一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管

摘要

本发明提供了一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，包括第一封装壳、第二封装壳、第一端子、第二端子、第三端子、肖特基芯片，所述第一封装壳与所述第二封装壳扣合连接，所述第一端子、第二端子与第一封装壳一体化成型，所述第三端子与所述第二封装壳一体化成型。本发明的肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤少，制造效率高。

权利要求

1.一种肖特基整流管，其特征在于，包括第一封装壳(1)、第二封装壳(2)、第一端子(3)、第二端子(4)、第三端子(5)、肖特基芯片(6)，所述第一封装壳(1)与所述第二封装壳(2)扣合连接，所述第一端子(3)、第二端子(4)与第一封装壳(1)一体化成型，所述第三端子(5)与所述第二封装壳(2)一体化成型；

所述第一端子(3)包括第一接触部(31)、第一延伸部(32)，所述第一封装壳(1)上形成有第一镂空槽(11)，所述第一镂空槽(11)位于所述第一接触部(31)上侧，所述第一延伸部(32)位于所述第一封装壳(1)外侧；

所述第二端子(4)包括第二接触部(41)、第二延伸部(42)，所述第一封装壳(1)上形成有第二镂空槽(12)，所述第二镂空槽(12)位于所述第二接触部(41)上侧，所述第二延伸部(42)位于所述第二封装壳(2)外侧；

所述第三端子(5)包括第三接触部(51)、弯折部(52)、第四接触部(53)，所述第二封装壳(2)上形成有第三镂空槽(21)，所述第三镂空槽(21)位于所述第三接触部(51)上侧，所述第四接触部(53)位于所述第二封装壳(2)外侧；

所述肖特基芯片(6)上下两端分别位于所述第三镂空槽(21)、第二镂空槽(12)内侧，所述肖特基芯片(6)上端与所述第二接触部(41)相抵触，所述肖特基芯片(6)下端与所述第三接触部(51)相抵触，所述第四接触部(53)上端位于所述第一镂空槽(11)内侧，所述第四接触部(53)与所述第一接触部(31)相抵触。

2.根据权利要求1所述的一种肖特基整流管，其特征在于，所述第一封装壳(1)靠向所述第二封装壳(2)一端设有扣子(13)，所述第二封装壳(2)上设有与所述扣子(13)相配合的扣槽(22)。

3.根据权利要求1所述的一种肖特基整流管，其特征在于，所述第三镂空槽(21)内还设有耐高温胶(7)，所述耐高温胶(7)填充在肖特基芯片(6)边缘。

4.根据权利要求1所述的一种肖特基整流管，其特征在于，所述第一封装壳(1)、第二封装壳(2)的交接处外侧还涂覆有一层防水涂层。

5.根据权利要求1所述的一种肖特基整流管，其特征在于，所述第二封装壳(2)上还设有通孔(23)。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的肖特基整流管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1冲切成型：准备三个合金片材，三个合金片材经过裁切、冲压后分别得到第一端子(3)、第二端子(4)、第三端子(5)；

S2注塑成型：准备第一模具、第二模具，将第一端子(3)、第二端子(4)一端置于第一模具的模腔中，经过注塑后得到第一封装壳(1)，第一封装壳(1)与第一端子(3)、第二端子(4)一体化成型，将第二端子(4)置于第二模具的模腔中，经过注塑后得到第二封装壳(2)，第二封装壳(2)与第三端子(5)一体化成型；

S3芯片固定：将肖特基芯片(6)放置在第三镂空槽(21)中部，并在肖特基芯片(6)边缘填充耐高温胶(7)；

S4扣合成型：将第一封装壳(1)、第二封装壳(2)扣合，并在第一封装壳(1)、第二封装壳(2)的交接处外侧涂覆一层防水涂层。

说明书

一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管

技术领域

[0001] 本发明涉及肖特基整流管技术领域，具体涉及一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管。

背景技术

[0002] 肖特基整流管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属‑半导体器件。因为N型半导体中存在着
大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中
扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散
到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但
在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形
成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起
的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

[0003] 肖特基整流管的加工过程通常包括焊接、酸洗、上胶、白胶固化、模压、成型固化、祛除残胶、电镀、印字、烘烤等工序。采用上述常规的加工工序生产肖特基整流管，工序繁
琐，加工效率低。

发明内容

[0004] 针对以上问题，本发明提供一种肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤
少，制造效率高。

[0005] 为实现上述目的，本发明通过以下技术方案来解决：

[0006] 一种肖特基整流管，包括第一封装壳、第二封装壳、第一端子、第二端子、第三端子、肖特基芯片，所述第一封装壳与所述第二封装壳扣合连接，所述第一端子、第二端子与
第一封装壳一体化成型，所述第三端子与所述第二封装壳一体化成型；

[0007] 所述第一端子包括第一接触部、第一延伸部，所述第一封装壳上形成有第一镂空槽，所述第一镂空槽位于所述第一接触部上侧，所述第一延伸部位于所述第一封装壳外侧；

[0008] 所述第二端子包括第二接触部、第二延伸部，所述第一封装壳上形成有第二镂空槽，所述第二镂空槽位于所述第二接触部上侧，所述第二延伸部位于所述第二封装壳外侧；

[0009] 所述第三端子包括第三接触部、弯折部、第四接触部，所述第二封装壳上形成有第三镂空槽，所述第三镂空槽位于所述第三接触部上侧，所述第四接触部位于所述第二封装
壳外侧；所述肖特基芯片上下两端分别位于所述第三镂空槽、第二镂空槽内侧，所述肖特基
芯片上端与所述第二接触部相抵触，所述肖特基芯片下端与所述第三接触部相抵触，所述
第四接触部上端位于所述第一镂空槽内侧，所述第四接触部与所述第一接触部相抵触。

[0010] 具体的，所述第一封装壳靠向所述第二封装壳一端设有扣子，所述第二封装壳上设有与所述扣子相配合的扣槽。

[0011] 具体的，所述第三镂空槽内还设有耐高温胶，所述耐高温胶填充在肖特基芯片边缘。

[0012] 具体的，所述第一封装壳、第二封装壳的交接处外侧还涂覆有一层防水涂层。

[0013] 具体的，所述第二封装壳上还设有通孔。

[0014] 一种肖特基整流管制造方法，包括以下步骤：

[0015] S1冲切成型：准备三个合金片材，三个合金片材经过裁切、冲压后分别得到第一端子、第二端子、第三端子；

[0016] S2注塑成型：准备第一模具、第二模具，将第一端子、第二端子一端置于第一模具的模腔中，经过注塑后得到第一封装壳，第一封装壳与第一端子、第二端子一体化成型，将
第二端子置于第二模具的模腔中，经过注塑后得到第二封装壳，第二封装壳与第三端子一
体化成型；

[0017] S3芯片固定：将肖特基芯片放置在第三镂空槽中部，并在肖特基芯片边缘填充耐高温胶；

[0018] S4扣合成型：将第一封装壳、第二封装壳扣合，并在第一封装壳、第二封装壳的交接处外侧涂覆一层防水涂层。

[0019] 本发明的有益效果是：

[0020] 本发明的肖特基整流管制造方法及肖特基整流管，通过冲切成型、注塑成型、芯片固定、扣合成型工序就能完成肖特基整流管的制造，结构简单，步骤少，制造效率高，无需进
行焊接、上胶、模压、祛除残胶、电镀等工序，并且第一封装壳通过注塑方式与第一端子、第
二端子一体化成型，第二封装壳通过注塑方式与第三端子一体化成型，可实现大批量生产，
芯片固定后通过扣合的方式连接第一封装壳、第二封装壳，容易加工，加工所需的时间短，
制造效率高。

附图说明

[0021] 图1为第一端子、第二端子经过注塑后得到第一封装壳的结构示意图。

[0022] 图2为第三端子经过注塑后得到第二封装壳的结构示意图。

[0023] 图3为步骤S3芯片固定过程的结构示意图。

[0024] 图4为经过步骤S4扣合成型后得到的肖特基整流管的结构示意图。

[0025] 附图标记为：第一封装壳1、第一镂空槽11、第二镂空槽12、扣子13、第二封装壳2、第三镂空槽21、扣槽22、通孔23、第一端子3、第一接触部31、第一延伸部32、第二端子4、第二
接触部41、第二延伸部42、第三端子5、第三接触部51、弯折部52、第四接触部53、肖特基芯片
6、耐高温胶7。

具体实施方式

[0026] 下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。

[0027] 如图1‑4所示：

[0028] 一种肖特基整流管，包括第一封装壳1、第二封装壳2、第一端子3、第二端子4、第三端子5、肖特基芯片6，第一封装壳1与第二封装壳2扣合连接，第一端子3、第二端子4与第一
封装壳1一体化成型，第三端子5与第二封装壳2一体化成型；第一端子3包括第一接触部31、
第一延伸部32，第一封装壳1上形成有第一镂空槽11，第一镂空槽11位于第一接触部31上
侧，第一延伸部32位于第一封装壳1外侧；第二端子4包括第二接触部41、第二延伸部42，第
一封装壳1上形成有第二镂空槽12，第二镂空槽12位于第二接触部41上侧，第二延伸部42位
于第二封装壳2外侧；第三端子5包括第三接触部51、弯折部52、第四接触部53，第二封装壳2
上形成有第三镂空槽21，第三镂空槽21位于第三接触部51上侧，第四接触部53位于第二封
装壳2外侧；肖特基芯片6上端为阳极金属层，下端为阴极金属层，肖特基芯片6上下两端分
别位于第三镂空槽21、第二镂空槽12内侧，肖特基芯片6上端的阳极金属层与第二接触部41
相抵触，即第二端子4为阳极接线端，肖特基芯片6下端的阴极金属层与第三接触部51相抵
触，第四接触部53上端位于第一镂空槽11内侧，第四接触部53与第一接触部31相抵触，即第
一端子3为阴极接线端。

[0029] 优选的，第一封装壳1靠向第二封装壳2一端设有扣子13，第二封装壳2上设有与扣子13相配合的扣槽22。

[0030] 优选的，第三镂空槽21内还设有耐高温胶7，耐高温胶7填充在肖特基芯片6边缘。

[0031] 优选的，为了提高肖特基整流管内部的绝缘密封性，第一封装壳1、第二封装壳2的交接处外侧还涂覆有一层防水涂层。

[0032] 优选的，第二封装壳2上还设有通孔23。

[0033] 一种肖特基整流管制造方法，包括以下步骤：

[0034] S1冲切成型：准备三个合金片材，三个合金片材经过裁切、冲压后分别得到第一端子3、第二端子4、第三端子5；

[0035] S2注塑成型：准备第一模具、第二模具，第一模具、第二模具均为半埋入式注塑模具，将第一端子3、第二端子4一端置于第一模具的模腔中，经过注塑后得到第一封装壳1，第
一封装壳1与第一端子3、第二端子4一体化成型，将第二端子4置于第二模具的模腔中，经过
注塑后得到第二封装壳2，第二封装壳2与第三端子5一体化成型；

[0036] S3芯片固定：将肖特基芯片6放置在第三镂空槽21中部，第三镂空槽21的长、宽尺寸大于肖特基芯片6的长、宽尺寸，肖特基芯片6放置在第三镂空槽21中部后，肖特基芯片6
的边缘具有一定的间隙，因此还需要在肖特基芯片6边缘间隙位置填充耐高温胶7，耐高温
胶7固化后，将肖特基芯片6稳定的固定在第三镂空槽21内侧，防止肖特基芯片6偏位；

[0037] S4扣合成型：将第一封装壳1、第二封装壳2扣合，并在第一封装壳1、第二封装壳2的交接处外侧涂覆一层防水涂层，以防止水氧从第一封装壳1、第二封装壳2之间的间隙进
入肖特基整流管内侧，达到防水氧保护效果。

[0038] 以上实施例仅表达了本发明的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在
不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。
因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。