半导体结构的制造方法及半导体结构

摘要

本发明提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括提供基底；在所述基底上形成金属布线层，所述金属布线层的表面上具有正电荷；向所述金属布线层提供反应气体，该反应气体发生解离，解离后产生的电子与金属布线层表面的正电荷发生中和反应，从而降低了金属原电池反应的反应速率，进而避免了利用清洗液在清洗金属布线层后金属布线层形成结构缺陷，提高了半导体结构的性能。

权利要求

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；

在所述基底上形成金属布线层，所述金属布线层的表面上具有正电荷；

向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷；

对中和所述正电荷后的所述金属布线层进行清洗，以去除残留在所述金属布线层上的杂质；

向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷的步骤包括：提供氧气作为所述反应气体；

激发所述氧气，形成负氧离子、正氧离子、自由基以及电子，所述电子中和所述正电荷，所述负氧离子与所述金属布线层表面的导电材料形成氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成金属布线层的步骤包括：

在所述基底上依次形成介质层和导电层；

形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽；

在所述隔离槽内形成隔离层，所述隔离层和未被去除的所述导电层构成所述金属布线层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽的步骤包括：在所述导电层上形成光刻胶层；

图形化所述光刻胶层，以在所述光刻胶层内形成多个间隔设置的开口区；

去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层，以形成所述隔离槽。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述隔离槽内形成隔离层的步骤包括：

在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层；

去除位于所述导电层表面上的填充层，以形成所述隔离层。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层的步骤之前，在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层的步骤之后，所述方法还包括：去除光刻胶层，以暴露出所述导电层和所述隔离槽。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在所述基底上依次形成介质层和导电层的步骤包括：于所述介质层上形成阻挡层，所述阻挡层用于阻挡所述导电层中导电材料渗透至所述介质层内。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的材质为氮化钛。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，于所述介质层上形成阻挡层的步骤之前还包括：

于所述介质层上形成过渡层，所述过渡层用于增加所述介质层和所述阻挡层的结合力。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述过渡层的材质为钛。

10.根据权利要求2‑6 任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，对中和所述正电荷后的所述金属布线层进行清洗，以去除残留于所述金属布线层上的杂质的步骤包括：

通过清洗液对所述半导体结构进行清洗，以去除残留于所述金属布线层上的杂质。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在通过清洗液对所述半导体结构进行清洗的步骤之前，向所述金属布线层提供反应气体的步骤之后，所述方法还包括：

对所述半导体结构进行灰化处理，去除因刻蚀残留在所述金属布线层表面的含氟离子的聚合物。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述灰化处理的温度为250℃，所述灰化处理的高频的射频电源的功率为500 800W。

~

13.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述灰化处理使用的气体为含氟气体，所述含氟气体的流量为500 3000sccm，所述灰化处理在反应腔室中进行，~

所述反应腔室的压力为200 500mtorr。

~

14.根据权利要求13所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述导电层的材质为钨。

15.一种半导体结构，其特征在于，包括基底以及设置在所述基底上的金属布线层；

所述金属布线层通过如权利要求1‑14任一项所述的半导体结构的制造方法制得。

说明书

半导体结构的制造方法及半导体结构

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构的制造方法及半导体结构。

背景技术

[0002] 在半导体制造工艺中，通过光刻、刻蚀、沉积等工艺在半导体基底上形成半导体结构，例如，动态随机存储器((Dynamic Random Access Memory，简称DRAM))，所形成的动态
随机存储器通常包括核心存储区和外围电路区，其中，核心存储区用于设置多个存储单元，
用于对数据信息进行存储，外围电路区通常包括多个金属布线层，多个金属布线层用于与
存储单元电连接，以使得存储单元完成对数据信息的存储或者读取。

[0003] 但是，在外围电路区的制造过程中，金属布线层中导电物质容易被腐蚀，降低金属布线层的导电能力，进而降低半导体结构的性能。

发明内容

[0004] 鉴于上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构，用于防止金属布线层中的导电物质被腐蚀，保证金属布线层的导电能力，进而提高半导体结
构的性能。

[0005] 为了实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

[0006] 本发明实施例的第一方面提供一种半导体结构的制造方法，其包括：

[0007] 提供基底。

[0008] 在所述基底上形成金属布线层，所述金属布线层的表面上具有正电荷。

[0009] 向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷。

[0010] 对中和所述正电荷后的所述金属布线层进行清洗，以去除残留在所述金属布线层上的杂质。

[0011] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，向所述金属布线层提供反应气体，所述反应气体用于中和所述正电荷的步骤包括：

[0012] 提供氧气作为所述反应气体。

[0013] 激发所述氧气，形成负氧离子、正氧离子、自由基以及电子，所述电子中和所述正电荷，所述负氧离子与所述金属布线层表面的导电材料形成氧化物薄膜。

[0014] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，在所述基底上形成金属布线层的步骤包括：

[0015] 在所述基底上依次形成介质层和导电层。

[0016] 形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽。

[0017] 在所述隔离槽内形成隔离层，所述隔离层和未被去除的所述导电层构成所述金属布线层。

[0018] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，形成贯穿所述导电层并延伸至所述介质层内的隔离槽的步骤包括：

[0019] 在所述导电层上形成光刻胶层。

[0020] 图形化所述光刻胶层，以在所述光刻胶层内形成多个间隔设置的开口区。

[0021] 去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层，以形成所述隔离槽。

[0022] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，在所述隔离槽内形成隔离层的步骤包括：

[0023] 在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层。

[0024] 去除位于所述导电层表面上的填充层，以形成所述隔离层。

[0025] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，在去除位于所述开口内的所述导电层以及部分所述介质层的步骤之前，在所述隔离槽内以及所述导电层的表面形成填充层的步
骤之后，所述方法还包括：

[0026] 去除光刻胶层，以暴露出所述导电层和所述隔离槽。

[0027] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，在所述基底上依次形成介质层和导电层的步骤包括：

[0028] 于所述介质层上形成阻挡层，所述阻挡层用于阻挡所述导电层中导电材料渗透至所述介质层内。

[0029] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，所述阻挡层的材质为氮化钛。

[0030] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，于所述介质层上形成阻挡层的步骤之前还包括：

[0031] 于所述介质层上形成过渡层，所述过渡层用于增加所述介质层和所述阻挡层的结合力。

[0032] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，所述过渡层的材质为钛。

[0033] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，对中和所述正电荷后的所述金属布线层进行清洗，以去除残留于所述金属布线层上的杂质的步骤包括：

[0034] 通过清洗液对所述半导体结构进行清洗，以去除残留于所述金属布线层上的杂质。

[0035] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，在通过清洗液对所述半导体结构进行清洗的步骤之前，向所述金属布线层提供反应气体的步骤之后，所述方法还包括：

[0036] 对所述半导体结构进行灰化处理，去除因刻蚀残留在所述金属布线层表面的含氟离子的聚合物。

[0037] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，所述灰化处理的温度为250℃，所述灰化处理的高频的射频电源的功率为500～800W。

[0038] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，所述灰化处理使用的气体为含氟气体，所述含氟气体的流量为500～3000sccm，所述灰化处理在反应腔室中进行，所述反应腔室的
压力为200～500mtorr。

[0039] 如上所述的半导体结构的制造方法，其中，所述导电层的材质为钨。

[0040] 本发明实施例的第二方面提供一种半导体结构，其包括基底以及设置在所述基底上的金属布线层。

[0041] 所述金属布线层通过如上所述的半导体结构的制造方法制得。

[0042] 本发明实施例所提供的半导体结构的制造方法及半导体结构中，通过向金属布线层提供反应气体，该反应气体发生解离，解离后产生的电子与金属布线层表面的正电荷发
生中和反应，从而降低了金属原电池反应的反应速率，进而避免了利用清洗液在清洗金属
布线层后金属布线层形成结构缺陷，提高了半导体结构的性能。

[0043] 除了上面所描述的本发明实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外，本发明实施例提供的半导体结构的制造
方法及半导体结构所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技
术特征带来的有益效果，将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。

附图说明

[0044] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发
明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根
据这些附图获得其他的附图。

[0045] 图1为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法的流程图；

[0046] 图2为本发明实施例提供的在基底上形成金属布线层的流程图；

[0047] 图3为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成介质层和导电层的结构示意图；

[0048] 图4为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成阻挡层和过渡层的结构示意图；

[0049] 图5为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成贯穿导电层并延伸至介质层内的隔离槽的流程图；

[0050] 图6为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成光刻胶层的结构示意图；

[0051] 图7为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成隔离槽的结构示意图；

[0052] 图8为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成隔离层的结构示意图一；

[0053] 图9为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中形成隔离层的结构示意图二；

[0054] 图10为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中向金属布线层提供反应气体的示意图；

[0055] 图11为本发明实施例提供的半导体结构的制造方法中中和正电荷的结构示意图。

[0056] 附图标记：

[0057] 10：基底；

[0058] 20：金属布线层；

[0059] 21：介质层；

[0060] 22：导电层；

[0061] 30：阻挡层；

[0062] 40：过渡层；

[0063] 50：光刻胶层；

[0064] 51：开口区；

[0065] 60：隔离槽；

[0066] 70：填充层；

[0067] 71：隔离层。

具体实施方式

[0068] 本公开的发明人在实际工作中发现，在半导体结构的外围电路的制造过程，通常是在基底上依次形成层叠设置的介质层和导电层，通过构图工艺，图形化导电层，以形成金
属布线层，之后需要对金属布线层的表面进行清洗，以清除金属布线层表面残留的杂质。

[0069] 在形成金属布线层时，基底是利用静电吸附的方式固定在刻蚀设备内，致使所形成的金属布线层的表面会携带正电荷，相关技术中，通常会采用清除工艺中和掉金属布线
层表面上部分正电荷，致使金属布线层的表面仍然会存在正电荷，该正电荷在清洗阶段容
易与清洗液发生反应腐蚀金属布线层，降低金属布线层的导电能力，进而降低半导体结构
的性能。

[0070] 针对上述的技术问题，本发明实施例提供了一种半导体结构的制造方法及半导体结构，通过向金属布线层提供反应气体，该反应气体发生解离，解离后产生的电子与金属布
线层表面的正电荷发生中和反应，从而降低了金属原电池反应的反应速率，进而避免了利
用清洗液在清洗金属布线层后金属布线层形成结构缺陷，提高了半导体结构的性能。

[0071] 为了使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述
的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本
领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，均属于本发
明保护的范围。

[0072] 本实施例对半导体结构不作限制，下面将以半导体结构为动态随机存取存储器(DRAM)为例进行介绍，但本实施例并不以此为限，本实施例中的半导体结构还可以为其他
的结构。

[0073] 下面结合图1至图11对半导体结构的制造方法进行介绍。

[0074] 如图1所示，本发明实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包括如下的步骤：

[0075] S100：提供基底。

[0076] 基底作为半导体结构的支撑部件，用于支撑设在其上的其他部件，其中，基底可以由半导体材料制成，半导体材料可以为硅、锗、硅锗化合物以及硅碳化合物中的一种或者多
种。

[0077] S200：在基底上形成金属布线层，金属布线层的表面上具有正电荷，其工艺流程图如图2所示。

[0078] 示例性地，S210：在基底上依次形成介质层和导电层。

[0079] 如图3所示，可以先采用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺在基底10的上表面上形成一定厚度的介质层21，其中，介质层21的材质可以包括氮化硅等绝缘材质，以保证
基底10与导电层22之间的绝缘设置。

[0080] 然后再利用原子层沉积工艺或者化学气相沉积工艺在基底上形成一定厚度的导电层22，导电层22的材质可以包括钨等导电材质，以保证金属布线层的导电性能。

[0081] 进一步地，如图4所示，为了避免导电层22中的导电材料渗透至介质层21内，可以在介质层21上形成阻挡层30，阻挡层30能够阻挡导电层22中的导电材料渗透至介质层内，
保证了导电层22的导电性能，进而提高了半导体结构的良率。

[0082] 示例性地，阻挡层30的材质可以包括氮化钛等导电材质，在阻止导电层22与介质层21之间发生渗透的同时，也可以实现导电层22与位线结构以及外围电路区的电连接。

[0083] 进一步地，在介质层上形成阻挡层的步骤之前还包括：

[0084] 于介质层21上形成过渡层40，具体地，可以采用原子沉积工艺或者化学气相沉积工艺在介质层21上形成一定厚度的过渡层40，过渡层40用于增加介质层21和阻挡层30之间
的结合力，防止介质层21与阻挡层30之间发生分离。

[0085] 在本实施例中，过渡层40的材质可以包括钛等导电材质，在增加介质层21和阻挡层30之间的结合力的同时，也可以实现导电层22与位线结构以及外围电路区的电连接。

[0086] S220：形成贯穿导电层并延伸至介质层内的隔离槽，其工艺流程图如图5所示。

[0087] 具体地，S221：在导电层背离基底的一侧上形成光刻胶层，其结构如图6所示。

[0088] S222：图形化光刻胶层，以在光刻胶层内形成多个间隔设置的开口区，也就是说，可以通过掩膜、曝光、显影或者蚀刻等方式，对光刻胶层50进行图形化处理，以在光刻胶层
50上形成图案，其中图案可以包括多个间隔设置开口区51，以及位于相邻开口区51之间的
遮挡区。

[0089] S223：去除位于开口内的导电层以及部分介质层，以形成隔离槽，其结构图7所示。

[0090] 即，利用刻蚀液或者刻蚀气体，蚀刻掉位于开口区51内的导电层22和部分介质层21，以在导电层22和介质层21内形成隔离槽60。

[0091] S230：在隔离槽内形成隔离层，隔离层和未被去除的导电层构成金属布线层，其结构如图8和图9所示。

[0092] 示例性地，如图8所示，在隔离槽60内以及导电层22的表面形成填充层70，具体地，可以采用化学气相沉积工艺在隔离槽60内形成填充层70，填充层70还延伸至隔离槽60外，
并覆盖在导电层22的表面。

[0093] 如图9所示，回刻位于导电层22表面上的填充层70，保留位于隔离槽60内的填充层70，以使被保留的填充层70形成隔离层71，且隔离层71的顶面可以低于导电层20的顶面，本
实施例通过隔离层71的设置，将整面的导电层22分割为若干个间隔设置的导电条，以便于
根据实际情况，选择部分导电条与半导体结构中位线结构连接，还是全部导电条与半导体
结构中的位线结构连接。

[0094] 在本实施例中，填充层70的材质可以包括氮化硅等绝缘材质，以实现位于隔离槽60两侧的导电层22之间的绝缘设置。

[0095] 在隔离槽内以及导电层的表面形成填充层的步骤之后，半导体结构的制造方法还包括：

[0096] 去除光刻胶层50，具体地，可以通过清洗的方式去除位于导电层22上的光刻胶层50，暴露出导电层22和隔离槽60，以便于在隔离槽60内形成隔离层71。

[0097] S300：向金属布线层提供反应气体，反应气体用于中和正电荷，其过程如图10和图11所示。

[0098] 具体地，由于在制造半导体结构时，通常在刻蚀设备的反应腔室内进行，因此，可以向刻蚀设备的反应腔室内提供反应气体，利用反应气体来中和正电荷，其中，反应气体可
以为氧气或者臭氧，以下实施例均以氧气为例进行详细的叙述。在此步骤中，需要预先调节
反应腔室的温度以及压力，以使反应腔室内具备激发反应气体的条件，例如，反应腔室内的
温度为20～40℃，反应腔室内的压力为10～30mtorr。

[0099] 待反应腔室内满足上述的条件之后，向反应腔室内通入一定量的氧气作为反应气体，具体地，以20～50sccm的速率向反应腔室内通入氧气，并在功率为50～200W的射频源作
用下，激发氧气，以使氧气形成负氧离子、正氧离子、自由基以及电子。

[0100] 如图10所示，由于相关技术中，金属布线层20是通过静电吸附的方式固定在反应腔室内，在静电吸附的过程中，金属布线层的表面的金属钨会失去电子形成带正电的钨离
‑ n+
子，如W‑ne＝W ，在后续清洗金属布线层的过程，正电荷会与清洗液形成原电池反应，致使
金属布线层形成缺陷。

[0101] 本实施例通过激发氧气产生电子，该电子与正电荷发生中和反应，降低了金属布线层表面的正电荷，如图11所示，由于金属布线层表面的正电荷的量减少，使得正电荷和清
洗液中电子反应的速率减慢，从而降低了金属原电池反应的反应速率，进而降低了金属钨
被腐蚀的风险，提高了金属布线层的导电能力以及半导体结构的性能。

[0102] 此外，负氧离子能够与金属布线层表面的导电材料形成氧化物薄膜，示例性地，氧化物薄膜可以为负氧离子与金属钨形成的氧化钨薄膜，氧化物薄膜可以作为保护膜，在后
续的清洗过程中可以保护导电层不被破坏，进而保证了半导体结构的性能。

[0103] S400：对半导体结构进行灰化处理，去除因刻蚀残留在金属布线层表面的含氟离子的聚合物。

[0104] 由于在刻蚀介质层和导电层的过程通常是采用含氟的气体作为刻蚀气体，这样在金属布线层20的表面会形成含氟离子的聚合物，为了消除含氟离子的聚合物，通常需要对
半导体结构进行灰化处理，以去除因刻蚀残留在金属布线层表面的含氟离子的聚合物，进
而保证后续的清洗效果。

[0105] 在此过程中，灰化处理是在反应腔室内进行的，因此，需要对反应腔室内的压力进行调节，以使反应腔室内达到灰化处理的条件，例如，调节反应腔室内的压力，使之处于200
～500mtorr之间，可以防止反应腔室内的压力过低而影响灰化处理的效果，同时，也可以防
止反应腔室内的压力过大而增加制备半导体结构的生产成本。

[0106] 同时，也需要对反应腔室内的温度进行调节，以使反应腔室内达到灰化处理的条件，例如，灰化处理的温度为250℃。

[0107] 待反应腔室内满足上述的条件之后，向反应腔室内通入一定量的含氟气体作为灰化处理的气体，具体地，以500～3000sccm的速率向反应腔室内通入含氟气体，并在功率为
500～800W高频的射频电源的功率下，对半导体结构进行灰化处理，以去除因刻蚀残留在金
属布线层表面的含氟离子的聚合物。

[0108] 在本实施例中含氟气体可以包括CF4、CHF3或者CF4和CHF3的混合气体。

[0109] S500：对中和正电荷后的金属布线层进行清洗，以去除残留于金属布线层上的杂质。

[0110] 示例性地，利用清洗液对半导体结构进行清洗，以去除残留于金属布线层上的杂质，进而保证金属布线层的清洁度。

[0111] 由于在上述工艺步骤中，通过氧气分解出来的电子来中和金属布线层上残留的正电荷，可以减少金属布线层上的正电荷的量，金属布线层与清洗液的游离的负电荷不会形
成原电池，进而降低了对金属布线层的腐蚀，保证了金属布线层的导电性能。

[0112] 另外，在上述工艺步骤中，氧气还会分解出来负氧离子，负氧离子能够与金属布线层表面的金属钨形成的氧化钨薄膜，氧化钨薄膜可以作为保护膜，在清洗过程中可以保护
导电层不被破坏，进而保证了半导体结构的性能。

[0113] 本发明实施例还提供了一种半导体结构，如图9所示，其包括基底10以及设置在基底10上的金属布线层20，其中，金属布线层20通过上述任一实施例提供的半导体结构的制
造方法制得。

[0114] 本实施例在制备金属布线层的过程，通过向金属布线层提供反应气体，该反应气体发生解离，解离后产生的电子与金属布线层表面的正电荷发生中和反应，从而降低了金
属原电池反应的反应速率进而避免了利用清洗液在清洗金属布线层后形成结构缺陷，提高
了半导体结构的性能。

[0115] 另外，该反应气体能够与金属布线层表面的导电材料形成氧化物薄膜，氧化物薄膜可以作为保护膜，在后续的清洗过程中可以保护导电层不被破坏，进而保证了半导体结
构的性能。

[0116] 本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。

[0117] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体
特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。

[0118] 在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以
合适的方式结合。

[0119] 最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依
然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进
行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术
方案的范围。