示出根据另一实施例的根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线图；

[0044] 图17是示出根据又一实施例的根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线图；

[0045] 图18是图示图10的像素的示例的详细的放大平面图；

[0046] 图19是图示图15的区域A-2的示例的放大平面图；

[0047] 图20是沿图18的线I-I'截取的截面图；并且

[0048] 图21是沿图19的线II-II'截取的截面图。

具体实施方式

[0049] 在下文中，将参考附图更详细地描述示例实施例，在附图中，相同的附图标记始终指相同的元件。然而，本公开可以以各种不同形式体现，并且不应被理解为仅限于本文中所
图示的实施例。相反，这些实施例被提供为示例，使得本公开将是透彻和完整的，并且将向
本领域技术人员充分传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人
员完全理解本公开的方面和特征不必要的工艺、元件和技术。除非另有注明，否则在整个附
图和书面描述中，相同的附图标记指代相同的元件，并且因此，相同的元件的描述可以不被
重复。

[0050] 在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区的相对尺寸。为了易于说明的目的，在本文中可以使用诸如“下面”、“下方”、“下”、“之下”、“上方”、“上”等的空间
相对术语来描述如附图中图示的一个元件或特征与另一个(些)元件或特征的关系。将理
解，除附图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖设备在使用中或操作中的不同方位。
例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”或“之下”
的元件将随之被定位为在其他元件或特征的“上方”。因此，示例术语“下方”和“之下”可以
涵盖上方和下方两个方位。设备可以被另外定位(例如，旋转90度或以其他方位被定位)，并
且本文中使用的空间相对描述符应被相应地解释。

[0051] 将理解，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中被使用以描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应受这些术语的限制。
这些术语用于将一个元件、部件、区、层或部分与另一元件、部件、区、层或部分相区分。因
此，以下描述的第一元件、第一部件、第一区、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二
部件、第二区、第二层或第二部分，而不脱离本公开的精神和范围。

[0052] 将理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可直接在另一元件或层上，直接连接到或直接耦接到另一元件或层，或
者可以存在一个或多个中间元件或层。另外，还将理解，当元件或层被称为在两个元件或层
“之间”时，该元件或层可以是两个元件或层之间的唯一的元件或层，或者也可以存在一个
或多个中间元件或层。

[0053] 本文中使用的术语用于描述具体实施例的目的，并且不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式的“一”旨在也包括复数形式，除非上下文另有清楚的指示。将进一步理
解，术语“包括”、“包含”、“具有”当在本说明书中使用时指定所陈述的特征、整体、步骤、操
作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件
和/或其组合的存在或附加。如本文中使用的，术语“和/或”包括关联列出的项目中的一个
或多个的任意和全部组合。诸如“…中的至少一个”的表述，当在元件的列表之后时，修饰整
个元件的列表并且不修饰列表中的个别元件。

[0054] 如本文中使用的，术语“基本上”、“大约”以及类似术语被用作近似的术语并且不用作程度的术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将公认的测量的或计算的值中的固有
偏差。进一步，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用涉及“本公开的一个或多个实施
例”。如本文中使用的，术语“使用”、“使用中”和“被使用”可以被认为分别与术语“利用”、
“利用中”和“被利用”同义。此外，术语“示例性”旨在指示例或例示。

[0055] 此外，本文中公开和/或记载的任何数值范围旨在包括纳入所记载的范围内的相同数值精度的所有子区间。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括在所记载的最小值1.0与所
记载的最大值10.0之间(并且包括所记载的最小值1.0与所记载的最大值10.0)的所有子区
间，即，具有等于或大于1.0的最小值以及等于或小于10.0的最大值，诸如，例如，2.4至7.6。
本文中记载的任何最大数值限制旨在包括所有纳入在最大数值限制中的较低的数值限制，
并且本说明书中记载的任何最小数值限制旨在包括所有纳入在最小数值限制中的较高的
数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)的权利，以明确地记载纳入在
本文中明确地记载的范围内的任意子区间。

[0056] 除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属的技术领域的普通技术人员所通常理解的含义相同的含义。将进一步理解，诸如
那些在常用字典中限定的术语应被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的背景中
的含义一致的含义，并且不应以理想化的或过于正式的意义来解释，除非本文中明确如此
限定。

[0057] 图1是根据实施例的显示设备的透视图，图2是根据实施例的显示设备的平面图，并且图3是根据实施例的显示设备的侧视图。

[0058] 如在本说明书中使用的，第一方向(例如，X轴方向)可以是在平面图中与显示设备10的短边平行或基本平行的方向，例如，显示设备10的水平方向。第二方向(例如，Y轴方向)
可以是在平面图中与显示设备10的长边平行或基本平行的方向，例如，显示设备10的垂直
方向。第三方向(例如，Z轴方向)可以是显示设备10的显示面板100的厚度方向。

[0059] 参考图1至图3，显示设备10可以是用于显示运动图像和/或静止图像的设备。显示设备10可以用作用于各种合适的电子设备和产品(例如，诸如电视、笔记本、监视器、广告牌
和/或物联网(IOT)设备等)以及用于各种合适的便携式电子电器(例如，诸如移动电话、智
能电话、平板个人计算机(例如，平板PC)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、
电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航器和/或超级移动PC(UMPC)等)的显示屏。

[0060] 显示设备10可以是例如诸如使用有机发光二极管的有机发光显示设备、包括量子点发光层的量子点发光显示设备、包括无机半导体的无机发光显示设备、使用微发光二极
管(LED)的微发光显示设备等的发光显示设备。在下文中，为了方便起见，显示设备10可以
主要在有机发光显示设备的背景下被描述，但是本发明不限于此。

[0061] 显示设备10包括显示面板100、显示驱动器200、显示电路板300、触摸驱动器400、触摸电路板410和触摸面板500。

[0062] 显示面板100可以具有矩形平面形状(例如，在平面图中的矩形形状)，该矩形平面形状具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的短边和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸
的长边。在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的短边与在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的
长边相交的拐角可以被形成为具有倒圆的形状或直角形状。然而，显示面板100的平面形状
不限于矩形形状，并且显示面板100可以被形成为具有任意合适的形状，例如，诸如另一多
边形形状、圆形形状和/或椭圆形形状等。

[0063] 显示面板100可以被形成为平坦的，但是本发明不限于此。例如，显示面板100可以包括形成在显示面板100左端和右端(例如，在平面图中的左侧和右侧)处的弯曲部分，并且
弯曲部分可以具有恒定的曲率或可变的曲率。在实施例中，显示面板100可以是柔性的，使
得显示面板100可以被弯曲、弄弯、折叠和/或卷曲。

[0064] 显示面板100可以包括基板SUB、显示层DISL和面板下盖PB。

[0065] 基板SUB可以包括例如诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料(例如，可以由例如诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料制成)。基板SUB可以是刚性基板或能够被弯曲、
折叠和/或卷曲等的柔性基板。

[0066] 显示层DISL可以被设置在基板SUB上。显示层DISL可以是包括像素的层，并且可以被配置用于显示图像。显示层DISL可以包括在其中形成有薄膜晶体管的薄膜晶体管层、在
其中形成有用于发射光的发光元件的发光元件层以及用于封装发光元件层的封装层。

[0067] 显示层DISL可以被划分为显示区域DA和非显示区域NDA(参见图4)。显示区域DA可以是在其处(例如，在其中或在其上)像素被布置成显示图像的区域。非显示区域NDA可以是
在其处(例如，在其中或在其上)不显示图像的区域。非显示区域NDA可以被设置成围绕显示
区域DA(例如，在显示区域DA的外围周围)。除了像素之外，连接到像素的扫描线、数据线和/
或驱动电压线等可以被布置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)。
用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器和/或用于将数据线连接到显示驱动器200的
扇出线等可以被布置在非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA
上)。

[0068] 面板下盖PB可以被设置在基板SUB之下(例如，底下)。例如，面板下盖PB可以通过粘合构件附接到基板SUB的下表面。粘合构件可以是压敏粘合剂(PSA)。面板下盖PB可以包
括用于吸收从外部入射的光的光吸收构件(例如，光吸收层)、用于吸收来自外部的冲击的
缓冲构件(例如，缓冲层)以及用于有效地消散显示面板100的热量的散热构件(例如，散热
层)中的至少一种。

[0069] 光吸收构件可以被设置在基板SUB之下(例如，底下)。光吸收构件可以阻挡光的透射，以防止或基本防止设置在光吸收构件之下(例如，底下)的部件(例如，显示电路板300
等)从显示面板100上方被注意到(例如，被看到)。例如，光吸收构件可以包括光吸收材料，
诸如黑色颜料和/或黑色染料。

[0070] 缓冲构件可以被设置在光吸收构件之下(例如，底下)。缓冲构件吸收外部冲击，以防止或基本防止显示面板100被损坏。缓冲构件可以包括单层或多层(例如，可以由单层或
多层形成)。例如，缓冲构件可以包括例如诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯或聚乙烯的聚合物
树脂(例如，可以由例如诸如聚氨酯、聚碳酸酯、聚丙烯或聚乙烯的聚合物树脂形成)，和/或
可以包括例如诸如通过使橡胶起泡获得的海绵、聚氨酯类材料或丙烯酸材料的弹性材料
(例如，可以由例如诸如通过使橡胶起泡获得的海绵、聚氨酯类材料或丙烯酸材料的弹性材
料形成)。

[0071] 散热构件可以被设置在缓冲构件之下(例如，底下)。散热构件可以包括第一散热层和第二散热层，第一散热层包括例如石墨或碳纳米管，第二散热层包括可以阻挡电磁波
并且具有出色的导热性的、包括例如铜、镍、铁氧体或银的金属薄膜(例如由可以阻挡电磁
波并且具有出色的导热性的、包括例如铜、镍、铁氧体或银的金属薄膜形成)。

[0072] 显示驱动器200输出用于驱动显示面板100的信号和电压。例如，显示驱动器200可以将数据电压供给到数据线。此外，显示驱动器200可以将驱动电压供给到驱动电压线，并
且可以将扫描控制信号供给到扫描驱动器。在实施例中，显示驱动器200可以被形成为集成
电路(IC)，并且可以附接到显示电路板300。在另一实施例中，显示驱动器200可以通过玻璃
上芯片(COG)方法、塑料上芯片(COP)方法或超声结合方法而附接到显示面板100的基板SUB
上。

[0073] 显示电路板300可以被设置在显示面板100的一侧(例如，一个边缘处)的非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)。例如，显示电路板300可以被设
置在显示面板100的下边缘(例如，下侧)处的非显示区域NDA处(例如，在非显示区域NDA中
或在非显示区域NDA上)。显示电路板300可以朝向显示面板100的下部分(例如，下表面)弯
曲，并且可以附接到设置在面板下盖PB的下表面上的触摸电路板410的一个边缘。显示电路
板300可以通过粘合构件320附接并且固定到面板下盖PB的下表面。粘合构件320可以是压
敏粘合剂。然而，本公开不限于此，例如，在另一实施例中，显示电路板300可以被省略，并且
在此情况下，基板SUB的一个边缘(例如，一侧)可以朝向显示面板100的下部分(例如，下表
面)弯曲。

[0074] 显示电路板300可以使用各向异性导电膜而附接到显示面板100的显示焊盘上。因此，显示电路板300可以电连接到显示面板100的显示焊盘。显示电路板300可以是柔性印刷
电路板、印刷电路板或例如诸如膜上芯片的柔性膜。

[0075] 触摸面板500可以被设置在显示面板100上。触摸面板500可以具有矩形平面形状(例如，在平面图中的矩形形状)，该矩形平面形状具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸
的短边和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的长边。在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的
短边与在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸的长边相交的拐角可以被形成为具有包括合适
的曲率(例如，预定曲率)的倒圆的形状，或者可以被形成为具有直角形状。然而，触摸面板
500的平面形状不限于矩形形状，并且触摸面板500可以被形成为具有任意合适的形状，例
如，诸如另一多边形形状、圆形形状和/或椭圆形形状等。触摸面板500的平面形状可以与显
示面板100的平面形状相同或基本相同(或相似)。

[0076] 触摸面板500可以被形成为平坦的，但是本发明不限于此。例如，触摸面板500可以包括形成在触摸面板500左端和右端(例如，在平面图中的左侧和右侧)处的弯曲部分。在此
情况下，弯曲部分可以具有恒定的曲率或可变的曲率。在实施例中，触摸面板500可以是柔
性的，以被弯曲、弄弯、折叠和/或卷曲。

[0077] 触摸面板500可以包括设置在触摸传感器区域处(例如，在触摸传感器区域中或在触摸传感器区域上)以检测用户的触摸的传感器电极以及设置在触摸传感器区域(例如，触
摸传感器区域的外围)周围的触摸外围区域处(例如，在触摸外围区域中或在触摸外围区域
上)的传感器焊盘。传感器焊盘可以在触摸面板500的一侧(例如，在触摸面板500的一个边
缘处)形成在触摸面板500上，以电连接到触摸电路板410。

[0078] 然而，本公开不限于此，并且在其他实施例中，触摸面板500可以被省略。在此情况下，例如，包括传感器电极和传感器焊盘的传感器电极层可以形成在(例如，直接形成在)显
示面板100的显示层DISL上。

[0079] 触摸电路板410可以使用各向异性导电膜被附接到触摸面板500的传感器焊盘上。因此，触摸电路板410可以电连接到触摸面板500的传感器焊盘。触摸电路板410可以是柔性
印刷电路板、印刷电路板或例如诸如膜上芯片的柔性膜。

[0080] 触摸驱动器400可以连接到触摸面板500的传感器电极。触摸驱动器400将触摸驱动信号施加到触摸面板500的传感器电极，并且感测在由传感器电极形成的互电容中被充
入的电压。触摸驱动信号可以是具有多个驱动脉冲的信号。触摸驱动器400可以根据(例如，
基于)在互电容中被充入的电压来确定用户的触摸是否被输入，并且可以计算触摸坐标。触
摸驱动器400可以被形成为集成电路(IC)，并且可以被安装在触摸电路板410上。

[0081] 偏振膜PF可以被设置在触摸面板500上，以防止或基本防止由外部光的反射导致的显示层DISL的显示图像的可见性的劣化。偏振膜PF可以包括线性偏振片和例如诸如四分
之一波片的相位延迟膜。相位延迟膜可以被设置在触摸面板500上，并且线性偏振片可以被
设置在相位延迟膜上。

[0082] 图4是示出图3的显示面板的部件的平面图。

[0083] 为了方便起见，图4示出了像素PX、扫描线SL、数据线DL、第一扫描控制线SCL1、第二扫描控制线SCL2、第一扫描驱动器110、第二扫描驱动器120、显示焊盘DP和扇出线FL。

[0084] 参考图4，显示面板100可以包括在其中像素PX被形成为显示图像的显示区域DA以及可以是显示区域DA的外围区域的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以是从显示区域DA的
外部延伸到显示面板100的边缘的区域。显示区域DA可以被形成为具有在其中当在平面上
(例如，在平面图中)观察时显示区域DA的一侧的至少一部分凹陷的凹口形状。

[0085] 显示区域DA可以包括第一显示区域DA1、第二显示区域DA2和第三显示区域DA3。第一显示区域DA1可以具有在平面图中的矩形形状(例如，矩形平面形状)。第一显示区域DA1
可以具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的短边和在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸
的长边。第一显示区域DA1可以占据显示区域DA的区域的大部分。换句话说，第一显示区域
DA1可以限定显示区域DA的大部分。

[0086] 第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以在第二方向(例如，Y轴方向)上从第一显示区域DA1的一侧突出。例如，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以在第二方向(例
如，Y轴方向)上从第一显示区域DA的上侧突出。

[0087] 第二显示区域DA2可以从第一显示区域DA1的第一拐角(例如，左上拐角)突出，并且第三显示区域DA3可以从第一显示区域DA1的第二拐角(例如，右上拐角)突出。例如，第二
显示区域DA2可以从第一显示区域DA1的上侧与第一显示区域DA1的左侧相交的第一拐角突
出，并且第三显示区域DA3可以从第一显示区域DA1的上侧与第一显示区域DA1的右侧相交
的第二拐角突出。

[0088] 第二显示区域DA2的上侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)可以短于第二显示区域DA2的下侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)。第二显示区域DA2的下侧可以共
享第一显示区域DA1的上侧的一局部(例如，一部分)。第二显示区域DA2的右侧可以是曲线
(例如，可以具有曲率)。

[0089] 第三显示区域DA3的上侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)可以短于第三显示区域DA3的下侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)。第三显示区域DA3的下侧可以共
享第一显示区域DA1的上侧的另一局部(例如，另一部分)。第三显示区域DA3的左侧可以是
曲线(例如，可以具有曲率)。第三显示区域DA3的左侧可以与第二显示区域DA2的右侧对称
或基本对称(例如，可以跟第二显示区域DA2的右侧成镜像)。

[0090] 第二显示区域DA2和第三显示区域DA3可以在第一方向(例如，X轴方向)上彼此间隔开。显示凹口区域DNT可以被设置在第二显示区域DA2与第三显示区域DA3之间。凹口非显
示区域NNDA可以被设置在显示凹口区域DNT与非显示区域NDA之间、在显示凹口区域DNT与
第二显示区域DA2之间、在显示凹口区域DNT与第一显示区域DA1之间以及在显示凹口区域
DNT与第三显示区域DA3之间。换句话说，凹口非显示区域NNDA可以至少部分地围绕显示凹
口区域DNT(例如，在显示凹口区域DNT的外围周围)。

[0091] 扫描线SL、数据线DL和像素PX可以被布置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)。扫描线SL可以被形成为在第一方向(例如，X轴方向)上延伸，并且可以
沿第二方向(例如，Y轴方向)彼此平行。数据线DL可以被形成为在第二方向(例如，Y轴方向)
上延伸，并且可以沿第一方向(例如，X轴方向)彼此平行。

[0092] 像素PX中的每个像素PX可以连接到扫描线SL中的至少一条和数据线DL中的任一条。像素PX中的每个像素PX可以包括包含例如驱动晶体管和至少一个开关晶体管的薄膜晶
体管、有机发光二极管和电容器。当从扫描线SL施加扫描信号时，像素PX中的每个像素PX从
数据线DL接收数据电压，并且根据施加到驱动晶体管的栅电极的数据电压将驱动电流供给
到有机发光二极管，从而发射光。以下将参考图6更详细地描述像素PX。

[0093] 第一扫描驱动器110、第二扫描驱动器120、显示驱动器200(参见图1或图2)、第一扫描控制线SCL1、第二扫描控制线SCL2和扇出线FL可以被布置在非显示区域NDA处(例如，
在非显示区域NDA中或在非显示区域NDA上)。

[0094] 第一扫描驱动器110通过第一扫描控制线SCL1连接到显示驱动器200。因此，第一扫描驱动器110可以接收显示驱动器200的第一扫描控制信号。第一扫描驱动器110根据第
一扫描控制信号生成扫描信号，并且将扫描信号供给到扫描线SL。

[0095] 第二扫描驱动器120通过第二扫描控制线SCL2连接到显示驱动器200。因此，第二扫描驱动器120可以接收显示驱动器200的第二扫描控制信号。第二扫描驱动器120根据第
二扫描控制信号生成扫描信号，并且将扫描信号供给到扫描线SL。

[0096] 第一扫描驱动器110可以连接到扫描线SL，该扫描线SL连接到第一显示区域DA1和第二显示区域DA2的像素PX。第二扫描驱动器120可以连接到扫描线SL，该扫描线SL连接到
第一显示区域DA1和第三显示区域DA3的像素PX。

[0097] 扇出线FL将显示焊盘DP连接到数据线DL。第一扫描控制线SCL1连接到第一扫描驱动器110。第二扫描控制线SCL2连接到第二扫描驱动器120。换句话说，扇出线FL可以被设置
在显示焊盘DP与数据线DL之间、在显示焊盘DP与第一扫描驱动器110之间以及在显示焊盘
DP与第二扫描驱动器120之间。

[0098] 显示焊盘区域DPA可以包括显示焊盘DP。显示焊盘区域DPA可以被设置在基板SUB的一个边缘(例如，下边缘或下侧)处。例如，显示焊盘区域DPA可以被设置在基板SUB的下边
缘处。

[0099] 图5是示出图3的触摸面板的部件的平面图。

[0100] 参考图5，触摸面板500包括用于感测用户的触摸的传感器区域TSA以及在传感器区域TSA周围设置(例如，被设置成围绕传感器区域TSA的外围)的传感器外围区域TPA。传感
器区域TSA可以与显示面板100的显示区域DA重叠，并且传感器外围区域TPA可以与显示面
板100的非显示区域NDA重叠。

[0101] 传感器区域TSA可以包括第一传感器区域TSA1、第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3。第一传感器区域TSA1可以具有在平面图中的矩形形状(例如，矩形平面形状)。
第一传感器区域TSA1可以具有在第一方向(例如，X轴方向)上延伸的短边和在第二方向(例
如，Y轴方向)上延伸的长边。第一传感器区域TSA1的左侧和下侧彼此相交的拐角(例如，左
下拐角)可以被倒圆，并且第一传感器区域TSA1的右侧和下侧彼此相交的拐角(例如，右下
拐角)可以被倒圆。第一传感器区域TSA1可以占据传感器区域TSA的区域的大部分。换句话
说，第一传感器区域TSA1可以限定(例如，可以构成)传感器区域TSA的大部分。

[0102] 第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3可以在第二方向(例如，Y轴方向)上从第一传感器区域TSA1的一侧突出。例如，第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3可
以在第二方向(例如，Y轴方向)上从第一传感器区域TSA1的上侧突出。

[0103] 第二传感器区域TSA2可以从第一传感器区域TSA1的第一拐角(例如，左上拐角)突出，并且第三传感器区域TSA3可以从第一传感器区域TSA1的第二拐角(例如，右上拐角)突
出。例如，第二传感器区域TSA2可以从第一传感器区域TSA1的上侧与第一传感器区域TSA1
的左侧相交的第一拐角突出，并且第三传感器区域TSA3可以从第一传感器区域TSA1的上侧
与第一传感器区域TSA1的右侧相交的第二拐角突出。

[0104] 第二传感器区域TSA2的上侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)可以短于第二传感器区域TSA2的下侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)。第二传感器区域TSA2的
下侧可以共享第一传感器区域TSA1的上侧的一局部(例如，一部分)。第二传感器区域TSA2
的右侧可以是曲线(例如，可以具有曲率)。第二传感器区域TSA2的左侧和上侧彼此相交的
拐角可以被倒圆。

[0105] 第三传感器区域TSA3的上侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)可以短于第三传感器区域TSA3的下侧的长度(例如，在X轴方向上延伸的长度)。第三传感器区域TSA3的
下侧可以共享第一传感器区域TSA1的上侧的另一局部(例如，另一部分)。第三传感器区域
TSA3的左侧可以是曲线(例如，可以具有曲率)。第三传感器区域TSA3的左侧可以与第二传
感器区域TSA2的右侧对称或基本对称(例如，可以跟第二传感器区域TSA2的右侧成镜像)。

[0106] 第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3可以在第一方向(例如，X轴方向)上彼此间隔开。传感器凹口区域SNT可以被设置在第二传感器区域TSA2与第三传感器区域
TSA3之间。凹口外围区域NTPA可以被设置在传感器凹口区域SNT与传感器外围区域TPA之
间、在传感器凹口区域SNT与第二传感器区域TSA2之间、在传感器凹口区域SNT与第一传感
器区域TSA1之间以及在传感器凹口区域SNT与第三传感器区域TSA3之间。换句话说，凹口外
围区域NTPA可以至少部分地围绕传感器凹口区域SNT(例如，在传感器凹口区域SNT的外围
周围)。

[0107] 第一传感器区域TSA1可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第一显示区域DA1重叠，第二传感器区域TSA2可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第二显示区域DA2重叠，并且
第三传感器区域TSA3可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第三显示区域DA3重叠。传感器
凹口区域SNT可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与显示凹口区域DNT重叠。

[0108] 像素PX可以不被布置在显示凹口区域DNT处(例如，在显示凹口区域DNT中或显示凹口区域DNT上)。传感器线和传感器电极可以不被布置在传感器凹口区域SNT处(例如，在
传感器凹口区域SNT中或传感器凹口区域SNT上)。因此，当显示设备10用移动电话、智能电
话和/或平板个人计算机等实现时，相机设备、接近传感器设备、照度传感器设备和/或虹膜
传感器设备等可以被设置成在第三方向(例如，Z轴方向)上与传感器凹口区域SNT重叠。因
此，可以减小在其中布置有移动电话、智能电话和/或平板个人计算机的相机设备、接近传
感器设备、照度传感器设备和/或虹膜传感器设备的传感器凹口区域SNT。

[0109] 传感器电极TE和RE可以被布置在传感器区域TSA处(例如，在传感器区域TSA中或在传感器区域TSA上)。传感器电极TE和RE可以包括驱动电极TE和感测电极RE。

[0110] 驱动电极TE和感测电极RE可以被布置在传感器区域TSA处(例如，在传感器区域TSA中或在传感器区域TSA上)。驱动电极TE和感测电极RE可以彼此间隔开。驱动电极TE可以
被布置于在沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸的多个列中，并且感测电极RE可以被布置于在
沿第一方向(例如，X轴方向)延伸的多个行中。布置于在沿第二方向(例如，Y轴方向)延伸的
多个列中的每个列中的驱动电极TE可以彼此电连接。此外，布置于在沿第一方向(例如，X轴
方向)延伸的多个行中的每个行中的感测电极RE可以彼此电连接。例如，布置在同一列中的
驱动电极TE可以彼此电连接，并且布置在同一行中的感测电极RE可以彼此电连接。

[0111] 驱动电极TE和感测电极RE可以被布置在第一传感器区域TSA1、第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3中的全部(例如，每个)处(例如，在其中或在其上)。布置在第一
传感器区域TSA1处(例如，在第一传感器区域TSA1中或在第一传感器区域TSA1上)的驱动电
极TE和感测电极RE在平面图中可以被形成为菱形形状或三角形形状。例如，布置在第一传
感器区域TSA1的边缘处(例如，与第一传感器区域TSA1的边缘邻近布置)的驱动电极TE和感
测电极RE在平面图中可以被形成为三角形形状，并且其他驱动电极TE和其他感测电极RE在
平面图中可以被形成为菱形形状。在第二传感器区域TSA2和第三传感器区域TSA3中的每个
处(例如，在每个中或在每个上)，至少一个驱动电极TE和/或至少一个感测电极RE可以具有
无定形的形状。此外，为了防止或基本防止在观看显示设备10的图像时由驱动电极TE和感
测电极RE引起的莫尔现象(例如，莫尔效应或莫尔图案)，驱动电极TE和感测电极RE在平面
图中可以具有凸侧。然而，设置在第一传感器区域TSA1处(例如，在第一传感器区域TSA1中
或在第一传感器区域TSA1上)的驱动电极TE和感测电极RE的平面形状不限于图5中所示的
那些。

[0112] 为了防止或基本防止驱动电极TE和感测电极RE在它们的交叉区彼此短路，在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此邻近的驱动电极TE可以通过连接电极BE彼此电连接。在此情况
下，驱动电极TE和感测电极RE可以被布置在一个层处(例如，在一个层中或在一个层上)，并
且连接电极BE可以被设置在与驱动电极TE和感测电极RE的层不同的层处(例如，在不同的
层中或在不同的层上)。因此，在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此电连接的驱动电极TE和在
第一方向(例如，X轴方向)上彼此电连接的感测电极RE可以彼此电绝缘。

[0113] 第一驱动信号线TL11至TL1p(其中p为大于或等于2的正整数)、第二驱动信号线TL21至TL2p、感测信号线RL1至RLq(其中q为大于或等于2的正整数)以及触摸焊盘TP可以被
布置在传感器外围区域TPA处(例如，在传感器外围区域TPA中或在传感器外围区域TPA上)。

[0114] 第一驱动信号线TL11至TL1p的一端(例如，第一端)可以连接到布置在传感器区域TSA的第一侧(例如，下侧)(例如，第一传感器区域TSA1的下侧)处的驱动电极TE。传感器区
域TSA的第一侧可以对应于(例如可以是)传感器区域TSA的四个侧当中的最靠近在其中布
置有触摸焊盘TP的触摸焊盘区域TDA的传感器区域TSA的一侧。例如，传感器区域TSA的第一
侧可以是传感器区域TSA的下侧(例如，第一传感器区域TSA1的下侧)。第一驱动信号线TL11
至TL1p的另一端(例如，第二端)可以连接到触摸焊盘区域TDA的触摸焊盘TP中的一些触摸
焊盘TP。换句话说，第一驱动信号线TL11至TL1p可以用来将布置在传感器区域TSA的第一侧
的驱动电极TE连接到在触摸焊盘区域TDA处(例如，在触摸焊盘区域TDA中或在触摸焊盘区
域TDA上)的触摸焊盘TP当中的第一触摸焊盘。

[0115] 第二驱动信号线TL21至TL2p的一端(例如，第一端)可以连接到布置在传感器区域TSA的第二侧(例如，上侧)(例如，第一传感器区域TSA1、第二传感器区域TSA2和第三传感器
区域TSA3的上侧)处的驱动电极TE。传感器区域TSA的第二侧是传感器区域TSA的与传感器
区域TSA的第一侧相对的一侧，并且可以是在其处形成有传感器凹口区域SNT的侧。例如，传
感器区域TSA的第二侧可以是传感器区域TSA的上侧(例如，第一传感器区域TSA1、第二传感
器区域TSA2和第三传感器区域TSA3的上侧)。第二驱动信号线TL21至TL2p的另一端(例如，
第二端)可以连接到触摸焊盘区域TDA的触摸焊盘TP中的其他触摸焊盘TP。换句话说，第二
驱动信号线TL21至TL2p可以用来将布置在传感器区域TSA的第二侧的驱动电极TE连接到在
触摸焊盘区域TDA处(例如，在触摸焊盘区域TDA中或在触摸焊盘区域TDA上)的触摸焊盘TP
当中的第二触摸焊盘。第二驱动信号线TL21至TL2p可以通过传感器区域TSA的下外侧和左
外侧(例如，通过传感器外围区域TPA的下侧和左侧)连接到布置在传感器区域TSA的上侧的
驱动电极TE。

[0116] 感测信号线RL1至RLq的一端(例如，第一端)可以连接到布置在传感器区域TSA的第三侧(例如，右侧)的感测电极RE。例如，传感器区域TSA的第三侧可以是传感器区域TSA的
右侧。感测信号线RL1至RLq的另一端(例如，第二端)可以连接到触摸焊盘区域TDA的剩余触
摸焊盘TP。换句话说，感测信号线RL1至RLq可以用来将布置在传感器区域TSA的第三侧的感
测电极RE连接到在触摸焊盘区域TDA处(例如，在触摸焊盘区域TDA中或在触摸焊盘区域TDA
上)的触摸焊盘TP当中的第三触摸焊盘。

[0117] 触摸焊盘TP可以被布置在触摸面板500的一侧(例如，下侧)。可以使用各向异性导电膜将触摸电路板410附接到触摸焊盘TP上。因此，触摸焊盘TP可以电连接到触摸电路板
410。

[0118] 第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3、第四保护线GL4、第一接地线GRL1和第二接地线GRL2可以被设置在传感器外围区域TPA处(例如，在传感器外围区域TPA
中或在传感器外围区域TPA上)。

[0119] 第一保护线GL1可以被设置在第q感测信号线RLq外部，第q感测信号线RLq被设置在感测信号线RL1至RLq的最外侧。此外，第一接地线GRL1可以被设置在第一保护线GL1外
部。换句话说，由于第一保护线GL1被设置在第一接地线GRL1与设置在感测信号线RL1至RLq
的最外侧的第q感测信号线RLq之间，因此第一保护线GL1可以用来减小或最小化第一接地
线GRL1的电压变化对第q感测信号线RLq的影响。第一保护线GL1的一端(例如，第一端)和第
一接地线GRL1的一端(例如，第一端)可以连接到触摸焊盘TP中的对应的一个(例如，任一
个)。

[0120] 第二保护线GL2可以被设置在第一感测信号线RL1与第p第一驱动信号线TL1p之间，第一感测信号线RL1被设置在感测信号线RL1至RLq的最左侧，第p第一驱动信号线TL1p
被设置在第一驱动信号线TL11至TL1p的最右侧。因此，第二保护线GL2可以用来减小或最小
化感测信号线RL1至RLq和第一驱动信号线TL11至TL1p对彼此的影响。第二保护线GL2的一
端(例如，第一端)可以连接到触摸焊盘TP中的对应的一个(例如，任一个)。

[0121] 第三保护线GL3可以被设置在第一第一驱动信号线TL11与第一第二驱动信号线TL21之间，第一第一驱动信号线TL11被设置在第一驱动信号线TL11至TL1p的最左侧，第一
第二驱动信号线TL21被设置在第二驱动信号线TL21至TL2p的最右侧。因此，第三保护线GL3
可以用来减小或最小化第一驱动信号线TL11至TL1p和第二驱动信号线TL21至TL2p对彼此
的影响。第三保护线GL3的一端(例如，第一端)可以连接到触摸焊盘TP中的对应的一个(例
如，任一个)。

[0122] 第四保护线GL4可以被设置在第p第二驱动信号线TL2p外部，第p第二驱动信号线TL2p被设置在第二驱动信号线TL21至TL2p的最左侧。此外，第二接地线GRL2可以被设置在
第四保护线GL4外部。换句话说，由于第四保护线GL4被设置在第二接地线GRL2与设置在第
二驱动信号线TL21至TL2p的最外侧的第p第二驱动信号线TL2p之间，因此第四保护线GL4可
以用来减小或者最小化第二接地线GRL2的电压变化对第二驱动信号线TL21至TL2p的影响。
第四保护线GL4的一端(例如，第一端)和第二接地线GRL2的一端(例如，第一端)可以连接到
触摸焊盘TP中的对应的一个(例如，任一个)。

[0123] 接地电压可以被施加到第一保护线GL1、第二保护线GL2、第三保护线GL3和第四保护线GL4。

[0124] 第一接地线GRL1被设置在触摸面板500的右侧的最外侧，并且第二接地线GRL2被设置在触摸面板500的下侧、左侧和上侧的最外侧。此外，接地电压被施加到第一接地线
GRL1和第二接地线GRL2。因此，当静电从外部被施加时，静电可以被放电至第一接地线GRL1
和/或第二接地线GRL2。

[0125] 图6是图4的像素的详细的电路图。

[0126] 参考图6，像素PX可以连接到第k栅初始化线GIk(其中k为正整数)、第k写入信号线GWk和第k阳极初始化线GBk。此外，像素PX可以连接到被供给有第一驱动电压的第一驱动电
压线VDDL、被供给有初始化电压(Vini)的初始化电压线VIL以及被供给有第二驱动电压的
第二驱动电压线VSSL。

[0127] 像素PX包括驱动晶体管DT、发光元件EL、开关元件和电容器C1。开关元件可以包括例如第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6。

[0128] 驱动晶体管DT可以包括栅电极、第一电极和第二电极。驱动晶体管DT根据施加到栅电极的数据电压来控制在第一电极与第二电极之间流动的漏-源电流Ids(在下文中被称
为“驱动电流”)。流过驱动晶体管DT的沟道的驱动电流Ids可以与栅-源电压(Vgs)和驱动晶
体管DT的阈值电压(Vth)之间的差的平方成正比，如下面的公式1中所示。

[0129] 公式1

[0130] Ids＝k′×(Vgs-Vth)2

[0131] 在公式1中，k'为由驱动晶体管DT的结构和物理特性确定的比例系数，Vgs为驱动晶体管DT的栅-源电压，并且Vth为驱动晶体管DT的阈值电压。

[0132] 发光元件EL根据驱动电流Ids发射光。发光元件EL的发光量可以与驱动电流Ids成正比。

[0133] 在实施例中，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的有机发光层的有机发光二极管。在另一实施例中，发光元件EL可以是包括
阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极电极之间的无机半导体的无机发光元件。
在另一实施例中，发光元件EL可以是包括阳极电极、阴极电极以及设置在阳极电极与阴极
电极之间的量子点发光层的量子点发光元件。在另一实施例中，发光元件EL可以是微发光
二极管。

[0134] 发光元件EL的阳极电极可以连接到第四晶体管ST4的第一电极和第六晶体管ST6的第二电极。发光元件EL的阴极电极可以连接到第二驱动电压线VSSL。寄生电容Cel可以形
成在发光元件EL的阳极电极与阴极电极之间。

[0135] 第一晶体管ST1可以是包括第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2的双晶体管。第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2由第k栅初始化线GIk的第一初始
化信号导通，以将驱动晶体管DT的栅电极连接到初始化电压线VIL。驱动晶体管DT的栅电极
可以被放电至初始化电压线VIL的初始化电压。第一-第一晶体管ST1-1的栅电极可以连接
到第k栅初始化线GIk，第一-第一晶体管ST1-1的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电
极，并且第一-第一晶体管ST1-1的第二电极可以连接到第一-第二晶体管ST1-2的第一电
极。第一-第二晶体管ST1-2的栅电极可以连接到第k栅初始化线GIk，第一-第二晶体管ST1-
2的第一电极可以连接到第一-第一晶体管ST1-1的第二电极，并且第一-第二晶体管ST1-2
的第二电极可以连接到初始化电压线VIL。

[0136] 第二晶体管ST2由第k写入信号线GWk的写入信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第j数据线Dj(其中j为正整数)。第二晶体管ST2的栅电极可以连接到第k写入信
号线GWk，第二晶体管ST2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第一电极，并且第二晶体
管ST2的第二电极可以连接到第j数据线Dj。

[0137] 第三晶体管ST3可以是包括第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2的双晶体管。第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2由第k写入信号线GWk的写入信号
导通，以将驱动晶体管DT的栅电极连接到驱动晶体管DT的第二电极。换句话说，当第三-第
一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2被导通时，驱动晶体管DT的栅电极连接到驱动晶
体管DT的第二电极，使得驱动晶体管DT作为二极管被驱动(例如，被二极管连接)。第三-第
一晶体管ST3-1的栅电极可以连接到第k写入信号线GWk，第三-第一晶体管ST3-1的第一电
极可以连接到第三-第二晶体管ST3-2的第二电极，并且第三-第一晶体管ST3-1的第二电极
可以连接到驱动晶体管DT的栅电极。第三-第二晶体管ST3-2的栅电极可以连接到第k写入
信号线GWk，第三-第二晶体管ST3-2的第一电极可以连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且
第三-第二晶体管ST3-2的第二电极可以连接到第三-第一晶体管ST3-1的第一电极。

[0138] 第四晶体管ST4由第k阳极初始化线GBk的初始化信号(例如，扫描信号)导通，以将发光元件EL的阳极电极连接到初始化电压线VIL。发光元件EL的阳极电极可以被放电至初
始化电压线VIL的初始化电压。第四晶体管ST4的栅电极可以连接到第k阳极初始化线GBk，
第四晶体管ST4的第一电极可以连接到发光元件EL的阳极电极，并且第四晶体管ST4的第二
电极可以连接到初始化电压线VIL。

[0139] 第五晶体管ST5由第k发光线Ek的发光控制信号导通，以将驱动晶体管DT的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL。第五晶体管ST5的栅电极连接到第k发光线Ek，第五晶体管
ST5的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL，并且第五晶体管ST5的第二电极连接到驱动晶
体管DT的第一电极(例如，源电极)。

[0140] 第六晶体管ST6连接在驱动晶体管DT的第二电极与发光元件EL的阳极电极之间。第六晶体管ST6由第k发光线Ek的发光控制信号导通，以将驱动晶体管DT的第二电极连接到
发光元件EL的阳极电极。第六晶体管ST6的栅电极连接到第k发光线Ek，第六晶体管ST6的第
一电极连接到驱动晶体管DT的第二电极，并且第六晶体管ST6的第二电极连接到发光元件
EL的阳极电极。当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6两者被导通时，驱动电流Ids可以被供给
到发光元件EL。

[0141] 电容器C1形成在驱动晶体管DT的栅电极与第一驱动电压线VDDL之间。电容器C1的一个电极可以连接到驱动晶体管DT的栅电极，并且电容器C1的另一电极可以连接到第一驱
动电压线VDDL。

[0142] 驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个的第一电极和第二电极中的一个可以是源电极，并且其另一个可以是漏电极。例如，当驱动晶体
管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个的第一电极是源电极时，
其第二电极可以是漏电极。在另一示例中，当驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、
ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个的第一电极是漏电极时，其第二电极可以是源电极。

[0143] 驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个的有源层可以由多晶硅、非晶硅和氧化物半导体中的任意合适的一种形成。当驱动晶体管DT以
及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个的有源层由多晶硅形成时，形成
有源层的工艺可以包括(例如可以是)低温多晶硅(LTPS)工艺。

[0144] 尽管图6图示了驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6由P型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成，但是本发明不限于此。例如，在其他
实施例中，驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的任意一个
或多个可以由N型MOSFET形成。

[0145] 可以考虑驱动晶体管DT的特性和发光元件EL的特性来设定第一驱动电压线VDDL的第一驱动电压、第二驱动电压线VSSL的第二驱动电压和初始化电压线VIL的初始化电压。
例如，初始化电压与供给到驱动晶体管DT的第一电极的数据电压之间的电压差可以被设定
为小于驱动晶体管DT的阈值电压。

[0146] 在实施例中，第k栅初始化线GIk可以是第k-1扫描线(例如，先前扫描线)，并且第k阳极初始化线GBk和第k写入信号线GWk可以是第k扫描线(例如，当前扫描线)。在此情况下，
第k阳极初始化线GBk的第二初始化信号可以与第k写入信号线GWk的写入信号相同或基本
相同，但是本发明不限于此。

[0147] 图7是示出施加到图6的第k-1扫描线(例如，第k栅初始化线GIk)、第k扫描线(例如，第k阳极初始化线GBk和第k写入信号线GWk)以及第k发光线(例如，第k发光线Ek)的信号
的波形图。

[0148] 参考图7，施加到第k栅初始化线GIk的第k栅初始化信号GISk是用于控制第一晶体管ST1的操作(例如，导通和截止)的信号。施加到第k写入信号线GWk的第k写入信号GWSk是
用于控制第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个的操作(例如，导通和截止)的信号。

[0149] 施加到第k阳极初始化线GBk的第k阳极初始化信号GBSk是用于控制第四晶体管ST4的操作(例如，导通和截止)的信号。施加到第k发光线Ek的第k发光信号EMk是用于控制
第五晶体管ST5和第六晶体管ST6的操作(例如，导通和截止)的信号。

[0150] 可以在一个帧时段期间周期性地生成第k栅初始化信号GISk、第k写入信号GWSk、第k阳极初始化信号GBSk和第k发光信号EMk。一个帧时段包括多个第一时段t1、t1'和t1"、
多个第二时段t2、t2'和t2"、第三时段t3、第一截止时段toff1和第二截止时段toff2。多个
第一时段t1、t1'和t1"中的每个可以是用于通过将初始化电压(Vini)施加到驱动晶体管DT
的栅电极来将导通偏置电压(例如，导通偏置信号)施加到驱动晶体管DT的时段。多个第二
时段t2、t2'和t2"中的每个可以是用于将数据电压供给到驱动晶体管DT的第一电极并且对
驱动晶体管DT的阈值电压进行采样的时段。第三时段t3可以是在其中发光元件EL根据驱动
晶体管DT的栅电极的电压发光的时段。第一截止时段toff1可以位于作为第一时段t1、t1'
和t1"当中的第一个(例如，最前面的)时段的第一时段t1之前。第二截止时段toff2可以位
于作为第二时段t2、t2'和t2"当中的最后时段的第二时段t2"之后。第一截止时段toff1和
第二截止时段toff2中的每个可以是在其中驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、
ST3、ST4、ST5和ST6中的每个(例如，全部)被截止(例如，处于截止状态)的时段。

[0151] 多个第一时段t1、t1'和t1"以及多个第二时段t2、t2'和t2"可以交替地重复(例如，可以彼此交替地重复)。例如，多个第一时段t1、t1'和t1"以及多个第二时段t2、t2'和
t2"可以以第一时段t1、第二时段t2、第一时段t1'、第二时段t2'、第一时段t1"和第二时段
t2"的顺序被布置。尽管图7示出了一个帧时段可以包括三个第一时段t1、t1'和t1"以及三
个第二时段t2、t2'和t2"，但是本发明不限于此。例如，一个帧时段可以包括一个第一时段
t1和一个第二时段t2、两个第一时段t1和t1'以及两个第二时段t2和t2'或四个或更多个第
一时段以及四个或更多个第二时段等。在此情况下，一个帧时段中的第一时段的数量可以
等于或基本等于一个帧时段中的第二时段的数量。

[0152] 第k栅初始化信号GISk可以在多个第一时段t1、t1'和t1"期间被输出为第一电平电压V1，并且可以在多个第二时段t2、t2'和t2"期间被输出为第二电平电压V2。例如，第k栅
初始化信号GISk可以在多个第一时段t1、t1'和t1"期间具有第一电平电压V1，并且可以在
其他剩余时段期间具有第二电平电压V2。第k写入信号GWSk和第k阳极初始化信号GBSk可以
在多个第二时段t2、t2'和t2"期间具有第一电平电压V1，并且可以在其他剩余时段期间具
有第二电平电压V2。第k发光信号EMk可以在第三时段t3期间具有第一电平电压V1，并且可
以在其他剩余时段期间具有第二电平电压V2。

[0153] 如图7中所图示，多个第一时段t1、t1'和t1"、多个第二时段t2、t2'和t2"、第一截止时段toff1和第二截止时段toff2中的每个限定一个水平时段(例如，可以包括在一个水
平时段中)。由于一个水平时段指示在其中数据电压被供给到设置在显示面板100的一条水
平线处(例如，在一条水平线中或在一条水平线上)的像素PX中的每个像素PX的时段，因此
一个水平时段可以被限定为一个水平线扫描时段。设置在一条水平线处(例如，在一条水平
线中或在一条水平线上)的像素PX可以被定义为连接到一条栅初始化线、一条写入信号线、
一条阳极初始化线和一条发光线的像素PX。数据电压可以与扫描信号中的每个的第一电平
电压V1同步地被供给到数据线DL。

[0154] 第一电平电压V1与能够使第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6中的每个导通的扫描导通电压相对应。第二电平电压V2与能够使第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、
ST4、ST5和ST6中的每个截止的扫描截止电压相对应。在实施例中，第一电平电压V1可以为
大约(例如，可以等于或基本等于)-8V，并且第二电平电压V2可以为大约(例如，可以等于或
基本等于)7V。初始化电压(Vini)可以高于(例如，可以大于)第一电平电压V1，并且可以低
于(例如，可以小于)第二电平电压V2。例如，在实施例中，初始化电压(Vini)可以为大约(例
如，可以等于或基本等于)-3.5V。

[0155] 在下文中，将参考图6和图7更详细地描述在第一截止时段toff1、多个第一时段t1、t1'和t1"、多个第二时段t2、t2'和t2"、第二截止时段toff2和第三时段t3期间像素PX的
操作。

[0156] 首先，像素PX的驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6可以在第一截止时段toff1期间被截止。

[0157] 第二，具有第一电平电压V1的第k栅初始化信号GISk在多个第一时段t1、t1'和t1"中的每个期间被供给到第k栅初始化线GIk。在此情况下，第一晶体管ST1在多个第一时段
t1、t1'和t1"中的每个期间通过具有第一电平电压V1的第k栅初始化信号GISk导通。当第一
晶体管ST1被导通时，初始化电压线VIL的初始化电压(Vini)被施加到驱动晶体管DT的栅电
极。

[0158] 当发光元件EL要在显示黑色亮度的同时显示白色亮度时，驱动晶体管DT的驱动电流Ids可以根据驱动晶体管DT的迟滞特性以阶梯形状增大，并且因此，发光元件EL的亮度也
可以以阶梯形状增大。驱动晶体管DT的驱动电流Ids的曲线可以在发光元件EL显示黑色亮
度时正偏移，并且驱动晶体管DT的驱动电流Ids的曲线可以在发光元件EL显示白色亮度时
负偏移。当发光元件EL在显示黑色亮度的同时显示白色亮度时，驱动晶体管DT的驱动电流
Ids的曲线可以负偏移。因此，即使当施加相同的数据电压时，供给到发光元件EL的驱动晶
体管DT的驱动电流Ids也可以在第二帧时段至第四帧时段期间以阶梯形状增大。因此，从发
光元件EL发射的光的亮度也可以在第二帧时段至第四帧时段期间以阶梯形状增大。

[0159] 为了减小帧时段之间在亮度上的差(其可能是由归因于驱动晶体管DT的迟滞特性的、发光元件EL的亮度以阶梯形状增大引起的)，导通偏置电压(例如，导通偏置信号)可以
在多个第一时段t1、t1'和t1"中的每个期间被施加到驱动晶体管DT。例如，当初始化电压
(Vini)在多个第一时段t1、t1'和t1"中的每个期间被施加到驱动晶体管DT的栅电极时，由
于驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电压可以低于驱动晶体管DT的阈值电压
(Vth)，因此驱动晶体管DT可以导通。换句话说，导通偏置电压可以被施加到驱动晶体管DT。

[0160] 第三，具有第一电平电压V1的第k写入信号GWSk在多个第二时段t2、t2'和t2"中的每个期间被供给到第k写入信号线GWk。如图7中所示，在多个第二时段t2、t2'和t2"中的每
个期间，第二晶体管ST2和第三晶体管ST3中的每个由具有第一电平电压V1的第k写入信号
GWSk导通。

[0161] 在多个第二时段t2、t2'和t2"中的每个期间，当第三晶体管ST3导通时，驱动晶体管DT的栅电极和第二电极彼此连接，并且驱动晶体管DT作为二极管被驱动(例如，被二极管
连接)。当第二晶体管ST2被导通时，数据电压(Vdata)被供给到驱动晶体管DT的第一电极。
在此情况下，由于驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电压(Vgs)(例如，Vgs＝Vini-
Vdata)低于阈值电压(Vth)，因此驱动晶体管DT形成电流路径，直到驱动晶体管DT的栅电极
与第一电极之间的电压(Vgs)达到阈值电压(Vth)为止。因此，在多个第二时段t2、t2'和t2"
中的每个期间，驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电压(Vgs)增加到电压Vdata+Vth
(其为数据电压(Vdata)和驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)的和)。电压“Vdata+Vth”可以存
储在电容器C1中。

[0162] 由于驱动晶体管DT可以被形成为P型MOSFET，因此在此情况下，在其中驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电压(Vgs)低于(例如，小于)0V的区间中，驱动晶体管DT的驱
动电流Ids可以与驱动晶体管DT的栅电极与第一电极之间的电压(Vgs)成反比。此外，由于
驱动晶体管DT可以被形成为P型MOSFET，因此驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)可以低于(例
如，可以小于)0V。

[0163] 此外，具有第一电平电压V1的第k阳极初始化信号GBSk被供给到第k阳极初始化线GBk。因此，在多个第二时段t2、t2'和t2"中的每个期间，第四晶体管ST4通过具有第一电平
电压V1的第k阳极初始化信号GBSk导通。当第四晶体管ST4导通时，发光元件EL的阳极电极
可以被初始化为初始化电压线VIL的初始化电压(Vini)。

[0164] 如图7中所示，多个第一时段t1、t1'和t1"以及多个第二时段t2、t2'和t2"可以交替地重复，从而在多个第一时段t1、t1'和t1"中的每个期间将导通偏置电压施加到驱动晶
体管DT。因此，当一个帧时段包括多个第一时段t1、t1'和t1"时，与当一个帧时段包括一个
第一时段时的情况相比，可以进一步减小由驱动晶体管DT的迟滞特性导致的发光元件EL的
亮度以阶梯形状增大。

[0165] 第四，像素PX的驱动晶体管DT以及第一至第六晶体管ST1、ST2、ST3、ST4、ST5和ST6可以在第二截止时段toff2期间截止。在第二截止时段toff2期间，驱动晶体管DT的栅电极
可以通过电容器C1保持或基本保持电压(例如，“Vdata+Vth”)。

[0166] 第五，在第三时段t3期间，具有第一电平电压V1的第k发光信号EMk被供给到第k发光线Ek。在第三时段t3期间，第五晶体管ST5和第六晶体管ST6中的每个通过具有第一电平
电压V1的第k发光信号EMk导通。

[0167] 当第五晶体管ST5导通时，驱动晶体管DT的第一电极连接到第一驱动电压线VDDL。当第六晶体管ST6导通时，驱动晶体管DT的第二电极连接到发光元件EL的阳极电极。

[0168] 当第五晶体管ST5和第六晶体管ST6导通时，根据驱动晶体管DT的栅电极的电压而流动的驱动电流Ids可以被供给到发光元件EL。驱动电流Ids可以由公式2定义。

[0169] 公式2

[0170] Ids＝k'×(ELVDD-(Vdata+Vth)-Vth)2

[0171] 在公式2中，k'指示由驱动晶体管DT的结构和物理特性确定的比例系数，Vth指示驱动晶体管DT的阈值电压，ELVDD指示第一驱动电压线VDDL的第一驱动电压，并且Vdata指
示数据电压。驱动晶体管DT的栅电压为(Vdata+Vth)，并且驱动晶体管DT的第一电极的电压
为ELVDD。如果概括公式2，则可以得到公式3。

[0172] 公式3

[0173] Ids＝k'×(ELVDD-Vdata)2

[0174] 相应地，如公式3中所示，驱动电流Ids可以不取决于驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)。换句话说，驱动晶体管DT的阈值电压(Vth)可以补偿。

[0175] 图8是示出图4的扫描驱动器的扫描级的图。

[0176] 参考图8，第一扫描驱动器110(参见图4)可以包括以依赖方式彼此连接的级STAk-1和STAk，并且级STAk-1和STAk可以连接到扫描线Sk-1和Sk，以输出(例如，顺序地输出)扫
描信号。例如，第k-1级STAk-1可以连接到第k-1扫描线Sk-1，以输出第k-1扫描信号。第k级
STAk可以连接到第k扫描线Sk，以输出第k扫描信号。

[0177] 如图8中所示，级STAk-1和STAk中的每个包括上拉晶体管TU、下拉晶体管TD和节点控制器NC。上拉晶体管TU可以在上拉节点NQ具有栅导通电压时导通。下拉晶体管TD可以在
下拉节点NQB具有栅导通电压时被导通。节点控制器NC可以控制上拉节点NQ和下拉节点NQB
的充放电。

[0178] 节点控制器NC包括开始端子ST、复位端子RT、栅导通电压端子VGHT、栅截止电压端子VGLT、时钟端子CT和输出端子OT。

[0179] 开始端子ST可以连接到施加有开始信号或前级的输出信号的前进位线PCL。复位端子RT可以连接到输入有后级的输出信号的后进位线RCL。栅导通电压端子VGHT可以连接
到施加有栅导通电压的栅导通电压线VGHL。栅截止电压端子VGLT可以连接到施加有栅截止
电压的栅截止电压线VGLL。栅导通电压可以是第一电平电压V1，并且栅截止电压可以是第
二电平电压V2。

[0180] 时钟端子CT可以连接到施加有第一时钟信号的第一时钟线CL1和施加有第二时钟信号的第二时钟线CL2中的任意合适的一条。例如，级STAk-1和STAk可以交替地连接到第一
时钟线CL1和第二时钟线CL2。在此情况下，当第k-1级STAk-1的时钟端子CT连接到第一时钟
线CL1时，第k级STAk的时钟端子CT可以连接到第二时钟线CL2。

[0181] 输出端子OT可以连接到扫描线Sk-1和Sk中的任何合适的一条。例如，级STAk-1和STAk可以顺序地连接到扫描线Sk-1和Sk。在此情况下，例如，第k-1级STAk-1的输出端子OT
可以连接到第k-1扫描线Sk-1，并且第k级STAk的输出端子OT可以连接到第k扫描线Sk。

[0182] 节点控制器NC根据输入到开始端子ST的开始信号或前级的输出信号来控制上拉节点NQ和下拉节点NQB的充放电。为了稳定地控制级STAk、STAk+1的输出，节点控制器NC允
许下拉节点NQB在上拉节点NQ具有栅导通电压时具有栅截止电压，并且允许上拉节点NQ在
下拉节点NQB具有栅导通电压时具有栅截止电压。因此，节点控制器NC可以包括多个晶体
管。

[0183] 上拉晶体管TU在上拉节点NQ具有栅导通电压时导通，以将输入到时钟端子CT的时钟信号输出到输出端子OT。下拉晶体管TD在下拉节点NQB具有栅导通电压时导通，以将栅截
止电压端子VGLT的栅截止电压输出到输出端子OT。

[0184] 在级STAk-1和STAk中的每个中，上拉晶体管TU、下拉晶体管TD以及节点控制器NC的多个晶体管可以被形成为薄膜晶体管。例如，在实施例中，如图8中所示，级STA(例如，级
STAK-1和STAk)的上拉晶体管TU、下拉晶体管TD以及节点控制器NC的多个晶体管可以被形
成为具有P型半导体特性的P型半导体晶体管。然而，本发明不限于此。例如，在另一实施例
中，级STA(例如，级STAK-1和STAk)的上拉晶体管TU、下拉晶体管TD以及节点控制器NC的多
个晶体管可以被形成为具有N型半导体特性的N型半导体晶体管。

[0185] 第二扫描驱动器120的扫描级可以与参考图8描述的级STAk-1和STAk相同或基本相同，并且因此，第二扫描驱动器120的扫描级的冗余描述可以不被重复。

[0186] 图9是示出图4的第一显示区域、第二显示区域、第三显示区域和显示凹口区域的一部分的扫描线的平面图。

[0187] 参考图9，第一扫描驱动器110可以被设置在第一显示区域DA1的左侧和第二显示区域DA2的左侧，并且第二扫描驱动器120可以被设置在第一显示区域DA1的右侧和第三显
示区域DA3的右侧。

[0188] 第一扫描驱动器110可以连接到设置在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2处(例如，在第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中或在第一显示区域DA1和第二显示区域
DA2上)的扫描线SL。第二扫描驱动器120可以连接到设置在第一显示区域DA1和第三显示区
域DA3处(例如，在第一显示区域DA1和第三显示区域DA3中或在第一显示区域DA1和第三显
示区域DA3上)的扫描线SL。

[0189] 第一显示区域DA1的扫描线SL可以连接到第一扫描驱动器110和第二扫描驱动器120两者。例如，在实施例中，第一显示区域DA1的扫描线SL中的每条可以连接到第一扫描驱
动器110和第二扫描驱动器120两者。在另一实施例中，第一显示区域DA1的扫描线SL中的一
些可以连接到第一扫描驱动器110，并且第一显示区域DA1的扫描线SL中的其他扫描线SL可
以连接到第二扫描驱动器120。

[0190] 第二显示区域DA2的扫描线SL可以延伸到凹口区域NTA。在第二显示区域DA2的扫描线SL当中，设置在第二显示区域DA2的上侧的扫描线SL可以在凹口非显示区域NNDA中弯
曲，以延伸到凹口非显示区域NNDA的上侧，并且可以在凹口非显示区域NNDA的上侧中弯曲，
以延伸到设置在第二显示区域DA2的上侧外部的非显示区域NDA。

[0191] 第三显示区域DA3的扫描线SL可以延伸到凹口非显示区域NNDA。在第三显示区域DA3的扫描线SL当中，设置在第三显示区域DA3的上侧的扫描线SL可以在凹口非显示区域
NNDA中弯曲，以延伸到设置在凹口非显示区域NNDA的上侧外部的非显示区域NDA，并且可以
在设置在凹口非显示区域NNDA的上侧外部的非显示区域NDA中弯曲，以延伸到设置在第三
显示区域DA3的上侧外部的非显示区域NDA。

[0192] 在第二显示区域DA2的扫描线SL当中，设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线SL可以与在第三显示区域DA3的扫描线SL当中的设置在第三显示区域DA3的下侧的扫描线SL
电分离。换句话说，设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线SL可以与设置在第三显示区域
DA3的下侧的扫描线SL间隔开。

[0193] 凹口非显示区域NNDA中的扫描线SL之间的间隔可以小于第二显示区域DA2中的扫描线SL之间的间隔。此外，凹口非显示区域NNDA中的扫描线SL之间的间隔可以小于第三显
示区域DA3中的扫描线SL之间的间隔。因此，凹口非显示区域NNDA可以被提供有剩余空间
RA，该剩余空间RA可以是除了在其处(例如，在其中或在其上)布置有扫描线SL的区域之外
的区域，并且虚设像素可以被布置在剩余空间RA处(例如，在剩余空间RA中或在剩余空间RA
上)。

[0194] 由于第一显示区域DA1在第一方向(例如，X轴方向)上的长度可以大于第二显示区域DA2在第一方向(例如，X轴方向)上的长度，因此在第一显示区域DA1处(例如，在第一显示
区域DA1中或在第一显示区域DA1上)在第一方向(例如，X轴方向)上布置的像素PX的数量可
以大于在第二显示区域DA2处(例如，在第二显示区域DA2中或在第二显示区域DA2上)在第
一方向(例如，X轴方向)上布置的像素PX的数量。因此，连接到第一显示区域DA1的扫描线SL
的像素PX的数量可以大于连接到第二显示区域DA2的扫描线SL的像素PX的数量。因此，第一
显示区域DA1的扫描线SL的负载可以大于第二显示区域DA2的扫描线SL的负载。因此，用于
补偿第一显示区域DA1的扫描线SL的负载与第二显示区域DA2的扫描线SL的负载之间的差
的补偿电容器可以被布置在凹口区域NTA处(例如，在凹口区域NTA中或在凹口区域NTA上)。
扫描线SL的负载可以指示扫描线SL的RC延迟。

[0195] 图10是图9的区域A的详细的放大平面图。

[0196] 为了方便起见，图10图示了布置在第二显示区域DA2和凹口非显示区域NNDA处(例如，在其中或在其上)的第p-1栅初始化线GIp-1至第p+5栅初始化线GIp+5、第p写入信号线
GWp至第p+5写入信号线GWp+5以及第p阳极初始化信号线GBp至第p+5阳极初始化信号线GBp
+5。

[0197] 参考图10，第p-1栅初始化线GIp-1至第p+5栅初始化线GIp+5、第p写入信号线GWp至第p+5写入信号线GWp+5以及第p阳极初始化信号线GBp至第p+5阳极初始化信号线GBp+5
可以在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。第p-1栅初始化线GIp-1至第p+5栅初始化线GIp+
5、第p写入信号线GWp至第p+5写入信号线GWp+5以及第p阳极初始化信号线GBp至第p+5阳极
初始化信号线GBp+5可以分别被布置成与在第一方向(例如，X轴方向)上布置的像素PX交
叉，并且可以连接到在第一方向(例如，X轴方向)上布置的像素PX。

[0198] 第p-1栅初始化线GIp-1至第p+5栅初始化线GIp+5中的任一条、第p写入信号线GWp至第p+5写入信号线GWp+5中的任一条以及第p阳极初始化信号线GBp至第p+5阳极初始化信
号线GBp+5中的任一条可以被布置成与同一像素PX交叉，并且可以连接到同一像素PX。例
如，第p栅初始化线GIp、第p写入信号线GWp和第p阳极初始化信号线GBp可以被布置成与同
一像素PX交叉，并且可以连接到同一像素PX。

[0199] 第p-1栅初始化线GIp-1至第p+5栅初始化线GIp+5中的任一条、第p写入信号线GWp至第p+5写入信号线GWp+5中的任一条以及第p阳极初始化信号线GBp至第p+5阳极初始化信
号线GBp+5中的任一条可以在第一扫描驱动器110和凹口非显示区域NNDA处(例如，在第一
扫描驱动器110和凹口非显示区域NNDA中或在第一扫描驱动器110和凹口非显示区域NNDA
上)彼此连接。例如，第p-1栅初始化线GIp-1、第p写入信号线GWp和第p阳极初始化信号线
GBp可以在第一扫描驱动器110和凹口非显示区域NNDA处(例如，在第一扫描驱动器110和凹
口非显示区域NNDA中或在第一扫描驱动器110和凹口非显示区域NNDA上)彼此连接。第p-1
栅初始化线GIp-1、第p写入信号线GWp和第p阳极初始化信号线GBp通过其彼此连接的线可
以被定义为第p扫描线Sp。

[0200] 在凹口非显示区域NNDA中，扫描线Sp至Sp+5可以连接到补偿电容器组CCG的补偿电容器。补偿电容器组CCG中的补偿电容器的数量可以根据扫描线Sp至Sp+5的数量而改变。

[0201] 图11是示出由第一时钟信号和第二时钟信号输出的第p至第p+5扫描信号的波形图。

[0202] 参考图11，第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2中的每个可以是用于以合适的周期(例如，预定周期)重复第一电平电压V1和第二电平电压V2的信号。第二电平电压V2可
以高于(例如，大于)第一电平电压V1。在图11中，第一水平时段HT1至第十水平时段HT10中
的每个可以对应于(例如，可以限定或者可以是)一个水平时段。在此情况下，合适的周期
(例如，预定周期)可以是两个水平时段。第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2中的每个
可以在两个水平时段当中的一个水平时段期间具有第一电平电压V1，并且可以在两个水平
时段当中的另一水平时段期间具有第二电平电压V2。

[0203] 第一时钟信号CLK1的相位可以与第二时钟信号CLK2的相位相反。例如，当第一时钟信号CLK1具有第一电平电压V1时，第二时钟信号CLK2可以具有第二电平电压V2。此外，当
第一时钟信号CLK1具有第二电平电压V2时，第二时钟信号CLK2可以具有第一电平电压V1。

[0204] 第p扫描信号SCANp可以包括第p-1栅初始化信号、第p写入信号和第p阳极初始化信号。第p+1扫描信号SCANp+1可以包括第p栅初始化信号、第p+1写入信号和第p+1阳极初始
化信号。第p+2扫描信号SCANp+2可以包括第p+1栅初始化信号、第p+2写入信号和第p+2阳极
初始化信号。第p+3扫描信号SCANp+3可以包括第p+2栅初始化信号、第p+3写入信号和第p+3
阳极初始化信号。第p+4扫描信号SCANp+4可以包括第p+3栅初始化信号、第p+4写入信号和
第p+4阳极初始化信号。第p+5扫描信号SCANp+5可以包括第p+4栅初始化信号、第p+5写入信
号和第p+5阳极初始化信号。第p+6扫描信号SCANp+6可以包括第p+5栅初始化信号、第p+6写
入信号和第p+6阳极初始化信号。

[0205] 在第一水平时段HT1至第五水平时段HT5期间，第一时钟信号CLK1可以被输出为第p扫描信号SCANp。在第二水平时段HT2至第六水平时段HT6期间，第二时钟信号CLK2可以被
输出为第p+1扫描信号SCANp+1。在第三水平时段HT3至第七水平时段HT7期间，第一时钟信
号CLK1可以被输出为第p+2扫描信号SCANp+2。在第四水平时段HT4至第八水平时段HT8期
间，第二时钟信号CLK2可以被输出为第p+3扫描信号SCANp+3。在第五水平时段HT5至第九水
平时段HT9期间，第一时钟信号CLK1可以被输出为第p+4扫描信号SCANp+4。在第六水平时段
HT6至第十水平时段HT10期间，第二时钟信号CLK2可以被输出为第p+5扫描信号SCANp+5。

[0206] 第五水平时段HT5的第一时钟信号CLK1可以被输出为第p扫描信号SCANp、第p+2扫描信号SCANp+2和第p+4扫描信号SCANp+4。换句话说，当扫描信号中的每个包括q(其中q为
正整数)个脉冲时，第一时钟信号CLK1可以被输出为q个奇数扫描信号。例如，当扫描信号中
的每个包括三个脉冲时，如图11中所示，第一时钟信号CLK1可以被输出为三个奇数扫描信
号。因此，第一时钟信号CLK1可能被q条扫描线的负载影响。

[0207] 例如，影响第一时钟信号CLK1的q条扫描线的负载可以如公式4被定义。

[0208] 公式4

[0209] TLOAD＝Sp_LOAD+CCGp_LOAD+Sp+2_LOAD

[0210] +CCGp+2_LOAD+Sp+4_LOAD+CCGp+4_LOAD

[0211] 在公式4中，TLOAD指示影响第一时钟信号CLK1的q条扫描线的负载，Sp_LOAD指示第p扫描线与像素PX之间的负载，并且CCGp_LOAD指示连接到第p扫描线的补偿电容器组CCG
的补偿电容器的负载。

[0212] 在公式4中，由于第p扫描线Sp包括第p-1栅初始化线GIp-1、第p写入信号线GWp和第p阳极初始化线GBp(参见图10)，因此第p扫描线Sp与像素PX之间的负载Sp_LOAD可以包括
第p写入信号线GWp与像素PX之间的负载GWp_LOAD、第p阳极初始化线GBp与像素PX之间的负
载GWp_LOAD以及第p-1栅初始化线GIp-1与像素PX之间的负载GIp-1_LOAD。因此，公式4可以
被定义为公式5。

[0213] 公式5

[0214] TLOAD＝GWp_LOAD+GBp_LOAD+GIp-l_LOAD+CCGp_LOAD

[0215] +GWp+2_LOAD+GBp+2_LOAD+GIp+I_LOAD+CCGp+2_LOAD

[0216] +GWp+4_LOAD+GDp+4_LOAD+GIp+3_LOAD+CCGp+4_LOAD

[0217] 此外，第六水平时段HT6的第二时钟信号CLK2可以被输出为第p+1扫描信号SCANp+1、第p+3扫描信号SCANp+3和第p+5扫描信号SCANp+5。换句话说，当扫描信号中的每个包括q
(其中q为正整数)个脉冲时，第二时钟信号CLK2可以被输出为q个偶数扫描信号。例如，当扫
描信号中的每个包括三个脉冲时，如图11中所示，第二时钟信号CLK2可以被输出为三个偶
数扫描信号。在此情况下，第二时钟信号CLK2可能被q条扫描线的负载影响。

[0218] 如图11中所示，用于产生扫描信号SCANp至SCANp+5的第一时钟信号CLK1和第二时钟信号CLK2中的每个受q条扫描线的负载影响。因此，可能期望考虑q条扫描线的负载来设
计补偿电容器组CCG的负载。

[0219] 图12是示出图10的区域A-1中的补偿电容器的示例的详细的放大平面图。

[0220] 图12示出了图10中连接到第p扫描线Sp至第p+5扫描线Sp+5的补偿电容器组CCG的补偿电容器CC。

[0221] 参考图12，补偿电容器组CCG中的每个可以包括多个补偿电容器CC。补偿电容器CC中的每个可以包括第一电极CCE1和第二电极CCE2。补偿电容器CC的第一电极CCE1可以是扫
描线Sp至Sp+5中的任意合适的一条的在第三方向(例如，Z轴方向)上与子驱动电压线SVDDL
重叠的部分。补偿电容器CC的第二电极CCE2可以是子驱动电压线SVDDL的在第三方向(例
如，Z轴方向)上与扫描线Sp至Sp+5中的任意合适的一条重叠的部分。

[0222] 第一驱动电压线VDDL的在第三方向(例如，Z轴方向)上与扫描线重叠的长度可以从第p扫描线Sp朝向第p+5扫描线Sp+5减小。例如，第一驱动电压线VDDL在第二方向(例如，Y
轴方向)上的长度可以以阶梯形状朝向第一方向(例如，X轴方向)减小。

[0223] 子驱动电压线SVDDL可以电连接到第一驱动电压线VDDL。子驱动电压线SVDDL可以在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。子驱动电压线SVDDL可以与扫描线Sp至Sp+5交叉。子驱
动电压线SVDDL可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与第一驱动电压线VDDL重叠。

[0224] 如图12中所示，包括在补偿电容器组CCG中的电容器CC的数量可以从连接到第p扫描线Sp的补偿电容器组CCG朝向连接到第p+5扫描线Sp+5的补偿电容器组CCG增大。换句话
说，连接到第p+r(其中r为正整数)扫描线Sp+r的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，可以
少于)连接到第p+s(其中s为大于r的正整数)扫描线Sp+s的补偿电容器CC的数量。

[0225] 例如，连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量可以大于连接到第p扫描线Sp的补偿电容器CC的数量。此外，连接到第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器的数量CC可以大于
连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量。

[0226] 图13是示出根据实施例的根据扫描线的位置连接到扫描线的补偿电容器的数量的曲线图，并且图14是示出根据实施例的、根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线
图。

[0227] 在图13中，X轴指示在第二显示区域DA2处(例如，在第二显示区域DA2中或在第二显示区域DA2上)的扫描线的位置，并且Y轴指示补偿电容器的数量。在图14中，X轴指示在第
二显示区域DA2处(例如，在第二显示区域DA2中或在第二显示区域DA2上)的扫描线的位置，
并且Y轴指示q条扫描线的电容，其中电容的单位可以是法拉(F)。在图13和图14中，设置在
第二显示区域DA2的最上侧的扫描线被定义为“S1”，设置在第二显示区域DA2的最下侧的扫
描线被定义为“S111”，并且扫描线的位置从第二显示区域DA2的上侧朝向第二显示区域DA2
的下侧增大。

[0228] 参考图13，补偿电容器CC可以不连接到从第二显示区域DA2的上侧到第二显示区域DA2的中心的扫描线。例如，从第二显示区域DA2的第一扫描线S1到第52扫描线S52的补偿
电容器CC的数量可以是0。

[0229] 连接到扫描线的补偿电容器CC的数量可以从第二显示区域DA2的中心朝向第二显示区域DA2的下侧增大。例如，连接到扫描线的补偿电容器CC的数量可以从第二显示区域
DA2的第53扫描线S53朝向第107扫描线S107线性地增大。在此情况下，扫描线的电容可以从
第二显示区域DA2的第53扫描线S53朝向第107扫描线S107增大。

[0230] 连接到从第二显示区域DA2的第107扫描线S107到第二显示区域DA2的第109扫描线S109的扫描线的补偿电容器CC的数量可以相同或基本相同。在此情况下，从第二显示区
域DA2的第107扫描线S107到第二显示区域DA2的第109扫描线S109的扫描线的电容可以相
同或基本相同。

[0231] 此外，连接到第二显示区域DA2的第110扫描线S110的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)连接到第109扫描线S109的补偿电容器CC的数量。此外，连接到第二显示区
域DA2的第111扫描线S111的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，可以少于)连接到第110
扫描线S110的补偿电容器CC的数量。在此情况下，扫描线的电容可以从第二显示区域DA2的
第109扫描线S109朝向第111扫描线S111减小。

[0232] 参考图14，当第p扫描线是奇数扫描线时，从第p扫描线开始的q条扫描线的电容指示从第p扫描线开始的q条连续奇数扫描线的电容。此外，当第p扫描线是偶数扫描线时，从
第p扫描线开始的q条扫描线的电容指示从第p扫描线开始的q条连续偶数扫描线的电容。因
此，q条扫描线的电容可以被定义为彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容。例
如，q条扫描线的电容可以被定义为第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线
的电容的和。

[0233] 例如，从第102扫描线S102开始的三条扫描线的电容可以是第102扫描线S102的电容、第104扫描线S104的电容和第106扫描线S106的电容的和。在另一示例中，从第103扫描
线S103开始的三条扫描线的电容可以是第103扫描线S103的电容、第105扫描线S105的电容
和第107扫描线S107的电容的和。

[0234] 从第103扫描线S103开始的三条扫描线的电容可以小于(例如，可以少于)从第102扫描线S102开始的三条扫描线的电容。此外，从第104扫描线S104开始的三条扫描线的电容
可以大于从第103扫描线S103开始的三条扫描线的电容。此外，从第105扫描线S105开始的
三条扫描线的电容可以小于(例如，可以少于)从第104扫描线S104开始的三条扫描线的电
容。此外，从第106扫描线S106开始的三条扫描线的电容可以大于从第105扫描线S105开始
的三条扫描线的电容。

[0235] 设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线的RC延迟与设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的RC延迟之间的差可以被减小或最小化，从而减小或最小化施加到设置在第
二显示区域DA2的下侧的扫描线的扫描信号的脉冲宽度与施加到设置在第一显示区域DA1
的上侧的扫描线的扫描信号的脉冲宽度之间的差。因此，可以防止或基本防止连接到设置
在第二显示区域DA2的下侧的扫描线的像素的亮度与连接到设置在第一显示区域DA1的上
侧的扫描线的像素的亮度之间的差的出现。

[0236] 为了减小或最小化设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线的RC延迟和设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的RC延迟之间的差，可能希望q条扫描线的负载被设计为从
第二显示区域DA2的上侧朝向第二显示区域DA2的下侧增大。然而，如图14中所示，q条扫描
线的电容可以不从第102扫描线S102朝向第111扫描线S111增大。因此，q条扫描线的负载可
以不从第102扫描线S102朝向第111扫描线S111增大。

[0237] 因此，如图13中所示，连接到扫描线的补偿电容器CC的数量从第二显示区域DA2的第53扫描线S53朝向第二显示区域DA2的第107扫描线S107增大，连接到从第107扫描线S107
朝向第109扫描线S109的扫描线的补偿电容器CC的数量可以相同或基本相同，并且连接到
扫描线的补偿电容器CC的数量可以从第109扫描线S109朝向第111扫描线S111减小。因此，
可能难以减小或最小化设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线的RC延迟和设置在第一显
示区域DA1的上侧的扫描线的RC延迟之间的差。因此，可能期望用于减小或最小化设置在第
二显示区域DA2的下侧的扫描线的RC延迟和设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的RC
延迟之间的差的补偿电容器CC的改进或最优设计。

[0238] 图15是示出图10的区域A-1中的补偿电容器的另一示例的详细的放大平面图。

[0239] 图15中所示的实施例与图12中所示的实施例的不同之处可以在于，图15的包括在图10中的补偿电容器组CCG中的补偿电容器CC的数量可以不从连接到第p扫描线Sp的补偿
电容器组CCG朝向连接到第p+5扫描线Sp+5的补偿电容器组CCG增大。

[0240] 参考图15，第一驱动电压线VDDL的在第三方向(例如，Z轴方向)上与扫描线重叠的长度可以从第p扫描线Sp朝向第p+5扫描线Sp+5改变。例如，第一驱动电压线VDDL的在第三
方向(例如，Z轴方向)上与扫描线重叠的长度可以从第p扫描线Sp朝向第p+5扫描线Sp+5增
大和/或减小。

[0241] 包括在补偿电容器组CCG中的补偿电容器CC的数量可以从连接到第p扫描线Sp的补偿电容器组CCG朝向连接到第p+5扫描线Sp+5的补偿电容器组CCG增大和/或减小。例如，
连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量可以大于连接到第p扫描线Sp的补偿电容
器CC的数量。此外，连接到第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)
连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量。此外，连接到第p+3扫描线Sp+3的补偿电
容器CC的数量可以大于连接到第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器CC的数量。此外，连接到第p+
4扫描线Sp+4的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)连接到第p+3扫描线Sp+3的补偿
电容器CC的数量。此外，连接到第p+5扫描线Sp+5的补偿电容器CC的数量可以大于连接到第
p+4扫描线Sp+4的补偿电容器CC的数量。

[0242] 连接到在第二方向(例如，Y轴方向)上彼此邻近的扫描线的补偿电容器CC之间的数量差可以根据扫描线的位置而变化(例如，改变)。例如，连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿
电容器CC的数量与连接到第p扫描线Sp的补偿电容器CC的数量之间的差可以不同于连接到
第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器CC的数量与连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数
量之间的差。

[0243] 图16是示出根据另一实施例的根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线图，并且图17是示出根据另一实施例的根据扫描线的位置的q条扫描线的电容的曲线图。

[0244] 在图16中，X轴指示在第二显示区域DA2处(例如，在第二显示区域DA2中或在第二显示区域DA2上)的扫描线的位置，并且Y轴指示补偿电容器的数量。在图17中，X轴指示在第
二显示区域DA2处(例如，在第二显示区域DA2中或在第二显示区域DA2上)的扫描线的位置，
并且Y轴指示q条扫描线的电容，其中电容的单位可以是法拉(F)。在图16和图17中，设置在
第二显示区域DA2的最上侧的扫描线被定义为“S1”，设置在第二显示区域DA2的最下侧的扫
描线被定义为“S111”，并且扫描线的位置从第二显示区域DA2的上侧朝向第二显示区域DA2
的下侧增大。

[0245] 参考图16，补偿电容器CC可以不连接到从第二显示区域DA2的上侧到第二显示区域DA2的中心的扫描线。例如，从第二显示区域DA2的第一扫描线S1到第52扫描线S52的补偿
电容器CC的数量可以是0。

[0246] 连接到扫描线的补偿电容器CC的数量可以从第二显示区域DA2的中心朝向第二显示区域DA2的下侧增大和/或减小。例如，如图15中所示，连接到扫描线的补偿电容器CC的数
量可以针对包括t(其中t是作为q的两倍的正整数)条扫描线的每个扫描线组增大、减小、增
大和减小。例如，当扫描线组包括第p扫描线Sp至第p+5扫描线Sp+5时，连接到扫描线的补偿
电容器CC的数量可以从第p扫描线Sp到第p+4扫描线Sp+4增大、减小、增大和减小。换句话
说，连接到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量可以大于连接到第p扫描线Sp的补偿电
容器CC的数量。连接到第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)连接
到第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC的数量。连接到第p+3扫描线Sp+3的补偿电容器CC的数
量可以大于连接到第p+2扫描线Sp+2的补偿电容器CC的数量。连接到第p+4扫描线Sp+4的补
偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)连接到第p+3扫描线Sp+3的补偿电容器CC的数量。

[0247] 在图16中，连接到第一扫描线组至第九扫描线组中的每个扫描线组中的扫描线的补偿电容器CC的数量可以增大、减小、增大和减小。例如，第一扫描线组可以包括第57扫描
线S57至第62扫描线S62。在此情况下，连接到第58扫描线S58的补偿电容器CC的数量可以大
于连接到第57扫描线S57的补偿电容器CC的数量。连接到第59扫描线S59的补偿电容器CC的
数量可以小于(例如，少于)连接到第58扫描线S58的补偿电容器CC的数量。连接到第60扫描
线S60的补偿电容器CC的数量可以大于连接到第59扫描线S59的补偿电容器CC的数量。连接
到第61扫描线S61的补偿电容器CC的数量可以小于(例如，少于)连接到第60扫描线S60的补
偿电容器CC的数量。

[0248] 连接到扫描线的补偿电容器CC的数量从第105扫描线到第107扫描线减小。此外，连接到扫描线的补偿电容器CC的数量可以从第二显示区域DA2的第108扫描线S108到第二
显示区域DA2的第111扫描线S111减小。

[0249] 参考图17，当第p扫描线是奇数扫描线时，从第p扫描线开始的q条扫描线的电容指示从第p扫描线开始的q条连续奇数扫描线的电容。此外，当第p扫描线是偶数扫描线时，从
第p扫描线开始的q条扫描线的电容指示从第p扫描线开始的q条连续偶数扫描线的电容。因
此，q条扫描线的电容可以被定义为彼此邻近的q条奇数扫描线或q条偶数扫描线的电容。例
如，q条扫描线的电容可以被定义为第p扫描线的电容、第p+2扫描线的电容和第p+4扫描线
的电容的和。

[0250] 例如，从第102扫描线S102开始的三条扫描线的电容可以是第102扫描线S102的电容、第104扫描线S104的电容和第106扫描线S106的电容的和。此外，从第103扫描线S103开
始的三条扫描线的电容可以是第103扫描线S103的电容、第105扫描线S105的电容和第107
扫描线S107的电容的和。从第102扫描线S102开始的三条扫描线的电容可以小于(例如，可
以少于)从第103扫描线S103开始的三条扫描线的电容。

[0251] 第101扫描线S101至第111扫描线S111中的三条奇数扫描线的电容可以增大。换句话说，从第p+r扫描线Sp+r开始的三条奇数扫描线的电容可以小于(例如，少于)连接到第p+
s扫描线Sp+s的三条奇数扫描线的电容。

[0252] 如上所述，q条扫描线的电容可以从第二显示区域DA2的上侧朝向第二显示区域DA2的下侧增大。例如，连接到包括t条扫描线的扫描线组中的扫描线的补偿电容器CC的数
量可以被设计成增大、减小、增大和减小。因此，q条扫描线的负载可以从第二显示区域DA2
的上侧朝向第二显示区域DA2的下侧增大。因此，可以减小或最小化设置在第二显示区域
DA2的下侧的扫描线的RC延迟与设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的RC延迟之间的
差。因此，可以减小或最小化施加到设置在第二显示区域DA2的下侧的扫描线的扫描信号的
脉冲宽度与施加到设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的扫描信号的脉冲宽度之间的
差。因此，由于扫描信号的脉冲宽度，可以防止或基本防止连接到设置在第二显示区域DA2
的下侧的扫描线的像素的亮度与连接到设置在第一显示区域DA1的上侧的扫描线的像素的
亮度之间的差的出现。

[0253] 图18是图示图10的像素的示例的详细的放大平面图。

[0254] 参考图18，像素PX可以包括驱动晶体管DT、第一晶体管ST1至第六晶体管ST6以及电容器C1。

[0255] 驱动晶体管DT可以包括有源层DT_ACT、栅电极DT_G、第一电极DT_S和第二电极DT_D。驱动晶体管DT的有源层DT_ACT可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与驱动晶体管DT的栅
电极DT_G重叠。栅电极DT_G可以被设置在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT上。

[0256] 栅电极DT_G可以通过第一接触孔CNT1连接到第一连接电极BE1。第一连接电极BE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1。由于第一连接电
极BE1在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸，因此第一连接电极BE1可以与第k扫描线Sk交叉。

[0257] 驱动晶体管DT的第一电极DT_S可以连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。驱动晶体管DT的第二电极DT_D可以连接到第三-第二晶体管ST3-2的第一电极S3-2和第六晶体管
ST6的第一电极S6。

[0258] 第一晶体管ST1可以被形成为双晶体管。第一晶体管ST1可以包括第一-第一晶体管ST1-1和第一-第二晶体管ST1-2。

[0259] 第一-第一晶体管ST1-1可以包括有源层ACT1-1、栅电极G1-1、第一电极S1-1和第二电极D1-1。第一-第一晶体管ST1-1的栅电极G1-1可以是第k-1扫描线Sk-1的一部分，并且
可以对应于(例如，可以是)第一-第一晶体管ST1-1的有源层ACT1-1与第k-1扫描线Sk-1的
重叠区。第一-第一晶体管ST1-1的第一电极S1-1可以通过第二接触孔CNT2连接到第一连接
电极BE1。第一-第一晶体管ST1-1的第二电极D1-1可以连接到第一-第二晶体管ST1-2的第
一电极S1-2。

[0260] 第一-第二晶体管ST1-2可以包括有源层ACT1-2、栅电极G1-2、第一电极S1-2和第二电极D1-2。第一-第二晶体管ST1-2的栅电极G1-2可以是第k-1扫描线Sk-1的一部分，并且
可以对应于(例如，可以是)第一-第二晶体管ST1-2的有源层ACT1-2与第k-1扫描线Sk-1的
重叠区。第一-第二晶体管ST1-2的第一电极S1-2可以连接到第一-第一晶体管ST1-1的第二
电极D1-1。第一-第二晶体管ST1-2的第二电极D1-2可以通过第四接触孔CNT4连接到初始化
连接电极VIE。

[0261] 第二晶体管ST2可以包括有源层ACT2、栅电极G2、第一电极S2和第二电极D2。第二晶体管ST2的栅电极G2可以是第k(其中k为2或更大的正整数)扫描线Sk的一部分，并且可以
对应于(例如，可以是)第二晶体管ST2的有源层ACT2与第k扫描线Sk的重叠区。第二晶体管
ST2的第一电极S2可以连接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。第二晶体管ST2的第二电极D2
可以通过第三接触孔CNT3连接到第j数据线Dj。

[0262] 第三晶体管ST3可以被形成为双晶体管。第三晶体管ST3可以包括第三-第一晶体管ST3-1和第三-第二晶体管ST3-2。

[0263] 第三-第一晶体管ST3-1可以包括有源层ACT3-1、栅电极G3-1、第一电极S3-1和第二电极D3-1。第三-第一晶体管ST3-1的栅电极G3-1可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以
对应于(例如，可以是)第三-第一晶体管ST3-1的有源层ACT3-1与第k扫描线Sk的重叠区。第
三-第一晶体管ST3-1的第一电极S3-1可以连接到第三-第二晶体管ST3-2的第二电极D3-2。
第三-第一晶体管ST3-1的第二电极D3-1可以通过第二接触孔CNT2连接到第一连接电极
BE1。

[0264] 第三-第二晶体管ST3-2可以包括有源层ACT3-2、栅电极G3-2、第一电极S3-2和第二电极D3-2。第三-第二晶体管ST3-2的栅电极G3-2可以是第k扫描线Sk的一部分，并且可以
对应于(例如，可以是)第三-第二晶体管ST3-2的有源层ACT3-2与第k扫描线Sk的重叠区。第
三-第二晶体管ST3-2的第一电极S3-2可以连接到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第三-第
二晶体管ST3-2的第二电极D3-2可以连接到第三-第一晶体管ST3-1的第一电极S3-1。

[0265] 第四晶体管ST4可以包括有源层ACT4、栅电极G4、第一电极S4和第二电极D4。第四晶体管ST4的栅电极G4可以是第k-1扫描线Sk-1的一部分，并且可以对应于(例如，可以是)
第四晶体管ST4的有源层ACT4与第k-1扫描线Sk-1的重叠区。第四晶体管ST4的第一电极S4
可以通过第六接触孔CNT6连接到阳极连接电极ANDE。发光元件的阳极电极可以通过阳极接
触孔AND_CNT连接到阳极连接电极ANDE。第四晶体管ST4的第二电极D4可以通过第四接触孔
CNT4连接到初始化连接电极VIE。初始化电压线VIL可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化
连接电极VIE，并且初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第一-第二晶体管
ST1-2的第二电极D1-2和第四晶体管ST4的第二电极D4。初始化连接电极VIE可以被设置成
与第k条扫描线Sk交叉。

[0266] 第五晶体管ST5可以包括有源层ACT5、栅电极G5、第一电极S5和第二电极D5。第五晶体管ST5的栅电极G5可以是第k发光线Ek的一部分，并且可以对应于(例如，可以是)第五
晶体管ST5的有源层ACT5与第k发光线Ek的重叠区。第五晶体管ST5的第一电极S5可以通过
第七接触孔CNT7连接到第一-第二驱动电压线VDDL2。第五晶体管ST5的第二电极D5可以连
接到驱动晶体管DT的第一电极DT_S。

[0267] 第六晶体管ST6可以包括有源层ACT6、栅电极G6、第一电极S6和第二电极D6。第六晶体管ST6的栅电极G6可以是第k发光线Ek的一部分，并且可以对应于(例如，可以是)第六
晶体管ST6的有源层ACT6与第k发光线Ek的重叠区。第六晶体管ST6的第一电极S6可以连接
到驱动晶体管DT的第二电极DT_D。第六晶体管ST6的第二电极D6可以通过第六接触孔CNT6
连接到发光元件的阳极电极。

[0268] 电容器C1的第一电极CE11可以是驱动晶体管DT的栅电极DT_G的一部分，并且电容器C1的第二电极CE12可以是与驱动晶体管DT的第二电极DT_D重叠的第一-第一驱动电压线
VDDL1。

[0269] 第一驱动电压线VDDL可以包括第一-第一驱动电压线VDDL1和第一-第二驱动电压线VDDL2。第一-第一驱动电压线VDDL1可以通过第八接触孔CNT8连接到第一-第二驱动电压
线VDDL2。第一-第二驱动电压线VDDL2可以被设置成与第j数据线Dj平行，并且第一-第一驱
动电压线VDDL1可以被设置成与第k扫描线Sk平行。

[0270] 图19是图示图15的区域A-2的示例的放大平面图。

[0271] 图19图示了连接到第p扫描线Sp和第p+1扫描线Sp+1的补偿电容器CC。

[0272] 参考图19，第p扫描线Sp和第p+1扫描线Sp+1可以在第一方向(例如，X轴方向)上延伸。子驱动电压线SVDDL可以在第二方向(例如，Y轴方向)上延伸。子驱动电压线SVDDL可以
与第p扫描线Sp和第p+1扫描线Sp+1交叉。

[0273] 第一驱动电压线VDDL可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与子驱动电压线SVDDL重叠。第一驱动电压线VDDL可以通过连接接触孔CCT连接到子驱动电压线SVDDL。连接接触孔
CCT可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与扫描线Sp和Sp+1不重叠。

[0274] 补偿电容器CC中的每个可以包括第一电极CCE1和第二电极CCE2。补偿电容器CC的第一电极CCE1可以是扫描线Sp至Sp+5中的任意合适的一条的在第三方向(例如，Z轴方向)
上与子驱动电压线SVDDL重叠的部分。补偿电容器CC的第二电极CCE2可以是子驱动电压线
SVDDL的在第三方向(例如，Z轴方向)上与扫描线Sp至Sp+5中的任意合适的一条重叠的部
分。

[0275] 图20是沿图18的线I-I'截取的截面图，并且图21是沿图19的线II-II'截取的截面图。

[0276] 参考图20和图21，薄膜晶体管层TFTL、发光元件层EML和封装层TFE可以顺序地形成在基板SUB1上。

[0277] 薄膜晶体管层TFTL包括遮光层BML、缓冲膜BF、有源层ACT、第一栅层GTL1、第二栅层GTL2、数据金属层DTL、栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141、第二层间绝缘膜142、保护膜
150和第一有机膜160。

[0278] 遮光层BML可以形成在基板SUB1的一个表面(例如，上表面或顶表面)上。在实施例中，遮光层BML可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT重叠，以
便阻挡入射在驱动晶体管DT的有源层DT_ACT上的光，但是本发明不限于此。例如，在另一实
施例中，遮光层BML可以在第三方向(例如，Z轴方向)上与驱动晶体管DT的有源层DT_ACT和
第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层ACT1至ACT6重叠，以便阻挡入射到驱动晶体管DT
的有源层DT_ACT以及第一晶体管ST1至第六晶体管ST6的有源层ACT1至ACT6上的光。第三方
向(例如，Z轴方向)可以是基板SUB1的厚度方向。遮光层BML可以被形成为具有包括例如钼
(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)和/或它们的合金中的任意
合适的一种或多种的单层结构或多层结构。

[0279] 缓冲膜BF可以形成在遮光层BML上。缓冲膜BF可以形成在基板SUB1的一个表面(例如，上表面或顶表面)上，以保护可能易受水分渗透影响的薄膜晶体管层TFTL的薄膜晶体管
和发光元件层EML的有机发光层172免受可能穿透基板SUB1的水分影响。在实施例中，缓冲
膜BF可以由交替层压的多个无机膜形成。例如，缓冲膜BF可以被形成为在其中例如选自氮
化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝中的两个或更多个无机层被交替地层压
的多层膜。然而，本公开不限于此，并且缓冲膜BF可以被省略。

[0280] 有源层ACT可以形成在基板SUB1上或缓冲膜BF上。有源层ACT可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。当有源层ACT包括多晶硅或氧化物半导体时，掺
杂离子的有源层ACT可以具有导电性。因此，有源层ACT可以包括驱动晶体管DT的有源层DT_
ACT、第一开关晶体管ST1至第六开关晶体管ST6的有源层ACT1至ACT6，以及源电极DT_S、S1-
1、S1-2、S2、S3-1、S3-2、S4、S5和S6与漏电极DT_D、D1-1、D1-2、D2、D3-1、D3-2、D4、D5和D6。此
外，如图21中所示，有源层ACT可以包括子驱动电压线SVDDL和设置在凹口非显示区域NNDA
处(例如，在凹口非显示区域NNDA中或在凹口非显示区域NNDA上)的补偿电容器CC的第一电
极CCE1。

[0281] 栅绝缘膜130可以形成在有源层ACT上。栅绝缘膜130可以由例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。

[0282] 第一栅层GTL1可以形成在栅绝缘膜130上。第一栅层GTL1可以包括驱动晶体管DT的栅电极DT_G、第一开关晶体管ST1至第六开关晶体管ST6的栅电极G1-1和G1-2至G6以及扫
描线Sk-1和Sk与发光线Ek。第一栅层GTL1可以被形成为具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、
金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)和/或它们的合金中的任意合适的一种或多种的
单层结构或多层结构。

[0283] 第一层间绝缘膜141可以形成在第一栅层GTL1上。第一层间绝缘膜141可以由例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。例如，在实施例
中，第一层间绝缘膜141可以包括多个无机层。

[0284] 第二栅层GTL2可以形成在第一层间绝缘膜141上。第二栅层GTL2可以包括初始化电压线VIL和第一-第一驱动电压线VDDL1。此外，如图21中所示，第二栅层GTL2可以包括扫
描线Sp和设置在凹口非显示区域NNDA处(例如，在凹口非显示区域NNDA中或在凹口非显示
区域NNDA上)的补偿电容器CC的第二电极CCE2。第二栅层GTL2可以被形成为具有包括例如
钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)和/或它们的合金中的任
意合适的一种或多种的单层结构或多层结构。

[0285] 第二层间绝缘膜142可以形成在第二栅层GTL2上。第二层间绝缘膜142可以由例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。例如，在实施例
中，第二层间绝缘膜142可以包括多个无机层。

[0286] 数据金属层DTL可以形成在第二层间绝缘膜142上。数据金属层DTL可以包括数据线Dj、第一-第二驱动电压线VDDL2、第一连接电极BE1、阳极连接电极ANDE和初始化连接电
极VIE。此外，如图21中所示，数据金属层DTL可以包括设置在显示凹口区域DTA处(例如，在
显示凹口区域DTA中或在显示凹口区域DTA上)的第一驱动电压线VDDL。数据金属层DTL可以
被形成为具有包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)和/或
它们的合金中的任意合适的一种或多种的单层结构或多层结构。

[0287] 第一有机膜160可以形成在数据金属层DTL上以平坦化或基本平坦化由有源层ACT、第一栅层GTL1、第二栅层GTL2和数据金属层DTL引起的台阶。第一有机膜160可以由例
如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂形成。

[0288] 保护膜150可以附加地形成在数据金属层DTL与第一有机膜160之间。保护膜150可以由例如诸如氮化硅层、氧氮化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层的无机层形成。

[0289] 尽管图20图示了驱动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6以在其中栅电极位于有源层之上的顶栅方式形成，但是本发明不限于此。换句话说，在另一实施例中，驱
动晶体管DT和第一晶体管ST1至第六晶体管ST6可以以在其中栅电极位于有源层之下(例
如，底下)的底栅方式或者以在其中栅电极位于有源层之上和之下(例如，底下)的双栅方式
形成。

[0290] 第一接触孔CNT1可以是贯穿(例如，延伸)通过第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露驱动晶体管DT的栅电极DT_G的孔。第一连接电极BE1可以通过第一接触孔
CNT1连接到驱动晶体管DT的栅电极DT_G。

[0291] 第二接触孔CNT2(参见图18)可以是贯穿(例如，延伸)通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第三-第一晶体管ST3-1的第二电极D3-1的孔。第一
连接电极BE1可以通过第二接触孔CNT2连接到第三-第一晶体管ST3-1的第二电极D3-1。

[0292] 第三接触孔CNT3可以是贯穿(例如，延伸)通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第二晶体管ST2的第一电极S2的孔。数据线DL(例如，第j数据
线Dj)可以通过第三接触孔CNT3连接到第二晶体管ST2的第一电极S2。

[0293] 第四接触孔CNT4(参见图18)可以是贯穿(例如，延伸)通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第一-第二晶体管ST1-2的第一-第二电极D1-2和第
四晶体管ST4的第二电极D4的孔。初始化连接电极VIE可以通过第四接触孔CNT4连接到第
一-第二晶体管ST1-2的第一-第二电极D1-2和第四晶体管ST4的第二电极D4。

[0294] 第五接触孔CNT5(参见图18)可以是贯穿(例如，延伸)通过第二层间绝缘膜142以暴露初始化电压线VIL的孔。初始化连接电极VIE可以通过第五接触孔CNT5连接到初始化电
压线VIL。

[0295] 第六接触孔CNT6可以是贯穿(例如，延伸)通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第六晶体管ST6的第二电极D6的孔。阳极连接电极ANDE可以通
过第六接触孔CNT6连接到第六晶体管ST6的第二电极D6。

[0296] 第七接触孔CNT7(参见图18)可以是贯穿(例如，延伸)通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露第五晶体管ST5的第一电极S5的孔。第一-第二驱动
电压线VDDL2可以通过第七接触孔CNT7连接到第五晶体管ST5的第一电极S5。

[0297] 第八接触孔CNT8(参见图18)可以是贯穿(例如，延伸)通过第二层间绝缘膜142以暴露第一-第一驱动电压线VDDL1的孔。第一-第二驱动电压线VDDL2可以通过第八接触孔
CNT8连接到第一-第一驱动电压线VDDL1。

[0298] 阳极接触孔AND_CNT可以是贯穿(例如，延伸)通过保护膜150和第一有机膜160以暴露阳极连接电极ANDE的孔。

[0299] 连接接触孔CCT(参见图21)可以是贯穿通过栅绝缘膜130、第一层间绝缘膜141和第二层间绝缘膜142以暴露子驱动电压线SVDDL的孔。

[0300] 发光元件层EML形成在薄膜晶体管层TFTL上。发光元件层EML包括发光元件170和像素限定膜180。

[0301] 发光元件170和像素限定膜180形成在第一有机膜160上。发光元件170中的每个可以包括第一电极171、有机发光层172和第二电极173。

[0302] 第一电极171可以形成在第一有机膜160上。第一电极171可以通过贯穿(例如，延伸)通过保护膜150和第一有机膜160的阳极接触孔AND_CNT而连接到阳极连接电极ANDE。

[0303] 在其中基于有机发光层172朝向第二电极173发光的顶发射结构中，第一电极171可以由具有高反射率的金属材料形成，例如，诸如铝和钛(例如，Ti/Al/Ti)的层压结构、铝
和ITO(例如，ITO/Al/ITO)的层压结构、APC合金、或APC合金和ITO(例如，ITO/APC/ITO)的层
压结构。APC合金可以是包括银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)(例如，银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合
金)的合金。

[0304] 像素限定膜180可以形成在第一有机膜160上以划分第一电极171，以便限定每个像素PX(例如，图10中所示的每个子像素SP1、SP2和SP3)的发光区域EA。像素限定膜180可以
被形成为覆盖第一电极171的边缘(例如，相对的边缘)。像素限定膜180可以被形成为包括
例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机膜。

[0305] 子像素SP1、SP2和SP3中的每个的发光区域EA可以是在其中第一电极171、有机发光层172和第二电极173被顺序地层压的区域。在此情况下，来自第一电极171的空穴和来自
第二电极173的电子可以在有机发光层172中彼此结合以发光。

[0306] 有机发光层172形成在第一电极171和像素限定膜180上。有机发光层172包括有机材料，以发射期望或合适颜色(例如，预定颜色)的光。例如，有机发光层172可以包括空穴传
输层、有机材料层和电子传输层。在实施例中，第一子像素SP1的有机发光层172可以发射第
一颜色的光，第二子像素SP2的有机发光层172可以发射第二颜色的光，并且第三子像素SP3
的有机发光层172可以发出第三颜色的光。在另一实施例中，子像素SP1、SP2和SP3的有机发
光层172可以发射白光，并且在此情况下，第一子像素SP1可以与第一颜色的滤色器层重叠，
第二子像素SP2可以与第二颜色的滤色器层重叠，并且第三子像素SP3可以与第三颜色的滤
色器层重叠。在实施例中，第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，并且第三颜色可以
是蓝色，但是本发明不限于此。

[0307] 第二电极173形成在有机发光层172上。第二电极173可以被形成为覆盖有机发光层172。第二电极173可以是共同形成在子像素SP1、SP2和SP3处(例如，在子像素SP1、SP2和
SP3中或在子像素SP1、SP2和SP3上)的公共层。在实施例中，封盖层可以形成在第二电极173
上。

[0308] 在顶发射结构中，第二电极173可以由可以透射光的例如诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)形成，或者可以由例如诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射
导电材料形成。当第二电极173由半透射导电材料形成时，可以通过微腔提高发光效率。

[0309] 封装层TFE可以形成在发光元件层EML上。封装层TFE可以包括至少一个无机膜，以防止或基本防止氧和/或水分渗透到发光元件层EML中。此外，封装层TFE可以包括至少一个
有机膜，以保护发光元件层EML免受例如诸如灰尘的异物的影响。

[0310] 然而，本发明不限于此，例如，在另一实施例中，第二基板(而不是封装层TFE)可以被设置在发光元件层EML上。在此情况下，发光元件层EML与第二基板之间的空间在真空状
态下可以是空的，或者可以在其中提供有填充膜。

[0311] 如以上描述的，子驱动电压线SVDDL的形成在凹口非显示区域NNDA处(例如，在凹口非显示区域NNDA中或在凹口非显示区域NNDA上)的有源层ACT中的部分可以被形成为补
偿电容器CC的第一电极CCE1，并且扫描线Sp的形成在第二栅层GTL2中的部分可以被形成为
补偿电容器CC的第二电极CCE2。由于第一电极CCE1和第二电极CCE2可以在第三方向(例如，
Z轴方向)上彼此重叠，因此可以形成补偿电容器CC。

[0312] 尽管图19和图21图示了补偿电容器CC的第二电极CCE2电连接到施加有第一驱动电压的第一驱动电压线VDDL，但是本发明不限于此。例如，补偿电容器CC的第二电极CCE2可
以电连接到施加有初始化电压的初始化电压线VIL。

[0313] 根据本公开的一个或多个示例实施例，显示区域可以包括第一显示区域和在一个方向上从第一显示区域的一侧突出的第二显示区域，并且第二显示区域中的q条扫描线的
电容可以在一个方向上增大。例如，连接到在第二显示区域的一个方向上彼此邻近布置的
扫描线中的扫描线的补偿电容器的数量可以增大、减小、增大和减小。因此，在第二显示区
域的一个方向上的q条扫描线的负载可以增大。因此，可以减小或最小化在与第一显示区域
邻近的第二显示区域中的扫描线的RC延迟与在与第二显示区域邻近的第一显示区域中的
扫描线的RC延迟之间的差。因此，可以减小或最小化施加到与第一显示区域邻近的第二显
示区域中的扫描线的扫描信号的脉冲宽度与施加到与第二显示区域邻近的第一显示区域
中的扫描线的扫描信号的脉冲宽度之间的差。因此，由于扫描信号的脉冲宽度，可以防止或
基本防止连接到与第一显示区域邻近的第二显示区域中的扫描线的像素的亮度与连接到
与第二显示区域邻近的第一显示区域中的扫描线的像素的亮度之间的差的发生。

[0314] 尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域的技术人员将容易理解可以对示例实施例进行各种修改，而不脱离本公开的精神和范围。将理解，除非另有描述，否则每个实
施例内的特征或方面的描述应典型地被认为是可用于其它实施例中的其它相似特征或方
面。因此，要理解，以上是各种示例实施例的例示，并且不应被解释为限于本文中公开的特
定的示例实施例，并且对所公开的示例实施例以及其它示例实施例的各种修改都旨在被包
括在所附权利要求及其等同物限定的本发明的精神和范围内。