声表面波器件

摘要

根据本发明的一个方面的一种声表面波器件，包括：基板；第一电极和第二电极，它们形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对准；温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；第一附加膜，其形成在所述温度补偿膜上以与所述第一电极的在所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；以及第二附加膜，其形成在所述温度补偿膜上以与所述第二电极的在所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

权利要求

1.一种声表面波SAW器件，其包括：基板；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对准；

温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；

第一附加膜，其形成在所述温度补偿膜上以与所述第一电极的在所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；以及第二附加膜，其形成在所述温度补偿膜上以与所述第二电极的在所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

2.根据权利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜各自形成为沿所述第二方向延伸的整体形式。

3.根据权利要求2所述的SAW器件，所述SAW器件还包括反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜均形成为也与所述反射器的部分区域垂直重叠。

4.根据权利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜针对多个第一电极和第二电极中的每一个单独地形成和布置。

5.根据权利要求4所述的SAW器件，所述SAW器件还包括：反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行；以及第三附加膜和第四附加膜，其被形成为分别从所述第一附加膜的布置和所述第二附加膜的布置进一步向所述第二方向的两侧延伸，并且被布置为与所述反射器的部分区域垂直重叠。

6.根据权利要求1所述的SAW器件，其中，第一凹槽和第二凹槽形成在所述温度补偿膜上以分别对应于所述第一附加膜和所述第二附加膜的形状，并且所述第一附加膜和所述第二附加膜分别形成在所述第一凹槽和所述第二凹槽中。

7.根据权利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜与所述温度补偿膜一体地形成。

8.根据权利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜由氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)和钛(Ti)中的任何一种制成。

9.一种声表面波SAW器件，其包括：基板；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对准；

温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；

保护膜，其覆盖所述温度补偿膜；

第一附加膜，其形成在所述保护膜上以与所述第一电极的在所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；以及第二附加膜，其形成在所述保护膜上以与所述第二电极的在所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

10.一种声表面波SAW器件，其包括：基板；

第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对准；

温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；

第一缓冲层，其由所述温度补偿膜上的至少一层形成，并且形成为沿着所述第二方向延伸，以与所述第一电极的位于所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；

第二缓冲层，其由所述温度补偿膜上的至少一层形成，并且形成为沿着所述第二方向延伸，以与所述第二电极的位于所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；以及

第一附加膜，其形成在所述第一缓冲层上，以与所述第一电极的位于所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；

第二附加膜，其形成在所述第二缓冲层上，以与所述第二电极的位于所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

11.根据权利要求10所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜各自形成为沿所述第二方向延伸的整体形式。

12.根据权利要求11所述的SAW器件，所述SAW器件还包括反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜均形成为也与所述反射器的部分区域垂直重叠。

13.根据权利要求10所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜针对多个第一电极和第二电极中的每一个单独地形成和布置。

14.根据权利要求13所述的SAW器件，所述SAW器件还包括：反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行；以及第三附加膜和第四附加膜，其被形成为分别从所述第一附加膜的布置和所述第二附加膜的布置进一步向所述第二方向的两侧延伸，并且被布置为与所述反射器的部分区域垂直重叠。

15.根据权利要求10所述的SAW器件，其中，第一凹槽和第二凹槽形成在所述温度补偿膜上，以分别对应于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的形状，并且所述第一缓冲层和所述第二缓冲层分别形成在所述第一凹槽和所述第二凹槽中。

16.根据权利要求10所述的SAW器件，其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层各自由至少两个层形成，并且这两个层包括低声速层和高声速层。

说明书

声表面波器件

技术领域

[0001] 本发明涉及声表面波器件，更具体地，涉及能够减少能量损耗的声表面波器件。

背景技术

[0002] 声表面波(surface acoustic wave,SAW)是指沿着弹性基板的表面传播的声波。这种声波是由作为压电效应的结果的电信号产生的，并且如果声波的电场集中在基板的表
面周围，则声波可以与另一半导体的导电电子相互作用，该另一半导体位于基板的表面上。
声波传播通过的介质是具有高机电耦合系数和低声波能量损失的压电材料，并且半导体是
具有高传导电子迁移率和最佳电阻率的材料，并且具有低DC功率元件，确保了最佳效率。声
表面波器件是利用声表面波和传导电子之间的相互作用，将电路替代为机电元件。

[0003] 这种声表面波器件(以下称为“SAW器件”)不仅用于各种通信应用，而且用作移动通信蜂窝电话和基站的重要部分。最常用类型的SAW器件包括通带滤波器和谐振器。由于它
们的小尺寸和优良的技术参数(低损耗、选择性等)以及低成本，SAW器件具有比基于其他物
理原理的器件明显更高的竞争优势。

[0004] 特别地，由于近来在SAW器件应用领域中要求低的插入损耗和高的滤波性能，已经进行了各种尝试来降低插入损耗。然而，降低插入损耗的传统方法调整电极之间的间隔或
使用多个SAW器件，这导致使用SAW器件的模块的整体尺寸增大，因此难以减小模块的尺寸。

[0005] 因此，需要开发一种能够降低插入损耗和能量损耗而不增加SAW器件尺寸的新技术。

[0006] [现有技术文献]

[0007] 专利文献

[0008] 专利文献0001：韩国专利公开No.10-2003-0070384(2003年8月30日公开)。

发明内容

[0009] 提供该发明内容来以简化的方式引入下面在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。该发明内容不是为了确定要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不是为了用
来帮助确定要求保护的主题的范围。

[0010] 本发明的目的在于提供一种能够降低插入损耗和能量损耗的声表面波器件。

[0011] 在一个总的方面，提供一种声表面波(SAW)器件，其包括：基板；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电
极和所述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端
沿所述第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二
方向对准；温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；第一附加膜，其形成在所述
温度补偿膜上以与所述第一电极的在所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域
垂直重叠；以及第二附加膜，其形成在所述温度补偿膜上以与所述第二电极的在所述第一
方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

[0012] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可各自形成为沿所述第二方向延伸的整体形式。

[0013] 所述SAW器件还可以包括反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行，其中，所述第一附
加膜和所述第二附加膜均形成为也与所述反射器的部分区域垂直重叠。

[0014] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可以针对多个第一电极和第二电极中的每一个单独地形成和布置。

[0015] 所述SAW器件还可以包括：反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行；以及第三附加膜和
第四附加膜，其被形成为分别从所述第一附加膜的布置和所述第二附加膜的布置进一步向
所述第二方向的两侧延伸，并且被布置为与所述反射器的部分区域垂直重叠。

[0016] 第一凹槽和第二凹槽可以形成在所述温度补偿膜上以分别对应于所述第一附加膜和所述第二附加膜的形状，并且所述第一附加膜和所述第二附加膜可以分别形成在所述
第一凹槽和所述第二凹槽中。

[0017] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可以与所述温度补偿膜一体地形成。

[0018] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可以由氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)和钛
(Ti)中的任何一种制成。

[0019] 在另一个总的方面，提供一种SAW器件，其包括：基板；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所
述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述
第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对
准；温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；保护膜，其覆盖所述温度补偿膜；第
一附加膜，其形成在所述保护膜上以与所述第一电极的在所述第一方向的所述一侧上的所
述一端的部分区域垂直重叠；以及第二附加膜，其形成在所述保护膜上以与所述第二电极
的在所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠。

[0020] 在又一个总的方面，提供一种SAW器件，其包括：基板；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一电极和所
述第二电极沿第二方向交替设置，所述第一电极的在所述第一方向的一侧上的一端沿所述
第二方向对准，并且所述第二电极的在所述第一方向的另一侧上的一端沿所述第二方向对
准；温度补偿膜，其覆盖所述第一电极和所述第二电极；第一缓冲层，其由所述温度补偿膜
上的至少一层形成，并且形成为沿着所述第二方向延伸，以与所述第一电极的位于所述第
一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；第二缓冲层，其由所述温度补偿膜
上的至少一层形成，并且形成为沿着所述第二方向延伸，以与所述第二电极的位于所述第
一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；以及

[0021] 第一附加膜，其形成在所述第一缓冲层上，以与所述第一电极的位于所述第一方向的所述一侧上的所述一端的部分区域垂直重叠；第二附加膜，其形成在所述第二缓冲层
上，以与所述第二电极的位于所述第一方向的所述另一侧上的所述一端的部分区域垂直重
叠。

[0022] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可各自形成为沿所述第二方向延伸的整体形式。

[0023] 所述SAW器件还可以包括反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行，其中，所述第一附
加膜和所述第二附加膜均形成为也与所述反射器的部分区域垂直重叠。

[0024] 所述第一附加膜和所述第二附加膜可以针对多个第一电极和第二电极中的每一个单独地形成和布置。

[0025] 所述SAW器件还可以包括：反射器，该反射器被设置为在所述第一电极和所述第二电极的在所述第二方向上的两侧与所述第一电极和所述第二电极平行；以及第三附加膜和
第四附加膜，其被形成为分别从所述第一附加膜的布置和所述第二附加膜的布置进一步向
所述第二方向的两侧延伸，并且被布置为与所述反射器的部分区域垂直重叠。

[0026] 第一凹槽和第二凹槽可以形成在所述温度补偿膜上，以分别对应于所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的形状，并且所述第一缓冲层和所述第二缓冲层可以分别形成在所述
第一凹槽和所述第二凹槽中。

[0027] 所述第一缓冲层和所述第二缓冲层可以各自由至少两个层形成，并且这两个层包括低声速层和高声速层。

[0028] 根据以下具体实施方式、附图和权利要求书，其他特征和方面将是显而易见的。

附图说明

[0029] 图1是示出根据本发明的第一实施例的声表面波(SAW)器件的结构的视图。

[0030] 图2是示出根据本发明的第二实施例的SAW器件的结构的视图。

[0031] 图3是示出根据本发明的第三实施例的SAW器件的结构的视图。

[0032] 图4是示出根据本发明的第四实施例的SAW器件的结构的视图。

[0033] 图5是示出根据本发明的第五实施例的SAW器件的结构的视图。

[0034] 图6是示出根据本发明的第六实施例的SAW器件的结构的视图。

[0035] 图7是示出根据本发明的第七实施例的SAW器件的结构的视图。

[0036] 图8是示出根据本发明的第八实施例的SAW器件的结构的视图。

[0037] 图9是示出根据本发明的第九实施例的SAW器件的结构的视图。

[0038] 图10示出根据本发明的第十实施例的SAW器件的结构。

[0039] 图11示出根据本发明的第十一实施例的SAW器件的结构。

[0040] 图12示出根据本发明的第十二实施例的SAW器件的结构。

[0041] 图13是示出根据本发明的第十三实施例的SAW器件的结构的视图。

[0042] 图14示出根据本发明的第十四实施例的SAW器件的结构。

[0043] 在整个附图和详细描述中，除非另外描述，否则相同的附图标记应被理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，这些元件的相对尺寸和绘图可能被夸大。

具体实施方式

[0044] 提供以下描述以帮助读者获得对本文描述的方法、装置和/或系统的全面理解。因此，本领域普通技术人员将会想到本文描述的方法、装置和/或系统的各种变更、修改和等
同物。此外，为了更清楚和简明，可以省略对公知功能和结构的描述。

[0045] 图1是示出根据本发明的第一实施例的声表面波(SAW)器件的结构的视图。

[0046] 在本发明的实施例中，为了便于理解附图，假设第一方向是水平方向并且第二方向是垂直方向，并且每个图示示出了SAW器件的顶表面、SAW器件在第一方向上的横截面以
及SAW器件在第二方向上的横截面。

[0047] 参照图1，SAW器件可以包括基板10、第一电极20a、第二电极20b和反射器30、温度补偿膜40、第一附加膜50a、第二附加膜50b和保护膜60，其中第一电极20a、第二电极20b和
反射器30可以在基板10上沿第一方向伸长，温度补偿膜40可以覆盖基板10、第一电极20a和
第二电极20b以及反射器30，第一附加膜50a和第二附加膜50b可以形成在温度补偿膜40上，
保护膜60可以覆盖温度补偿膜40以及第一附加膜50a和第二附加膜50b。

[0048] 参照图1，为了更好地理解，温度补偿膜40和保护膜60未在俯视图中示出，在俯视图下方的第一方向上的截面图是第一电极20a的截面图，并且在俯视图左侧的第二方向上
的截面图是第一附加膜50a或第二附加膜50b的截面图。对于截面图，这同样适用于图2至图
14。

[0049] 基板10由能够提供压电效应的材料制成。例如，基板10是硅基板、金刚石基板、蓝宝石基板、碳化硅基板、LiNbO3基板和LiTaO3基板中的一种。

[0050] 多个第一电极20a和第二电极20b可以以规则的间隔沿着第二方向交替地布置。第一电极20a在第一方向的一侧(图中的左侧)上的一端沿第二方向对准，第二电极20b在第一
方向的另一侧(图中的右侧)上的一端沿第二方向对准。第一电极20a和第二电极20b中的一
个可以是输入电极，另一个可以是输出电极。

[0051] 第一方向和第二方向可以彼此垂直，并且第二方向可以与由SAW器件的压电效应产生的声表面波(即，声波)的传播方向相同。

[0052] 反射器30可以是在第一电极20a和第二电极20b在第二方向上的两侧上与第一电极20a和第二电极20b平行地设置的多个条形电极。反射器30可以反射沿着第一电极20a和
第二电极20b在第二方向上传播的声表面波，从而改善插入损耗。

[0053] 温度补偿膜40是用于稳定SAW器件的温度特性的膜。例如，温度补偿膜40可以由例如氧化硅(SiO2)材料形成。

[0054] 第一附加膜50a形成在温度补偿膜40上，以沿着第二方向延伸，并且与第一电极20a的在第一方向的一侧上的一端的部分区域垂直重叠。第二附加膜50b形成在温度补偿膜
40上，以沿着第二方向延伸，并且与第二电极20b的在第一方向的另一侧上的一端的部分区
域垂直重叠。

[0055] 保护膜60是用于保护SAW器件的膜。例如，保护膜60可以由SiN材料形成。在图1中，保护膜60被示出为弯曲以符合附加膜50a和50b的弯曲，但是保护膜60可以形成为平坦的，
而与附加膜50a和50b的形状无关。

[0056] 在常规SAW器件的情况下，垂直于声表面波的传播方向的横波在形成于基板10上的第一电极20a的端部和第二电极20b的端部产生，导致声表面波能量的损耗。在本发明中，
通过将第一附加膜50a和第二附加膜50b形成为与第一电极20a的端部和第二电极20b的端
部的部分区域垂直重叠，可以抑制在第一电极20a的端部和第二电极20b的端部处的能量损
耗。具体地，能量损耗是指由于横波的产生而导致的声表面波的泄漏波。第一附加膜50a和
第二附加膜50b可以降低声表面波的在第一电极20a的端部和第二电极20b的端部处的传播
速度，从而降低在第一电极20a的端部和第二电极20b的端部处消耗的能量的量。

[0057] 根据实施例，第一附加膜50a和第二附加膜50b可以由氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)、铝(Al)、铜(Cu)、钨(W)、钼(Mo)和钛
(Ti)中的任何一种制成，并且可以由能够降低声表面波的速度的各种介电材料制成。

[0058] 另一方面，附加膜可以直接形成在电极上，但是难以精确地将附加膜与电极对准，并且诸如光致抗蚀剂的工艺不容易。根据本发明，通过在温度补偿膜40上形成第一附加膜
50a和第二附加膜50b，容易与电极对准，并且可以通过简单的工艺形成附加膜。

[0059] 图2示出根据本发明的第二实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第一实施例的差异上。

[0060] 根据第一实施例的第一附加膜50a和第二附加膜50b沿着第二方向伸长以便与第一电极20a的部分区域和第二电极20b的部分区域重叠，而根据第二实施例的第一附加膜
51a和第二附加膜51b可以形成为比根据第一实施例的第一附加膜50a和第二附加膜50b更
向第二方向的两侧延伸，并且与反射器30的部分区域垂直重叠。

[0061] 当第一附加膜51a和第二附加膜51b形成为与反射器30的部分区域重叠时，作为SAW器件的振动转换效率的机电耦合系数K2的值增大，由此加宽通带。

[0062] 图3示出根据本发明的第三实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第一实施例的差异上。

[0063] 根据第一实施例的第一附加膜50a和第二附加膜50b形成为从温度补偿膜40的平坦表面突出，而根据第三实施例，第一凹槽72a和第二凹槽72b可以通过蚀刻或其他方法形
成在温度补偿膜41的部分表面区域上以对应于待形成的附加膜的形状，并且可以通过用用
于附加膜的材料填充第一凹槽72a和第二凹槽72b来形成第一附加膜52a和第二附加膜52b。
因此，保护膜61可以形成为平坦形状。

[0064] 图4示出根据本发明的第四实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第三实施例的差异上。

[0065] 根据第三实施例的第一凹槽72a和第二凹槽72b以及第一附加膜52a和第二附加膜52b沿着第二方向伸长并且与第一电极20a的部分区域和第二电极20b的部分区域重叠，而
根据第四实施例的第一凹槽73a和第二凹槽73b可以形成为与第一凹槽72a和第二凹槽72b
以及第一附加膜52a和第二附加膜52b相比沿第二方向更进一步延伸，并且与反射器30的部
分区域重叠。

[0066] 图5示出根据本发明的第五实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第一实施例的差异上。

[0067] 根据第一实施例的第一附加膜50a和第二附加膜50b均形成为沿第二方向延伸的整体形式，而根据第五实施例的第一附加膜54a和第二附加膜54b对于第一电极20a和第二
电极20b中的每一个单独地(即，呈点状)形成，从而与第一电极20a和第二电极20b中的每一
个重叠。因此，保护层63形成为根据第一附加膜54a和第二附加膜54b的布置而弯曲。在图5
中，保护膜63被示出为弯曲以符合附加膜54a和54b的弯曲，但是保护膜63可以形成为平坦
的，而与附加膜54a和54b的形状无关。

[0068] 图6示出根据本发明的第六实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第五实施例的差异上。

[0069] 根据第六实施例，第三附加膜55a和第四附加膜55b可以从温度补偿膜40上的第一附加膜54a和第二附加膜54b的布置进一步向第二方向的两侧延伸，并且可以被布置为与反
射器30的部分区域垂直重叠。

[0070] 图7示出根据本发明的第七实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第五实施例的差异上。

[0071] 根据第五实施例的第一附加膜54a和第二附加膜54b形成为从温度补偿膜40的平坦表面突出，而根据第七实施例，第一凹槽76a和第二凹槽76b可以通过蚀刻等形成在温度
补偿膜43的部分表面区域上以对应于待形成的附加膜的形状，并且可以通过用用于附加膜
的材料填充第一凹槽76a和第二凹槽76b来形成第一附加膜56a和第二附加膜56b。

[0072] 图8示出根据本发明的第八实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第七实施例的差异上。

[0073] 根据第八实施例，第三凹槽77a和第四凹槽77b可以形成为从温度补偿膜44上的第一凹槽76a和第二凹槽76b的布置进一步向第二方向的两侧延伸并且与反射器30的部分区
域垂直重叠，并且可以通过用用于附加膜的材料填充第三凹槽77a和第四凹槽77b来形成第
三附加膜57a和第四附加膜57b。因此，第三附加膜57a和第四附加膜57b可以形成为从第一
附加膜56a和第二附加膜56b的布置进一步向第二方向的两侧延伸，并且与反射器30的部分
区域重叠。

[0074] 图9示出根据本发明的第九实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第二实施例的差异上。

[0075] 在第二实施例中，如果温度补偿膜40以及第一附加膜51a和第二附加膜51b由相同的材料(例如，氧化硅(SiO2))制成，则第一附加膜51a和第二附加膜51b可以形成在温度补
偿膜40上。然而，根据第九实施例，第一附加膜58a和第二附加膜58b可以通过在温度补偿膜
45中仅保留第一附加膜51a和第二附加膜51b的形状并通过蚀刻或其他方法去除剩余部分
而与温度补偿膜45一体地形成。

[0076] 这样，与温度补偿膜一体地形成与温度补偿膜相同材料的第一附加膜和第二附加膜不仅可以应用于第二实施例的第一附加膜和第二附加膜，而且可以应用于根据第一实施
例、第五实施例和第六实施例的第一附加膜和第二附加膜。

[0077] 图10示出根据本发明的第十实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第二实施例的差异上。

[0078] 在第二实施例中，第一附加膜51a和第二附加膜51b形成在温度补偿膜40上，并且保护膜60覆盖温度补偿膜40以及第一附加膜51a和第二附加膜51b，而根据第十实施例，可
以在温度补偿膜40上形成保护膜65以覆盖温度补偿膜，并且可以在保护膜65上形成第一附
加膜59a和第二附加膜59b。

[0079] 这样，在保护膜上形成第一附加膜和第二附加膜不仅可以应用于根据第二实施例的第一附加膜和第二附加膜，而且可以应用于根据第一实施例、第五实施例和第六实施例
的第一附加膜和第二附加膜。

[0080] 图11示出根据本发明的第十一实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第二实施例的差异上。

[0081] 在第二实施例中，第一附加膜51a和第二附加膜51b直接形成在温度补偿膜40上，而根据第十一实施例，第一缓冲层81a和82a形成为沿着第二方向延伸，以包括与温度补偿
膜40上的第一附加膜相同的面积，并且第二缓冲层81b和82b形成为沿着第二方向延伸，以
包括与第二附加膜51b相同的面积。此外，第一附加膜90a可以形成在第一缓冲层81a和82a
上，第二附加膜90b可以形成在第二缓冲层81b和82b上，保护膜66可以形成为覆盖温度补偿
膜40、第一缓冲层81a和82a、第二缓冲层81b和82b、以及第一附加膜90a和第二附加膜90b。

[0082] 设置第一缓冲层81a和82a以及第二缓冲层81b和82b是为了增加横波抑制效果并改善工艺便利性，并且可以由介电膜或金属层形成。介电层可以包括HfO2、Ta2O5、TiO2、SiO2、
Si3N4、Al2O3、AIN等，并且金属层可以包括Cr、Al、Ti等。当缓冲层由介电膜形成时，下层81a
和81b以及上层82a和82b可以分别由高声速膜和低声速膜形成，反之亦然。例如，基于
LiNbO3，低声速膜可以包括SiO2、Ta2O5、HfO2等，并且高声速膜可以包括Si3N4、Al2O3、AIN等。

[0083] 在本实施例中，第1缓冲层81a和82a以及第2缓冲层81b和82b形成为下层81a、81b以及上层82a、82b这两个层，但缓冲层也可以由一个层形成，也可以由三个或更多个层形
成。

[0084] 图12示出根据本发明的第十二实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第十一实施例的差异上。

[0085] 根据第十一实施例，第一附加膜90a和第二附加膜90b均形成为沿第二方向延伸的整体形式，而根据第十二实施例，第一附加膜91a和第二附加膜91b对于第一电极20a和第二
电极20b中的每一个单独地(即，呈点状)形成，从而与第一电极20a和第二电极20b中的每一
个重叠，并且第三附加膜92a和第四附加膜92b可以从第一附加膜91a和第二附加膜91b的布
置进一步向第二方向的两侧延伸，并且可以被布置为与反射器30的部分区域重叠。因此，保
护层67形成为根据第一附加膜91a和第二附加膜91b以及第三附加膜92a和第四附加膜92b
的布置而弯曲。

[0086] 图13示出根据本发明的第十三实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第十一实施例的差异上。

[0087] 根据第十一实施例的第一至第四缓冲层81a、81b、82a和82b形成为从温度补偿膜40的平坦表面突出，而根据第十三实施例，第一凹槽78a和第二凹槽78b可以通过蚀刻或其
他方法形成在温度补偿膜46的部分表面区域上以对应于要形成的缓冲层的形状，第一至第
四缓冲层81a、81b、82a和82b可以通过用用于缓冲层的材料填充第一凹槽78a和第二凹槽
78b而形成，并且第一附加膜93a和第二附加膜93b可以形成在第三缓冲层82a和第四缓冲层
82b上。

[0088] 图14示出根据本发明的第十四实施例的SAW器件的结构。为了方便起见，以下描述将集中在与第十三实施例的差异上。

[0089] 根据第十三实施例，第一附加膜93a和第二附加膜93b均形成为沿第二方向延伸的整体形式，而根据第十四实施例，第一附加膜94a和第二附加膜94b对于第一电极20a和第二
电极20b中的每一个单独地(即，呈点状)形成，从而与第一电极20a和第二电极20b中的每一
个重叠，并且第三附加膜95a和第四附加膜95b可以从第一附加膜94a和第二附加膜94b的布
置进一步向第二方向的两侧延伸，并且可以被布置为与反射器30的部分区域重叠。因此，保
护层63形成为根据第一附加膜94a和第二附加膜94b以及第三附加膜95a和第四附加膜95b
的布置而弯曲。

[0090] 根据本发明，通过在温度补偿膜上形成附加膜以与电极的端部的部分区域垂直重叠，可以降低SAW器件的插入损耗和能量损耗。

[0091] 本发明的效果不限于上面提到的那些，并且本领域技术人员可以从上面的描述清楚地理解未提到的其他效果。

[0092] 虽然已经参照本发明的示例性实施例具体示出和描述了本发明，但是本领域技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以对本发
明的形式和细节进行各种改变。示例性实施例应当仅被认为是描述性的，而不是限制的目
的。因此，本发明的范围不是由本发明的详细描述限定的，而是由所附权利要求限定的，并
且在该范围内的所有差异将被解释为包括在本发明中。