显示装置及其制造方法

摘要

本公开为了透过率提高的显示装置而提供显示装置的制造方法，包括：准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多个绝缘层上形成金属层的步骤；去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属层的步骤；以及去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

权利要求

1.一种显示装置的制造方法，其中，包括：准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；

在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；

在所述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；

在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多个绝缘层上形成金属层的步骤；

去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属层的步骤；以及去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

2.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，还包括：去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤。

3.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述金属层的步骤中，所述金属层形成为400埃至1200埃的厚度。

4.根据权利要求3所述的显示装置的制造方法，其中，所述金属层包括氧化铟锌、氧化铟锡、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化锌铝中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤包括：在所述像素区域的所述金属层上将感光性物质进行图案化的步骤；

去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤；以及在所述像素区域的所述金属层上去除图案化的所述感光性物质的步骤。

6.根据权利要求5所述的显示装置的制造方法，其中，去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤为通过湿式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述金属层的步骤。

7.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤为通过干式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

8.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤为通过湿式蚀刻工艺去除所述金属层的步骤。

9.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤包括：在所述像素区域和所述透过区域上形成缓冲层的步骤；

在所述像素区域的所述缓冲层上形成遮光层的步骤；

在所述像素区域的所述遮光层和所述透过区域的所述缓冲层上形成第一绝缘层的步骤；

在所述像素区域的所述第一绝缘层上形成半导体层的步骤；

在所述像素区域的所述半导体层和所述透过区域的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层的步骤；

在所述像素区域的所述第二绝缘层上形成第一导电层的步骤；

在所述像素区域的所述第一导电层和所述透过区域的所述第二绝缘层上形成第三绝缘层的步骤；

在所述像素区域的第三绝缘层上形成第二导电层的步骤；

在所述像素区域的所述第二导电层和所述透过区域的所述第三绝缘层上形成第四绝缘层的步骤；

在所述像素区域的所述第四绝缘层上形成第三导电层的步骤；

在所述像素区域的所述第三导电层和所述透过区域的所述第四绝缘层上形成第五绝缘层的步骤；以及

在所述像素区域的所述第五绝缘层上形成第四导电层和第五导电层的步骤。

10.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，在形成所述多个绝缘层的步骤和形成所述像素电极和像素定义膜的步骤之间还包括：在所述像素区域的所述第四导电层和所述第五导电层上形成第一平坦化层的步骤；

在所述像素区域的所述第一平坦化层上形成第六导电层的步骤；以及在所述像素区域的所述第六导电层上形成第二平坦化层的步骤。

11.根据权利要求10所述的显示装置的制造方法，其中，所述第三导电层和所述第四导电层彼此相对配置。

12.根据权利要求9所述的显示装置的制造方法，其中，所述第一导电层和所述第二导电层彼此相对配置。

13.根据权利要求2所述的显示装置的制造方法，其中，在去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤之后，还包括：在所述像素电极上形成中间层的步骤；以及在所述中间层上形成对向电极的步骤。

14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，其中，所述对向电极向所述透过区域侧延伸。

15.根据权利要求1所述的显示装置的制造方法，其中，所述像素区域具有第一透过率，所述透过区域具有比所述第一透过率高的第二透过率。

16.一种显示装置，其中，包括：基板，包括像素区域和透过区域；

多个绝缘层，配置在所述像素区域上；

多个平坦化层，配置在所述多个绝缘层上；

像素电极，配置在所述多个平坦化层上；以及像素定义膜，配置在所述像素电极上，并且使所述像素电极的至少一部分暴露，在所述透过区域上所述多个绝缘层被去除。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述多个绝缘层包括：配置在所述基板上的第一绝缘层；配置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；配置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；配置在所述第三绝缘层上的第四绝缘层；以及配置在所述第四绝缘层上的第五绝缘层，所述多个平坦化层包括：配置在所述第五绝缘层上的第一平坦化层；以及配置在所述第一平坦化层上的第二平坦化层。

18.根据权利要求16所述的显示装置，其中，还包括：中间层，配置在所述像素电极上；以及对向电极，配置在所述中间层上。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述对向电极的至少一部分向所述透过区域侧延伸。

20.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述像素区域具有第一透过率，所述透过区域具有比所述第一透过率高的第二透过率。

说明书

显示装置及其制造方法

技术领域

[0001] 本公开涉及显示装置及其制造方法，更加详细地涉及产品的可靠性提高的显示装置及其制造方法。

背景技术

[0002] 近期，显示装置的用途变得多样。显示装置的厚度变薄、重量变轻，从而成为其使用范围变广的趋势。

[0003] 例如，显示装置可以用作手机等之类的小型产品的显示部，还可以用作电视机等之类的大型产品的显示部，尤其，通过应用到汽车的HUD(平视显示器；head up display)或
者AI用电子装置等多种方式来使用。这种显示装置根据活用方法，还要求具有使光透过的
性质的透明显示装置。

发明内容

[0004] 然而，在现有的显示装置中，因配置在透过区域上的多个绝缘层而难以将透过率增加一定以上，当去除配置在透过区域上的多个绝缘层时，存在形成像素区域的平坦化层
的有机物质流失的问题。

[0005] 本公开用于解决包括如上所述问题在内的诸多问题，其目的在于，提供一种防止有机物质的流失的同时具有高透过率的显示装置。然而，该课题属于示例，并不由此限定本
公开的范围。

[0006] 根据本公开的一观点，提供一种显示装置的制造方法，包括：准备包括像素区域和透过区域的基板的步骤；在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤；在所
述像素区域的所述多个绝缘层上形成像素电极以及在所述像素电极上形成使所述像素电
极的至少一部分暴露的像素定义膜的步骤；在所述像素区域的所述像素定义膜、通过所述
像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极以及所述透过区域的所述多
个绝缘层上形成金属层的步骤；去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的所述金属
层的步骤；以及去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

[0007] 在本实施例中，可以是，所述显示装置的制造方法还包括：去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上
的所述金属层的步骤。

[0008] 在本实施例中，可以是，在形成所述金属层的步骤中，所述金属层形成为400埃至1200埃的厚度。

[0009] 在本实施例中，可以是，所述金属层包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)中的至少一种。

[0010] 在本实施例中，可以是，去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤包括：在所述像素区域的所述金属层上将感光性物质进行图案化的步骤；去除形成
在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤；以及在所述像素区域的所述金属层
上去除图案化的所述感光性物质的步骤。

[0011] 在本实施例中，可以是，去除形成在所述透过区域的所述多个绝缘层上的金属层的步骤为通过湿式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述金属层的步骤。

[0012] 在本实施例中，可以是，去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤为通过干式蚀刻工艺去除所述透过区域的所述多个绝缘层的步骤。

[0013] 在本实施例中，可以是，去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤为通过湿式
蚀刻工艺去除所述金属层的步骤。

[0014] 在本实施例中，可以是，在所述像素区域和所述透过区域上形成多个绝缘层的步骤包括：在所述像素区域和所述透过区域上形成缓冲层的步骤；在所述像素区域的所述缓
冲层上形成遮光层的步骤；在所述像素区域的所述遮光层和所述透过区域的所述缓冲层上
形成第一绝缘层的步骤；在所述像素区域的所述第一绝缘层上形成半导体层的步骤；在所
述像素区域的所述半导体层和所述透过区域的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层的步骤；
在所述像素区域的所述第二绝缘层上形成第一导电层的步骤；在所述像素区域的所述第一
导电层和所述透过区域的所述第二绝缘层上形成第三绝缘层的步骤；在所述像素区域的第
三绝缘层上形成第二导电层的步骤；在所述像素区域的所述第二导电层和所述透过区域的
所述第三绝缘层上形成第四绝缘层的步骤；在所述像素区域的所述第四绝缘层上形成第三
导电层的步骤；在所述像素区域的所述第三导电层和所述透过区域的所述第四绝缘层上形
成第五绝缘层的步骤；以及在所述像素区域的所述第五绝缘层上形成第四导电层和第五导
电层的步骤。

[0015] 在本实施例中，可以是，在形成所述多个绝缘层的步骤和形成所述像素电极和像素定义膜的步骤之间还包括：在所述像素区域的所述第四导电层和所述第五导电层上形成
第一平坦化层的步骤；在所述像素区域的所述第一平坦化层上形成第六导电层的步骤；以
及在所述像素区域的所述第六导电层上形成第二平坦化层的步骤。

[0016] 在本实施例中，可以是，所述第三导电层和所述第四导电层彼此相对配置。

[0017] 在本实施例中，可以是，所述第一导电层和所述第二导电层彼此相对配置。

[0018] 在本实施例中，可以是，在去除所述像素区域的所述像素定义膜和通过所述像素区域的所述像素定义膜至少一部分暴露的所述像素电极上的所述金属层的步骤之后，还包
括：在所述像素电极上形成中间层的步骤；以及在所述中间层上形成对向电极的步骤。

[0019] 在本实施例中，可以是，所述对向电极向所述透过区域侧延伸。

[0020] 在本实施例中，可以是，所述像素区域具有第一透过率，所述透过区域具有比所述第一透过率高的第二透过率。

[0021] 根据本公开的另一观点，提供一种显示装置，包括：基板，包括像素区域和透过区域；多个绝缘层，配置在所述像素区域上；多个平坦化层，配置在所述多个绝缘层上；像素电
极，配置在所述多个平坦化层上；以及像素定义膜，配置在所述像素电极上，并且使所述像
素电极的至少一部分暴露，在所述透过区域上去除所述多个绝缘层。

[0022] 在本实施例中，可以是，所述多个绝缘层包括：配置在所述基板上的第一绝缘层；配置在所述第一绝缘层上的第二绝缘层；配置在所述第二绝缘层上的第三绝缘层；配置在
所述第三绝缘层上的第四绝缘层；以及配置在所述第四绝缘层上的第五绝缘层，所述多个
平坦化层包括：配置在所述第五绝缘层上的第一平坦化层；以及配置在所述第一平坦化层
上的第二平坦化层。

[0023] 在本实施例中，可以是，还包括：中间层，配置在所述像素电极上；以及对向电极，配置在所述中间层上。

[0024] 在本实施例中，所述对向电极的至少一部分向所述透过区域侧延伸。

[0025] 在本实施例中，可以是，所述像素区域具有第一透过率，所述透过区域具有比所述第一透过率高的第二透过率。

[0026] 除了上述之外的其它方面、特征、优点从以下用于实施公开的具体内容、权利要求书以及附图而变明确。

[0027] 发明效果

[0028] 根据如上构成的本公开的一实施例，能够实现防止有机物质的流失的同时具有高透过率的显示装置。当然，本公开的范围并不限定于这种效果。

附图说明

[0029] 图1是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的立体图。

[0030] 图2是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的俯视图。

[0031] 图3是可以包括在根据本公开的一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。

[0032] 图4是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的俯视图。

[0033] 图5是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0034] 图6是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0035] 图7是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0036] 图8是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0037] 图9是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0038] 图10是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0039] 图11a至图11h是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的截面图。

[0040] 附图标记说明

[0041] PA：像素区域

[0042] TA：透过区域

[0043] 1：显示装置

[0044] 100：基板

[0045] 101：缓冲层

[0046] 103、105、107、109、111：第一绝缘层至第五绝缘层

[0047] 136、137、138、139、141、143：第一导电层至第六导电层

[0048] 113、117：第一平坦化层和第二平坦化层

具体实施方式

[0049] 本公开可以进行多种变换，可以具有多种实施例，附图中例示出特定实施例，并在具体实施方式中进行详细说明。本公开的效果、特征以及达成其的方法可以与附图一起参
照后述的实施例会变明确。然而，本公开并不限定于以下公开的实施例，可以以多种形态实
现。

[0050] 以下，参照附图详细说明本公开的实施例，在参照附图说明时，对相同或者对应的构成要件赋予相同的附图标记，对其的重复说明将省略。

[0051] 在以下的实施例中，第一、第二等用语以将一个构成要件与其它构成要件进行区分的目的来使用而不是限定性含义。另外，除了在上下文明确表示其它含义以外，单数表达
包括复数表达。

[0052] 一方面，包括或具有等用语意指说明书上记载的特征或者构成要件的存在，不预先排除一个以上的其它特征或构成要件的附加可能性。另外，当说明为膜、区域、构成要件
等的部分“在”另一部分“之上”或“上”时，不仅包括“直接在”另一部分“之上”或“上”的情
况，还包括在其中间夹设另一膜、区域、构成要件等的情况。

[0053] 为了方便说明，在附图中可以放大或缩小构成要件的大小。例如，在附图中示出的各个构成的大小和厚度是为了方便说明而任意示出的，本公开并不是必须限定于图示。

[0054] x轴、y轴和z轴不限定于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的广泛含义。例如，x轴、y轴和z轴可以相互正交，还可以指代互不正交的互不相同的方向。

[0055] 当某一实施例能够不同地实施时，特定的工艺顺序可以执行为与说明的顺序不同。例如，连续说明的两个工艺实质上可以同时执行，还可以按照与说明的顺序相反的顺序
进行。

[0056] 图1是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的立体图。

[0057] 参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA和配置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。非显示区域NDA可以围绕显示区域DA。显示装置1可以利用从配置在显示区域DA的多个
像素P发射的光来提供图像，非显示区域NDA可以为不显示图像的区域。

[0058] 以下，作为根据本公开的一实施例的显示装置1，举出有机发光显示装置进行说明，然而本公开的显示装置不限于此。作为一实施例，本公开的显示装置1可以为无机发光
显示装置(Inorganic Light Emitting Dis play或无机EL Display)或者量子点发光显示
装置(Quantum dot Light Emitting Display)之类的显示装置。例如，显示装置1所具备的
显示要件的发光层可以是包括有机物，或者包括无机物，或者包括量子点，或者包括有机物
和量子点，或者包括无机物和量子点。

[0059] 图1中示出具备平面型显示面的显示装置1，然而本公开不限于此。作为一实施例，显示装置1还可以包括立体型显示面或曲面型显示面。

[0060] 当显示装置1包括立体型显示面时，显示装置1包括指示互不相同的方向的多个显示区域，例如，还可以包括多边柱形显示面。作为一实施例，当显示装置1包括曲面型显示面
时，显示装置1可以实现为柔性、可折叠、可卷曲显示装置等多种形态。

[0061] 图1中示出能够适用于手机终端的显示装置1。虽未图示，但是通过安装于主板的电子模块、相机模块、电源模块等可以与显示装置1一起配置在支架/壳体而构成手机终端。
根据本公开的显示装置1可以适用于电视机、监视器等的大型电子装置以及平板、汽车导航
仪、游戏机、智能手表等的中小型电子装置等。

[0062] 图1中示出显示装置1的显示区域DA为四边形的情况，然而显示区域DA的形状可以为圆形、椭圆形或者三角形或五边形等之类的多边形。

[0063] 图2是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的一部分的俯视图。

[0064] 参照图2，显示装置1包括配置在显示区域DA的多个像素P。多个像素P各自可以包括有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，O LED)之类的显示元件。多个像素P
各自可以通过有机发光二极管OLE D发射例如红色、绿色、蓝色或白色的光。本说明书中的
像素P可以理解为是如上所述的发射红色、绿色、蓝色、白色中的某一颜色的光的像素。

[0065] 各个像素P可以与配置在非显示区域DNA的外围电路电连接。在非显示区域DNA可以配置有第一扫描驱动电路110、第一发光驱动电路115、第二扫描驱动电路120、端子140、
数据驱动电路150、第一电源供应配线160以及第二电源供应配线170。

[0066] 第一扫描驱动电路110可以通过扫描线SL向各个像素P提供扫描信号。第一发光驱动电路115可以通过发光控制线EL向各个像素P提供发光控制信号。第二扫描驱动电路120
可以在中间夹着显示区域DA与第一扫描驱动电路110并排配置。配置在显示区域DA的像素P
中的一部分可以与第一扫描驱动电路110电连接，剩余部分可以与第二扫描驱动电路120电
连接。作为一实施例，第二发光驱动电路(未图示)可以在中间夹着显示区域DA与第一发光
驱动电路115并排配置。

[0067] 第一发光驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110沿x方向隔开而配置在非显示区域NDA上。作为一实施例，第一发光驱动电路115可以与第一扫描驱动电路110沿y方向交
替配置。

[0068] 端子140可以配置在基板100的一侧。端子140可以不被绝缘层覆盖而是暴露，从而与印刷电路板PCB电连接。印刷电路板PCB的端子P CB-P可以与显示装置1的端子140电连
接。印刷电路板PCB向显示装置1传递控制部(未图示)的信号或电源。在控制部生成的控制
信号可以通过印刷电路板PCB分别传递至第一扫描驱动电路110、第二扫描驱动电路120和
第一发光驱动电路115。控制部可以通过第一连接配线161和第二连接配线171分别向第一
电源供应配线160和第二电源供应配线170提供第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。
第一电源电压ELV DD可以通过与第一电源供应配线160连接的驱动电压线PL提供给像素P，
第二电源电压ELVSS可以提供给与第二电源供应配线170连接的像素P的对向电极。

[0069] 数据驱动电路150与数据线DL电连接。数据驱动电路150的数据信号可以通过与端子140连接的连接配线151和与连接配线151连接的数据线DL提供给各个像素P。

[0070] 图2示出数据驱动电路150配置于印刷电路板PCB，作为一实施例，数据驱动电路150可以配置在基板100上。例如，数据驱动电路150可以配置在端子140和第一电源供应配
线160之间。

[0071] 第一电源供应配线160可以包括在中间夹着显示区域DA而沿着x方向并排延伸的第一子配线162和第二子配线163。第二电源供应配线170为一侧开放的环形状，可以部分围
绕显示区域DA。

[0072] 图3是可以包括在根据本公开的一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。

[0073] 参照图3，各个像素P包括与扫描线SL和数据线DL连接的像素电路PC和与像素电路PC连接的有机发光二极管OLED。

[0074] 像素电路PC包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2与扫描线SL和数据线DL连接，根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn，向驱动薄
膜晶体管T1传递通过数据线D L输入的数据信号Dm。

[0075] 存储电容器Cst与开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL连接，存储相当于从开关薄膜晶体管T2接收的电压和向驱动电压线PL供应的第一电源电压ELVDD(或驱动电压)之差的
电压。

[0076] 驱动薄膜晶体管T1与驱动电压线PL和存储电容器Cst连接，对应存储在存储电容器Cst的电压值而可以控制从驱动电压线PL向有机发光二极管OLED流动的驱动电流。有机
发光二极管OLED可以通过驱动电流发射具有预定亮度的光。

[0077] 图3中说明了像素电路PC包括2个薄膜晶体管和1个存储电容器的情况，然而本公开不限于此。作为一实施例，像素电路PC包括7个薄膜晶体管和1个存储电容器或者包括3个
薄膜晶体管和2个存储电容器等,可以进行多种变形。

[0078] 图4是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的俯视图，图5是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。

[0079] 更加具体地，图4相当于是放大图2的A部分的图，图5相当于是沿着图4的I-I'线截取的截面图。

[0080] 参照图4和图5，根据一实施例的显示装置的显示区域DA可以包括配置有像素P而发射光的像素区域PA和不配置有像素P而不发射光的透过区域TA。为了提高显示装置的透
过率，透过区域PA可以设置为相比包括像素P的像素区域PA大。图4中示出对应1个透过区域
PA沿着y方向配置有6个像素P的情况，但是作为一实施例，对应1个透过区域T A可以配置有
4个像素P等可以进行多种变形。

[0081] 基板100可以包括像素区域PA和透过区域TA。基板100可以包括将SiO2作为主要成分的玻璃材质或者高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯
酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(p  olyether  imide)、聚萘二甲酸乙二醇酯
(polyethylene naphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、
聚苯硫醚(polyphe nylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳
酸酯(polycarbonate)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)等。包括高分
子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。基板100可以为包括包含上述高分
子树脂的层和无机层(未图示)的多层结构。

[0082] 在基板100上可以配置有包括栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管以及包括上部电极和下部电极的存储电容器。

[0083] 缓冲层101位于基板100上，能够减少或阻止从基板100的下方侵入异物、湿气或外部气体，能够向基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括氧化物或氮化物之类的无机物，
或者有机物，或者有机-无机复合物，可以由无机物和有机物的单层或多层结构构成。在基
板100和缓冲层101之间可以还包括阻止外部气体侵入的阻挡层(未图示)。

[0084] 在缓冲层101上可以配置有遮光层130。遮光层130配置为与薄膜晶体管相对应，从而能够防止薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极在外部被视觉确认。向遮光层130可以施
加电压。例如，遮光层130可以与薄膜晶体管的源电极或漏电极接通，遮光层130与薄膜晶体
管的源电极或漏电极的电位连动来供应得到电压，由此能够使显示装置的薄膜晶体管变稳
定。作为一实施例，遮光层130可以不与薄膜晶体管的源电极或漏电极接通，而与另外的配
线连接。

[0085] 在遮光层130上可以配置有第一绝缘层103。第一绝缘层103可以配置在像素区域PA上，然而可以不配置在透过区域TA上。例如，第一绝缘层103配置在透过区域TA上之后，可
以通过后续工艺去除。第一绝缘层103可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧
化硅(S iON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)
的组中的至少一种的无机绝缘物质。第一绝缘层103可以为包括上述无机绝缘物质的单层
或多层。

[0086] 在第一绝缘层103上可以配置有半导体层134。半导体层134可以包括：通道区域131，与第一导电层136重叠；以及源极区域132和漏极区域133，配置在通道区域131的两侧
并包含比通道区域131高浓度的杂质。其中，杂质可以包括N型杂质或P型杂质。源极区域132
和漏极区域133各自可以与源电极和漏电极电连接。

[0087] 半导体层134可以包括氧化物半导体及/或硅半导体。当半导体层134由氧化物半导体形成时，可以包括例如选自包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉
(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)的组中的至少一种的物质的氧化物。例如，半导体层
134可以为ITZO(氧化铟锡锌；InSnZnO)、IGZO(氧化铟镓锌；InGaZnO)等。当半导体层134由
硅半导体形成时，可以包括例如无定形硅(a-Si)或将无定形硅(a-Si)结晶化的低温多晶硅
(Low Temper ature Poly-Silicon；LTPS)。

[0088] 在半导体层134上可以配置有第二绝缘层105。第二绝缘层105可以配置在像素区域PA上，然而可以不配置在透过区域TA上。例如，第二绝缘层105配置在透过区域TA上之后，
可以通过后续工艺去除。第二绝缘层105可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮
氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌
(ZnO2)的组中的至少一种的无机绝缘物质。第二绝缘层105可以为包括上述无机绝缘物质
的单层或多层。

[0089] 在第二绝缘层105上可以配置有第一导电层136。第一导电层136可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(A u)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、
钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。第一导电
层136可以与向第一导电层136施加电信号的栅极线连接。作为一实施例，第一导电层136可
以为薄膜晶体管的栅电极。

[0090] 在第一导电层136上可以配置有第三绝缘层107。第三绝缘层107可以配置在像素区域PA上，然而可以不配置在透过区域TA上。例如，第三绝缘层107配置在透过区域TA上之
后，可以通过后续工艺去除。第三绝缘层107可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅
(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧
化锌(ZnO2)的组中的至少一种的无机绝缘物质。第三绝缘层107可以为包括上述无机绝缘
物质的单层或多层。

[0091] 在第三绝缘层107上可以配置有第二导电层137。第二导电层137可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(A u)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、
钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。第二导电
层137可以与向第二导电层137施加电信号的栅极线连接。作为一实施例，第二导电层137可
以为栅电极、扫描线SL、发光控制线EL中的一个。

[0092] 在第二导电层137上可以配置有第四绝缘层109。第四绝缘层109可以配置在像素区域PA上，然而可以不配置在透过区域TA上。例如，第四绝缘层109配置在透过区域TA上之
后，可以通过后续工艺去除。第四绝缘层109可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅
(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧
化锌(ZnO2)的组中的至少一种的无机绝缘物质。第四绝缘层109可以为包括上述无机绝缘
物质的单层或多层。

[0093] 在第四绝缘层109上可以配置有第三导电层138。第三导电层138可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(A u)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、
钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。第三导电
层138可以与向第三导电层138施加电信号的栅极线连接。

[0094] 在第三导电层138上可以配置有第五绝缘层111。第五绝缘层111可以配置在像素区域PA上，然而可以不配置在透过区域TA上。例如，第五绝缘层111配置在透过区域TA上之
后，可以通过后续工艺去除。第五绝缘层111可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅
(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧
化锌(ZnO2)的组中的至少一种的无机绝缘物质。第五绝缘层111可以为包括上述无机绝缘
物质的单层或多层。

[0095] 在第五绝缘层111上可以配置有第四导电层139和第五导电层141。第四导电层139和第五导电层141可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(P d)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕
(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属
形成为单层或多层。第四导电层139和第五导电层141可以与向第四导电层139和第五导电
层141施加电信号的栅极线连接。

[0096] 第四导电层139和第五导电层141可以相互隔开配置在同一层上。作为一实施例，第四导电层139和第五导电层141分别可以为薄膜晶体管的源电极或漏电极。图5中示出在
第五绝缘层111上配置有2个导电层，然而在第五绝缘层111上还可以配置有4个或6个导电
层。

[0097] 第三导电层138和第四导电层139可以在中间夹着第五绝缘层111彼此相对配置。第三导电层138和第四导电层139相对配置，由此能够形成将第三导电层138作为下部电极
且将第四导电层139作为上部电极的存储电容器Cst。第三导电层138和第四导电层139形成
宽面积的存储电容器Cst，由此能够增加存储电容器Cst的储蓄容量。

[0098] 在第四导电层139和第五导电层141上可以配置有第一平坦化层113。第一平坦化层113可以是由有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。所述第一平坦化层113可
以包括BCB(苯并环丁烯；Benzocycl obutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅
氧烷；Hexam ethyldisiloxane)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯；Polymethylmethacrylate)或PS
(聚苯乙烯；Polystylene)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸
类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、p-二甲苯类高分
子、乙烯醇类高分子和它们的混合物等。一方面，第一平坦化层113可以包括氧化硅(SiO2)、
氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪
(HfO2)或氧化锌(ZnO2)等。形成第一平坦化层113之后，为了提供平坦的上面，可以执行化学
机械抛光。

[0099] 在第一平坦化层113上可以配置有第六导电层143。第六导电层143可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙
(C a)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属形成为单层或多层。

[0100] 在第六导电层143上可以配置有第二平坦化层117。第二平坦化层117可以是由有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。所述第二平坦化层117可以包括BCB(苯并
环丁烯；Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷；
Hexamethyldisiloxane)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯；Polymethylmethacrylate)或PS(聚苯
乙烯；Polystylene)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分
子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、p-二甲苯类高分子、乙
烯醇类高分子和它们的混合物等。另一方面，第二平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮
化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)
或氧化锌(ZnO2)等。形成第二平坦化层117之后，为了提供平坦的上面，可以进行化学机械
抛光。

[0101] 在第二平坦化层117上可以配置有像素电极210。像素电极210可以为(半)透光性电极或反射电极。像素电极210可以具备由Ag、Mg、A l、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的化
合物等形成的反射膜和形成在反射膜上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以
具备选自包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、氧化铟锌(IZO；indium zincoxide)、氧
化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium 
oxide)和氧化锌铝(AZO；aluminum zinc oxide)的组中的至少一种。像素电极210可以具备
由ITO/Ag/ITO层叠的结构。

[0102] 在第二平坦化层117上可以配置有像素定义膜180，像素定义膜180可以具有使像素电极210的至少一部分暴露的开口。像素定义膜180增加像素电极210的边缘和像素电极
210上方的对向电极230(图10)之间的距离，由此能够防止在像素电极210的边缘产生电弧
等。像素定义膜180可以由例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDS O(六甲基
二硅氧烷；hexamethyldisiloxane)和酚树脂等之类的有机绝缘物质通过旋涂等方法形成。

[0103] 在像素区域PA配置有多个绝缘层和多个平坦化层，在透过区域TA不配置有多个绝缘层和多个平坦化层，因此可以是，像素区域PA具有第一透过率，透过区域TA具有比第一透
过率高的第二透过率。

[0104] 图6是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。图6的实施例与图5的实施例的差异点在于，在缓冲层101上未配置有遮光层130。图6的构成中省略对与图5相
同构成的说明，以下以差异点为主进行说明。

[0105] 参照图6，在基板100上可以配置有缓冲层101，在缓冲层101上可以配置有第一绝缘层103，在第一绝缘层103上可以配置有半导体层134。作为一实施例，配置在缓冲层101和
半导体层134之间的第一绝缘层103可以省略。

[0106] 通过省略配置在缓冲层101和第一绝缘层103之间的遮光层130，能够简化显示装置的制造工艺，减小基板100和多个平坦化层(第一平坦化层113和第二平坦化层117)之间
的高度，从而能够减少构成第一平坦化层113和第二平坦化层117的有机物质流失。

[0107] 图7是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。图7的实施例与图5的实施例的差异点在于，在第一导电层136上以与第一导电层136重叠的方式配置有第二导
电层137。图7的构成中省略对与图5相同构成的说明，以下以差异点为主进行说明。

[0108] 参照图7，在第一导电层136上配置有第二导电层137，第一导电层136和第二导电层137可以在中间夹着第三绝缘层107彼此相对配置。通过第一导电层136和第二导电层137
彼此相对配置，能够形成将第一导电层136作为下部电极且将第二导电层137作为上部电极
的存储电容器C st。

[0109] 图8是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。图8的实施例与图5的实施例的差异在于，当基板100包括高分子树脂时，透过区域TA上的基板100的一部分被
去除。图8的构成中省略对与图5相同构成的说明，以下以差异点为主进行说明。

[0110] 参照图8，配置在像素区域PA上的基板100可以包括第一基板100a、配置在第一基板100a上的第一阻挡层100b、配置在第一阻挡层100b上的第二基板100c和配置在第二基板
100c上的第二阻挡层100d。配置在透过区域TA上的基板100可以包括第一基板100a和配置
在第一基板100a上的第一阻挡层100b。例如，在透过区域TA上也配置第二基板100c和第二
阻挡层100d之后，后续进行去除配置在透过区域TA上的多个绝缘层的工艺时，可以一同去
除第二基板100c和第二阻挡层100d。

[0111] 与透过区域TA对应配置的基板100不包括第二基板100c和配置在第二基板100c上的第二阻挡层100d，由此能够提高透过区域TA的透过率。另外，基板100包括高分子树脂，由
此能够具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。

[0112] 图9是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。图9的实施例与图5的实施例的差异点在于，配置包括遮光物质的有机膜181来代替像素定义膜180。图9的构成
中省略对与图5相同构成的说明，以下以差异点为主进行说明。

[0113] 参照图9，在基板100上可以配置有第二平坦化层117，在第二平坦化层117上可以配置有像素电极210，在第二平坦化层117上可以配置有使像素电极210的至少一部分暴露
的有机膜181。有机膜181可以包括遮光物质，遮光物质可以为黑色矩阵。黑色矩阵作为多种
材料，可以包括例如混合黑色颜料的有机物质、铬(Cr)或铬氧化物(CrOx)等。当由铬或铬氧
化物形成黑色矩阵时，黑色矩阵可以为铬或铬氧化物的单层膜或多层膜。当显示装置包括
黑色矩阵时，能够充分防止外界光的反射。

[0114] 图10是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的截面图。图10的实施例与图5的实施例的差异点在于，在像素电极210上配置有中间层220和对向电极230。图10的构成
中省略对与图5相同构成的说明，以下以差异点为主进行说明。

[0115] 参照图10，在通过像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210上可以配置有中间层220。中间层220可以包括发光层，在发光层之下和之上可以选择性地还包括空穴传输
层(HTL；hole transport layer)、空穴注入层(HIL；hole injection layer)、电子传输层
(ETL；electron tr ansport layer)和电子注入层(EIL；electron injection layer)等之
类的功能层。

[0116] 发光层可以包括含有发射红色、绿色、蓝色或白色的光的荧光或磷光物质的有机物。发光层可以为低分子有机物或高分子有机物。

[0117] 当发光层包括低分子物质时，中间层220可以具有空穴注入层(HI L；hole injection layer)、空穴传输层(HTL；hole transport layer)、发光层(EML，Emission 
Layer)、电子传输层(ETL；electron transpor t layer)、电子注入层(EIL；electron 
injection layer)等以单一或复合结构层叠的结构，作为低分子有机物，可以包括酞菁铜
(CuPc：copper phthalocyanine)、N,N`-双(1-萘基)-N,N`-联苯-联苯胺(N,N'-Di
(napthalen e-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine：NPB)、三-8-羟基喹啉铝((tris-8-hydro 
xyquinoline aluminum)(Alq3))等在内的多种有机物质。这种层可以通过真空蒸镀方法形
成。

[0118] 当发光层包括高分子物质时，中间层220大致上可以具有包括空穴传输层和发光层的结构。此时，可以是，空穴传输层包括PEDOT(聚(3,4-乙烯二氧噻吩))，发光层包括PPV
(聚对苯乙炔；Poly-Phenylene vi nylene)类和聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这
种发光层可以通过丝印或喷墨印刷方法、激光热转印方法(LITI；Laser induced thermal 
i maging)等形成。

[0119] 在中间层220上可以配置有对向电极230。对向电极230配置在中间层220上，可以以覆盖整个中间层220的形态配置。对向电极230配置在像素区域PA上方，可以以覆盖整个
像素区域PA的形态配置。即，对向电极230可以一体形成使得覆盖配置在像素区域PA的多个
像素P。作为一实施例，虽未图示，对向电极230的至少一部分也可以向透过区域T A侧延伸
而配置在透过区域TA上。

[0120] 图11a至图11h是概略示出根据本公开的一实施例的显示装置的制造工艺的一部分的截面图。

[0121] 以下参照图11a至图11h，依次说明显示装置的制造方法。

[0122] 参照图11a至图11h，根据一实施例的显示装置的制造方法可以包括：准备包括像素区域PA和透过区域TA的基板100的步骤；在像素区域P A和透过区域TA上形成多个绝缘层
的步骤；在像素区域PA的多个绝缘层上形成像素电极210以及在像素电极210上形成使像素
电极210的至少一部分暴露的像素定义膜180的步骤；在像素区域PA的像素定义膜180、通过
像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210以及透过区域PA的多个绝缘
层上形成金属层300的步骤；去除形成在透过区域TA的多个绝缘层上的金属层300的步骤；
以及去除透过区域TA的多个绝缘层的步骤，可以还包括：去除像素区域PA的像素定义膜180
以及通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210上的所述金属层300
的步骤。

[0123] 参照图11a，基板100可以包括像素区域PA和透过区域TA。基板100可以包括将SiO2作为主要成分的玻璃材质或者高分子树脂。高分子树脂可以包括聚醚砜
(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyether imide)、聚萘
二甲酸乙二醇酯(polyethylene napht halate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene 
terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺
(polyim ide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate 
propionate)等。包括高分子树脂的基板100可以具有柔性、可卷曲或可弯曲特性。基板100
可以为包括包含上述高分子树脂的层和无机层(未图示)的多层结构。

[0124] 参照图11b，在准备包括像素区域PA和透过区域TA的基板100的步骤之后，可以执行在像素区域PA和透过区域TA上形成多个绝缘层的步骤。在像素区域PA和透过区域TA上形
成多个绝缘层的步骤可以包括：在像素区域PA和透过区域TA上形成缓冲层101的步骤；在像
素区域P A的缓冲层101上形成遮光层130的步骤；在像素区域PA的遮光层130和透过区域TA
的缓冲层101上形成第一绝缘层103的步骤；在像素区域PA的第一绝缘层103上形成半导体
层134的步骤；在像素区域PA的半导体层134和透过区域TA的第一绝缘层103上形成第二绝
缘层105的步骤；在像素区域PA的第二绝缘层105上形成第一导电层136的步骤；在像素区域
PA的第一导电层136和透过区域TA的第二绝缘层105上形成第三绝缘层107的步骤；在像素
区域PA的第三绝缘层107上形成第二导电层137的步骤；在像素区域PA的第二导电层137和
透过区域TA的第三绝缘层107上形成第四绝缘层109的步骤；在像素区域PA的第四绝缘层
109上形成第三导电层138的步骤；在像素区域PA的第三导电层138和透过区域TA的第四绝
缘层109上形成第五绝缘层111的步骤；以及在像素区域PA的第五绝缘层111上形成第四导
电层139和第五导电层141的步骤。

[0125] 缓冲层101位于基板100上，能够减少或阻止从基板100的下方侵入异物、湿气或外部气体，能够向基板100上提供平坦面。缓冲层101可以包括氧化物或氮化物之类的无机物，
或者有机物，或者有机-无机复合物，可以由无机物和有机物的单层或多层结构构成。在基
板100和缓冲层101之间可以还包括阻止外部气体的侵入的阻挡层(未图示)。

[0126] 遮光层130配置为与薄膜晶体管相对应，从而能够防止薄膜晶体管的栅电极、源电极和漏电极在外部被视觉确认。作为一实施例，也可以省略形成遮光层130的步骤。

[0127] 第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107、第四绝缘层109和第五绝缘层111可以包括选自包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化
钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)的组中的至少一种的无机绝缘物
质。第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107、第四绝缘层109和第五绝缘层111可以
为包括上述无机绝缘物质的单层或多层。

[0128] 第一导电层136、第二导电层137、第三导电层138、第四导电层139和第五导电层141可以由选自铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(A g)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、
铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)中的一种以上的金属形成为单层或
多层。

[0129] 第三导电层138和第四导电层139可以在中间夹着第五绝缘层111彼此相对配置。第三导电层138和第四导电层139相对配置，由此能够形成存储电容器Cst。第三导电层138
和第四导电层139形成宽面积的存储电容器Cst，由此能够增加存储电容器Cst的储蓄容量。

[0130] 参照图11c，在像素区域PA和透过区域TA上形成多个绝缘层的步骤之后，可以还执行在像素区域PA上形成多个平坦化层的步骤。

[0131] 作为一实施例，在像素区域PA上形成多个平坦化层的步骤可以包括：在像素区域PA的第四导电层139和第五导电层141上形成第一平坦化层113的步骤；在像素区域PA的第
一平坦化层113上形成第六导电层143的步骤；以及在像素区域PA的第六导电层143上形成
第二平坦化层117的步骤。

[0132] 第一平坦化层113和第二平坦化层117可以是由有机物质或无机物质构成的膜形成为单层或多层。这种第一平坦化层113和第二平坦化层117可以包括BCB(苯并环丁烯；
Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyi  mide)、HMDSO(六甲基二硅氧烷；
Hexamethyldisiloxane)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯；Polymethylmethacrylate)或PS(聚苯
乙烯；Polystylen e)之类的一般通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高
分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、p-二甲苯类高分子、
乙烯醇类高分子和它们的混合物等。一方面，第二平坦化层117可以包括氧化硅(SiO2)、氮
化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiO N)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(H 
fO2)或氧化锌(ZnO2)等。形成第一平坦化层113和第二平坦化层117之后，为了提供平坦的上
面，可以执行化学机械抛光。

[0133] 参照图11d，在像素区域PA上形成多个平坦化层的步骤之后，可以还执行在像素区域PA的多个平坦化层上形成像素电极210和在像素电极210上形成使像素电极210的至少一
部分暴露的像素定义膜180的步骤。

[0134] 像素电极210可以为(半)透光性电极或反射电极。像素电极210可以具备由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的化合物等形成的反射膜和形成在反射膜上的透明或半
透明电极层。透明或半透明电极层可以具备选自包括氧化铟锡(ITO；indium tin oxide)、
氧化铟锌(IZO；indium zinc oxide)、氧化锌(ZnO；zinc oxide)、氧化铟(In2O3；indium 
oxide)、氧化铟镓(IGO；indium gallium oxide)和氧化锌铝(AZO；aluminum zinc oxide)
的组中的至少一种。像素电极210可以具备由ITO/Ag/ITO层叠的结构。像素定义膜180可以
具有使像素电极210的至少一部分暴露的开口。像素定义膜180增加像素电极210的边缘和
像素电极210上方的对向电极230(图10)之间的距离，由此能够防止在像素电极210的边缘
产生电弧等。像素定义膜180可以为例如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO
(六甲基二硅氧烷；hexamethyldisiloxane)和酚树脂等之类的有机绝缘物质通过旋涂等方
法形成。

[0135] 参照图11e，在像素区域PA的多个绝缘层上形成像素电极210和在像素电极210上形成使像素电极210的至少一部分暴露的像素定义膜180的步骤之后，可以还执行在像素区
域PA的像素定义膜180、通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210
以及透过区域PA的多个绝缘层上形成金属层300的步骤。

[0136] 在像素区域PA的像素定义膜180、通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210以及透过区域PA的多个绝缘层上形成金属层300的步骤中，金属层300可
以配置在像素区域PA的像素定义膜180、通过像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极
210以及透过区域PA的第五绝缘层111上。金属层300可以形成为400埃至1200埃的厚度。作
为一实施例，金属层300可以包括氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟
(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化锌铝(AZO)中的至少一种。

[0137] 参照图11f，在像素区域PA的像素定义膜180、通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210以及透过区域PA的多个绝缘层上形成金属层300的步骤之后，
可以还执行去除形成在透过区域T A的多个绝缘层上的金属层300的步骤。

[0138] 去除形成在透过区域TA的多个绝缘层上的金属层300的步骤可以包括：在像素区域PA的金属层300上将感光性物质进行图案化的步骤；去除形成在透过区域TA的多个绝缘
层上的金属层300的步骤；以及在像素区域PA的金属层300上去除图案化的感光性物质的步
骤。此时，形成在透过区域TA的多个绝缘层上的金属层300可以通过湿式蚀刻工艺去除。

[0139] 参照图11g，去除形成在透过区域TA的多个绝缘层上的金属层300的步骤之后，可以还执行去除透过区域TA的多个绝缘层的步骤。

[0140] 更加具体地，可以通过干式蚀刻工艺去除配置在透过区域TA上的缓冲层101、第一绝缘层103、第二绝缘层105、第三绝缘层107、第四绝缘层109和第五绝缘层111。此时，像素
区域PA的像素定义膜180和通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极
210上的金属层300保护多个平坦化层、像素定义膜180和像素电极210，由此能够防止形成
多个平坦化层和像素定义膜180的有机物质在干式蚀刻工艺中流失，能够防止像素电极210
损坏。

[0141] 参照图11h，在去除透过区域TA的多个绝缘层的步骤之后，可以还执行去除像素区域PA的像素定义膜180和通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210
上的金属层300的步骤。

[0142] 在去除像素区域PA的像素定义膜180和通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210上的金属层300的步骤中，金属层300可以通过湿式蚀刻工艺去除。

[0143] 在去除像素区域PA的像素定义膜180和通过像素区域PA的像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210上的金属层300的步骤之后，可以还执行在像素电极210上形成中
间层220(图10)的步骤；以及在中间层220上形成对向电极230(图10)的步骤。

[0144] 在通过像素定义膜180至少一部分暴露的像素电极210上可以配置有中间层220，中间层220可以包括发光层，在发光层之下和之上可以选择性地还包括空穴传输层(HTL；
hole transport layer)、空穴注入层(H IL；hole injection layer)、电子传输层(ETL；
electron transport layer)和电子注入层(EIL；electron injection layer)等之类的功
能层。

[0145] 在中间层220上可以形成有对向电极230。对向电极230形成在中间层220上，可以形成为覆盖整个中间层220的形态。对向电极230配置在像素区域PA上方，可以形成为覆盖
整个像素区域PA的形态。即，对向电极230可以一体形成以覆盖配置在像素区域PA的多个像
素P。作为一实施例，虽未图示，对向电极230的至少一部分也可以向透过区域TA侧延伸而配
置在透过区域TA上。

[0146] 在像素区域PA配置有多个绝缘层和多个平坦化层，在透过区域TA未配置有多个绝缘层和多个平坦化层，因此可以是，像素区域PA具有第一透过率，透过区域TA具有比第一透
过率高的第二透过率。

[0147] 在现有的显示装置中，因配置在透过区域TA上的多个绝缘层而难以将透过率增加一定以上，当去除配置在透过区域TA上的多个绝缘层时，配置在像素区域PA和透过区域TA
上的层的高度差增加，从而存在形成像素区域PA的多个平坦化层的有机物质流失的问题。

[0148] 本公开用于解决如上所述问题，利用透过区域TA的包括氧化铟锌(I ZO)的金属层300仅通过湿式蚀刻工艺去除，在进行通过干式蚀刻工艺去除形成在透过区域TA上的多个
绝缘层的工艺时，像素区域PA的包括氧化铟锌(IZO)的金属层300保护像素区域PA上的多个
平坦化层、像素定义膜180和像素电极210，由此能够防止形成多个平坦化层和像素定义膜
180的有机物质在干式蚀刻工艺中流失，能够防止像素电极210损坏。另外，通过去除形成在
透过区域TA上的多个绝缘层，能够提高显示装置的透过率。

[0149] 本公开参照图中示出的实施例进行了说明，但其仅属于示例，只要是本技术领域中具有通常知识的人员能够理解，可以由此进行多种变形和等同的其它实施例。因此，本公
开的真正的技术保护范围应由所附的权利要求书的技术思想来确定。