一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法转让专利
申请号 : CN202110440484.1
文献号 : CN112951942B
文献日 : 2021-11-09
发明人 : 陈思铭 , 刘会赟 , 饶志治
申请人 : 湖南汇思光电科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
S1、将半绝缘砷化镓衬底送入砷化镓材质的MBE腔中去除其表面氧化层;
S2、在去除表面氧化层的半绝缘砷化镓衬底上生长一层砷化镓n型接触层;
S3、在砷化镓n型接触层上生长一层非掺杂砷化镓雪崩倍增层;
S4、在非掺杂砷化镓雪崩倍增层上生长一层p型砷化镓电子调节层,完成半绝缘砷化镓衬底的砷化镓部分生长;
S5、将步骤S4中完成砷化镓部分生长的半绝缘砷化镓衬底通过真空传输输送至锗材质的MBE腔内并在p型砷化镓电子调节层上生长一层非掺杂锗吸收层;
S6、在非掺杂锗吸收层上生长一层锗p型接触层,从而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。
2.如权利要求1所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S1具体实现方式为:将半绝缘砷化镓衬底送入温度为500‑650℃之间的砷化镓材质的MBE腔内进行高温脱氧处理,进而去除半绝缘砷化镓衬底的表面氧化层。
3.如权利要求2所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述半绝缘砷化镓衬底为非掺杂。
4.如权利要求3所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S2具体实现方式为:控制砷化镓材质的MBE腔内温度在500‑600℃之间,砷化镓材
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质载流子浓度在1×10 ‑5×10 cm 之间,使去除表面氧化层的砷化镓衬底上生长一层厚度为150‑300nm的砷化镓n型接触层,生长速率为每秒钟0.1–1原子层。
5.如权利要求4所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S3具体实现方式为:控制砷化镓材质的MBE腔内保持温度在500‑600℃之间,并在砷化镓n型接触层上生长一层厚度为100‑500nm的非掺杂雪崩倍增层。
6.如权利要求5所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S4具体实现方式为:控制砷化镓材质的MBE腔内保持温度在500‑600℃之间,砷化
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镓材质载流子浓度在1.0×10 ‑1.0×10 cm 之间,并在非掺杂雪崩倍增层上生长一层厚度为10‑100nm的p型砷化镓电子调节层。
7.如权利要求6所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S5具体实现方式为:将步骤S4中完成砷化镓部分生长的半绝缘砷化镓衬底通过真空传输输送至锗材质的MBE腔内并控制锗材质的MBE腔中温度处于400‑600℃之间,并在p型砷化镓电子调节层上生长一层厚度为500‑1500nm的非掺杂锗吸收层。
8.如权利要求7所述的基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法,其特征在于,所述步骤S6具体实现方式为:控制锗材质的MBE腔中温度在400‑600℃之间,锗材质载流子
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浓度在2×10 ‑5×10 cm 之间,然后在非掺杂锗吸收层上生长一层厚度为50‑200nm的锗p型接触层,进而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。
说明书 :
一种基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器的制作方法
技术领域
背景技术
加高反向电压的情况下,利用雪崩倍增效应来提高光检测敏感度的光探测器。APD结构中主
要为两部分,光吸收区和雪崩倍增区。现阶段比较成熟的产品为锗硅APD,即利用锗材料本
身吸收波长处于通讯波段的特点作为光吸收区,用硅做雪崩倍增区。但由于锗硅之间晶格
不匹配,造成一定数量的位错,从而导致APD中暗电流的增大。
镓)晶圆上可将制作成本巨幅减少。同时通讯波段的GaAs基的APD因为需要使用到应力材料
(如InGaAs),暗电流会因为产生的位错而增加,从而影响信噪比。将APD性能与成本有效兼
容将会是新一代商用APD的主要特点。
发明内容
缺陷所带来的暗电流,从而提高了包括响应度等器件性能。
层。
℃之间,其载流子浓度在1×10 ‑5×10 cm 之间,使去除表面氧化层的砷化镓衬底上生长
一层厚度为150‑300nm的砷化镓n型接触层,生长速率为每秒钟0.1–1原子层。
600℃之间,其载流子浓度在1.0×10 ‑1.0×10 cm 之间,并在非掺杂雪崩倍增层上生长
一层厚度为10‑100nm的p型砷化镓电子调节层。
600℃之间,并在p型砷化镓电子调节层上生长一层厚度为500‑1500nm的非掺杂锗吸收层。
间,其载流子浓度在2×10 ‑5×10 cm 之间,然后在非掺杂锗吸收层上生长一层厚度为
50‑200nm的锗p型接触层,进而获得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。
完成砷化镓部分生长的半绝缘砷化镓衬底通过真空传输输送至锗材质的MBE腔内进行锗材
料生长,实现了将锗材料外延到半绝缘砷化镓衬底上,有效地将III‑V族材料和IV族材料有
效结合起来。本发明通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上,使得砷化镓衬底
上无反向畴和高密度位错,因此能够有效减少砷化镓衬底上的锗雪崩光电探测器暗电流及
其制造成本。
附图说明
具体实施方式
接触层(200nm n型GaAs接触层),非掺杂砷化镓雪崩倍增层(300nm GaAs雪崩倍增层),砷化
镓电子调节层(50nm p型GaAs电子调节层),非掺杂锗吸收层(1000nm Ge吸收层),锗p型接
触层(200nm p型Ge接触层)。
温脱氧处理,从而去除其表面氧化层。
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载流子浓度为2×10 cm 。
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5.0×10 cm ,即,完成半绝缘砷化镓衬底的砷化镓部分生长。
然后在p型砷化镓电子调节层上生长一层厚度为1000nm的非掺杂锗吸收层。
收层5上生长一层厚度为200nm的锗p型接触层,其载流子浓度保持在2.0×10 cm ,从而获
得基于砷化镓衬底的锗雪崩光电探测器。
部分生长的半绝缘砷化镓衬底通过真空传输输送至锗材质的MBE腔内进行锗材料生长,实
现了将锗材料外延到半绝缘砷化镓衬底上,有效地将III‑V族材料和IV族材料有效结合起
来,通过将晶格匹配的锗材料外延生长在砷化镓衬底上,使得砷化镓衬底上无反向畴和高
密度位错,因此减少了半绝缘砷化镓衬底上的锗雪崩光电探测器暗电流及其制造成本。
例的说明只是用于帮助理解本发明的核心思想。应当指出,对于本技术领域的普通技术人
员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以对本发明进行若干改进和修饰,这些改进和
修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。