用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法转让专利
申请号 : CN202110202180.1
文献号 : CN112946451B
文献日 : 2021-11-02
发明人 : 杨艺烜 , 刘杉 , 庞辉 , 李学宝 , 赵志斌 , 崔翔
申请人 : 全球能源互联网研究院有限公司 , 华北电力大学
摘要 :
权利要求 :
1.一种IGBT器件可靠性试验装置,其特征在于,包括:第一试验电路、第一供能电路、第二试验电路、第二供能电路和驱动脉冲生成器;
所述第一试验电路,具体包括:
第一待测器件、第一电感、第一预开通续流回路开关、第一续流二极管、第一续流二极管开关、第一预关断续流回路开关和第一预关断续流回路二极管;
所述第一预开通续流回路开关的集电极与所述第一续流二极管的阴极连接,所述第一预开通续流回路开关的发射极、所述第一电感的一端、所述第一预关断续流回路二极管的阴极连接在一起,所述第一续流二极管的阳极和所述第一续流二极管开关的一端连接,所述第一续流二极管开关的另一端、所述第一电感的另一端、所述第一待测器件的集电极连接在一起,所述第一预关断续流回路二极管的阳极与所述第一预关断续流回路开关的发射极连接,所述第一预关断续流回路开关的集电极与所述第一待测器件的发射极连接;所述第一待测器件为IGBT器件;
所述第二试验电路,具体包括:
第二待测器件、第二电感、第二预开通续流回路开关、第二续流二极管、第二续流二极管开关、第二预关断续流回路开关和第二预关断续流回路二极管;
所述第二预开通续流回路开关的集电极与所述第二续流二极管的阴极连接,所述第二预开通续流回路开关的发射极、所述第二电感的一端、所述第二预关断续流回路二极管的阴极连接在一起,所述第二续流二极管的阳极和所述第二续流二极管开关的一端连接,所述第二续流二极管开关的另一端、所述第二电感的另一端、所述第二待测器件的集电极连接在一起,所述第二预关断续流回路二极管的阳极与所述第二预关断续流回路开关的发射极连接,所述第二预关断续流回路开关的集电极与所述第二待测器件的发射极连接;所述第二待测器件为IGBT器件;
所述第一供能电路,具体包括:
第一正极开关、第一负极开关和第一电容;
所述第一正极开关的一端与所述第一续流二极管的阴极连接,所述第一正极开关的另一端与所述第一电容的一端连接,所述第一电容的另一端与所述第一待测器件的发射极连接;所述第一负极开关的一端与所述第二待测器件的发射极连接,所述第一负极开关的另一端与所述第一电容的一端连接;
所述第二供能电路,具体包括:
第二正极开关、第二负极开关和第二电容;
所述第二正极开关的一端与所述第一续流二极管的阴极连接,所述第二正极开关的另一端与所述第二电容的一端连接,所述第二电容的另一端分别与所述第二续流二极管的阴极和所述第一电容的另一端连接;所述第二负极开关的一端与所述第二待测器件的发射极连接,所述第二负极开关的另一端与所述第二电容的一端连接;
所述驱动脉冲生成器分别与所述第一预开通续流回路开关的栅极、所述第一待测器件的栅极、所述第一预关断续流回路开关的栅极、所述第二预开通续流回路开关的栅极、所述第二待测器件的栅极、所述第二预关断续流回路开关的栅极、所述第一续流二极管开关、所述第二续流二极管开关、所述第一正极开关、所述第一负极开关、所述第二正极开关和所述第二负极开关连接;
在满足第一开关组合条件或者第二开关组合条件,并且所述第一预开通续流回路开关导通、所述第一续流二极管开关闭合、所述第一预关断续流回路开关关断、所述第二预开通续流回路开关导通、所述第二续流二极管开关闭合、所述第二预关断续流回路开关关断、所述第一电容的电压绝对值和所述第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,所述驱动脉冲生成器控制所述第一待测器件和所述第二待测器件导通;其中,所述第一开关组合条件为所述第一正极开关闭合且所述第一负极开关断开且所述第二负极开关闭合且所述第二正极开关断开;所述第二开关组合条件为所述第一负极开关闭合且所述第一正极开关断开且所述第二负极开关断开且所述第二正极开关闭合;
在所述第一待测器件和所述第二待测器件导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关断开;
在所述第一待测器件和所述第二待测器件导通时间达到预设导通时间后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通,并在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断后,进行第一开关组合转换操作或进行第二开关组合转换操作,所述驱动脉冲生成器控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一待测器件和所述第二待测器件关断;所述第一开关组合转换操作为所述驱动脉冲生成器控制所述第一负极开关由断开转为闭合且所述第一正极开关由闭合转为断开且所述第二负极开关由闭合转为断开且所述第二正极开关由断开转为闭合;所述第二开关组合转换操作为所述驱动脉冲生成器控制所述第一负极开关由闭合转为断开且所述第一正极开关由断开转为闭合且所述第二负极开关由断开转为闭合且所述第二正极开关由闭合转为断开;
在所述第一待测器件和所述第二待测器件关断后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件可靠性试验装置,其特征在于,所述第一待测器件,具体包括:
第一IGBT;
所述第一IGBT的集电极与所述第一电感的另一端连接,所述第一IGBT的发射极与所述第一电容的另一端连接,第一IGBT的栅极与所述驱动脉冲生成器连接;
所述第二待测器件,具体包括:
第二IGBT;
所述第二IGBT的集电极与所述第二电感的另一端连接,所述第二IGBT的发射极与所述第二预关断续流回路开关的集电极连接,所述第二IGBT的栅极与所述驱动脉冲生成器连接。
3.根据权利要求1所述的IGBT器件可靠性试验装置,其特征在于,所述第一待测器件,具体包括:
第一IGBT和第三IGBT;
所述第一IGBT和所述第三IGBT的集电极均与所述第一电感的另一端连接,所述第一IGBT和所述第三IGBT的发射极均与所述第一电容的另一端连接,所述第一IGBT和所述第三IGBT的栅极均与所述驱动脉冲生成器连接;
所述第二待测器件,具体包括:
第二IGBT和第四IGBT;
所述第二IGBT和所述第四IGBT的集电极均与所述第二电感的另一端连接,所述第二IGBT和所述第四IGBT的发射极均与所述第二预关断续流回路开关的集电极连接,所述第二IGBT和所述第四IGBT的栅极均与所述驱动脉冲生成器连接。
4.根据权利要求1所述的IGBT器件可靠性试验装置,其特征在于,还包括:供电装置、第一供电开关和第二供电开关;
所述第一供电开关的集电极与所述供电装置的一端连接,所述第一供电开关的发射极与所述第一电容的一端连接,所述第一供电开关的栅极与所述驱动脉冲生成器连接;所述供电装置的另一端与所述第一预关断续流回路开关的集电极连接;
所述第二供电开关的集电极与所述供电装置的一端连接,所述第二供电开关的发射极与所述第二电容的一端连接,所述第二供电开关的栅极与所述驱动脉冲生成器连接;
所述驱动脉冲生成器用于在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断后,在所述第一电容带有正极性电压时,控制所述第一供电开关导通,并在所述第一电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制所述第一供电开关关断;所述驱动脉冲生成器还用于在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断后,在所述第二电容带有正极性电压时,控制所述第二供电开关导通,在所述第二电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制所述第二供电开关关断。
5.一种IGBT器件可靠性试验系统,其特征在于,包括:测量装置和如权利要求1‑4任一项所述的IGBT器件可靠性试验装置;
所述测量装置分别与所述IGBT器件可靠性试验装置中的第一待测器件和第二待测器件连接;
所述测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的应力。
6.根据权利要求5所述的IGBT器件可靠性试验系统,其特征在于,所述测量装置,具体包括:
电应力测量装置和热应力测量装置;
所述电应力测量装置分别与所述第一待测器件和所述第二待测器件连接;所述电应力测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的电应力;
所述热应力测量装置分别与所述第一待测器件和所述第二待测器件连接;所述热应力测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的热应力。
7.根据权利要求6所述的IGBT器件可靠性试验系统,其特征在于,所述电应力测量装置,具体包括:
电压测量装置和电流测量装置;
所述电压测量装置与所述第一待测器件的集电极和发射极连接,所述电压测量装置还与所述第二待测器件的集电极和发射极连接;所述电压测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的电压;
所述电流测量装置分别与所述第一待测器件的发射极和所述第二待测器件的发射极连接;所述电流测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的电流;
所述热应力测量装置,具体包括:
温度测量装置;
所述温度测量装置的非接触式传感探头对准所述第一待测器件的集电极和所述第二待测器件的集电极,所述温度测量装置的接触式传感探头放置在所述第一待测器件的外壳上和所述第二待测器件的外壳上;所述温度测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的温度。
8.一种IGBT器件可靠性试验方法,其特征在于,应用于如权利要求1‑4任一项所述的IGBT器件可靠性试验装置,所述方法包括:在第一正极开关闭合、第一负极开关断开、第二负极开关闭合、第二正极开关断开、第一预开通续流回路开关导通、第一续流二极管开关闭合、第一预关断续流回路开关关断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,驱动脉冲生成器控制第一IGBT和第二IGBT导通;
在所述第一IGBT和所述第二IGBT导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关断开;
在所述第一IGBT和所述第二IGBT导通时间达到预设导通时间后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通,并在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一负极开关闭合、所述第一正极开关断开、所述第二负极开关断开、所述第二正极开关闭合,并控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一IGBT和所述第二IGBT关断;
在所述第一IGBT和所述第二IGBT关断后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断。
9.根据权利要求8所述的IGBT器件可靠性试验方法,其特征在于,还包括:在第一正极开关断开、第一负极开关闭合、第二负极开关断开、第二正极开关闭合、第一预开通续流回路开关导通、第一续流二极管开关闭合、第一预关断续流回路开关关断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,驱动脉冲生成器控制第三IGBT和第四IGBT导通;
在所述第三IGBT和所述第四IGBT导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关断开;
在所述第三IGBT和所述第四IGBT导通时间达到预设导通时间后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通,并在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一负极开关断开、所述第一正极开关闭合、所述第二负极开关闭合、所述第二正极开关断开,并控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第三IGBT和所述第四IGBT关断;
在所述第三IGBT和所述第四IGBT关断后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通;
在所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关导通后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断。
10.根据权利要求8所述的IGBT器件可靠性试验方法,其特征在于,在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关关断,之后还包括:当所述第一电容带有正极性电压时,所述驱动脉冲生成器控制第一供电开关导通;
在第一电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,所述驱动脉冲生成器控制所述第一供电开关关断;
当所述第二电容带有正极性电压时,控制所述第二供电开关导通;
在第二电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,所述驱动脉冲生成器控制所述第二供电开关关断。
说明书 :
用于MMC的IGBT器件可靠性试验装置、系统及方法
技术领域
背景技术
件的可靠性决定了MMC的可靠性。因此,在设计MMC时,需要对应用其中的功率半导体器件进
行可靠性试验。
发明内容
管的阴极连接在一起,所述第一续流二极管的阳极和所述第一续流二极管开关的一端连
接,所述第一续流二极管开关的另一端、所述第一电感的另一端、所述第一待测器件的集电
极连接在一起,所述第一预关断续流回路二极管的阳极与所述第一预关断续流回路开关的
发射极连接,所述第一预关断续流回路开关的集电极与所述第一待测器件的发射极连接;
所述第一待测器件为IGBT器件;
管的阴极连接在一起,所述第二续流二极管的阳极和所述第二续流二极管开关的一端连
接,所述第二续流二极管开关的另一端、所述第二电感的另一端、所述第二待测器件的集电
极连接在一起,所述第二预关断续流回路二极管的阳极与所述第二预关断续流回路开关的
发射极连接,所述第二预关断续流回路开关的集电极与所述第二待测器件的发射极连接;
所述第二待测器件为IGBT器件;
极连接;所述第一负极开关的一端与所述第二待测器件的发射极连接,所述第一负极开关
的另一端与所述第一电容的一端连接;
的阴极和所述第一电容的另一端连接;所述第二负极开关的一端与所述第二待测器件的发
射极连接,所述第二负极开关的另一端与所述第二电容的一端连接;
所述第二待测器件的栅极、所述第二预关断续流回路开关的栅极、所述第一续流二极管开
关、所述第二续流二极管开关、所述第一正极开关、所述第一负极开关、所述第二正极开关
和所述第二负极开关连接;
开通续流回路开关导通、所述第二续流二极管开关闭合、所述第二预关断续流回路开关关
断、所述第一电容的电压绝对值和所述第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的
工作电压时,所述驱动脉冲生成器控制所述第一待测器件和所述第二待测器件导通;其中,
所述第一开关组合条件为所述第一正极开关闭合且所述第一负极开关断开且所述第二负
极开关闭合且所述第二正极开关断开;所述第二开关组合条件为所述第一负极开关闭合且
所述第一正极开关断开且所述第二负极开关断开且所述第二正极开关闭合;
在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,控制所述第一预
开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
流二极管开关和所述第二续流二极管开关闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一
待测器件和所述第二待测器件关断;所述第一开关组合转换操作为所述驱动脉冲生成器控
制所述第一负极开关由断开转为闭合且所述第一正极开关由闭合转为断开且所述第二负
极开关由闭合转为断开且所述第二正极开关由断开转为闭合;所述第二开关组合转换操作
为所述驱动脉冲生成器控制所述第一负极开关由闭合转为断开且所述第一正极开关由断
开转为闭合且所述第二负极开关由断开转为闭合且所述第二正极开关由闭合转为断开;
连接。
三IGBT的栅极均与所述驱动脉冲生成器连接;
二IGBT和所述第四IGBT的栅极均与所述驱动脉冲生成器连接。
所述供电装置的另一端与所述第一预关断续流回路开关的集电极连接;
所述第一电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制所述第一供电开关关断;
所述驱动脉冲生成器还用于在所述第一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路
开关关断后,在所述第二电容带有正极性电压时,控制所述第二供电开关导通,在所述第二
电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制所述第二供电开关关断。
下,所述第一待测器件和所述第二待测器件的电压;
件的电流。
外壳上和所述第二待测器件的外壳上;所述温度测量装置用于测量在MMC工况下,所述第一
待测器件和所述第二待测器件的温度。
断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关
断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压
时,驱动脉冲生成器控制第一IGBT和第二IGBT导通;
一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,控制所述第一预开通续流
回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
开、所述第二正极开关闭合,并控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关
闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第一IGBT和所述第二IGBT关断;
断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关
断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压
时,驱动脉冲生成器控制第三IGBT和第四IGBT导通;
一预关断续流回路开关和所述第二预关断续流回路开关导通后,所述驱动脉冲生成器控制
所述第一预开通续流回路开关和所述第二预开通续流回路开关关断;
合、所述第二正极开关断开,并控制所述第一续流二极管开关和所述第二续流二极管开关
闭合,然后,所述驱动脉冲生成器控制所述第三IGBT和所述第四IGBT关断;
处于MMC工况中的IGBT器件进行可靠性试验,在进行可靠性试验时,首先需要第一电容和第
二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压,然后通过电感和电容的谐振作
用,使IGBT器件的通态电流符合MMC工况应力特点,同时通过电容切换,使得IGBT器件的开
关瞬态符合MMC工况应力特点,进而实现对处于工作状态的IGBT进行可靠性评估。在IGBT完
成一个试验周期后,电容的极性发生改变,通过正极开关和负极开关的转换,使得IGBT获得
关断电压,在IGBT关断后,只需给电容补充损耗的电压即可快速达到IGBT器件的工作电压,
满足IGBT进行下一试验周期的需求。本发明的装置能够持续使IGBT在MMC工况下工作,能够
对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。另
外,本发明的装置仅需2个电容,能够提高元件利用率,同时降低了装置成本。
时间可以由另一个IGBT进行可靠性试验,这样,本发明的装置便可一次性对4个IGBT进行测
量,大大提高了测量效率。
通过对IGBT器件进行可靠性评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
题。
IGBT进行可靠性试验,通过持续使IGBT在MMC工况下工作,能够对一对IGBT器件进行可靠性
评估,避免因IGBT的可靠性不高导致MMC无法正常工作的问题。
过一次性对4个IGBT进行测量,大大提高了测量效率。
试验,无需人工干预,节省了人力。
附图说明
例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图
获得其他的附图。
第一预关断续流回路开关,DUT1为第一IGBT,DUT1’为第二IGBT,DUT2为第三IGBT,DUT2’为
第四IGBT,Ton’为第二预开通续流回路开关,D’为第二续流二极管,SD’为第二续流二极管开
关,L’为第二电感,Toff’为第二预关断续流回路开关,Doff’为第二预关断续流回路二极管,
C1为第一电容,SC1为第一正极开关,SC1’为第一负极开关,C2为第二电容,SC2为第二正极开
关,SC2’为第二负极开关。
具体实施方式
本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他
实施例,都属于本发明保护的范围。
第一预关断续流回路二极管Doff。
一续流二极管的阳极和第一续流二极管开关的一端连接,第一续流二极管开关的另一端、
第一电感的另一端、第一待测器件的集电极连接在一起,第一预关断续流回路二极管的阳
极与第一预关断续流回路开关的发射极连接,第一预关断续流回路开关的集电极与第一待
测器件的发射极连接;第一待测器件为IGBT器件。
Toff’和第二预关断续流回路二极管Doff’。
二续流二极管的阳极和第二续流二极管开关的一端连接,第二续流二极管开关的另一端、
第二电感的另一端、第二待测器件的集电极连接在一起,第二预关断续流回路二极管的阳
极与第二预关断续流回路开关的发射极连接,第二预关断续流回路开关的集电极与第二待
测器件的发射极连接;第二待测器件为IGBT器件。
端与第二待测器件的发射极连接,第一负极开关的另一端与第一电容的一端连接。
连接;第二负极开关的一端与第二待测器件的发射极连接,第二负极开关的另一端与第二
电容的一端连接。
第二预关断续流回路开关的栅极、第一续流二极管开关、第二续流二极管开关、第一正极开
关、第一负极开关、第二正极开关和第二负极开关连接。
关断续流回路开关的集电极连接;第二供电开关的集电极与供电装置的一端连接,第二供
电开关的发射极与第二电容的一端连接,第二供电开关的栅极与驱动脉冲生成器连接。
动脉冲生成单元、DUT2’驱动脉冲生成单元、Ton’驱动脉冲生成单元和Toff’驱动脉冲生成单
元。
导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关断、第一电容的电压绝对值和
第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,驱动脉冲生成器控制第一
待测器件和第二待测器件导通;其中,第一开关组合条件为第一正极开关闭合且第一负极
开关断开且第二负极开关闭合且第二正极开关断开;第二开关组合条件为第一负极开关闭
合且第一正极开关断开且第二负极开关断开且第二正极开关闭合;
开关和第二预关断续流回路开关导通后,控制第一预开通续流回路开关和第二预开通续流
回路开关关断;
二续流二极管开关闭合,然后,驱动脉冲生成器控制第一待测器件和第二待测器件关断;第
一开关组合转换操作为驱动脉冲生成器控制第一负极开关由断开转为闭合且第一正极开
关由闭合转为断开且第二负极开关由闭合转为断开且第二正极开关由断开转为闭合;第二
开关组合转换操作为驱动脉冲生成器控制第一负极开关由闭合转为断开且第一正极开关
由断开转为闭合且第二负极开关由断开转为闭合且第二正极开关由闭合转为断开;
MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制第一供电开关关断;驱动脉冲生成器还用于在第一
预关断续流回路开关和第二预关断续流回路开关关断后,在第二电容带有正极性电压时,
控制第二供电开关导通,在第二电容的电压达到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,控制第
二供电开关关断。
器连接。
与驱动脉冲生成器连接。
端连接,第一IGBT和第三IGBT的栅极均与驱动脉冲生成器连接。
回路开关的集电极连接,第二IGBT和第四IGBT的栅极均与驱动脉冲生成器连接。
和第二待测器件的电应力;热应力测量装置分别与第一待测器件和第二待测器件连接;热
应力测量装置用于测量在MMC工况下,第一待测器件和第二待测器件的热应力。
待测器件的电压。电压测量装置的电压探头采用四端子接线法连接,采用电压测量装置的
电压探头测量IGBT两端的电压。
流探头连接在IGBT的发射极一侧,采用电流测量装置的电流探头测量流过所述IGBT的电
流。
的外壳上;温度测量装置用于测量在MMC工况下,第一待测器件和第二待测器件的温度。采
用温度测量装置的传感探头测量IGBT的结温及壳温。
开关关断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路
开关关断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工
作电压时,驱动脉冲生成器控制第一IGBT和第二IGBT导通。
开关和第二预关断续流回路开关导通后,控制第一预开通续流回路开关和第二预开通续流
回路开关关断。
合,并控制第一续流二极管开关和第二续流二极管开关闭合,然后,驱动脉冲生成器控制第
一IGBT和第二IGBT关断。
电开关关断;当第二电容带有正极性电压时,控制第二供电开关导通;在第二电容的电压达
到MMC装置中IGBT器件的工作电压时,驱动脉冲生成器控制第二供电开关关断。
断、第二预开通续流回路开关导通、第二续流二极管开关闭合、第二预关断续流回路开关关
断、第一电容的电压绝对值和第二电容的电压绝对值达到MMC装置中IGBT器件的工作电压
时,驱动脉冲生成器控制第三IGBT和第四IGBT导通;
二预关断续流回路开关导通后,驱动脉冲生成器控制第一预开通续流回路开关和第二预开
通续流回路开关关断;
一续流二极管开关和第二续流二极管开关闭合,然后,驱动脉冲生成器控制第三IGBT和第
四IGBT关断;
断;当第二电容带有正极性电压时,控制第二供电开关导通;在第二电容的电压达到MMC装
置中IGBT器件的工作电压时,驱动脉冲生成器控制第二供电开关关断。
续流路径为L‑SD‑D‑Ton‑L,电感L'通过二极管D'续流,带有较高负电压的电容C2接入负极试
验电路,电感L'续流路径为L'‑SD'‑D'‑Ton'‑L';在阶段2,电容C1与电感L构成谐振回路,提
供被测功率半导体器件DUT的导通电流,电感电路路径为L‑DUT1‑C1‑SC1‑Ton‑L,电容C2与电
感L'构成谐振回路,提供被测功率半导体器件DUT1'的导通电流,电感电路路径为L'‑
DUT1'‑C2‑SC2'‑Ton'‑L';在阶段3,电感L上电流通过二极管Doff续流,电容C1与正极试验电
路断开连接,电容C1接入负极试验电路,电感L上电流路径为L‑DUT1‑Toff‑Doff‑L,电感L'上
电流通过二极管Doff'续流,电容C2与负极试验电路断开连接,电容C2接入正极试验电路,电
感L'上电流路径为L'‑DUT1'‑Toff'‑Doff'‑L';在阶段4,电感L在为C2短暂充电后,通过二极
管D续流,电源VDC为电容C2充电,电容C2的电压达到预定电压后,电源VDC停止充电,电感L为
C2充电的电流路径为L‑SD‑D‑SC2‑C2‑Toff‑Doff‑L,电感L续流路径为L‑SD‑D‑Ton‑L,电感L'在
为C1短暂反向充电后,通过二极管D'续流,电感L'为C1充电的电流路径为L'‑SD'‑D'‑SC1'‑
C1‑Toff'‑Doff'‑L',电感L续流路径为L'‑SD'‑D'‑Ton'‑L'。
续流回路IGBT开关Ton'、续流二极管支路双向开关SD'处于导通状态,母线供能电路中的电
容C1正极母线双向开关SC1、电容C2负极母线双向开关SC2'处于导通状态,使得正极试验电
路中的电感L通过正极试验电路中的续流二极管D续流;使得负极试验电路中的电感L'通过
负极试验电路中的续流二极管D'续流;使得电容C1与正极母线BUS+相连,电容C2与负极母
线BUS‑相连。在装置稳定运行过程中,电容C1此时带有较高的正电压,电容C2此时带有较高
的负电压;
DUT1的通态电流;电容C2与负极试验电路中的电感L'构成谐振回路,提供被测功率半导体
器件DUT1'的通态电流;
SD'处于关断状态,避免两个续流二极管D和D'误导通;
路IGBT开关Toff和Toff'处于导通状态,使得正极试验电路中的电感L通过被测功率半导体器
件DUT1续流;使得负极试验电路中的电感L'通过被测功率半导体器件DUT1'续流;电容C1此
时带有较高的负电压,电容C2此时带有较高的正电压;
正极母线双向开关SC2和续流二极管支路双向开关SD'处于导通状态,使得带有较高负电压
的电容C1与负极母线BUS‑相连,带有较高正电压的电容C2与正极母线BUS+相连,为被测功
率半导体器件DUT1和DUT1'提供关断瞬态所需要的高电压;
C1反向充电;通过驱动脉冲生成器输出的驱动脉冲控制正极试验电路和负极试验电路中的
两个预开通续流回路IGBT开关Ton和Ton'处于导通状态,使得正极试验电路中的电感L通过
续流二极管D续流,使得负极试验电路中的电感L'通过续流二极管D'续流;
待电容C2补能到预定正电压时,通过驱动脉冲生成器输出的驱动脉冲控制电源充电支路
IGBT开关TS2处于关断状态;使得正极母线BUS+和负极母线BUS‑上的电压均达到预定电压
值;
测功率半导体器件DUT2和DUT2'试验完成时对电容C1上电压进行补能。
置。电压测量装置的电压探头放在被测功率半导体器件的两端,采用四端子法测量IGBT上
的电压降落,可选择无源电压探头。
电偶传感器,放置在被测功率半导体外壳上。
双极性试验方案,大大降低了放电电容充电需求,充电安全性高,充电损耗低,充电时间短,
且在一个标准工况周期内同时提供4个被测功率半导体器件的应力。
别对应上述的四个阶段。从图3中可以看出,一个IGBT所用时间为标准工况下的一半,另一
半时间足以提供给另一个IGBT进行可靠性试验。图3中IGBT的波形图反映了在MMC工况下
IGBT电应力波形,故本发明的装置能够实现用于MMC装置的IGBT可靠性试验。
时长大幅降低。在一个试验电路中,两个并联的被测功率半导体器件在相邻两个半周期内
交替投入试验,装置在一个周期内可同时对4个被测功率半导体器件进行试验。
直接投入到相反极性试验电路中提供高电压,基本不需要充电和补能。
率及可靠性高。本发明提供的低损耗的MMC用功率半导体器件可靠性评估扩展试验装置方
法有效解决了目前MMC用功率半导体器件可靠性评估装置的充电可靠性差及试验效率低等
问题。
损耗且提升了电源充电的安全性。可同时测量4个被测功率半导体器件,大大提高了测量效
率。采用电容组的母线供能方案,仅需2个电容,大大提高了装置元件利用率,降低了装置成
本。
本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上,本说明书内容不应理
解为对本发明的限制。