一种疏水性人工晶状体的抛光方法

摘要

本发明的疏水性人工晶状体的抛光方法，包括以下步骤：S1：分别对抛光球进行碱处理和酸处理；S2:将不同直径大小的抛光球装入抛光瓶；S3:向S2中的抛光瓶内加入纯水、抛光粉和清洗剂，然后将抛光瓶放置在抛光机上转动，抛光瓶在抛光机上转动时要在低温环境中；S4：向抛光瓶内装入车铣后的疏水性人工晶状体；S5:将S4中装入疏水性人工晶状体的抛光瓶放置在抛光机上转动抛光，此过程要在低温条件下进行；S6:将S5中完成低温抛光的疏水性人工晶状体与抛光球球进行分离。本发明是在低温环境下对疏水性人工晶状体进行抛光，减少了抛光过程中出现的抛光粉粘连、刀纹残余、抛光过度和光学表面有凹陷等过抛现象，提高了疏水性人工晶状体的抛光成品率。

权利要求

1.一种疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：分别对抛光球进行碱处理和酸处理；

S2:将不同直径大小的抛光球装入抛光瓶；

S3:向S2中的抛光瓶内加入纯水、抛光粉和清洗剂，然后将抛光瓶放置在抛光机上转动，抛光瓶在抛光机上转动时要在0‑4℃低温环境中；

S4：向S3中在低温抛光后的抛光瓶内装入车铣后的疏水性人工晶状体；

S5:将S4中装入疏水性人工晶状体的抛光瓶放置在抛光机上转动抛光，此过程要在1‑5℃低温条件下进行；

S6:将S5中完成低温抛光的疏水性人工晶状体与抛光球球进行分离。

2.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：所述S1的具体步骤为：在抛光瓶中加入抛光球，抛光粉，以及pH值为13‑14的碱性溶液，将抛光瓶放置在抛光机上转动24‑30h，进行碱处理；碱处理之后的抛光球经纯水清洗之后装入抛光瓶中，再向抛光瓶中加入pH值为1‑2的酸性溶液，将抛光瓶放置在抛光机上转动2‑3h，进行酸处理。

3.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：S2的具体步骤为：将经S1处理后的抛光球按照直径不同装入抛光瓶内，其中包括0.4≤直径＜0.6mm的小抛光球，直径为0.6‑0.8mm的中抛光球，以及直径为1.0‑1.2mm的大抛光球。

4.根据权利要求3所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：小抛光球：中抛光球：大抛光球的比例为1:1:1或者2:2:1或者4:3:1。

5.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：S3的具体步骤为：向S2的抛光瓶内加入纯水，抛光粉以及清洗剂，将抛光瓶放置在抛光机上进行转动，转动要在0‑4℃环境下进行。

6.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：S4的具体步骤为：将车铣后的半成品疏水性人工晶状体装入经S3处理后的抛光瓶内，装入疏水性人工晶状体的数量为50‑100枚。

7.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：S5的具体步骤为：将S4中的抛光瓶放置在1‑5℃环境下的抛光机上，设置转速为90‑100RPM，转动时间为

36‑72h。

8.根据权利要求1所述的疏水性人工晶状体的抛光方法，其特征在于：经S1碱处理和酸处理后的抛光球在装入抛光瓶之前需要将抛光球进行干燥。

说明书

一种疏水性人工晶状体的抛光方法

技术领域

[0001] 本发明属于人工晶状体加工技术领域，具体涉及一种疏水性人工晶状体的抛光方法。

背景技术

[0002] 白内障可以通过摘除混浊的晶状体之后联合植入人工晶状体手术实现复明。随着人口总数增加以及人口老龄化的加剧，新发白内障致盲人数还在迅速增加。人工晶状体的
材料组成可以是聚甲基丙烯酸酯（PMMA)、硅胶、水凝胶、亲水性或者疏水性丙烯酸酯（HEMA)
等。抛光过程对于人工晶状体的光学性能的获得至关重要，现有的抛光方法对于疏水性人
工晶状体的抛光并不适用，现有抛光方式抛光后的疏水性人工晶状体普遍出现抛光粉粘
连、刀纹残余、抛光过度和光学表面有凹陷等过抛现象，严重影响了疏水性人工晶状体的成
品率，目前疏水性人工晶状体的成品率不足60%。

发明内容

[0003] 本发明的目的是提供一种疏水性人工晶状体的抛光方法，以解决现有技术中的疏水性人工晶状体出现抛光粉粘连、刀纹残余、抛光过度和光学表面有凹陷等过抛现象的技
术问题。

[0004] 实现上述目的，本发明的技术方案是：一种疏水性人工晶状体的抛光方法，包括以下步骤：S1：分别对抛光球进行碱处理和酸处理；S2: 将不同直径大小的抛光球装入抛光
瓶；S3: 向S2中的抛光瓶内加入纯水、抛光粉和清洗剂，然后将抛光瓶放置在抛光机上转
动，抛光瓶在抛光机上转动时要在低温环境中；S4：向S3中在低温抛光后的抛光瓶内装入车
铣后的疏水性人工晶状体；S5: 将S4中装入疏水性人工晶状体的抛光瓶放置在抛光机上转
动抛光，此过程要在低温条件下进行；S6: 将S5中完成低温抛光的疏水性人工晶状体与抛
光球球进行分离。

[0005] 进一步的，S3中低温环境为0‑4℃。

[0006] 进一步的，S5中低温环境为1‑5℃。

[0007] 进一步的，所述S1的具体步骤为：在抛光瓶中加入抛光球，抛光粉，以及pH值为13‑14的碱性溶液，将抛光瓶放置在抛光机上转动24‑30 h，进行碱处理；碱处理之后的抛光球
经纯水清洗之后装入抛光瓶中，再向抛光瓶中加入pH值为1‑2的酸性溶液，将抛光瓶放置在
抛光机上转动2‑3 h，进行酸处理。

[0008] 进一步的，S2的具体步骤为：将经S1处理后的抛光球按照直径不同装入抛光瓶内，其中包括0.4≤直径＜0.6 mm的小抛光球，直径为0.6‑0.8 mm的中抛光球，以及直径为1.0‑
1.2 mm的大抛光球，其中小抛光球：中抛光球：大抛光球的比例为1:1:1或者2:2:1或者4:3:
1。

[0009] 进一步的，S3的具体步骤为：向S2的抛光瓶内加入纯水，抛光粉以及清洗剂，将抛光瓶放置在抛光机上进行转动，转动要在0‑4℃环境下进行。

[0010] 进一步的，S4的具体步骤为：将车铣后的半成品疏水性人工晶状体装入经S3处理后的抛光瓶内，装入疏水性人工晶状体的数量为50‑100枚。

[0011] 进一步的，S5的具体步骤为：将S4中的抛光瓶放置在1‑5℃环境下的抛光机上，设置转速为90‑100 RPM，转动时间为36‑72 h。

[0012] 进一步的，经S1碱处理和酸处理后的抛光球在装入抛光瓶之前需要将抛光球进行干燥。

[0013] 本发明的有益效果为：

[0014] 在低温环境下对疏水性人工晶状体进行抛光，大大减少了疏水性人工晶状体在抛光过程中出现的抛光粉粘连、刀纹残余、抛光过度和光学表面有凹陷等过抛现象，大大提高
了疏水性人工晶状体的抛光成品率。

具体实施方式

[0015] 下面对本发明作进一步详细描述，本实施例在以本发明技术方案为前提下进行实施，给出了详细的实施方式和具体的操作过程，但本发明的保护范围不限于下述的实施例。

[0016] 实施例：

[0017] 一种疏水性人工晶状体的抛光方法，包括以下步骤：

[0018] S1:在容量为1000 mL的抛光瓶中依次加入抛光球400 g，氢氧化钠颗粒70 g，抛光粉4 g以及纯水260 mL放置在抛光机上转动24 h进行碱处理，碱处理之后的抛光球使用纯
水清洗干净之后装入抛光瓶，再次加入pH值为1的硫酸15 mL，纯水200 mL后，放置在抛光机
上转动1 h进行酸处理。特别的S1中所述抛光球按照直径分为三种：0.4≤直径＜0.6 mm的
小抛光球；直径为0.6‑0.8 mm的中抛光球，直径为1.0‑1.2 mm的大抛光球。

[0019] S2: 将上述抛光球，依次按照1:1:1或者2:2:1或者4:3:1的比例装入抛光瓶内。在将抛光球装入抛光瓶之前需要将抛光球放置在烘干机内干燥，干燥完毕筛选出不规则形状
的杂质球后再装入抛光瓶内。

[0020] S3: 将S2配置组装完成的抛光瓶内加入纯水350 mL，抛光粉4 g，清洗剂6 g，放置在4℃环境下的抛光机上设置抛光瓶转速100 RPM，转动时间4 h。

[0021] S4: 将车铣后的半成品疏水性人工晶状体装入S3处理后的抛光瓶内，装入疏水性人工晶状体的数量65枚。特别的在放入半成品疏水性人工晶状体之前，需要对半成品疏水
性人工晶状体进行清洗，保持光学区域洁净，无附着物。

[0022] S5: 将S4中的抛光瓶放置在1‑5℃环境下的抛光机上，设置转速为90 RPM或100 RPM，转动时间为36 h、48 h、60 h或72 h,。

[0023] S6：将S5中抛光完成的疏水性人工晶状体与抛光球进行分离，分离后的抛光球经过纯水清洗后再次装入抛光瓶内。

[0024] 按照不同条件进行正交试验，统计不同条件下成品人工晶状体的个数，并计算各个条件下的成品率。其中成品率的判断标准为抛光后的疏水性人工晶状体表面无划伤、无
异物、无凸起、无凹陷、无明显车纹以及无明显缺陷。

[0025] 对比例：

[0026] 对比例与实施例的区别为S2和S5中的温度均为室温25℃。

[0027] 表1为实施例和对比例的实验条件和成品率对比表

[0028]

[0029] 由上表可见，实施例58中疏水性人工晶状体的抛光温度为3℃，对比例22的抛光温度为25摄氏度，两者除了抛光温度不同以外，其与实验条件均一致，两者的成品率分别为
95.38%和59.08%，相差高达36.30%，由此可见抛光温度对疏水性人工晶状体的成品率影响
很大，在低温的条件下对疏水性人工晶状体进行抛光，能够大幅度的提高成品率。当然，除
此之外抛光机的转速、抛光时间以及直径不同的抛光球的比例也会对成品率产生影响。

[0030] 按照抛光条件正交实施例结果分析，疏水性人工晶状体的最佳抛光条件为抛光温度为3℃，抛光机转速为100 PRM，抛光时间为48 h以及抛光球配比（小中大）为4:3:1。

[0031] 本发明的疏水性人工晶状体的抛光方法是在低温环境下对疏水性人工晶状体进行抛光，大大减少了疏水性人工晶状体在抛光过程中出现的抛光粉粘连、刀纹残余、抛光过
度和光学表面有凹陷等过抛现象，大大提高了疏水性人工晶状体的抛光成品率。

[0032] 对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论
从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权
利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有
变化涵括在本发明内。