本发明提出了一种基于LTCC技术的复合结构双工器，由两个带通滤波器组成，其中一个带通滤波器采用交指加载电容型结构，另一个滤波器采用金属柱加载接地电容结构，两个滤波器采用T型结连接。本发明能使输入信号实现对两个异频信号的合路或单个宽频信号的频段分割，适用于相应微波频段的移动通信、无线通信手持终端等，对电性能、材料一致性、温度稳定性以及对体积有苛刻要求的场合和相应的系统中。
1.一种基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：该双工器主体为LTCC陶瓷基体(Die)，外部结构包括50欧姆阻抗的输入端口(P1)、50欧姆阻抗的第一输出端口(P2)、50欧姆阻抗的第二输出端口(P3)、第一接地端口(Gnd1)、第二接地端口(Gnd2)、第三接地端口(Gnd3)、第一金属屏蔽层(Sd1)、第二金属屏蔽层(Sd2)、第三金属屏蔽层(Sd3)；
所述LTCC陶瓷基体(Die)内部设置两个带通滤波器，一个带通滤波器采用交指加载电容型带通滤波器，另一个滤波器采用金属柱加载接地电容带通滤波器；50欧姆阻抗的输入端口(P1)通过输入耦合线(PL1)连接交指加载电容型带通滤波器和金属柱加载接地电容带通滤波器；
所述交指加载电容型带通滤波器包括第一连接柱(CH1)、第一连接线(PL22)、第一电感谐振线(SL1)、第一上电容加载线(Cr11)、第一下电容加载线(Cr12)、第二电感谐振线(SL2)、第二上电容加载线(Cr21)、第二下电容加载线(Cr22)、第三电感谐振线(SL3)、第三上电容加载线(Cr31)、第三下电容加载线(Cr32)、第四电感谐振线(SL4)、第四上电容加载线(Cr41)、第四下电容加载线(Cr42)、第一级间耦合电容(Z1)、第二级间耦合电容(Z2)、第一输出端口耦合线(PL21)；所述金属柱加载接地电容带通滤波器包括第二连接柱(CH2)、第二连接线(PL32)、第一金属谐振柱(H1)、第一加载电容(C1)、第二金属谐振柱(H2)、第二加载电容(C2)、第三金属谐振柱(H3)、第三加载电容(C3)、第四金属谐振柱(H4)、第四加载电容(C4)、第一级间连接线(CL1)、第二级间连接线(CL2)、第二输出端口耦合线(PL31)；所述输入耦合线(PL1)为“T”形带状线；
输入耦合线(PL1)一端通过第一连接柱(CH1)与第一连接线(PL22)相连，第一连接线(PL22)与第一电感谐振线(SL1)相连，传输第一通带信号；上下相对耦合的第一电感谐振线(SL1)、第一上电容加载线(Cr11)、第一下电容加载线(Cr12)组成第一谐振单元(R1)，其中第一电感谐振线(SL1)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端悬空，第一上电容加载线(Cr11)、第一下电容加载线(Cr12)分别位于第一电感谐振线(SL1)的上下层，第一上电容加载线(Cr11)、第一下电容加载线(Cr12)的一端分别与第二接地端口(Gnd2)相接，另一端悬空；上下相对耦合的第二电感谐振线(SL2)、第二上电容加载线(Cr21)、第二下电容加载线(Cr22)组成第二谐振单元(R2)，其中第二电感谐振线(SL2)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端悬空，第二上电容加载线(Cr21)、第二下电容加载线(Cr22)分别位于第二电感谐振线(SL2)的上下层，第二上电容加载线(Cr21)、第二下电容加载线(Cr22)的一端分别与第二接地端口(Gnd2)相接，另一端悬空；上下相对耦合的第三电感谐振线(SL3)、第三上电容加载线(Cr31)、第三下电容加载线(Cr32)组成第三谐振单元(R3)，其中第三电感谐振线(SL3)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端悬空，第三上电容加载线(Cr31)、第三下电容加载线(Cr32)分别位于第三电感谐振线(SL3)的上下层，第三上电容加载线(Cr31)、第三下电容加载线(Cr32)的一端分别与第二接地端口(Gnd2)相接，另一端悬空；上下相对耦合的第四电感谐振线(SL4)、第四上电容加载线(Cr41)、第四下电容加载线(Cr42)组成第四谐振单元(R4)，其中第四电感谐振线(SL4)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端悬空，第四上电容加载线(Cr41)、第四下电容加载线(Cr42)分别位于第四电感谐振线(SL4)的上下层，第四上电容加载线(Cr41)、第四下电容加载线(Cr42)的一端分别与第二接地端口(Gnd2)相接，另一端悬空；第一级间耦合电容(Z1)为“Z”形带状线，位于上层加载电容线上层，第一级间耦合电容(Z1)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端与第二接地端口(Gnd2)相接；第二级间耦合电容(Z2)为“Z”形带状线，位于下层电容加载线下层，第二级间耦合电容(Z2)一端与第一接地端口(Gnd1)相接，另一端与第二接地端口(Gnd2)相接，第四电感谐振线(SL4)与第一输出端口耦合线(PL21)相连，第一输出端口耦合线(PL21)与第一输出端口(P2)相连，输出第一通带信号；
输入耦合线(PL1)的另一端通过第二连接柱(CH2)与第二连接线(PL32)相连，第二连接线(PL32)与第一加载电容(C1)相连，第一加载电容(C1)与第一金属谐振柱(H1)相连组成第五谐振单元(R5)，其中第一金属谐振柱(H1)与第三金属屏蔽层(Sd3)相连实现接地；第二加载电容(C2)与第二金属谐振柱(H2)相连组成第六谐振单元(R6)，其中第二金属谐振柱(H2)与第三金属屏蔽层(Sd3)相连实现接地；第三加载电容(C3)与第三金属谐振柱(H3)相连组成第七谐振单元(R7)，其中第三金属谐振柱(H3)与第三金属屏蔽层(Sd3)相连实现接地；第四加载电容(C4)与第四金属谐振柱(H4)相连组成第八谐振单元(R8)，其中第四金属谐振柱(H4)与第三金属屏蔽层(Sd3)相连实现接地；第一级间连接线(CL1)一端与第一金属谐振柱(H1)相连，另一端与第二金属谐振柱(H2)相连，调节对应谐振单元之间的耦合；第二级间连接线(CL2)一端与第三金属谐振柱(H3)相连，另一端与第四金属谐振柱(H4)相连，调节对应谐振单元之间的耦合；第四加载电容(C4)与第二输出端口耦合线(PL31)相连，第二输出端口耦合线(PL31)与50欧姆阻抗的第二输出端口(P3)相连输出第二通带信号。
2.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：50欧姆阻抗的输入端口(P1)、50欧姆阻抗的第一输出端口(P2)、50欧姆阻抗的第二输出端口(P3)、第一接地端口(Gnd1)、第二接地端口(Gnd2)、第三接地端口(Gnd3)、第一金属屏蔽层(Sd1)、第二金属屏蔽层(Sd2)、第三金属屏蔽层(Sd3)、输入耦合线(PL1)、第一连接柱(CH1)、第二连接柱(CH2)、第一连接线(PL22)、第二连接线(PL32)、第一谐振单元(R1)、第二谐振单元(R2)、第三谐振单元(R3)、第四谐振单元(R4)、第一级间耦合电容(Z1)、第二级间耦合电容(Z2)、第五谐振单元(R5)、第六谐振单元(R6)、第七谐振单元(R7)、第八谐振单元(R8)、第一级间连接线(CL1)、第二级间连接线(CL2)、第一输出端口耦合线(PL21)、第二输出端口耦合线(PL31)均为金属银材料。
3.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：第一金属屏蔽层(Sd1)、第二金属屏蔽层(Sd2)、第三金属屏蔽层(Sd3)为挖有方块的银层，与第一接地端口(Gnd1)、第二接地端口(Gnd2)、第三接地端口(Gnd3)相连，为谐振单元形成屏蔽环境。
4.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：50欧姆阻抗的输入端口(P1)、50欧姆阻抗的第一输出端口(P2)、50欧姆阻抗的第二输出端口(P3)、第一接地端口(Gnd1)、第二接地端口(Gnd2)、第三接地端口(Gnd3)覆盖镶嵌在LTCC陶瓷基体(Die)表面，第一金属屏蔽层(Sd1)、第二金属屏蔽层(Sd2)、第三金属屏蔽层(Sd3)、输入耦合线(PL1)、第一连接柱(CH1)、第二连接柱(CH2)、第一连接线(PL22)、第二连接线(PL32)、第一谐振单元(R1)、第二谐振单元(R2)、第三谐振单元(R3)、第四谐振单元(R4)、第一级间耦合电容(Z1)、第二级间耦合电容(Z2)、第五谐振单元(R5)、第六谐振单元(R6)、第七谐振单元(R7)、第八谐振单元(R8)、第一级间连接线(CL1)、第二级间连接线(CL2)、第一输出端口耦合线(PL21)、第二输出端口耦合线(PL31)印制在LTCC陶瓷基体(Die)内部。
5.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：第一谐振单元(R1)与第四谐振单元(R4)相对称，大小尺寸相等，第二谐振单元(R2)与第三谐振单元(R3)相对称，大小尺寸相等，第五谐振单元(R5)与第八谐振单元(R8)相对称，大小尺寸相等，第六谐振单元(R6)与第七谐振单元(R7)相对称，大小尺寸相等。
6.根据权利要求1所述的基于LTCC技术的复合结构双工器，其特征在于：第一级间耦合电容(Z1)两臂分别位于第一谐振单元(R1)与第四谐振单元(R4)上方，第二级间耦合电容(Z2)与第一级间耦合电容(Z1)上下反对称，两臂分别位于第一谐振单元(R1)与第四谐振单元(R4)下方。
一种基于LTCC技术的复合结构双工器
技术领域
[0001] 本发明涉及微波技术领域，具体涉及一种基于LTCC技术的复合结构双工器。
背景技术
[0002] 微波双工器是一种广泛应用于无线电接收机三端口微波器件，能实现对两个异频信号的合路或单个宽频信号分割成两个频段信号。其技术指标主要有：工作频段、工作频段内插入损耗、工作频段内回波损耗、带外抑制、输出端隔离度等，另外，双工器的温度稳定性、体积、重量等也是衡量其性能的重要指标。
[0003] 近年来，微波射频领域发展迅速，特别是研制高性能、低成本和小型化的微波器件已经成为目前微波技术领域的发展方向之一。低温共烧陶瓷技术（LTCC）是一种无源集成的主流技术之一，其采用多层陶瓷技术，将无源元件内置于介质基板内部，也可以将有源元件贴装于基板表面制成无源/有源集成的功能模块。利用LTCC制备无源集成器件和模块有许多优点，由于陶瓷材料具有较高的介电常数，并且采用多层布线与封装一体化结构使得器件具有较大的体积优势，具有高品质因数，还可以提高对高温、高湿等恶劣环境的适应性，提高可靠性。现有基于LTCC技术的双工器，由双交指加载电容型带通滤波器组成的双工器，其T型匹配电路较为复杂，不利于加工生产。
发明内容
[0004] 本发明的目的在于提出一种基于LTCC技术的复合结构双工器。
[0005] 实现本发明目的的技术解决方案为：一种基于LTCC技术的复合结构双工器，该双工器主体为LTCC陶瓷基体，外部结构包括50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的第一输出端口、50欧姆阻抗的第二输出端口、第一接地端口、第二接地端口、第三接地端口、第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层、第三金属屏蔽层；
[0006] 所述LTCC陶瓷基体内部设置两个带通滤波器，一个带通滤波器采用交指加载电容型带通滤波器，另一个滤波器采用金属柱加载接地电容带通滤波器；50欧姆阻抗的输入端口通过输入耦合线连接交指加载电容型带通滤波器和金属柱加载接地电容型滤波器；
[0007] 所述交指加载电容型带通滤波器包括第一连接柱、第一连接线、第一电感谐振线、第一上电容加载线、第一下电容加载线、第二电感谐振线、第二上电容加载线、第二下电容加载线、第三电感谐振线、第三上电容加载线、第三下电容加载线、第四电感谐振线、第四上电容加载线、第四下电容加载线、第一级间耦合电容、第二级间耦合电容、第一输出端口耦合线；所述金属柱加载接地电容型滤波器包括第二连接柱、第二连接线、第一金属谐振柱、第一加载电容、第二金属谐振柱、第二加载电容、第三金属谐振柱、第三加载电容、第四金属谐振柱、第四加载电容、第一级间连接线、第二级间连接线、第二输出端口耦合线；所述输入耦合线为“T”形带状线；
[0008] 输入耦合线一端通过第一连接柱与第一连接线相连，第一连接线与第一电感谐振线相连，传输第一通带信号；上下相对耦合的第一电感谐振线、第一上电容加载线、第一下电容加载线组成第一谐振单元，其中第一电感谐振线一端与第一接地端口相接，另一端悬空，第一上电容加载线、第一下电容加载线分别位于第一电感谐振线的上下层，第一上电容加载线、第一下电容加载线的一端分别与第二接地端口相接，另一端悬空；上下相对耦合的第二电感谐振线、第二上电容加载线、第二下电容加载线组成第二谐振单元，其中第二电感谐振线一端与第一接地端口相接，另一端悬空，第二上电容加载线、第二下电容加载线分别位于第二电感谐振线的上下层，第二上电容加载线、第二下电容加载线的一端分别与第二接地端口相接，另一端悬空；上下相对耦合的第三电感谐振线、第三上电容加载线、第三下电容加载线组成第三谐振单元，其中第三电感谐振线一端与第一接地端口相接，另一端悬空，第三上电容加载线、第三下电容加载线分别位于第三电感谐振线的上下层，第三上电容加载线、第三下电容加载线的一端分别与第二接地端口相接，另一端悬空；上下相对耦合的第四电感谐振线、第四上电容加载线、第四下电容加载线组成第四谐振单元，其中第四电感谐振线一端与第一接地端口相接，另一端悬空，第四上电容加载线、第四下电容加载线分别位于第四电感谐振线的上下层，第四上电容加载线、第四下电容加载线的一端分别与第二接地端口相接，另一端悬空；第一级间耦合电容为“Z”形带状线，位于上层加载电容线上层，第一级间耦合电容一端与第一接地端口相接，另一端与第二接地端口相接；第二级间耦合电容为“Z”形带状线，位于下层电容加载线下层，第二级间耦合电容一端与第一接地端口相接，另一端与第二接地端口相接，第四电感谐振线与第一输出端口耦合线相连，第一输出端口耦合线与第一输出端口相连，输出第一通带信号；
[0009] 输入耦合线的另一端通过第二连接柱与第二连接线相连，第二连接线与第一加载电容相连，第一加载电容与第一金属谐振柱相连组成第五谐振单元，其中第一金属谐振柱与第三金属屏蔽层相连实现接地；第二加载电容与第二金属谐振柱相连组成第六谐振单元，其中第二金属谐振柱与第三金属屏蔽层相连实现接地；第三加载电容与第三金属谐振柱相连组成第七谐振单元，其中第三金属谐振柱与第三金属屏蔽层相连实现接地；第四加载电容与第四金属谐振柱相连组成第八谐振单元，其中第四金属谐振柱与第三金属屏蔽层相连实现接地；第一级间连接线一端与第一金属谐振柱相连，另一端与第二金属谐振柱相连，调节对应谐振单元之间的耦合；第二级间连接线一端与第三金属谐振柱相连，另一端与第四金属谐振柱相连，调节对应谐振单元之间的耦合；第四加载电容与第二输出端口耦合线相连，第二输出端口耦合线与50欧姆阻抗的第二输出端口相连输出第二通带信号。
[0010] 进一步的，50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的第一输出端口、50欧姆阻抗的第二输出端口、第一接地端口、第二接地端口、第三接地端口、第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层、第三金属屏蔽层、输入耦合线、第一连接柱、第二连接柱、第一连接线、第二连接线、第一谐振单元、第二谐振单元、第三谐振单元、第四谐振单元、第一级间耦合电容、第二级间耦合电容、第五谐振单元、第六谐振单元、第七谐振单元、第八谐振单元、第一级间连接线、第二级间连接线、第一输出端口耦合线、第二输出端口耦合线均为金属银材料。
[0011] 进一步的，第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层、第三金属屏蔽层为挖有方块的银层，与第一接地端口、第二接地端口、第三接地端口三相连，为谐振单元形成屏蔽环境。
[0012] 进一步的，50欧姆阻抗的输入端口、50欧姆阻抗的第一输出端口、50欧姆阻抗的第二输出端口、第一接地端口、第二接地端口、第三接地端口覆盖镶嵌在LTCC陶瓷基体表面，第一金属屏蔽层、第二金属屏蔽层、第三金属屏蔽层、输入耦合线、第一连接柱、第二连接柱、第一连接线、第二连接线、第一谐振单元、第二谐振单元、第三谐振单元、第四谐振单元、第一级间耦合电容、第二级间耦合电容、第五谐振单元、第六谐振单元、第七谐振单元、第八谐振单元、第一级间连接线、第二级间连接线、第一输出端口耦合线、第二输出端口耦合线印制在LTCC陶瓷基体内部。
[0013] 进一步的，第一谐振单元与第四谐振单元相对称，大小尺寸相等，第二谐振单元与第三谐振单元相对称，大小尺寸相等，第五谐振单元与第八谐振单元相对称，大小尺寸相等，第六谐振单元与第七谐振单元相对称，大小尺寸相等。
[0014] 进一步的，第一级间耦合电容两臂分别位于第一谐振单元与第四谐振单元上方，第二级间耦合电容与第一级间耦合电容上下反对称，两臂分别位于第一谐振单元与第四谐振单元下方。
[0015] 本发明与现有技术相比，其显著优点为：采用的加工工艺是低温共烧陶瓷技术，具备的体积小、成本低、可靠性高、温度稳定性好、电性能高、一致性好、精度高等其他加工工艺所不具备的优点。另外，本发明针对双工器的的两个通带使用了不同的谐振单元结构，使得相互之间的耦合干扰较小，发明实现结构更加简单，易于加工实现。
附图说明
[0016] 图1是本发明基于LTCC技术的复合结构双工器的内部结构示意图。
[0017] 图2是本发明基于LTCC技术的复合结构双工器的谐振单元组成图。
[0018] 图3本发明基于LTCC技术的复合结构双工器的通带滤波部分示意图，其中（a）是第一通带滤波部分示意图，（b）是第二通带滤波部分示意图。
[0019] 图4是本发明基于LTCC技术的复合结构双工器输出端口插入损耗和输入反射损耗曲线图。
具体实施方式
[0020] 为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0021] 结合图1、图2、图3（a）、图3（b），一种基于LTCC技术的复合结构双工器，包括LTCC陶瓷基体Die、50欧姆阻抗的输入端口P1、50欧姆阻抗的第一输出端口P2、50欧姆阻抗的第二输出端口P3、第一接地端口Gnd1、第二接地端口Gnd2、第三接地端口Gnd3、第一金属屏蔽层Sd1、第二金属屏蔽层Sd2、第三金属屏蔽层Sd3、输入耦合线PL1、第一连接柱CH1、第二连接柱CH2、第一连接线PL22、第二连接线PL32、第一电感谐振线SL1、第一上电容加载线Cr11、第一下电容加载线Cr12、第二电感谐振线SL2、第二上电容加载线Cr21、第二下电容加载线Cr22、第三电感谐振线SL3、第三上电容加载线Cr31、第三下电容加载线Cr32、第四电感谐振线SL4、第四上电容加载线Cr41、第四下电容加载线Cr42、第一级间耦合电容Z1、第二级间耦合电容Z2、第一金属谐振柱H1、第一加载电容C1、第二金属谐振柱H2、第二加载电容C2、第三金属谐振柱H3、第三加载电容C3、第四金属谐振柱H4、第四加载电容C4、第一级间连接线CL1、第二级间连接线CL2、第一输出端口耦合线PL21、第二输出端口耦合线PL31。
[0022] 结合图1、图2、图3（a）、图3（b），50欧姆阻抗的输入端口P1与输入耦合线PL1一端相连，输入耦合线PL1为“T”形带状线，其中一端通过第一连接柱CH1与第一连接线PL22相连，第一连接线PL22与第一电感谐振线SL1相连，传输第一通带信号。上下相对耦合的第一电感谐振线SL1、第一上电容加载线Cr11、第一下电容加载线Cr12组成第一谐振单元R1，其中第一电感谐振线SL1一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端悬空，第一上电容加载线Cr11、第一下电容加载线Cr12分别位于第一电感谐振线SL1的上下层，第一上电容加载线Cr11、第一下电容加载线Cr12的一端分别与第二接地端口Gnd2相接，另一端悬空；上下相对耦合的第二电感谐振线SL2、第二上电容加载线Cr21、第二下电容加载线Cr22组成第二谐振单元R2，其中第二电感谐振线SL2一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端悬空，第二上电容加载线Cr21、第二下电容加载线Cr22分别位于第二电感谐振线SL2的上下层，第二上电容加载线Cr21、第二下电容加载线Cr22的一端分别与第二接地端口Gnd2相接，另一端悬空；上下相对耦合的第三电感谐振线SL3、第三上电容加载线Cr31、第三下电容加载线Cr32组成第三谐振单元R3，其中第三电感谐振线SL3一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端悬空，第三上电容加载线Cr31、第三下电容加载线Cr32分别位于第三电感谐振线SL3的上下层，第三上电容加载线Cr31、第三下电容加载线Cr32的一端分别与第二接地端口Gnd2相接，另一端悬空；上下相对耦合的第四电感谐振线SL4、第四上电容加载线Cr41、第四下电容加载线Cr42组成第四谐振单元R4，其中第四电感谐振线SL4一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端悬空，第四上电容加载线Cr41、第四下电容加载线Cr42分别位于第四电感谐振线SL4的上下层，第四上电容加载线Cr41、第四下电容加载线Cr42的一端分别与第二接地端口Gnd2相接，另一端悬空。第一级间耦合电容Z1为“Z”形带状线，位于上层加载电容线上层，第一级间耦合电容Z1一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端与第二接地端口Gnd2相接；第二级间耦合电容Z2为“Z”形带状线，位于下层电容加载线下层，第二级间耦合电容Z2一端与第一接地端口Gnd1相接，另一端与第二接地端口Gnd2相接。第四电感谐振线SL4与第一输出端口耦合线PL21相连，第一输出端口耦合线PL21与第一输出端口P2相连，输出第一通带信号。输入耦合线PL1的另一端通过第二连接柱H2与第二连接线PL32相连，第二连接线PL32与第一加载电容C1相连。第一加载电容C1与第一金属谐振柱H1相连组成第五谐振单元R5，其中第一金属谐振柱H1与第三金属屏蔽层Sd3相连实现接地；第二加载电容C2与第二金属谐振柱H2相连组成第六谐振单元R6，其中第二金属谐振柱H2与第三金属屏蔽层Sd3相连实现接地；第三加载电容C3与第三金属谐振柱H3相连组成第七谐振单元R7，其中第三金属谐振柱H3与第三金属屏蔽层Sd3相连实现接地；第四加载电容C4与第四金属谐振柱H4相连组成第八谐振单元R8，其中第四金属谐振柱H4与第三金属屏蔽层Sd3相连实现接地。第一级间连接线CL1一端与第一金属谐振柱H1相连，另一端与第二金属谐振柱H2相连，调节对应谐振单元之间的耦合；第二级间连接线CL2一端与第三金属谐振柱H3相连，另一端与第四金属谐振柱H4相连，调节对应谐振单元之间的耦合。第四加载电容C4与第二输出端口耦合线PL31相连，第二输出端口耦合线PL31与50欧姆阻抗的第二输出端口P3相连输出第二通带信号。
[0023] 结合图1，第一金属屏蔽层Sd1、第二金属屏蔽层Sd2、第三金属屏蔽层Sd3为挖有小方块的银层，与第一接地端口Gnd1、第二接地端口Gnd2、第三接地端口Gnd3相连，为谐振单元形成屏蔽环境，同时挖有空缺可以使金属银材料和陶瓷材料有效粘结在一起，不易剥离。
[0024] 50欧姆阻抗的输入端口P1、50欧姆阻抗的第一输出端口P2、50欧姆阻抗的第二输出端口P3、第一接地端口Gnd1、第二接地端口Gnd2、第三接地端口Gnd3、第一金属屏蔽层Sd1、第二金属屏蔽层Sd2、第三金属屏蔽层Sd3、输入耦合线PL1、第一连接柱CH1、第二连接柱CH2、第一连接线PL22、第二连接线PL32、第一谐振单元R1、第二谐振单元R2、第三谐振单元R3、第四谐振单元R4、第一级间耦合电容Z1、第二级间耦合电容Z2、第五谐振单元R5、第六谐振单元R6、第七谐振单元R7、第八谐振单元R8、第一级间连接线CL1、第二级间连接线CL2、第一输出端口耦合线PL21、第二输出端口耦合线PL31均为金属银材料实现，采用多层低温共烧陶瓷工艺实现。结合图1、图2、图3（a）、图3（b），50欧姆阻抗的输入端口P1、50欧姆阻抗的第一输出端口P2、50欧姆阻抗的第二输出端口P3、第一接地端口Gnd1、第二接地端口Gnd2、第三接地端口Gnd3覆盖镶嵌在LTCC陶瓷基体Die表面。第一金属屏蔽层Sd1、第二金属屏蔽层Sd2、第三金属屏蔽层Sd3、输入耦合线PL1、第一连接柱CH1、第二连接柱CH2、第一连接线PL22、第二连接线PL32、第一谐振单元R1、第二谐振单元R2、第三谐振单元R3、第四谐振单元R4、第一级间耦合电容Z1、第二级间耦合电容Z2、第五谐振单元R5、第六谐振单元R6、第七谐振单元R7、第八谐振单元R8、第一级间连接线CL1、级间连接线二CL2、第一输出端口耦合线PL21、第二输出端口耦合线PL31印制在LTCC陶瓷基体Die内部。
[0025] 本发明采用多层低温共烧陶瓷工艺实现，其所使用的金属图形和低温共烧陶瓷材料在900℃的环境烧结而成，因而具有较高的温度稳定性和可靠性。由于结构采用三维立体集成和多层折叠结构可以实现内部结构紧凑，使得产品体积达到最小，成本降到最低。实施例
[0026] 为了验证本发明方案的有效性，进行如下仿真实验。
[0027] 本实施例双工器通过HFSS三维立体建模仿真设计，基于LTCC技术的复合结构双工器，其体积相对较小，仅为2.4mm*8.4mm*1.6mm，采用的陶瓷材料介电常数为27，内部金属银层厚度均为0.01mm，关键尺寸长度：电感谐振线宽带均为0.2mm，其中第一电感谐振线SL1与第四电感谐振线SL4长度相等为1.95mm，第二电感谐振线SL2与第三电感谐振线SL3长度相等为2.05mm，电容加载线宽度均为0.28mm，其中第一上电容加载线Cr11、第一下电容加载线Cr12与第四上电容加载线Cr41、第四下电容加载线Cr42长度相等为2 mm，第二上电容加载线Cr21、第二下电容加载线Cr22与第三上电容加载线Cr31、第三下电容加载线Cr32长度相等为2.15 mm，第一金属谐振柱H1、第二金属谐振柱H2、第三金属谐振柱H3、第四金属谐振柱H4尺寸相同，半径为0.09mm，高度为0.93mm，第一加载电容C1、第二加载电容C2、第三加载电容C3与第四加载电容C4尺寸相同，长宽为1.2mm×0.5mm。
[0028] 分析上述复合结构双工器性能如图4所示，可以看出，第一通带带宽为3.2GHz~3.8GHz，第二通带为5.1GHz 5.9GHz，输入端口及各输出端口回波损耗优于10dB，插入损耗~
优于1.8dB，性能可以满足大部分双工器产品需求。
[0029] 以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0030] 以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
